CN105025647A - 等离子体装置 - Google Patents
等离子体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105025647A CN105025647A CN201410359001.5A CN201410359001A CN105025647A CN 105025647 A CN105025647 A CN 105025647A CN 201410359001 A CN201410359001 A CN 201410359001A CN 105025647 A CN105025647 A CN 105025647A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- electrode
- plasma
- hollow edged
- edged electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 18
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 17
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 9
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 256
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 42
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 35
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
- H05H1/3463—Oblique nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32596—Hollow cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
- H05H1/3468—Vortex generators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
本发明提供一种等离子体装置，包括一外壳、一第一电极、一第二电极、一喷嘴以及一气体喷出口。外壳具有一第一腔室。该第一电极为一第一管状电极，第一管状电极设置在第一腔室中，且具有一第二腔室。第二电极具有与第二腔室连通的一第三腔室，其中第二电极能相对于外壳旋转。第二腔室与第三腔室适于容纳第一电极与第二电极间所形成的一等离子体。喷嘴与气体喷出口分别独立地设置在第二电极的底部，其中喷嘴用以喷出等离子体，并与第二电极的旋转轴心之间具有一夹角或与轴心相距一段距离，而气体喷出口用以喷出一冷却气体。
Description
技术领域
本发明是有关于一种等离子体装置，且特别是有关于一种大气等离子体装置。
背景技术
随着等离子体技术的发展，等离子体中的大气电弧等离子体已广泛地应用在各领域的表面处理上。举例而言，可利用大气电弧等离子体对待处理物件进行表面处理，藉此提升在此物件表面上进行的粘着、印刷、封装或贴晶等制程的可靠度。然而，受限于电弧负电阻的特性，这类电弧式的大气等离子体的处理范围有限，而无法同时产生大面积的电弧放电。虽然，电弧式大气等离子体的放电密度较高，使得此等离子体技术所产生的活性物质较多，而可提升等离子体处理的速度，仅需短时间的扫描即可完成扫描区域的表面处理。但是，无法产生大面积电弧放电的特性，仍将导致此类电弧式大气等离子体在应用上受到限制。
为了提高电弧式大气等离子体的应用性，美国专利公告第6262386号以及台湾专利公告第M426456号皆提出了一种等离子体装置，其装置中的电弧式等离子体喷嘴相对于等离子体装置的轴心歪斜一角度，且喷嘴可绕此轴心进行圆周式旋转，以使等离子体喷射面积增大，进而达到大面积的表面处理效果。然而，通过旋转喷嘴来扩大等离子体处理的有效面积的同时，必须要提供此等离子体装置更大的功率，才能产生所需的等离子体。但高功率的施加，会使得等离子体温度却也会跟着提高，而易影响等离子体对被处理物进行表面处理时的效能，尤其对于如可挠性基材等对热敏感的被处理物而言，如何兼顾等离子体处理效能以及基材温度控制乃为业界亟待克服的问题。此外，美国专利公告第6262386号除存在等离子体温度无法有效降低的问题外，其棒状内电极易会因为等离子体集中在单一点上而受损，尤其当施加高功率时容易损坏电极，进而影响设备的可靠度。
发明内容
本发明提供一种等离子体装置，其可进行大面积的表面处理，并具有良好的可靠度及效能。
本发明的等离子体装置包括一外壳、一第一电极、一第二电极、一喷嘴以及一气体喷出口，其中第一电极与第二电极的形状并不受限，可以是管状、棒状或其他形状，在本说明书中第一电极与第二电极以第一管状电极与第二管状电极为例进行说明，但本发明不受限于此。外壳具有一第一腔室。第一管状电极设置在第一腔室中，且具有一第二腔室。第二管状电极具有与第二腔室连通的一第三腔室。第二管状电极能相对于外壳旋转，且第二腔室与第三腔室适于容纳第一管状电极与第二管状电极间所形成的一等离子体。喷嘴与气体喷出口分别独立地设置在第二管状电极的底部。喷嘴用以喷出等离子体，并与第二管状电极的旋转轴心之间具有一夹角或与轴心相距一段距离，而气体喷出口用以喷出一冷却气体。
在本发明的一实施例中，上述的等离子体装置可以还包括一绝缘内衬、一第一气体通道以及一第一旋流产生器，其中绝缘内衬位于第一管状电极与该外壳之间。第一气体通道形成于绝缘内衬与第一管状电极之间，适于使一第一气体通过。第一旋流产生器设置在第一管状电极与第二管状电极的对接处，其中第一旋流产生器包含至少一第一连通口，用以该第一气体导入第二腔室与三腔室中，并在第二及三腔室中产生旋流，且旋流推动第一管状电极与第二管状电极内所形成的一电弧弧根，以使电弧弧根在第一管状电极及第二管状电极内表面做螺旋运动。更具体而言，第一气体通道可还延伸至第二管状电极以及该外壳之间，而与该气体喷出口连接。
在本发明的一实施例中，上述的等离子体装置也可还包括一形成于外壳与绝缘内衬的第二气体通道，适于使一第二气体通过，其中该第二气体通道还延伸至第二管状电极以及外壳之间，并与气体喷出口连接。此时，第一气体与第二气体可使用相同的气体，并且等离子体装置可还包括一旋流分配器，位于第一气体与第二气体在第一气体通道以及第二气体通道内的传递路径上，用以调节进入第二腔室与第三腔室作为工作气体与自气体喷出口所喷出的冷却气体的比例。
在本发明的一实施例中，上述的喷嘴与气体喷出口可分设在第二管状电极底部的相对侧，当对一被处理物进行处理时，等离子体与冷却气体可分别被导引至被处理物的表面的相对侧。在其他实施例中，喷嘴与气体喷出口可以是第二管状电极底部同一侧的不同开口。具体而言，等离子体与冷却气体自第二管状电极底部的不同开口被导引至该被处理物的表面，例如喷嘴与气体喷出口是位于第二管状电极底部的同径向但不同半径的开口。当然，在其他实施例中，气体喷出口与喷嘴可以先在第二管状电极底部内相接合，而使等离子体与冷却气体汇流至第二管状电极底部的喷嘴而自同一出口喷出。此时等离子体与冷却气体可经由相同出口被导引至被处理物的表面的相同侧。
