CN105022006B - 磁场传感器设备 - Google Patents

Abstract

公开了磁场传感器设备和相关联的方法。在一些实施方式中，例如在第一磁场传感器的桥部分之间提供第二磁场传感器。

Description

磁场传感器设备

技术领域

本申请涉及磁场传感器设备、用于操作磁场传感器设备的方法以及用于制造磁场传感器设备的方法。

背景技术

磁场传感器设备在许多应用中使用。例如，为了进行速度或移动检测，例如可以在所谓的磁极转轮、磁性编码器或其它磁性部件上提供磁体，因此在该磁极转轮进行旋转时生成经调制的磁场。场的调制随后可以被磁场传感器设备所检测。因此所检测到的磁场及其调制因此例如指示该磁极转轮的旋转速度。除了磁极转轮之外，例如还可以使用在移动时生成调制磁场的线性磁性部件。针对这样的速度检测，在许多应用中都需要高精确度和低的抖动。为了实现该目的，虽然也可以使用如基于各向异性磁阻(AMR)的传感器或霍尔(Hall)感应元件的其它类型的磁场传感器，但是在一些应用中已经越来越多地使用了基于巨磁阻(GMR)或隧道磁阻(TMR)的传感器。除了检测速度之外，在一些应用中，还期望获得绝对磁场的一些测量。

附图说明

图1是根据一个实施例的磁场传感器设备的示意性框图。

图2是根据一个实施例的磁场传感器设备的示意性电路图。

图3是根据一个实施例的磁场传感器设备的布局示例。

图4是根据一个实施例的磁场传感器设备的一部分的布局示例。

图5A和5B是能够在一些实施例中使用的电阻器的实施方式示例。

图6是一些实施例的应用示例。

图7A和7B是图示出根据实施例的磁场感应的示图。

图8是图示能够在一些实施例中使用的磁场传感器的响应的示图。

图9是图示根据一个实施例的操作磁场传感器设备的方法的流程图。

图10是图示根据一个实施例的制造磁场传感器设备的方法的流程图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图对各个实施例进行描述。所要注意的是，这些实施例仅用作说明性的目的而并非被理解为限制。例如，虽然实施例被描述为包括很多不同细节、特征或要素，但是在其它实施例中，这些细节、特征或要素中的一些可以被省略，可以以与所示出不同的方式来实施，和/或可以被可替换的细节、特征或要素所替代。除此之外或可替换地，在其它实施例中，可能存在并未在这里明确描述的另外的细节、特征或要素。只要相应耦合或连接的总体功能—例如以信号的形式传送某种信息—得以保持，则例如图中所示出或者这里所描述的电连接或耦合的连接或耦合可以是直接连接或间接连接，间接连接是利用一个或多个另外的中间部件所进行的连接。此外，除非以其它方式特别指出，否则连接或耦合可以被实施为基于连线的连接或无线连接。

在一些实施例中，提供了磁场传感器设备。在一些实施例中，一种磁场传感器设备可以包括第一磁场传感器和第二磁场传感器设。该第一磁场传感器可以包括具有在空间上分隔开来的桥分支的桥电路，并且该第二磁场传感器例如可以被部署在该第一磁场传感器的空间上分隔开来的桥分支之间。在一些应用中，该第一磁场传感器可以被用来感应对应于速度的磁场的调制，而该第二磁场传感器可以被用来感应磁场强度的测量，例如对应于磁体与该磁场传感器设备的接近度(例如磁体与该磁场传感器设备之间的气隙)。该第二磁场传感器在一些实施例中也可以包括桥电路，其中与第一磁场传感器的至少一些桥分支相比，第二磁场传感器设备的桥分支明显彼此更为接近，例如小大约一个数量级或更多。

