CN104992639A - 一种oled动态一维码器件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED动态一维码器件及其制作方法，OLED动态一维码器件包括显示装置、控制装置及电源装置；显示装置包含基板，阳极，有机功能层，阴极，封装层；基板上设有阳极，阳极呈线条状横向或者纵向间隔排列；阴极覆盖于有机功能层上；封装层与基板边缘粘结封闭；电源装置电连接控制装置；阳极与阴极皆电连接控制装置。制作方法包括步骤，提供一基板；在基板上制成阳极；在阳极上制成有机功能层；在有机功能层上制成阴极；将封装层和基板贴合完成封装；将阳极和阴极电连接控制装置；将电源装置电连接控制装置。采用本发明制作的OLED动态一维码器件其图形变化规律无法仿制或盗用，增强了安全性。
Description
技术领域
本发明涉及信息技术领域，尤其涉及一种OLED动态一维码器件及OLED动态一维码器件的制作方法。
背景技术
目前，一维码图形主要是以印刷在物体表面(如纸质表面上)的方式呈现，图形一旦制成就不可能实现切换，我们将这种形式的一维码叫做静态一维码，静态一维码图形不变，包含信息单一，易于仿制；但是，也可以将一维码图形在显示屏上展示，此时的一维码图形可以实现变化，变化的方式可以随机，也可以按照一定的规律，我们将这种形式的一维码叫做动态一维码，动态一维码图形可变，只有设计者知道其中的变化规律，外人几乎不能仿制。
呈现动态一维码的显示屏可以是任意一种显示技术，如LCD，CRT，LED，OLED等等。
有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有十分优异的显示性能：自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等，但目前市场并没有完整的工艺或者方法来制作基于OLED显示技术的动态一维码。
发明内容
针对背景技术中存在的技术问题，本发明的目的在于提供一种OLED动态一维码器件及OLED动态一维码器件的制作方法。
为实现上述技术目的，本发明采用如下技术方案予以实现。
一种OLED动态一维码器件，包括显示装置、控制装置及电源装置；所述显示装置从下到上依次包含基板，阳极，有机功能层，阴极，封装层；所述基板的上表面上设有所述阳极，所述阳极呈线条状横向或者纵向间隔排列；所述阴极覆盖于所述有机功能层上；所述封装层与所述基板边缘粘结封闭；所述电源装置电连接所述控制装置；所述阳极与阴极皆电连接控制装置。
作为优选地，所述有机功能层覆盖于所述阳极上，从上到下依次包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
作为优选地，所述有机功能层覆盖于所述阳极上，从上到下依次包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层。
作为优选地，所述有机功能层覆盖于所述阳极上，从上到下依次包括空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
作为优选地，所述有机功能层覆盖于所述阳极上，从上到下依次包括空穴传输层、有机发光层、电子传输层。
一种OLED动态一维码器件制作方法，包括以下步骤：提供一基板；所述基板上表面制成阳极；所述阳极上表面制成有机功能层；在有机功能层上表面制成阴极；将封装层和基板贴合完成封装；将阳极和阴极与控制装置电连接；将电源装置与控制装置电连接，制作完成。
优选地，所述制成阳极具体步骤为：先通过真空镀膜工艺在基板上制成一层导电膜，再通过蚀刻工艺在所述导电膜上蚀刻出所述阳极。
优选地，其中所述蚀刻工艺可以为激光干法刻蚀或光刻胶湿法刻蚀。
优选地，所述制成有机功能层具体步骤为：首先，在所述阳极上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴注入层；其次，在所述空穴注入层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层；再次，在所述空穴传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层；然后，在所述有机发光层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层；最后，在所述电子传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子注入层。
优选地，所述制成有机功能层具体步骤为：首先，在所述阳极上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴注入层；其次，在所述空穴注入层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层；然后，在所述空穴传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层；最后，在所述有机发光层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层。
优选地，所述制成有机功能层具体步骤为：首先，在所述阳极上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层；其次，在所述空穴传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层；然后，在所述有机发光层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层；最后，在所述电子传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子注入层。
优选地，所述制成有机功能层具体步骤为：首先，在所述阳极上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层；然后，在所述空穴传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层；最后，在所述有机发光层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层。