在本发明的一实施例中，上述的等离子体装置还包括至少一进气口。至少一进气口设置在第二管状电极上，并与气体喷出口连通。此时，等离子体装置可还包括一气阀壳，进气口经由气阀壳设置在管状外电极上，且进气口与气体喷出口之间形成一第三气体通道。
在本发明的一实施例中，上述的等离子体装置，还包括一散热叶片单元。散热叶片单元配置在第二管状电极上，其中冷却气体经由散热叶片单元吸入并被导引至少一进气口中。
在本发明的一实施例中，上述的冷却气体为惰性气体。当然，上述冷却气体在其他实施例中也可以是能与等离子体发生反应的气体，通过通入具反应性的气体可对被处理物进行镀膜处理或蚀刻处理。
在本发明的一实施例中，还包括一第二旋流产生器。第二旋流产生器覆盖在第一管状电极上其中第二旋流产生器包含至少一第二连通口，用以将第一气体通道内的工作气体导入第二腔室与第三腔室中。具体而言，第一旋流产生器或第二旋流产生器可使工作气体以切线路径进入，以于第二及第三腔室中产生旋流。
在本发明的一实施例中，上述的第二管状电极可通过一轴承而接合在外壳的底部的外侧面，喷嘴固定在第二管状电极的一旋转部上，且第二管状电极的旋转部与喷嘴绕外壳旋转。此外，等离子体装置还可包括一设在第二管状电极的一外侧面上的传动装置，以带动第二管状电极与喷嘴旋转。
在本发明的一实施例中，上述的第一管状电极、第二管状电极与喷嘴的设置方式可为同轴心或者偏轴心。
在本发明的一实施例中，上述的等离子体装置适于对一被处理物进行处理，其中冷却气体喷射在被处理物的表面的气形可以为狭长形状或圆弧形。此外，当冷却气体沿被处理物的表面上的一第一区域进行喷射，而等离子体沿被处理物的表面上的一第二区域进行喷射时，第一区域例如是以环绕第二区域的方式进行处理。
在本发明的一实施例中，上述的等离子体装置还包括一非直流电源。非直流电源与第一管状电极和外壳电性连接，以施加电压。
基于上述，本发明的等离子体装置通过在可旋转式等离子体喷嘴旁分设独立的气体喷出口，除了能够达到高效能的大面积表面处理效果之外，更能适时地引入气流来对被处理物进行冷却，即使是对热敏感的被处理物，也能有效降低被处理物表面的温度，使得被处理物能在短时间内进行高效能的等离子体表面处理，可使高效能的等离子体处理不受限于被处理物材质的影响。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是本发明一实施例的一种等离子体装置的架构示意图；
图2A是图1的等离子体对静止的被处理物的一定点进行表面处理的气形示意图；
图2B是本发明一比较例的等离子体对静止的被处理物的一定点进行表面处理的气形示意图；
图2C是图2A与图2B的定点的温度变化曲线示意图；
图2D是图1的等离子体对在一扫描方向上相对移动的被处理物的一定点进行表面处理的气形示意图；
图2E是本发明一比较例的等离子体对在一扫描方向上相对移动的被处理物的一定点进行表面处理的气形示意图；
图2F是图2D与图2E的定点的温度变化曲线示意图；
图3A至图3D是图1的等离子体进行表面处理的不同气形示意图；
图4是本发明另一实施例的一种等离子体装置的架构示意图；
图5是本发明另一实施例的一种等离子体装置的架构示意图；
图6是本发明又一实施例的一种等离子体装置的架构示意图；
图7是本发明再一实施例的一种等离子体装置的架构示意图；
图8A是本发明一实施例的一种等离子体装置的架构示意图；
图8B是图8A的一种散热叶片单元的正视示意图。
附图标记说明：
100、400、500、600、700、800：等离子体装置；
110、410：外壳；
111：第一腔室；
113、413：上底部；
114：下底部；
115：绝缘内衬；
116：导流罩；
120：第一管状电极；
121：第二腔室；
130、430、530、830：第二管状电极；
131：第三腔室；
141、143：旋流产生器；
142：腔室；
150：轴承；
160：传动装置；
170：非直流电源；
181、681、781：喷嘴；
190、590、690、790、890：气体喷出口；
FU：散热叶片单元；
S111：底面；
CP1：第一连通口；
CP2：第二连通口；
GC1：第一气体通道；
GC2：第二气体通道；
GC3：第三气体通道；
IP1、IP2：进气口；
DO、UO：开口；
GJ：气阀壳；
SE：密封元件；
AF：旋流；
AR：电弧弧根；
AC：等离子体
WG：第一气体；
CG：第二气体；
O：轴心；
OB：被处理物；
RP：旋转部；
AR1：第一区域；
AR2：第二区域；
θ：夹角。
具体实施方式
有鉴于前述问题，本发明是在等离子体装置的等离子体喷出口附近设置一气体喷出口，藉此可以有效解决前述的问题。再者，等离子体装置中用以产生等离子体的第一电极与第二电极的态样并不限于本实施例所揭示的形状，第一电极与第二电极可以是管状、棒状或其他形状。惟，当第一电极与第二电极为管状的第一管状电极与第二管状电极时，可进一步有效避免电极损害、增进设备的可靠度的效果。图1是本发明一实施例的一种等离子体装置的架构示意图。请参照图1，在本实施例中，等离子体装置100包括一外壳110、一第一管状电极120、一第二管状电极130、一第一气体通道GC1、一第二气体通道GC2、多个进气口IP1、至少一旋流产生器141、143、一喷嘴181以及一气体喷出口190。举例而言，在本实施例中，等离子体装置100为一种电弧式大气等离子体装置100。外壳110则例如由金属或不锈钢或其他适合的导电材料所组成。此外，如图1所示，在本实施例中，等离子体装置100包含旋流产生器141、143，但本发明不以此为限。在其他实施例中，等离子体装置100也可仅包含单一个旋流产生器。
具体而言，如图1所示，在本实施例中，外壳110为环设在第一管状电极120外的管状结构，而使外壳110与第一管状电极120之间构成腔室111(即第一腔室)。在腔室111设置有绝缘内衬115环设于第一管状电极120，绝缘内衬115的材料例如可为聚四氟乙烯、聚醚醚酮(PEEK)或陶瓷。并且，在绝缘内衬115外的腔室111可作为气体通道。更详细而言，外壳110的上底部113接合在腔室111的下方。如图1所示，本实施例的外壳110还包括自上底部113向下延伸的导流罩116，而上底部113为外壳110开始缩减的部位，外壳110的内径自上底部113向下底部114渐减，而使外壳110的导流罩116在上底部113与下底部114之间形成一如漏斗形状般腔室142。此外，在本实施例中，外壳110为一外罩式外壳。
另一方面，第一管状电极120设置在外壳110的腔室111中。并且，第一管状电极120为一中空的管状结构而具有一腔室121(即第二腔室)。在本实施例中，第二管状电极130也由于因其结构为中空管状而同样具有腔室131(即第三腔室)，此腔室131与上方的第一管状电极120的腔室121连通，其所构成的空间用于容纳等离子体装置启动时所形成的电弧弧根AR与等离子体AC。