现在参考附图，在图1中，示出了根据一个实施例的磁场传感器设备。图1的实施例包括第一磁场传感器，其包括桥电路。该桥电路包括彼此在空间上分隔开来的第一桥部分10和第二桥部分12。在一个实施例中，第一桥部分10和第二桥部分12之间的距离可以大于100μm，例如数毫米的量级，但是也可以具有其它数值。在一些实施例中，包括第一桥部分和第二桥部分的第一磁场传感器可以用来检测例如磁极转轮或另一实体的移动，该磁极转轮或另一实体移动并且在移动的同时生成磁场调制。如这里所使用的调制一般是指随时间的变化并且可以是周期性或非周期性的。

在这样的应用中，第一桥部分10和第二桥部分12之间的距离例如可以对应于磁极转轮或其它移动磁性设备的间距，例如磁极转轮或其它磁性设备上的个体磁体之间的距离。第一桥部分10和第二桥部分12可以使用基于例如表现出巨磁阻(GMR)或隧道磁阻(TMR)的材料和/或结构的电阻器来实施，而使得磁场的出现会导致电阻变换，后者进而导致桥电路的一个或多个输出电压的变化。这样的输出电压可以被控制电路13所接收，以例如如以上所解释的确定磁性设备移动通过第一磁性传感器的速度。在其它实施例中，控制13可以以任意其它方式对从第一和第二桥部分10、12所接收的信号进行评估而获得基于所感应磁场的所期望信息。在其它实施例中，例如可以使用一般被称作XMR的其它磁阻效应，例如各向异性磁阻(AMR)或庞磁阻。

此外，图1的实施例包括第二磁场传感器11。在实施例中，第二磁场传感器11在空间上位于第一桥部分10和第二桥部分12之间，虽然其并不需要位于第一桥部分10和第二桥部分12之间的中间，而是也可以更接近于第一桥部分10或第二桥部分12或者可以位于其它地方。

在实施例中，第二磁场传感器11可以被用来获得磁场传感器设备处或其附近的磁场强度的测量。这样的磁场强度例如可以是磁体—例如磁极转轮或其它磁性设备的磁体—与该磁场传感器设备的接近度的指示。在一些实施例中，来自第二磁场传感器11的信号可以由控制电路13进行评估。在一些实施例中，第二磁场传感器11也可以包括桥电路，第二磁场传感器的桥电路的桥分支与第一磁场传感器的桥分支相比更为靠近，例如处于10至50μm的距离之内，但是并不局限于此。在其它实施例中，第一和/或第二磁场传感器的桥分支可以互相交错和/或嵌套。

在一些实施例中，虽然其它效应也可以被用来检测磁场，但是第二磁场传感器11还可以包括由导致GMR或TMR效应的材料所制成的电阻器和/或具有导致上述效应的结构的电阻器。例如，在其它实施例中，可以使用一般被称作XMR的其它磁阻效应，例如各向异性磁阻(AMR)或庞磁阻(CMR)。

在一些实施例中，包括第一桥部分10和第二桥部分12的第一磁场传感器以及第二磁场传感器11例如可以针对这两个磁场传感器使用相同的处理技术而在半导体或其它衬底上实施。例如，这可以在第二磁场传感器11也使用具有与第一桥部分10和第二桥部分12的电阻器相比，相同或相似的材料所制成的电阻器的桥电路的情况下得以实现。在一些实施例中，这可以促成制造磁场传感器设备，例如在没有附加处理步骤的情况下同时制造第一和第二磁场传感器。

应当注意的是，在一些应用中，第二磁场传感器12也可以在第一磁场传感器的第一和第二桥分支10、11之外实施。

在一些实施例中，作用于图1的设备中的第一磁场传感器上的磁场也作用于第二磁场传感器，反之亦然，即使信号输出可能用于例如第一和第二磁场传感器的不同几何形状而有所不同。在一些实施例中，这可以被用来采用安全机制。例如，当第一磁场传感器感应到调制磁场而第二磁场传感器并未感应到任何内容时，这可以指示第二磁场传感器的故障(或者甚至第一磁场传感器的故障)。相反，当第二磁场传感器感应到磁场而第一磁场传感器并未感应到任何内容时，这可以指示第一磁场传感器的故障。这样的可以指示故障的情况可以被控制电路13所检测，并且在检测到这样的情况的情形下，例如可以输出指示可能故障的信号。