优选地，所述制成阴极具体步骤为：通过真空镀膜工艺在有机功能层的上表面直接制成阴极。
本发明的有益效果为：因OLED具有十分优异的显示性能，自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，将OLED应用到动态一维码中，不但能提高一维码图形的显示效果，还能增加一维码器件的形状多样性，而将一维码图形以动态的方式显示出来，其图形变化规律为外人不可知，无法仿制或盗用，带有动态一维码标示的物品可以做到一物一码，适合应用到防伪及物联网领域，有效地增强了安全性；而且本发明制作方法简单，成本低，可以批量大规模上生产。
附图说明
图1为本发明实施例的显示装置的俯视图。
图2为本发明实施例的显示装置的结构示意图。
图3为本发明实施例的显示装置制作方法的流程示意图。
图4为本发明实施例的工作原理示意图。
图中，显示装置1；控制装置2；电源装置3；基板11；阳极12；有机功能层13；空穴注入层131；空穴传输层132；有机发光层133；电子传输层134；电子注入层135；阴极14；封装层15；像素点16。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明：
请参考图1～4，本发明实施例所述的OLED动态一维码器件，包括显示装置1、控制装置2及电源装置3，所述电源装置3电连接所述控制装置2，所述阳极12与阴极14皆电连接控制装置2。
所述显示装置1从下到上依次包括：基板11，阳极12，有机功能层13，阴极14，封装层15；所述基板11的上表面上设有所述阳极12，所述阳极12呈线条状横向或者纵向间隔排列。
所述有机功能层13覆盖于所述阳极12上，所述有机功能层13有四种结构，第一种结构，从下到上依次包括空穴注入层131、空穴传输层132、有机发光层133、电子传输层134、电子注入层135；第二种结构，从下到上依次包括空穴注入层131、空穴传输层132、有机发光层133、电子传输层134；第三种结构，从下到上依次包括空穴传输层132、有机发光层133、电子传输层134、电子注入层135；第四种结构，从下到上依次包括空穴传输层132、有机发光层133、电子传输层134。
所述阴极14覆盖于所述有机功能层13上；所述封装层15与所述基板11边缘粘结封闭。
所述电源装置3电连接所述控制装置2，为其供电。
所述控制装置2电连接所述阳极12和阴极14，并控制所述显示装置1的显示内容；所述控制装置2内存储按照一定规律变化的预设内容，该预设内容可以在生产时由生产商写入，或发行时由发行商通过读卡器写入。
为了得到所述OLED动态一维码器件，本发明还提供一种OLED动态一维码器件的制作方法，具体步骤如下所述：
步骤S100：提供一基板11；
步骤S200：在所述基板11上表面制成阳极12；
所述制成阳极12具体步骤为：首先，通过真空镀膜工艺在基板11上制成一层导电膜；其次通过刻蚀工艺在所述导电膜上刻蚀出所述阳极12；其中所述刻蚀工艺可以为激光干法刻蚀或光刻胶湿法刻蚀等。
步骤S300：在所述阳极12上表面制成有机功能层13；
所述制成有机功能层13具体步骤有四种方式：
第一种方式，首先，在所述阳极12上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴注入层131；其次，在所述空穴注入层131上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层132；再次，在所述空穴传输层132上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层133；然后，在所述有机发光层133上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层134；最后，在所述电子传输层134上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子注入层135。
第二种方式，首先，在所述阳极12上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴注入层131；其次，在所述空穴注入层131上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层132；然后，在所述空穴传输层132上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层133；最后，在所述有机发光层133上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层134。
第三种方式，首先，在所述阳极12上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层132；其次，在所述空穴传输层132上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层133；然后，在所述有机发光层133上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层134；最后，在所述电子传输层134上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子注入层135。
第四种方式，首先，在所述阳极12上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层132；然后，在所述空穴传输层132上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层133；最后，在所述有机发光层133上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层134。