在本实施例的等离子体装置100中具有两道分别环设在第一管状电极120外的气体通道，图1所示，由内至外分别为形成于第一管状电极120与绝缘内衬115间的第一气体通道GC1、以及形成于绝缘内衬115与外壳110间的第二气体通道GC2，且第一气体通道GC1与第二气体通道GC2分别经由多个进气口IP1与外界气源连通，其中这些进气口IP1设置在外壳110的上方。此外，在本实施例中，第一气体通道GC1与第二气体通道GC2可以还延伸至第二管状电极130以及外壳110之间，而与气体喷出口190连接。
具体而言，第一气体通道GC1与第二气体通道GC2分别适于使一第一气体WG与一第二气体CG通过，并依制程需求而通入适当的气体种类，并且二者所通入的气体种类可以相同、也可以不同。以图1所示的实施例为例，第一气体WG可由第一气体通道GC1经由连通口CP2而通入腔室121与腔室131中，当在第一管状电极120与第二管状电极130之间施以电压时，第一气体WG可作为工作气体而启动电弧弧根AR与等离子体AC。另一方面，在第二气体通道GC2中则可通入第二气体CG，该第二气体CG通过漏斗状的腔室142并经由气体喷出口190而自第二管状电极的底部喷出，向被处理物OB喷出冷却气体，以冷却高效能等离子体处理的温度。在本实施例中，作为工作气体的第一气体WG的一部分也可已被导向气体喷出口190而作为冷却气体，第一气体WG与第二气体CG的种类可以相同，也可以不同，端视制程需求而定。当然，第一气体WG与第二气体CG也可以分别独立操作，本发明并不以此为限。
举例而言，如图1所示，由于第一气体通道GC1在连通口CP2附近经由漏斗状腔室142而与气体喷出口190连通，并且第二气体通道GC2经由图1右方的漏斗状腔室142而与气体喷出口190连通，本实施例的第二气体CG可经由第二气体通道GC2被导引至连通的第一气体通道GC1、气体喷出口190中。此外，本实施例的气体喷出口190与喷嘴181分别独立地设置在第二管状电极130的底部的相对侧，其中喷嘴181用以喷出等离子体AC，而气体喷出口190用以喷出第二气体CG。如此，在操作模式中，等离子体AC与第二气体CG可分别被导引至被处理物OB的表面的相对侧，一边利用等离子体AC对被处理物OB进行所需的表面处理，例如清洁、镀膜、蚀刻、活化或钝化表面能。
此外，在本实施例中，当第二气体CG与第一气体WG为相同气体时，等离子体装置100可在第二气体CG与第一气体WG于第一气体通道GC1以及第二气体通道GC2内的传递路径上另设置一旋流AF分配器(未示出)，以调节自气体喷出口所喷出而作为冷却气体的第二气体CG、与进入第二腔室121与第三腔室131作为工作气体的第一气体WG的比例。举例而言，旋流AF分配器调节第二气体CG与第一气体WG比例的方法例如是通过其孔径大小来控制通过的第二气体CG与第一气体WG的相对多少。如此，可使用既有气体种类，而兼顾被对处理物的等离子体处理效能，以及可通过第二气体CG达到冷却处理物件的表面的效果。
另一方面，在本实施例中，由于第一气体WG可在第一气体通道GC1中流动，并可流向环设于第二管状电极130外的漏斗状腔室142，因此也可通过第一气体WG的导入与流动来冷却工作中的第一管状电极120以及第二管状电极130，提供气冷的效果，当然流至腔室142的第二气体CG也同样可发挥气冷的效果。总言之，利用第一气体WG、第二气体CG所提供的冷却效果，可在无需设置额外的冷却系统下，有效降低第一管状电极120以及第二管状电极130的工作温度，进而使所产生的等离子体AC更为稳定与保有高能量状态，进而提高对被处理物OB的处理效能以及稳定性，并且可有效延长第一管状电极120及第二管状电极130的使用寿命。
本实施例的旋流产生器143固定在外壳110的腔室111的底面S111上，且旋流产生器143位于面向第一管状电极120与第二管状电极130对接处的间隙，使得由第一气体通道GC1所通过的工作气体通过旋流产生器143而可以旋流的方式经由连通口CP2而通入腔室121与腔室131中，藉以提供形成电弧弧根AR与等离子体AC的气体。如图1所示，另一旋流产生器141则设置在第一管状电极120上方。并且在本实施例中，在第一管状电极120上方接近旋流产生器141也可以另设置一气体进入口(未示出)，通过在电弧等离子体形成期间由此气体进入口(未示出)通入气体可有助于稳定所电弧与等离子体往喷嘴方移动，当第一管状电极120的尺寸需要被进一步缩短时可有效避免电弧等离子体聚集在第一管状电极120上方。
另一方面，如图1所示，在本实施例中，等离子体装置100可进一步包含非直流电源，例如非直流电源170。此非直流电源170与第一管状电极120电性连接，使第一管状电极120为高压端，而使第二管状电极130为接地端或相对低压端，藉此可在第一管状电极120与第二管状电极130之间形成电压差，从而启动电弧弧根AR并产生等离子体AC。此外，在本实施例中，由于第一管状电极120接合在旋流产生器143上，因此为了电性隔离旋流产生器143与外壳110，旋流产生器143可由金属与绝缘材料的组合，或者单纯由绝缘材料所构成，其中构成隔离旋流产生器143的绝缘材料例如可为聚醚醚酮。另一方面，旋流产生器141同样可由金属与绝缘材料所构成，但旋流产生器141的材料较佳是采用金属。
更详细而言，当第一气体WG从旋流产生器143而以旋流方式进入腔室121中后，会分别沿着上方第一管状电极120的内侧面、以及下方的外壳110的上底部113的内侧面与第二管状电极130的内侧面，朝上方与下方流动，并形成旋流AF。此时，第一管状电极120与第二管状电极130因电压的施加而产生电弧弧根AR。电弧弧根AR可将旋流AF的旋流AF离子化，而使第一气体WG产生活化反应，进而在腔室121与腔室131中形成等离子体AC。
进一步而言，在本实施例中，由第一气体WG所形成的旋流AF会推动第一管状电极120与第二管状电极130内所形成的电弧弧根AR，使电弧弧根AR绕着第一管状电极120的腔室121与第二管状电极130的腔室131做螺旋运动。之后，再使第一气体WG转换成的等离子体AC自等离子体装置100中导引至喷嘴181处后喷出，以对待处理物件进行等离子体处理。
如图1所示，第二管状电极130例如是通过轴承150而接合在外壳110的上底部113的外侧面。在本实施例中，由于轴承150的材料可为金属，因此第二管状电极130与喷嘴181的电位可通过此轴承150而传递至外壳110。进一步而言，在本实施例中，喷嘴181以非轴承方式而设置在第二管状电极130底部的旋转部RP上，也即喷嘴181可通过其所接合的第二管状电极130的旋转部RP，而相对于外壳110旋转。如此，将可使经由喷嘴181喷射出的喷射面积增大，进而达到大面积的表面处理效果。