在图2中，示出了根据另一实施例的磁场传感器设备。图2的磁场传感器设备包括由差分桥电路所形成的第一磁场传感器，如所示出的，其包括电阻器R1至R4。虽然在其它实施例中也可以使用其它技术，但是电阻器R1至R4可以由表现出巨磁阻(GMR)或隧道磁阻(TMR)的材料和/或结构所制成或者包括上述材料和/或结构。在一些实施例中，电阻器R1-R4可以具有相同的设计，例如具有描述它们的电阻取决于所应用磁场的相同传递函数。能够从差分桥获得的电压在图2中被标记为Vbridge1和Vbridge2，并且例如可以由类似图1中的控制电路13的控制电路进行评估以例如获得有关相邻于磁场传感器设备进行移动的磁性设备的速度的信息。这样的磁性设备例如可以包括磁极转轮或者包括磁体的线性磁性设备。

图2中的电阻器R1和R4是如图1中的第一桥部分10的第一桥部分的示例，并且电阻器R2和R3是如图1中的第二桥部分12的第二桥部分的示例，该第一桥部分在空间上与第二桥部分分隔开来。在一些实施例中，利用如图2所示的部署形式，可能以高精度和/或低抖动对移动进行检测。

此外，图2的实施例包括第二磁场传感器，其在图2的示例实施例中被实施为惠斯通(Wheatstone)桥，后者包括如图2所示地耦合于供电电压V₀和接地端之间的电阻器R5、R6、R7和R8。在其它实施例中，可以使用其它基准电势。在电阻器R5和R7之间，可以分接出第一电压V1，并且在电阻器R6和R8之间，可以分接出第二电压V2。基于该第一和第二电压V1和V2，例如基于V1和V2之间的差值，可以获得磁场强度的测量。在一些实施例中，R5和R8可以是例如第一大小的第一电阻器类型，并且R6和R7可以是例如第二大小的第二电阻器类型。例如，第一电阻器类型(也就是R6和R7)可以具有检测具体应用中所出现的磁场范围所需的敏感度范围(例如，高达3毫特斯拉(mT)的范围)。显然，根据应用可以使用其它磁场范围。例如R5和R8的第二电阻器类型可以具有比第一电阻器类型更高的敏感度范围，例如在给定设计约束和面积约束的情况下尽可能大的敏感度范围。例如，在一些实施例中，电阻器R6和R7的宽度可以大约为电阻器R5和R8的宽度的一半。例如，在一些芯片设计中，电阻器R6和R7的宽度可以大约为0.8μm，而R5和R8的宽度则可以大约为1.5μm，虽然这些数值例如可以根据应用和/或根据所使用的技术而有所变化。通常，在实施例中，电阻器R5-R8中的至少一个的设计可以与电阻器R5-R8中的至少另外一个的设计有所不同，从而导致不同的传递函数。

在一些实施例中，这样的桥配置可以允许温度偏移量的补偿。电阻器R5至R8所形成的桥也可以被称作空间上集中的桥，因为与R1至R4所形成的桥分支相比，该桥的分支紧靠在一起。例如，电阻器R5至R8所形成的桥分支之间的距离可以大约比R1至R4所形成的桥分支之间的距离小一个量级。

在图3中示出了显示图2所示的电路的可能实施方式的示意性电路布局。图3的电路布局仅作为示例并且用于进一步说明实施方式的可能性，而并非被理解为限制。在图3的实施例中，第一桥部分被标记为30并且例如可以包括图2的电阻器R1和R4，第二桥部分被标记为31并且例如可以包括图2的R2和R3，并且例如可以包括图2的电阻器R5至R8的第二磁场传感器被标记为32并且位于第一桥部分30和第二桥部分31之间。此外，图3示出了用于电接触第一桥部分30、第二桥部分31和第二磁场传感器32以及互连的接触垫。在一些实施例中，该接触垫可以被去往潜在的控制电路的互连所替代。如所能够看到的，在图3的示例实施方式中，第二磁场传感器32并非处于第一桥部分30和第二桥部分31之间的中间，虽然在其它实施方式中，其可以位于中间。可选地，在标记为33的框中，可以提供另外的设备或部件，例如对磁场敏感的另外的电阻或桥电路或者任意其它设备。