步骤S400：在有机功能层13上表面制成阴极14；
所述制成阴极14具体步骤为：通过真空镀膜工艺在有机功能层13上表面直接制成阴极14。
步骤S500：将封装层15和基板11贴合完成封装；
步骤S600：将阳极12和阴极14与控制装置2电连接；
步骤S700：将电源装置3与控制装置2电连接，制作完成。
使用时，所述电源装置3为所述控制装置2供电，所述控制装置2根据预设内容对显示装置1进行控制；所述显示装置1中阴极14在阳极12的各线条上投影重合位置形成多个像素点16，所述多个像素点16由阳极12、有机功能层13、阴极14构成发光二极管结构，其在控制装置2的控制下点亮或熄灭，构成一维码图形；当控制装置2控制所有像素点16按照预设内容发生变化时，一维码图形随之发生变化，实现动态一维码变化。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种OLED动态一维码器件，其特征在于：包括显示装置、控制装置及电源装置；所述显示装置从下到上依次包含基板，阳极，有机功能层，阴极，封装层；所述基板的上表面上设有所述阳极，所述阳极呈线条状横向或者纵向间隔排列；所述阴极覆盖于所述有机功能层上；所述封装层与所述基板边缘粘结封闭；所述电源装置电连接所述控制装置；所述阳极与阴极皆电连接控制装置。
2.根据权利要求1所述的OLED动态一维码器件，其特征在于：所述有机功能层覆盖于所述阳极上，从下到上依次包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
3.根据权利要求1所述的OLED动态一维码器件，其特征在于：所述有机功能层覆盖于所述阳极上，从下到上依次包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层。
4.根据权利要求1所述的OLED动态一维码器件，其特征在于：所述有机功能层覆盖于所述阳极上，从下到上依次包括空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
5.根据权利要求1所述的OLED动态一维码器件，其特征在于：所述有机功能层覆盖于所述阳极上，从下到上依次包括空穴传输层、有机发光层、电子传输层。
6.一种OLED动态一维码器件制作方法，其特征在于：包括以下步骤，提供一基板；在所述基板上表面制成阳极；在所述阳极上表面制成有机功能层；在所述有机功能层上表面制成阴极；将封装层和基板贴合完成封装；将阳极和阴极与控制装置电连接；将电源装置与控制装置电连接，制作完成。
7.根据权利要求6所述的OLED动态一维码器件制作方法，其特征在于：所述制成阳极具体步骤为：首先，通过真空镀膜工艺在基板上制成一层导电膜；其次通过刻蚀工艺在所述导电膜上蚀刻出所述阳极。
8.根据权利要求7所述的OLED动态一维码器件制作方法，其特征在于：所述刻蚀工艺可以为激光干法刻蚀或光刻胶湿法刻蚀。
9.根据权利要求6所述的OLED动态一维码器件制作方法，其特征在于：所述制成有机功能层具体步骤为：首先，在所述阳极上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴注入层；其次，在所述空穴注入层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层；再次，在所述空穴传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层；然后，在所述有机发光层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层；最后，在所述电子传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子注入层。
10.根据权利要求6所述的OLED动态一维码器件制作方法，其特征在于：所述制成有机功能层具体步骤为：首先，在所述阳极上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴注入层；其次，在所述空穴注入层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层；然后，在所述空穴传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层；最后，在所述有机发光层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层。
11.根据权利要求6所述的OLED动态一维码器件制作方法，其特征在于：所述制成有机功能层具体步骤为：首先，在所述阳极上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层；其次，在所述空穴传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层；然后，在所述有机发光层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层；最后，在所述电子传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子注入层。
12.根据权利要求6所述的OLED动态一维码器件制作方法，其特征在于：所述制成有机功能层具体步骤为：首先，在所述阳极上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成空穴传输层；其次，在所述空穴传输层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成有机发光层；最后，在所述有机发光层上表面通过真空镀膜工艺或者溶液法制成电子传输层。
13.根据权利要求6所述的OLED动态一维码器件制作方法，其特征在于：所述制成阴极体步骤为：所述阴极通过真空镀膜工艺在有机功能层的上表面直接制成。
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