此外，在本实施例中，喷嘴181与第二管状电极130的旋转轴心O之间相距一段距离。进一步而言，在本实施例中，喷嘴181也是以歪斜方式设置在第二管状电极130下方，因此喷嘴181下方的开口DO与第二管状电极130的旋转轴心O之间具有一夹角θ。在一些例子中，夹角θ大于0度，且小于90度。举例而言，第一管状电极120、第二管状电极130与喷嘴181可为同轴心。也即，连通第二管状电极130与喷嘴181上方的开口UO的轴心可对齐于第一管状电极120和第二管状电极130的轴心，但本发明不以此为限。在另一实施例中，第一管状电极120、第二管状电极130与喷嘴181也可为偏轴心。举例而言，第一管状电极120与第二管状电极130的轴心可不同，但可与喷嘴181上方的开口UO的轴心相同；或者喷嘴181上方的开口UO的轴心与第二管状电极130和第一管状电极120的轴心不同；或者第一管状电极120、第二管状电极130、与喷嘴181上方的开口UO的轴心均不相同。
此外，等离子体装置100也可根据实际应用需求，而选择性地包含传动装置160，其中传动装置160可例如为皮带轮或齿轮等。更详细而言，如图1所示，传动装置160设置在邻近轴承150的第二管状电极130的外侧面上，以带动第二管状电极130以及喷嘴181与气体喷出口190相对于外壳110做圆周式旋转，但本发明不以此为限。传动的方式也可利用如马达等驱动装置来驱动传动件，再通过传动件来带动与其接合的传动装置160，进而带动第二管状电极130以及喷嘴181与气体喷出口190旋转。当然，传动装置160也可以使用是磁力驱动件(未示出)来带动第二管状电极130以及喷嘴181与气体喷出口190相对于外壳110做圆周式旋转，本发明并不以此为限。
如此一来，当等离子体AC与第二气体CG被分别导引至喷嘴181与气体喷出口190处时，将可再经由喷嘴181与气体喷出口190而被导引至被处理物OB的表面，以对处理物件进行等离子体处理，并可通过第二气体CG达到冷却处理物件的表面的效果。以下将搭配图2A至图3D针对等离子体AC与第二气体CG被引导至被处理物OB的表面的可能气形形态进行进一步解说。
图2A是图1的等离子体对静止的被处理物的一定点进行表面处理的气形示意图。图2B是本发明一比较例的等离子体对静止的被处理物的一定点进行表面处理的气形示意图。图2C是图2A与图2B的定点的温度变化曲线示意图。请参照图2A，在本实施例中，等离子体AC与第二气体CG分别可被导引至被处理物OB的表面的相对侧的表面上，并分别对处理物件进行等离子体处理以及提供气冷的效果。更详细而言，如图2A所示，当等离子体AC对被处理物OB的表面的定点A进行处理后，通过喷嘴181与气体喷出口190周期性地旋转，而可使得第二气体CG也可在之后被引导至被处理物OB的表面的定点A提供气冷的效果，而有效降低被处理物OB的表面的定点A的温度。
另一方面，如图2B所示，当等离子体装置100仅有提供等离子体处理而未提供第二气体CG时，被处理物OB的表面的定点A的温度将会随着处理的时间渐长而逐步上升，如此，将会使被处理物OB表面的温度不当升高，甚至造成被处理物OB的损坏，特别是具有热敏感性质的被处理物OB影响甚巨，此外，温度的不当升高也会影响对被处理物OB进行表面处理的效能。
进一步而言，如图2C所示，当等离子体装置100同时提供等离子体AC与第二气体CG以进行表面处理时的定点A的温度将会明显小于当等离子体装置100仅提供等离子体AC进行表面处理时的定点A的温度，且随着接触次数愈多，差异将会越明显。由图2C可知，本发明的等离子体装置100因设置有气体喷出口，将可避免等离子体AC温度过高而影响等离子体AC进行表面处理效能的风险。
另一方面，在前述的实施例中，虽以静止的被处理物OB为例示，但本发明并不以此为限。以下将搭配图2D至图2F，进行进一步的说明。
图2D是图1的等离子体对在一扫描方向SD上相对移动的被处理物的一定点进行表面处理的气形示意图。图2E是本发明一比较例的等离子体对在一扫描方向SD上相对移动的被处理物的一定点进行表面处理的气形示意图。图2F是图2D与图2E的定点的温度变化曲线示意图。请参照图2D及图2E，在本实施例中，当等离子体装置100对被处理物OB进行表面处理时，也可使被处理物OB沿一扫描方向进行相对移动，进而可达到大面积的表面处理效果。更详细而言，如图2D所示，在一实施例中，等离子体装置100同时提供等离子体AC与第二气体CG以分别对处理物件进行等离子体处理以及提供气冷的效果，而有效降低被处理物OB的表面的定点B的温度。
另一方面，如图2E所示，在一比较例中，等离子体装置100仅有提供等离子体AC处理而未提供第二气体CG，因此会使得被处理物OB的表面的定点B的温度随着处理的时间渐长而逐步上升。如此，如图2F所示，当等离子体装置100同时提供等离子体AC与第二气体CG以进行表面处理时的定点B的温度将会明显小于当等离子体装置100仅提供等离子体AC进行表面处理时的定点B的温度，且随着接触次数愈多，差异也会越明显。如此一来，等离子体装置100也可通过喷嘴181与气体喷出口190周期性地旋转，来使得第二气体CG也可在之后被引导至被处理物OB的表面的定点B提供气冷的效果，进而避免等离子体AC温度过高而影响等离子体AC进行表面处理效能的风险。
此外，在前述的实施例中，虽以第二气体CG的气形为一点状为例示，但本发明并不以此为限。以下将搭配图3A至图3D，进行进一步的说明。
图3A至图3D是图1的等离子体进行表面处理的不同气形示意图。如图3A及图3B所示，在本实施例中，气体喷出口190也可控制第二气体CG喷射在被处理物OB的表面的气形为狭长形状或是第二气体CG喷射在被处理物OB的表面的气形为圆弧形。此外，如图3C所示，在另一实施例中，用以喷出第二气体CG的气体喷出口190的数量也可为多个以上。如此，将可进一步扩大提供第二气体CG以进行气冷效果的范围。
此外，本发明也不限定使第二气体CG进行气冷效果的范围须与等离子体AC进行表面处理的范围重叠。举例而言，如图3D所示，在一实施例中，第二气体CG可沿被处理物OB的表面上的一第一区域AR1进行喷射，等离子体AC沿被处理物OB的表面上的一第二区域AR2进行喷射，且第一区域AR1邻近第二区域AR2。如此，通过第二气体CG提供气冷效果的第一区域AR1与对等离子体AC进行表面处理的第二区域AR2相邻，等离子体装置100也可达到对等离子体AC进行表面处理的第二区域AR2提供冷却表面的效果，而兼顾等离子体AC表面处理的效能。
换言之，本发明并不限定气体喷出口190的数量及第二气体CG的气形的形式及范围，在其他的实施方式中凡是能经由所喷射的第二气体CG来提供气冷效果以避免影响等离子体AC表面处理效能的等离子体装置100，都可以作为本实施例的等离子体装置100。
如此一来，等离子体装置100在喷出等离子体AC时，将能使等离子体AC与第二气体CG经由喷嘴181与气体喷出口190被引导至被处理物OB的表面，并同时通过被处理物OB的移动来达到大面积的表面处理效果。并且，等离子体装置100也能通过第二气体CG达到冷却处理物件的表面的效果，而可避免等离子体AC温度过高而影响等离子体AC进行表面处理效能的风险。此外，等离子体装置100也能通过第一气体WG的导入与流动来冷却第一管状电极120，提供气冷的效果，而有效降低第一管状电极120的工作温度，进而可有效延长第一管状电极120的使用寿命。