在一些实施例中，第二磁场传感器33以及第一和第二桥部分30、31(例如，图2中的所有电阻器R1-R8)可以通过使用相同的处理—例如使用相同的材料—来形成，这促成了图3的设备的制造。在其它实施例中，第二磁场传感器的电阻器中的一些电阻器可以使用相同布局形式但是不同的材料或材料厚度来形成，以在第二磁场传感器的不同电阻器之间形成传输函数的差异。

在图4中，更为详细地示出了如图2的电阻器R5至R8所形成的桥电路的桥电路的实施方式示例。在图4的电路布局示例中，示出了例如电阻器R5和R8的两个“较大”电阻器40和43以及例如电阻器R6和R7的两个宽度有所减小的电阻器41和42。此外，图4的示例电路布局包括互连以及多个接触垫44，以例如用于与供电电压(如图2的V₀或接地端)相连接并且用于分接出输出电压(如图2的V1和V2)。通过示出一方面的电阻器40、43以及另一方面的电阻器41、42的不同尺寸，可以获得如以上所解释的不同敏感度。然而，所要注意的是，这仅是作为简单示例，并且也可以通过其它手段来获得不同的敏感度，例如通过选择不同材料、不同材料厚度或不同层数等。在一些实施例中，在使用温度依赖材料进行实施的情况下，通过将R5和R8设计为大于R6和R7，R5和R8的温度依赖性也会大于R6和R7的温度依赖性。然而，在所示实施例的桥电路设计中，该温度依赖性通过所使用的桥电路而得到补偿。

在图5A和5B中，示意性示出了图4的电阻器40至43的布局示例。这样的布局也可以被用于除图4所示以外的其他实施例。图5A例如示出了图4的电阻器40和43的实施方式示例，而图5B则示出了图4的电阻器41和42的实施方式示例。图5B的示例的实施方式实质上是图5A的实施方式示例的较小版本。在两种情形中，如以下简要解释的，电阻器可以由串联耦合的多个椭圆元件所形成并且由例如GMR或TMR材料的适当材料或材料所制成。在图5A的示例情形中，椭圆元件的大小例如可以是2×12μm的量级，并且在图5B的示例情形中，椭圆元件的大小例如可以为1.3×7.8μm的量级，虽然也可以使用其它大小。在实施例中，该大小差异会导致如图5A中所示的那样实施的电阻器与如图5B中所示的那样实施的电阻器相比对于磁场具有更高的敏感度。应当注意的是，椭圆元件的数量、大小和布置并非作为限制，并且也可以使用其它数量和布置。此外，除椭圆元件以外，可以使用具有另一形状的元件，例如矩形或半月形元件。在另外其他示例中，可以使用其他结构来实施磁阻电阻器。

通常，磁阻电阻器在一些实施例中可以被实施为常规的分层结构，例如包括种晶层、基准系统层、非磁性间隔层、包括磁活性材料的自由层和覆盖(cap)。基准系统层和自由层的顺序可以互换。自由层可以包括铁磁材料，如Co、Fe、Ni、它们的合金或者这些金属与其它材料的合金，如CoFeB。如CoFe/NiFe双层的多层或者如CoFe/Ru/CoFe的耦合层也可以被用作自由层内的磁活性材料。

对于基准系统层，可以使用与自由层相同的(多种)磁活性材料或者其它材料，例如反铁磁材料的磁活性材料，例如PtMn、IrMn、NiMn、CrPtMn或其他。非磁性间隔可以包括如用于GMR系统的Cu、Ag或Cr的金属或者用作隧道势垒的非传导材料，如MgO、HfO、AlN或铝氧化物。种晶层可以用来改善层结构的晶体属性，并且覆盖层对其它层进行保护。在其它实施例中，也可以使用其它结构。

