CN104981102A - 一种多芯片嵌入式的柔性电路板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种多芯片嵌入式的柔性电路板及其制造方法，所述柔性电路板包括：双面铜箔无胶基材，所述双面铜箔无胶基材包括相互固定的第一铜箔和第二铜箔，所述第一铜箔和第二铜箔上均形成有电路图案，所述第一铜箔和第二铜箔上的电路图案通过金属化微孔进行连通；所述第一铜箔上至少安装有两个芯片；所述双面铜箔无胶基材至少部分折弯并封胶固定，以使一部分所述芯片堆叠于另一部分所述芯片上。所述方法为制备前述产品的方法。本发明具有减小产品体积的有益效果。

Description

一种多芯片嵌入式的柔性电路板及其制造方法

技术领域

本发明涉及嵌入式芯片，尤其是涉及一种多芯片嵌入式的柔性电路板及其制造方法。 

背景技术

随着信息电子产品轻薄、短小，具备轻质，超薄柔性封装芯片的COF（Chip On Flex or Chip On Film，覆晶薄膜:将IC固定于柔性线路板上晶粒软膜构装技术，是运用软质附加电路板作封装芯片载体将芯片与软性基板电路接合的技术。）可挠曲形状自由度大趋势，以便携、集成、体积小终端产品迈进，广泛应用于移动电话、数字摄录机、数字相机、便携计算机等，需要用于高密度多层结构柔性电路基板技术来安装搭载多芯片、多叠层芯片使柔性基板趋向于以多层机构来堆叠芯片形成嵌入式互连互通，超薄多层柔性电路基板。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提出一种多芯片嵌入式的柔性电路板及其制造方法，以迎合产品微型化的需求。 

本发明通过下述手段解决前述技术问题： 

一种多芯片嵌入式的柔性电路板，包括： 

双面铜箔无胶基材，所述双面铜箔无胶基材包括相互固定的第一铜箔和第二铜箔，所述第一铜箔和第二铜箔上均形成有电路图案，所述第一铜箔和第二铜箔上的电路图案通过金属化微孔进行连通； 

所述第一铜箔上至少安装有两个芯片； 

所述双面铜箔无胶基材至少部分折弯并封胶固定，以使一部分所述芯片堆叠于另一部分所述芯片上。 

优选地： 

所述第一铜箔上安装有三个芯片，包括安装在第一铜箔中部的第二芯片和分别安装在所述第二芯片两侧的第一芯片和第三芯片；所述双面铜箔无胶基材在所述第一芯片与第二芯片之间的位置、第二芯片与第三芯片之间的位置均折弯，使 得所述第一芯片和第三芯片均堆叠于所述第二芯片之上。 

所述第一铜箔层和第二铜箔层之间设置有散热介质层。 

相互堆叠的所述芯片之间还设有层叠层。 

所述芯片是通过非导电性封装材料和/或多层异方形功能导电膜安装在所述第一铜箔上。 

一种多芯片嵌入式的柔性电路板的制造方法，包括以下步骤： 

S1、在双面铜箔无胶基材上形成连通第一铜箔和第二铜箔的金属化孔，并分别在第一铜箔和第二铜箔上形成电路图案； 

S2、在第一铜箔上实装至少两个芯片； 

S3、将双面铜箔无胶基材折弯以使一部分所述芯片堆叠于另一部分所述芯片上； 

S4、将折弯后的双面铜箔无胶基材进行固定并封装形成多芯片嵌入式的柔性电路板。 

优选地： 

所述第一铜箔层和第二铜箔层之间设置有散热介质层。该散热介质层优选含有Al₂o₃、Nsio₂、Sio₂和钙化物中的一种或两种以上，以获得优良的散热效果。 

所述步骤S1包括： 

S101、在双面铜箔无胶基材上进行镭射微孔加工形成微孔； 

S102、对所述微孔进行等离子清洗处理以去除渣滓； 

S103、对微孔进行金属化处理连通第一铜箔和第二铜箔； 

S104、在第一铜箔和第二铜箔的表面制作电路图案； 

S105、于电路图案上涂布阻焊层使之绝缘； 

S106、去除部分阻焊层露出所述电路图案，并对露出的电路图案进行镍钯金表面处理以便于芯片实装。 

与现有技术相比，本发明采用双面铜箔无胶基材制作基板,发挥无胶材料高柔软高稳定性的特点，在芯片封装后进行弯折堆叠，大大减小了产品的面积，功能高度集成化，产品封装固定后可以进行二次的开发利用。拥有广阔的应用前景。 

附图说明

图1是本发明具体实施例的多芯片嵌入式的柔性电路板的结构示意图； 

图2是图1的柔性电路板制造时的折弯过程原理图。 

具体实施方式

下面结合优选的实施方式对本发明作进一步说明。 

如图1所示，一种多芯片嵌入式的柔性电路板，包括： 

双面铜箔无胶基材，该双面铜箔无胶基材包括相互固定的第一铜箔101和第二铜箔102，第一铜箔101和第二铜箔102上均形成有电路图案，第一铜箔101和第二铜箔102上的电路图案通过金属化微孔进行连通；在图1所示的实施例中第一铜箔101和第二铜箔102之间还设有散热介质层，以保证产品的散热性能，提高产品稳定性，以期适应高功率工作； 

第一铜箔101上至少安装有的两个芯片，本实施例设有三个芯片，分别为第一芯片201、第二芯片202和第三芯片203，其中，第二芯片202为一个较大的芯片，其安装在第一铜箔101的中部，第一芯片201和第三芯片203相比于第二芯片202体积较小，两者分别安装在第二芯片202的两侧； 