此外，在前述的实施例中，虽以第二气体CG经由至少一进气口IP1的其一进入腔室121中，且经由第二气体通道GC2被导引至气体喷出口190后喷出为例示，但本发明并不以此为限。以下将搭配图4至图8B进行进一步的说明。
图4是本发明另一实施例的一种等离子体装置的架构示意图。请参照图4，在本实施例中，图4的等离子体装置400与图1的等离子体装置100类似，惟，在如图4所示的本实施例中，等离子体装置400省略了等离子体装置100的外壳410的导流罩116(示出于图1)，外壳410的上底部413仅由上方延伸至第二管状电极430的上方。如图4所示，在本实施例中，第一气体通道GC1是直接挖设在第二管状电极430的内部，而与气体喷出口190的内部连通。因此，本实施例可省略示出于图1中导流罩116的设计，有助于简化等离子体装置的构件。在本实施例中，第二气体CG可经由至少一进气口IP1进入腔室121与腔室131中，并且也可经由第一气体通道GC1或与第一气体通道GC1连通的第二气体通道GC2而被导引至气体喷出口190后喷出，以降低被处理物OB表面温度。
同样地，等离子体装置400也能通过第一气体WG、第二气体CG的导入与流动来冷却第一管状电极120与第二管状电极130，提供气冷的效果，而有效降低等离子体处理时电极的工作温度，进而可有效稳定并增强等离子体效能、以及可延长电极的使用寿命。并且，在喷出等离子体AC时，等离子体装置400也能使等离子体AC与第二气体CG经由喷嘴181与气体喷出口190被引导至被处理物OB的表面，并同时通过被处理物OB的移动来达到大面积的表面处理效果。并且，等离子体装置400也能通过第二气体CG达到冷却处理物件的表面的效果，而可避免等离子体AC温度过高而影响等离子体AC进行表面处理效能的风险。因此，等离子体装置400同样具有等离子体装置100所提及的优点，在此也不再赘述。
图5是本发明另一实施例的一种等离子体装置的架构示意图。请参照图5，在本实施例中，图5的等离子体装置500与图1的等离子体装置100类似，惟在如图5所示的本实施例中，等离子体装置500还包括至少一进气口IP2与气阀壳GJ，其中进气口IP2经由气阀壳GJ设置在第二管状电极530上。详细而言，进气口IP2与外界气源连通，且气阀壳GJ与气体喷出口590之间形成有一供第二气体通过的第三气体通道GC3。具体而言，第二气体CG可自进气口IP2导入，经由第三气体通道GC3被导引至气体喷出口590后自第二管状电极130底部的开口喷出。
另一方面，在本实施例中，气阀壳GJ与第二管状电极530可分开设置。举例而言，气阀壳GJ可通过轴承的方式旋设在第二管状电极530上，而可在第二管状电极530的旋转部RP旋转时，保持固定不动。此时，气阀壳GJ与第二管状电极530之间则可设有多个密封元件SE，以防第二气体CG逸失。在本实施例中，密封元件SE的材质例如可为橡胶、石墨或是可切削陶瓷，但本实施例不以此为限。在另一实施例中，密封元件SE也可为具有润滑功能的石墨环。此时的密封元件SE可将第二气体CG的逸失比例控制在一容许范围内，且还可有利于减少第二管状电极530的旋转部RP旋转时所可能对气阀壳GJ带来的磨损风险。
此外，在本实施例中，第三气体通道GC3可不与各腔室、第一气体通道GC1以及第二气体通道GC2连通，而为一独立的气体通道。因此，第二气体CG与第一气体WG可被独立控制为相同或不同种类的第二气体CG，其中第二气体CG可依实际需求选择性地为惰性气体或其他不与第一气体WG起反应的适合气体，以减少等离子体AC与外界空气混合的机会。举例而言，当进行还原处理时，第一气体WG可选用混合的氮气与氢气(N2+H2)，而第二气体CG可选用氮气(N2)，而可减少外界空气中的氧气与等离子体AC混合的机会，以提升处理效能，但本发明不以此为限。
在其他实施例中，第二气体CG除了具有冷却效果外，也可进一步选用具有反应性的第二气体CG或混合气体，以使在等离子体AC与第二气体CG进一步反应后再对被处理物OB进行表面处理，例如被处理物OB的表面被等离子体AC活化后可增进第二气体CG与被处理物OB表面所需的镀膜或蚀刻等反应。举例而言，在一些实施例中，第二气体CG可对被处理物进行镀膜处理或蚀刻处理，并同时提供气冷效果，以作为冷却气体之用。此领域具通常知识者当可依实际需求选用适合种类的第二气体CG，不再赘述。
同样地，等离子体装置500与前述等离子体装置100、400般也能对电极提供气冷的功效。并且，在喷出等离子体AC时，等离子体装置500也能使等离子体AC与第二气体CG经由喷嘴181、气体喷出口590被引导至被处理物OB的表面，并同时通过被处理物OB的移动来达到大面积的表面处理效果。同时，等离子体装置500也能通过第二气体CG达到冷却处理物件的表面的效果，而可避免等离子体AC温度过高而影响等离子体AC进行表面处理效能的风险，不再赘述。
在前述的实施例中，虽以等离子体AC与第二气体CG被导引至被处理物OB的表面的相对侧为例示，但本发明并不以此为限。以下将搭配图6至图7进行进一步的说明。
图6是本发明另一实施例的一种等离子体装置的架构示意图。请参照图6，在本实施例中，图6的等离子体装置600与图5的等离子体装置500类似。惟如图6所示，在本实施例中，气体喷出口690与喷嘴681在第二管状电极530底部内相接合，用以使等离子体AC与冷却第二气体CG自第二管状电极530底部的同一出口喷出，换言之，此出口同时提供等离子体与冷却气体CG。在此实施例中，等离子体AC与第二气体CG可经由相同喷嘴681被导引至被处理物OB的表面的相同侧，而可对处理物件进行等离子体处理以及提供气冷的效果。这样的设置可以适用于当冷却气体CG与等离子体AC可相混合反应后再对被处理物OB进行表面处理的制程，当然冷却气体CG也可以仅作为降低被处理物OB表面上被等离子体AC处理处的温度，本发明并不以此为限。
图7是本发明再一实施例的一种等离子体装置的架构示意图。请参照图7，在本实施例中，图7的等离子体装置700也与图5的等离子体装置500类似，惟，如图7所示，在本实施例中，喷嘴781与气体喷出口790的出口为第二管状电极530底部同一侧的不同开口，因此等离子体AC与第二气体CG可自第二管状电极530底部的不同开口被导引至被处理物OB的表面的相同侧，而可对处理物件进行等离子体处理以及提供气冷的效果。
在前述的实施例中，由于等离子体装置600、700也能通过第一气体WG的导入与流动来冷却第一管状电极120，提供气冷的效果，而有效降低第一管状电极120的工作温度，进而可有效延长第一管状电极120的使用寿命。并且，在喷出等离子体AC时，等离子体装置600、700也能使等离子体AC与第二气体CG分别经由喷嘴681、781与气体喷出口690、790被引导至被处理物OB的表面，并同时通过被处理物OB的移动来达到大面积的表面处理效果。并且，等离子体装置600、700也能通过第二气体CG达到冷却处理物件的表面的效果，而可避免等离子体AC温度过高而影响等离子体AC进行表面处理效能的风险。因此，等离子体装置600、700同样具有等离子体装置500所提及的优点，在此也不再赘述。