图2的实施例中的电阻器R1至R4或者一般地形成第一磁场传感器的桥电路的桥分支可以以类似于图5A和5B所示的方式来实施，但是在一些实施例中，例如可以具有与图5A和5B中所示不同的形状和/或大小，虽然也可以使用其它实施方式。在一些实施例中，在第一和第二磁场传感器的类似实施方式的情况下，这例如可以在生产中使用相同处理而促成第一和第二磁场传感器的同时制造。

如以上已经提到的，提供两个磁场传感器可以有助于严格安全性的应用，因为它们提供了冗余性。当第二磁场传感器使用如图2(R5-R8)或图4中所示的桥电路所形成时，第二磁场传感器也可以被用来测量(例如，如以下将参考图6进行解释的磁极转轮或线性部件的)速度。作为权衡，在一些实施例中，在使用第一磁场传感器(例如，电阻器R1-R4)进行速度测量的情况下，准确性可能会较低。然而，即使以较低的准确性，这样的附加速度测量也可以为实际速度提供冗余性或甚至多样性。可以使用利用两个磁场传感器所获得的速度信息以便提供更高级别的功能安全性和/或第一磁场传感器所测量的速度的似真检查(plausibility check)。

另一方面，如以上所解释的，第二磁场传感器可以被用来测量磁场，例如确定磁体与磁场传感器设备的接近度。除此之外或可替换地，在一些实施例中，通过第二磁场传感器可能测量例如常数偏置场(bias field)的静态磁场强度，如以上所解释的，上述第二磁场传感器可以被实施为在其桥分支之间具有相当小的距离的桥电路。在这样的实施例中，第二磁场传感器因此可以用于测量磁场强度以及至少测量速度的大致估计以提供冗余性和/或似真检查。

与之相比，考虑具有例如两个冗余差分桥的设备，上述桥类似于以上所描述的第一磁场传感器而具有彼此间隔开来的桥分支。虽然能够以冗余方式利用两个桥测量速度，但是如果利用这样的设备并非不可能的话，绝对场强度的测量也会是困难的。

图6示出了例如以上所讨论的一些实施例的磁场传感器设备的可能应用环境。在图6的应用示例中，例如可以如以上关于图1至5所讨论的那样实施的磁场传感器设备63被相邻磁极转轮61进行放置。磁极转轮61被安装至轴60。当轴60进行旋转时，磁极转轮61也发生旋转。磁极转轮61具有在其外围圆周部署的多个磁体62。图6所示的磁体的部署形式和数量仅作为示例，并且也可以采用磁体的其它部署形式或数量。举几个示例，磁体62可以是永磁体或电磁体。当轴60以及因此的磁极转轮61进行旋转时，磁体62的移动导致了作用于磁场传感器设备63上的调制磁场。这样的示例中的磁场的调制速度是旋转速度的指示。

图6的应用仅用作示例，并且如这里所描述的磁场传感器设备也可以被用于其它应用。例如，在磁极转轮以外的不同示例中，例如具有沿其长度排列的多个磁体的线性磁性元件可以相邻磁场传感器设备63进行移动，因此也导致调制磁场。这样的线性磁性元件例如可以被用来监视线性致动器、液压缸或涉及到线性移动的其它设备。在如以上所讨论的应用中，以上所讨论的第一磁场传感器可以被用来测量速度并且可以被用来测量磁性编码器的角位置或线性位置。在这样的实施例中，第一磁场传感器的桥分支可以具有对应于磁极转轮61上的磁体62的间距的大约一半的间隔。当磁极转轮61进行旋转时，两个桥分支都暴露于调制磁场，上述桥分支之间具有相位差。例如，在使用图3的设备作为磁场传感器设备63时，磁体62在与电阻器R2、R3相比不同的时间通过电阻器R1、R4，这导致了指示速度的相位差。此外，第二磁场传感器可以被用来测量磁体与磁场传感器的接近度，例如气隙，以便例如确保距离或间隔是正确的。以这种方式，传感器设备相对于磁极转轮的正确定位例如可以根据在一些汽车应用中所使用的所谓的AK协议进行监视，因此提供了安全功能。此外，如以上所解释的，第二磁场传感器的存在可以增加一些冗余性，这会导致对磁场传感器之一的故障的检测，这例如对于严格安全性的应用而言是所期望的。