双面铜箔无胶基材至少部分折弯并封胶固定，以使一部分所述芯片堆叠于另一部分所述芯片上。在图1所示的实施例中，第一芯片201与第二芯片202之间的位置、第二芯片202和第三芯片203之间的位置均折弯180度，折弯后第一芯片201、第三芯片203均堆叠在第三芯片203上，三个芯片被包围在双铜箔无胶基材之内，在图1所示的实施例中，相互堆叠的芯片之间、以及折弯后的第一铜箔所包围的空间内还设有层叠层300，层叠层的主要作用在于封装固定以使产品实体化，其包括封装芯片的填充胶,弯折固定时使用的热固胶,以及填充空白缝隙用的灌封胶，层叠层可采用散热性能好的材料，以优化产品的散热性。所述散热介质层优选含有Al₂o₃、Nsio₂、Sio₂和钙化物中的一种或两种以上，以获得优良的散热效果。 

优选的实施例中，芯片是通过非导电性封装材料（英文全称：Non-Conductive Paste，缩写：NCP)和/或多层异方形功能导电膜（英文全称：Adhesive Conductive Action Film，缩写ACAF）安装在所述第一铜箔上。如采用有胶基材，因为介质材料层不单一，介电常数会有变化，信号在传输时损耗较无胶材要大，会使得产品可靠性大打折扣，影响产品性能，本优选实施例能够避免有胶基材的上述缺陷。 

本实施例的上述多芯片嵌入式的柔性电路板可采用下述方法制造： 

步骤1、COF基板制作 

在双面铜箔无胶基材上形成连通第一铜箔和第二铜箔的金属化孔，并分别在第一铜箔和第二铜箔上形成电路图案。具体包括以下步骤： 

S101、在双面铜箔无胶基材上进行镭射微孔加工形成微孔； 

S102、对所述微孔进行等离子清洗处理以去除渣滓； 

S103、对微孔进行金属化处理连通第一铜箔和第二铜箔； 

S104、在第一铜箔和第二铜箔的表面制作电路图案； 

S105、于电路图案上涂布阻焊层使之绝缘； 

S106、去除部分阻焊层露出所述电路图案，并对露出的电路图案进行镍钯金表面处理以便于芯片实装。 

步骤2、芯片实装 

S201、对COF基板进行氮气保护烘烤； 

S202、采用夹具固定COF基板，在COF基板上贴合ACAF，通过ACAF结合，绑定封装芯片与COF基板上，然后进行封装品质检测； 

S203、对搭载好多芯片的COF基板进行ICT功能测试； 

S204、弯折堆叠搭载芯片的COF基板并点胶固定，如图2所示，图中箭头方向为折弯方向； 

S205、在基板和芯片间填入填充胶，灌封形成多芯片嵌入式基板，优选实施例中，本步骤在封胶还包括制作层叠层的步骤。 

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明的保护范围。 

Claims (8)

1.一种多芯片嵌入式的柔性电路板，其特征在于，包括：

双面铜箔无胶基材，所述双面铜箔无胶基材包括相互固定的第一铜箔和第二铜箔，所述第一铜箔和第二铜箔上均形成有电路图案，所述第一铜箔和第二铜箔上的电路图案通过金属化微孔进行连通；

所述第一铜箔上至少安装有两个芯片；

所述双面铜箔无胶基材至少部分折弯并封胶固定，以使一部分所述芯片堆叠于另一部分所述芯片上。

2.根据权利要求1所述的多芯片嵌入式的柔性电路板，其特征在于：

所述第一铜箔上安装有三个芯片，包括安装在第一铜箔中部的第二芯片和分别安装在所述第二芯片两侧的第一芯片和第三芯片；所述双面铜箔无胶基材在所述第一芯片与第二芯片之间的位置、第二芯片与第三芯片之间的位置均折弯，使得所述第一芯片和第三芯片均堆叠于所述第二芯片之上。

3.根据权利要求1或2所述的多芯片嵌入式的柔性电路板，其特征在于：所述第一铜箔层和第二铜箔层之间设置有散热介质层。

4.根据权利要求1或2所述的多芯片嵌入式的柔性电路板，其特征在于：相互堆叠的所述芯片之间还设有层叠层。

5.根据权利要求1或2所述的多芯片嵌入式的柔性电路板，其特征在于：所述芯片是通过非导电性封装材料和/或多层异方形功能导电膜安装在所述第一铜箔上。

6.一种多芯片嵌入式的柔性电路板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在双面铜箔无胶基材上形成连通第一铜箔和第二铜箔的金属化孔，并分别在第一铜箔和第二铜箔上形成电路图案；

S2、在第一铜箔上实装至少两个芯片；

S3、将双面铜箔无胶基材折弯以使一部分所述芯片堆叠于另一部分所述芯片上；

S4、将折弯后的双面铜箔无胶基材进行固定并封装形成多芯片嵌入式的柔性电路板。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：

所述第一铜箔层和第二铜箔层之间设置有散热介质层。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

S101、在双面铜箔无胶基材上进行镭射微孔加工形成微孔；

S102、对所述微孔进行等离子清洗处理以去除渣滓；

S103、对微孔进行金属化处理连通第一铜箔和第二铜箔；

S104、在第一铜箔和第二铜箔的表面制作电路图案；

S105、于电路图案上涂布阻焊层使之绝缘；

S106、去除部分阻焊层露出所述电路图案，并对露出的电路图案进行镍钯金表面处理以便于芯片实装。