图8A是本发明一实施例的一种等离子体装置的架构示意图。图8B是图8A的一种散热叶片单元的正视示意图。请参照图8A与图8B，在本实施例中，图8A的等离子体装置800与图5的等离子体装置500类似，而差异如下所述。如图8A与图8B所示，在本实施例中，等离子体装置800还包括一散热叶片单元FU。散热叶片单元FU配置在第二管状电极830上，其中第二气体CG并且经由散热叶片单元FU吸入并被导引至少一进气口IP2中。更详细而言，通过散热叶片单元FU的配置，将可降低流入进气口IP2及第三气体通道GC3的第二气体CG的温度，以达到更有效的气冷效果。
在本实施例中，由于等离子体装置800也能通过第一气体WG的导入与流动来冷却第一管状电极120，提供气冷的效果，而有效降低第一管状电极120的工作温度，进而可有效延长第一管状电极120的使用寿命。并且，在喷出等离子体AC时，等离子体装置800也能使等离子体AC与第二气体CG分别经由喷嘴181与气体喷出口890被引导至被处理物OB的表面，并同时通过被处理物OB的移动来达到大面积的表面处理效果。并且，等离子体装置800也能通过第二气体CG达到冷却处理物件的表面的效果，而可避免等离子体AC温度过高而影响等离子体AC进行表面处理效能的风险。因此，等离子体装置800同样具有等离子体装置500所提及的优点，在此也不再赘述。
综上所述，本发明的等离子体装置能通过工作气体的导入与流动来冷却第一管状电极，提供气冷的效果，而可有效延长第一管状电极的使用寿命。并且，在喷出等离子体时，等离子体装置也能使等离子体与气体经由喷嘴被引导至被处理物的表面，并同时通过被处理物的移动来达到大面积的表面处理效果。并且，等离子体装置也能通过气体达到冷却处理物件的表面的效果，而可避免等离子体温度过高而影响等离子体进行表面处理效能的风险。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (12)
1.一种等离子体装置，其特征在于，该等离子体装置包括：
第一电极；
第二电极，对应于该第一电极而设置，该第二电极能相对于该第一电极旋转，且该第一电极与该第二电极间适于形成一等离子体；以及
喷嘴与气体喷出口，分别独立地设置在该第二电极的底部，其中该喷嘴用以喷出该等离子体，并与该第二电极的旋转轴心之间具有一夹角或与轴心相距一段距离，且该气体喷出口用以喷出冷却气体。
2.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，还包括：
外壳，具有一第一腔室；
该第一电极设置在该第一腔室中，且该第一电极为第一管状电极，其中该第一管状电极具有第二腔室；以及
该第二电极为第二管状电极，其中该第二管状电极具有与该第二腔室连通的第三腔室，且该第二腔室与该第三腔室适于容纳该等离子体。
3.根据权利要求2所述的等离子体装置，其特征在于，还包括：
绝缘内衬，位于该第一管状电极与该外壳之间；
第一气体通道，形成于该绝缘内衬与该第一管状电极之间，适于使第一气体通过；以及
第一旋流产生器，设置在该第一管状电极与该第二管状电极的对接处，其中该第一旋流产生器包含至少一第一连通口，该至少第一连通口用以该第一气体导入该第二腔室与第三腔室中，并在该第二及三腔室中产生旋流，且该旋流推动该第一管状电极与该第二管状电极内所形成的电弧弧根，以使该电弧弧根在该第一管状电极及第二管状电极内表面做螺旋运动。
4.根据权利要求3所述的等离子体装置，其特征在于，该第一气体通道还延伸至该第二管状电极以及该外壳之间，而与该气体喷出口连接。
5.根据权利要求3所述的等离子体装置，其特征在于，还包括：
第二气体通道，形成于该外壳与该绝缘内衬之间，适于使第二气体通过，其中该第二气体通道还延伸至该第二管状电极以及该外壳之间，并与该气体喷出口连接。
6.根据权利要求5所述的等离子体装置，其特征在于，该第一气体与该第二气体为相同气体，且该等离子体装置还包括：
旋流分配器，位于该第一气体与该第二气体在该第一气体通道以及该第二气体通道内的传递路径上，用以调节进入该第二腔室与该第三腔室作为工作气体与自气体喷出口所喷出的该冷却气体的比例。
7.根据权利要求3所述的等离子体装置，其特征在于，还包括：
至少一进气口，设置在该第二管状电极上，并与该气体喷出口连通；以及
气阀壳，其中该进气口经由该气阀壳设置在该管状外电极上，且该进气口与该气体喷出口之间形成第三气体通道。
8.根据权利要求7所述的等离子体装置，其特征在于，还包括：
散热叶片单元，配置在该第二管状电极上，其中该冷却气体经由散热叶片单元吸入并被导引该至少一进气口中。
9.根据权利要求3所述的等离子体装置，其特征在于，适于对被处理物进行处理，该喷嘴与该气体喷出口为该第二管状电极底部同一侧的不同开口，且该等离子体与该冷却气体自该第二管状电极底部的不同开口与外部互相接触混合。
10.根据权利要求3所述的等离子体装置，其特征在于，适于对被处理物进行处理，该气体喷出口与该喷嘴在该第二管状电极底部内相接合，用以使该等离子体与该冷却气体汇流至该第二管状电极底部的该喷嘴而自同一出口喷出，且该等离子体与该冷却气体经由相同出口被导引至该被处理物的表面。
11.根据权利要求3所述的等离子体装置，其特征在于，还包括：
第二旋流产生器，覆盖在该第一管状电极上，且该第一管状电极接合在该第二旋流产生器上，其中该第二旋流产生器包含至少一第二连通口，用以将该第一气体通道内的该工作气体以切线路径导入该第二腔室中。
12.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，还包括：
传动装置，设在该第二电极的一外侧面上，以带动该第二电极与该喷嘴旋转。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103113891 | 2014-04-16 | ||
| TW103113891A TWI531280B (zh) | 2014-04-16 | 2014-04-16 | 電漿裝置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105025647A true CN105025647A (zh) | 2015-11-04 |
Family
ID=54322605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410359001.5A Pending CN105025647A (zh) | 2014-04-16 | 2014-07-25 | 等离子体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9320125B2 (zh) |
| CN (1) | CN105025647A (zh) |
| TW (1) | TWI531280B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108370639A (zh) * | 2015-12-07 | 2018-08-03 | 等离子体处理有限公司 | 用于产生常压等离子体束的装置和处理工件表面的方法 |