在其它实施例中，如以上所说明的磁场传感器设备例如可以被用于电流感应。变化的电流导致变化的磁场，后者例如可以被以上所讨论的例如具有在空间上分隔开来的桥分支的桥电路的第一磁场传感器所检测。第二磁场传感器随后例如可以被用来检测外部的同质场(homogeneous fields)或者磁场传感器设备在例如磁场传感器设备在其上实施的芯片的错位。在这样的实施例中，第二磁场传感器例如可以被置于第一磁场传感器的空间上分隔开来的桥分支之间的中间。

接下来，参考图7A、7B和8进一步对实施例加以说明，将对一些实施例的第一和第二磁场传感器所输出的示例信号进行说明。这些示例信号仅用于进一步的说明，并且根据磁场传感器的实施方式和所应用的外部磁场，这些信号看上去会有所不同。

在图7A和7B中，针对不同磁场示出了从例如以上所提到的第一磁场传感器所获得的示例信号，在图7A和7B的示例中磁场传感器是包括在空间上分隔开来的桥分支。图7A图示了空间上分隔开来的桥分支之间的距离与磁极转轮的示例的间距对准的示例情形。图7B图示了错位的情形。如所能够看到的，包括峰值信号强度在内的信号彼此有所不同。因此，在这样的实施例中，例如难以基于所测量的磁场来测量磁极转轮的磁体与磁场传感器的接近度，因为所测量的数值取决于对准。

在图8中，曲线80示出了用作例如图2或图4中所示的第二磁场传感器的在空间上集中的桥的示例响应。在零周围的某些区域中响应于外部场而生成的信号是线性的并且在一些实施例中表现出低磁滞。这例如可以被用来测量场的强度，在实施例中，该场的强度例如可以用作磁体与磁场传感器设备的接近度的测量。例如，在一些实施例中，可以测量具有高达大约2500A/m的峰值强度的磁场，虽然第二磁场传感器也可以根据实施方式和/或所期望应用而针对其它数值进行设计。

接下来，参考图9和10，将对根据一些实施例的一些方法进行讨论。虽然方法将被描述为一系列的动作或事件，但是对这样的动作或事件进行描述的顺序并不被理解为限制。其它顺序同样是可能的，并且所描述的动作或事件也可以互相同时执行。例如，使用不同传感器的若干磁场测量可以同时执行，和/或不同磁场传感器例如在芯片上的形成可以使用一些处理同时执行。

在图9中，图示了一种操作磁场传感器设备的方法，该磁场传感器设备例如是上文中关于图1至8所讨论的磁场传感器设备。在90，使用空间上分隔开来的桥对例如指示速度的磁场调制进行测量，上述桥即具有空间上分隔开来的桥分支的桥电路。例如，为了测量磁场调制，可以使用如以上所讨论的第一磁场传感器。在91，利用在90所使用的空间上分隔开来的桥内的传感器测量磁场强度，上述传感器例如以上所解释的第二磁场传感器。这可以在一些实施例中被用来测量磁体的接近度。可选地，在92，例如仅在90或者仅在91测量到磁场时执行故障检测。

在图10中，示出了用于制造磁场传感器设备的方法，例如用于制造以上参考图1至8所讨论的任意磁场传感器设备的方法。在100，例如在半导体衬底上提供具有空间上分隔开来的桥分支的第一磁场传感器。在101，图9的方法包括提供在第一磁场传感器的空间上分隔开来的桥分支之间第二磁场传感器，例如具有彼此相邻的桥分支的桥电路。提供第一和第二磁场传感器可以包括提供由表现出巨磁阻(GMR)效应或隧道磁阻(TMR)效应的材料和/或结构所制成的电阻器。在一些实施例中，参考100和101描述的动作例如可以使用至少一个共同处理阶段和/或使用用于提供第一和第二磁场传感器的相同处理来同时执行。例如，第一和第二磁场传感器可以均具有GMR或TMR元件，其具有如以上所描述的层结构。至少一个共同处理阶段因此例如可以包括一个或多个材料沉积阶段，以沉积如以上所提到的材料而形成例如磁活性材料的层结构，一个或多个构造阶段、金属化阶段和/或形成第一和第二磁场传感器所需的其它阶段。在一些实施例中，可以仅使用这样的共同处理阶段而没有单独的处理，虽然在其它实施例中，一些处理部分可以针对第一和第二磁场传感器单独执行。