| CN109951943A (zh) * | 2017-12-21 | 2019-06-28 | 雷立强光电科技股份有限公司 | 一种大气电浆产生装置 |
| TWI685279B (zh) * | 2019-04-16 | 2020-02-11 | 馗鼎奈米科技股份有限公司 | 電漿裝置 |
| CN112738968A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体生成装置和半导体工艺设备 |
| CN114040560A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-02-11 | 国网重庆市电力公司电力科学研究院 | 一种可旋转式等离子体射流发生装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102015121253A1 (de) * | 2015-12-07 | 2017-06-08 | Plasmatreat Gmbh | Vorrichtung zum Erzeugen eines atmosphärischen Plasmastrahls zur Behandlung der Oberfläche eines Werkstücks |
| WO2018020434A1 (en) | 2016-07-26 | 2018-02-01 | BORISSOVA, Anastasiia Olegovna | Tissue tolerable plasma generator and method for the creation of protective film from the wound substrate |
| DE102016214146A1 (de) * | 2016-08-01 | 2018-02-01 | Kjellberg Stiftung | Plasmabrenner |
| CN112638471A (zh) * | 2019-06-24 | 2021-04-09 | 永进生物科技股份有限公司 | 包括二进气口的电浆装置 |
| JP7420003B2 (ja) * | 2020-07-31 | 2024-01-23 | 株式会社デンソー | プラズマ処理装置用のプラズマ放出ノズル及びプラズマ処理装置 |
| WO2024042577A1 (ja) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | 株式会社Fuji | プラズマ発生装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1131598A (zh) * | 1994-12-12 | 1996-09-25 | Lg产电株式会社 | 等离子弧割炬 |
| JPH11111492A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Nippon Steel Weld Prod & Eng Co Ltd | 非移行式揺動プラズマト−チ |
| US6262386B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-07-17 | Agrodyn Hochspannungstechnik Gmbh | Plasma nozzle with angled mouth and internal swirl system |
| CN201119113Y (zh) * | 2007-10-26 | 2008-09-17 | 姚志旭 | 旋转喷射等离子表面处理装置 |
| TWI302422B (en) * | 2006-02-23 | 2008-10-21 | Creating Nano Technologies Inc | Rotating plasma discharging device |
| CN101632328A (zh) * | 2007-02-16 | 2010-01-20 | 海别得公司 | 气体冷却的等离子体电弧割炬 |
| CN101631416A (zh) * | 2009-07-30 | 2010-01-20 | 任兆杏 | 空气等离子射流大面积表面处理装置 |
| TWM426456U (en) * | 2011-11-08 | 2012-04-11 | Creating Nano Technologies Inc | Plasma device |
| CN203504871U (zh) * | 2013-10-09 | 2014-03-26 | 核工业西南物理研究院 | 管式阴极电弧等离子体炬 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4558201A (en) | 1984-12-10 | 1985-12-10 | Thermal Dynamics Corporation | Plasma-arc torch with gas cooled blow-out electrode |
| US5132512A (en) | 1988-06-07 | 1992-07-21 | Hypertherm, Inc. | Arc torch nozzle shield for plasma |
| US5317126A (en) * | 1992-01-14 | 1994-05-31 | Hypertherm, Inc. | Nozzle and method of operation for a plasma arc torch |
| US5747767A (en) * | 1995-09-13 | 1998-05-05 | The Esab Group, Inc. | Extended water-injection nozzle assembly with improved centering |
| US5808270A (en) * | 1997-02-14 | 1998-09-15 | Ford Global Technologies, Inc. | Plasma transferred wire arc thermal spray apparatus and method |
| US9767993B2 (en) * | 2011-10-07 | 2017-09-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
-
2014
- 2014-04-16 TW TW103113891A patent/TWI531280B/zh active
- 2014-07-25 CN CN201410359001.5A patent/CN105025647A/zh active Pending