要再次强调的是，以上所描述的实施例仅用作示例而并不被理解为限制本申请的范围，因为如对本领域技术人员而言显而易见的，这里所描述的技术也可以以所示出以外的其它方式来实施。

Claims (23)

1.一种磁场传感器设备，包括：

用于测量磁场的调制的第一磁场传感器，所述第一磁场传感器包括桥电路，所述桥电路的第一桥部分与所述桥电路的第二桥部分在空间上分隔开来，和

用于测量所述磁场的强度的第二磁场传感器。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述桥电路包括表现出巨磁阻和隧道磁阻中的至少一个的电阻器。

3.根据权利要求1所述的磁场传感器设备，其中所述第二磁场传感器在空间上部署在所述第一桥部分和所述第二桥部分之间。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二磁场传感器包括另一桥电路。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述另一桥电路包括表现出巨磁阻和隧道磁阻中的至少一个的电阻器。

6.根据权利要求4所述的设备，其中所述另一桥电路包括至少一个包括串联耦合的椭圆元件的电阻器。

7.根据权利要求4所述的设备，其中所述另一桥电路包括与第二类型的第二电阻器串联耦合的第一类型的第一电阻器，所述第二类型不同于所述第一类型，以及与所述第一类型的第四电阻器串联耦合的所述第二类型的第三电阻器，所述第一电阻器和所述第二电阻器的串联连接与所述第三电阻器和所述第四电阻器的串联连接并联耦合。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一类型具有与所述第二类型的敏感度不同的敏感度。

9.根据权利要求1所述的磁场传感器设备，进一步包括控制电路，所述控制电路用于从所述第一磁场传感器的测量得出速度并且用于从所述第二磁场传感器的测量得出磁体接近度。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二磁场传感器包括另一桥电路，并且

其中所述第二磁场传感器在空间上部署在所述第一桥部分和所述第二桥部分之间。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述桥电路包括差分桥电路。

12.一种方法，包括：

使用具有空间上分隔开的桥分支的桥电路测量磁场的调制，并且

使用位于所述空间上分隔开的桥分支之间的磁场传感器测量所述磁场的强度。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括从所测量的调制得出速度。

14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括从所测量的强度得出磁体的接近度。

15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括基于测量所述调制和测量所述强度中的至少之一检测所述桥电路和所述磁场传感器中的至少一个的故障。

16.根据权利要求12所述的方法，其中测量所述调制和测量所述强度包括检测巨磁阻的变化和隧道磁阻的变化中的至少一个。

17.一种方法，包括：

提供具有空间上分隔开的桥部分的用于测量磁场的调制的第一磁场传感器，并且

在所述空间上分隔开的桥部分之间提供用于测量所述磁场的强度的第二磁场传感器。

18.根据权利要求17所述的方法，其中提供所述第二磁场传感器包括提供作为桥电路的所述第二磁场传感器。

19.根据权利要求17所述的方法，其中提供所述第一磁场传感器包括提供具有磁阻电阻器的所述空间上分隔开的桥部分。

20.根据权利要求17所述的方法，其中提供所述第二磁场传感器包括提供磁阻电阻器，至少两个所述磁阻电阻器具有不同尺寸。

21.根据权利要求17所述的方法，其中提供所述第一磁场传感器和提供所述第二磁场传感器包括用于形成所述第一和第二磁场传感器的至少一个共同处理阶段。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述至少一个共同处理阶段包括材料沉积阶段，所述材料沉积阶段沉积材料以形成所述第一和第二磁场传感器。

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述材料包括磁活性材料。