- 2014-10-08 US US14/509,051 patent/US9320125B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1131598A (zh) * | 1994-12-12 | 1996-09-25 | Lg产电株式会社 | 等离子弧割炬 |
| JPH11111492A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Nippon Steel Weld Prod & Eng Co Ltd | 非移行式揺動プラズマト−チ |
| US6262386B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-07-17 | Agrodyn Hochspannungstechnik Gmbh | Plasma nozzle with angled mouth and internal swirl system |
| TWI302422B (en) * | 2006-02-23 | 2008-10-21 | Creating Nano Technologies Inc | Rotating plasma discharging device |
| CN101632328A (zh) * | 2007-02-16 | 2010-01-20 | 海别得公司 | 气体冷却的等离子体电弧割炬 |
| CN201119113Y (zh) * | 2007-10-26 | 2008-09-17 | 姚志旭 | 旋转喷射等离子表面处理装置 |
| CN101631416A (zh) * | 2009-07-30 | 2010-01-20 | 任兆杏 | 空气等离子射流大面积表面处理装置 |
| TWM426456U (en) * | 2011-11-08 | 2012-04-11 | Creating Nano Technologies Inc | Plasma device |
| CN203504871U (zh) * | 2013-10-09 | 2014-03-26 | 核工业西南物理研究院 | 管式阴极电弧等离子体炬 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108370639A (zh) * | 2015-12-07 | 2018-08-03 | 等离子体处理有限公司 | 用于产生常压等离子体束的装置和处理工件表面的方法 |
| US10555411B2 (en) | 2015-12-07 | 2020-02-04 | Plasmatreat Gmbh | Device for generating an atmospheric plasma beam, and method for treating the surface of a workpiece |
| CN109951943A (zh) * | 2017-12-21 | 2019-06-28 | 雷立强光电科技股份有限公司 | 一种大气电浆产生装置 |
| TWI685279B (zh) * | 2019-04-16 | 2020-02-11 | 馗鼎奈米科技股份有限公司 | 電漿裝置 |
| CN112738968A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体生成装置和半导体工艺设备 |
| CN114040560A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-02-11 | 国网重庆市电力公司电力科学研究院 | 一种可旋转式等离子体射流发生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI531280B (zh) | 2016-04-21 |
| US9320125B2 (en) | 2016-04-19 |
| US20150303034A1 (en) | 2015-10-22 |
| TW201542039A (zh) | 2015-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105025647A (zh) | 等离子体装置 | |
| CN101227790B (zh) | 等离子体喷流装置 | |
| CN102142357B (zh) | 等离子处理装置 | |
| CN101631416B (zh) | 空气等离子射流大面积表面处理装置 | |
| CN103151234B (zh) | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 | |
| CN106098548A (zh) | 用于气相蚀刻以及清洗的等离子体装置 | |
| US9074280B2 (en) | Plasma film deposition device | |
| CN107360660A (zh) | 包括固持帽的等离子体电弧切割系统以及相关运行方法 | |
| CN101207966A (zh) | 等离子体处理装置 | |
| CN104073782A (zh) | 进气装置、反应腔室以及等离子体加工设备 | |
| CN103945627A (zh) | 一种手持式大面积低温等离子体发生装置 | |
| CN107118381A (zh) | 聚四氟乙烯亲水性改性等离子体处理装置及方法 | |
| CN105590880B (zh) | 反应腔室 | |
| CN101232770A (zh) | 介质阻挡放电等离子体喷流装置 | |
| CN201167434Y (zh) | 等离子体喷流装置 | |
| CN201167433Y (zh) | 介质阻挡放电等离子体喷流装置 | |
| CN106034371A (zh) | 等离子体射流阵列协同机械旋转运动的材料处理装置 | |
| CN108063080B (zh) | 等离子体处理装置 | |
| CN103794462A (zh) | 一种超声波雾化等离子体处理装置 | |
| CN106252665B (zh) | 锂离子电池集流体及其表面毛刺处理方法 | |
| CN109587921A (zh) | 一种耦合高能电子的等离子体射流发生装置 | |
| CN103184403B (zh) | 等离子成膜装置 | |
| CN206574671U (zh) | 喷气装置以及包含该喷气装置的生产机台 | |
| CN101437352B (zh) | 等离子体接力装置 | |
| CN103596349A (zh) | 一种射流等离子体水冷喷枪 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20151104 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |