CN104980858A - Mems麦克风及其形成方法 - Google Patents

Abstract

一种MEMS麦克风及其形成方法。本发明在作为可动敏感薄膜的单臂梁靠近自由端区域上设置第一凸起，以减小该单臂梁与空腔内其它部件接触的几率，此外，上述第一凸起上还覆盖有绝缘层，使得即使该第一凸起与其它部件由于静电吸附接触后，静电荷不会通过可动敏感薄膜释放，因而避免了MEMS麦克风中噪声的产生。

Description

MEMS麦克风及其形成方法

技术领域

本发明涉及微电子机械系统工艺，特别涉及一种MEMS麦克风及其形成方法。

背景技术

采用微电子机械系统工艺的MEMS麦克风由于其小型化和轻薄化的特点，成为取代使用有机膜的驻极体电容麦克风（Electret Condenser Microphone，ECM）的最佳候选者之一。

MEMS麦克风是通过微电子机械系统工艺在半导体上蚀刻压力感测膜片而制成的微型麦克风，普遍应用在手机、耳机、笔记本电脑、摄像机和汽车上。

现有的MEMS麦克风在使用过程中易出现作为可动电极的敏感薄膜在振动过程中由于静电吸附粘在其它部件上，这造成静电荷在敏感薄膜内传导引起噪声。

有鉴于此，本发明提供一种新的MEMS麦克风及其形成方法以解决上述技术问题。

发明内容

本发明解决的问题是降低MEMS麦克风的噪声。

为解决上述问题，本发明的一方面提供一种MEMS麦克风，包括：

空腔；

形成在所述空腔内的固定电极与可动敏感薄膜；

其中，所述可动敏感薄膜为一端固定，另一端悬空的单臂梁，所述单臂梁的自由端靠近端头区域具有被绝缘层覆盖的第一凸起，以隔绝所述空腔内壁的静电荷传输至所述单臂梁。

可选地，所述单臂梁的自由端端头与第一凸起之间的区域也覆盖有绝缘层。

可选地，所述空腔包括前腔与后腔，所述空腔的顶壁、部分侧壁以及所述单臂梁围合成所述前腔，半导体衬底、部分空腔侧壁以及所述单臂梁围合成所述后腔，所述空腔的顶壁形成有若干声音传输通道开孔，所述固定电极位于所述空腔的顶壁，所述衬底上形成有声音传输通道开口，所述单臂梁上的第一凸起与所述衬底的表面相对。

可选地，所述衬底上还具有第二凸起，所述第二凸起与所述单臂梁的自由端的端头相对。

可选地，还包括将衬底接地的导电结构。

可选地，所述导电结构为导电插塞，所述导电插塞为所述空腔侧壁。

可选地，所述可动敏感薄膜与固定电极的电信号通过空腔顶部的电连接结构引出。

本发明的另一方面还提供一种MEMS麦克风的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底正面具有第一牺牲材料层，所述第一牺牲材料层表面具有第一凹槽；

在所述第一凹槽的底壁及侧壁形成绝缘层；

在所述绝缘层及部分区域的第一牺牲材料层上形成第一导电材料层，所述第一导电材料层用于形成可动敏感薄膜，所述可动敏感薄膜在对应第一凹槽处形成第一凸起；

在所述第一牺牲材料层以及第一导电材料层上形成第二牺牲材料层，所述第二牺牲层至少在预定形成声音传输通道开孔的区域具有若干第二凹槽；

在所述第二牺牲材料层上以及第二凹槽内形成第三牺牲材料层，所述第三牺牲材料层表面具有对应所述第二凹槽的第三凹槽；

刻蚀所述第二牺牲材料层与第三牺牲材料层形成暴露所述第一导电材料层一端的第一通孔；

在所述第三凹槽外的第三牺牲材料层上形成第二导电材料层，在预定形成声音传输通道开孔的区域去除所述第二导电材料层，所述第二导电材料层用于形成固定电极；

在所述第二导电材料层上、第三凹槽以及第一通孔内形成钝化层，图形化所述钝化层分别形成暴露可动敏感薄膜的第二通孔、暴露固定电极的第三通孔以及若干声音传输通道开孔；

至少在所述第二通孔与第三通孔底部、侧壁及通孔外的钝化层上形成第三导电材料层，以分别形成引出可动敏感薄膜和固定电极电信号的接触电极；

从所述衬底的背面形成贯穿所述衬底的开口，以形成声音传输通道开口，所述声音传输通道开口与所述若干声音传输通道开孔相对；

经声音传输通道开孔至少腐蚀第三牺牲材料层、第二牺牲材料层，以及第一牺牲材料层，以形成空腔释放可动敏感薄膜，所述可动敏感薄膜为单臂梁，所述单臂梁的自由端靠近端头区域具有被绝缘层覆盖的第一凸起，以隔绝所述空腔内壁的静电荷传输至所述单臂梁。

可选地，在所述第一凹槽的底壁及侧壁形成绝缘层时，还在所述第一凹槽开口处的第一牺牲材料层上形成绝缘层。

可选地，所提供的半导体衬底正面还形成有包括第一部分的第一材料层，所述第一部分形成第二凸起，所述第二凸起与所述单臂梁的自由端的端头相对。

可选地，所提供的半导体衬底正面还形成有包括第二部分的第一材料层，所述第二部分对应所述衬底的预定形成声音传输通道开口。

可选地，所述第二牺牲层还在预定形成暴露衬底的通孔区域具有第二凹槽，刻蚀形成所述第一通孔同时，还刻蚀所述第三牺牲材料层与所述第一牺牲材料层，形成暴露所述衬底的第四通孔，在形成所述第二导电材料层同时，所述第四通孔底壁、侧壁及通孔外的第三牺牲层上形成第二导电层。

可选地，刻蚀形成所述第一通孔后，还在所述第一通孔底壁、侧壁及第三牺牲层上形成黏附材料层，所述黏附材料层用于黏附所述第三牺牲材料层与后续形成在其上的第二导电材料层。

可选地，刻蚀形成所述第一通孔以及第四通孔后，还在所述第一通孔与第四通孔的底壁、侧壁及第三牺牲层上形成黏附材料层，并去除所述第四通孔底壁的所述黏附材料层，所述黏附材料层用于黏附所述第三牺牲材料层与后续形成在其上的第二导电材料层。

可选地，所述第一材料层材质为多晶硅。

可选地，经声音传输通道开口腐蚀所述第一材料层的第二部分。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：1）本发明在作为可动敏感薄膜的单臂梁靠近自由端区域上设置第一凸起，以减小该单臂梁与空腔内其它部件接触的几率，此外，上述第一凸起上还覆盖有绝缘层，使得即使该第一凸起与其它部件由于静电吸附接触后，静电荷不会通过可动敏感薄膜释放，因而避免了MEMS麦克风中噪声的产生。

2）可选方案中，单臂梁的自由端端头与第一凸起之间的区域也覆盖有绝缘层，上述方案可以防止单臂梁的自由端端头先于第一凸起接触空腔内其它部件时产生的噪声。

3）可选方案中，2）可选方案中的空腔包括前腔与后腔，半导体衬底、部分空腔侧壁以及所述单臂梁围合成所述后腔，所述单臂梁上的第一凸起与所述衬底的表面相对，上述方案可以防止MEMS麦克风使用过程中，衬底表面的静电荷通过单臂梁可动敏感薄膜释放所引起的噪声。

4）可选方案中，3）可选方案中的衬底上还具有第二凸起，该第二凸起与所述单臂梁的自由端的端头相对，上述方案可以在单臂梁的自由端端头先于第一凸起与衬底接触时，接触的是衬底表面的第二凸起，通过减小接触面积，避免衬底大面积表面大量静电荷释放至单臂梁。

5）可选方案中，3）可选方案中的衬底上还具有将衬底接地的导电结构，提供衬底表面静电荷的释放途径。

6）可选方案中，5）可选方案中的导电结构为导电插塞，该导电插塞为所述空腔侧壁，上述方案使得MEMS麦克风结构紧凑。

7）可选方案中，可动敏感薄膜与固定电极的电信号通过空腔顶部的电连接结构引出，上述方案提供了一种将可动敏感薄膜与固定电极的电信号引出的途径。

附图说明

图1是本发明一个实施例提供的MEMS麦克风的结构示意图；

图2至图11是图1中结构制作过程中的中间结构示意图。

具体实施方式

如背景技术中所述，现有的MEMS麦克风在使用过程中有噪声。针对上述技术问题，本发明在作为可动敏感薄膜的单臂梁靠近自由端区域上设置第一凸起，以减小该单臂梁与空腔内其它部件接触的几率，此外，上述第一凸起上还覆盖绝缘层，使得即使该第一凸起与其它部件由于静电吸附接触后，静电荷不会通过可动敏感薄膜释放，因而避免了MEMS麦克风中噪声的产生为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1是本发明一个实施例提供的MEMS麦克风的结构示意图；图2至图11是该MEMS麦克风在制作过程中的结构示意图。以下结合图1至图11介绍MEMS麦克风的一种结构及其形成方法。

参照图1所示，该MEMS麦克风包括：

空腔30；

形成在所述空腔30内的固定电极18’与可动敏感薄膜；

其中，所述可动敏感薄膜为一端固定，另一端悬空的单臂梁14’，所述单臂梁的自由端靠近端头区域具有被绝缘层13覆盖的第一凸起141，以隔绝所述空腔30内壁的静电荷传输至所述单臂梁。

可以理解的是，上述第一凸起141可以减小该单臂梁14’与空腔30内其它部件接触的几率，因而可以降低噪声产生的几率，此外，上述第一凸起141上还覆盖有绝缘层13，使得即使该第一凸起141与其它部件由于静电吸附接触后，静电荷不会通过可动敏感薄膜（单臂梁14’）释放，因而避免了MEMS麦克风中噪声的产生。

以下分别介绍。参照图1所示，本实施例中的空腔30包括前腔301与后腔302。其中，空腔30的顶壁、部分侧壁以及单臂梁14’围合成所述前腔301，半导体衬底10、部分空腔侧壁以及单臂梁14’围合成所述后腔302，所述空腔的顶壁形成有若干声音传输通道开孔22，固定电极18’位于所述空腔30的顶壁，衬底10上形成有声音传输通道开口25，单臂梁14’上的第一凸起141与衬底10的表面相对。

仍参照图1所示，单臂梁14’的自由端端头与第一凸起141之间的区域也覆盖有绝缘层13。上述方案可以防止单臂梁14’的自由端端头先于第一凸起141接触空腔30内其它部件，例如衬底10时产生的噪声。

仍参照图1所示，在具体实施过程中，衬底10上还具有第二凸起111，所述第二凸起111与所述单臂梁14’的自由端的端头相对。上述方案可以在单臂梁14’的自由端端头先于第一凸起141与衬底10接触时，接触的是衬底10表面的第二凸起111，通过减小接触面积，避免衬底10大面积表面大量静电荷释放至单臂梁14’。

为减少噪声，本实施例还提供了衬底10表面电荷的释放途径，例如上述MEMS麦克风还包括将衬底10接地的导电结构。

具体地，该导电结构为导电插塞26，此外，该导电插塞26也充当了空腔30的侧壁。

在具体实施时，可动敏感薄膜（单臂梁14’）与固定电极18’的电信号引出方式有多种，例如通过衬底的晶体管引出，本实施例中，通过空腔30顶部的电连接结构23引出。

基于上述MEMS麦克风，本实施例还提供一种该MEMS麦克风的形成方法。

首先参照图2所示，提供半导体衬底10，在表面形成第一材料层11，该第一材料层11包括第一部分111与第二部分112。

其中，第一部分111所在的区域与预定形成的可动敏感薄膜的自由端端头相对。第二部分112所在的区域与衬底10上预定形成的声音传输通道开口对应。

第一部分111与第二部分112之间物理上不相连，两者之间形成一沟槽（未标示）。

第一部分111、第二部分112以及两者之间的沟槽可以通过在衬底10表面沉积一层第一材料层11后，光刻、刻蚀形成。

半导体衬底10可以为现有的半导体衬底，材质例如为硅、锗、绝缘体上硅（SOI）等。衬底10上其它区域也可以形成有其它半导体器件，例如晶体管等。

第一材料层11的材质例如为多晶硅。为了提高多晶硅第一材料层11与衬底10的粘附性，在形成第一材料层11前，在半导体衬底10表面先形成一层氧化硅层（未图示）。上述氧化硅层也可以刻蚀部分区域，以调整后续间接形成在其上的可动敏感薄膜的形状。

参照图3所示，在第一材料层11（参见图2所示）以及半导体衬底10表面形成第一牺牲材料层12，所述第一牺牲材料层12表面具有第一凹槽120。

第一牺牲材料层12的材质例如为氧化硅，形成方法例如为物理气相沉积或化学气相沉积，在沉积完后，优选进行高温退火以增加其致密性，并释放应力。第一牺牲材料层12表面的第一凹槽120通过光刻、刻蚀第一牺牲材料层12形成。第一凹槽120的位置对应预定形成的可动敏感薄膜的自由端靠近端头区域。

参照图4所示，在所述第一凹槽120的底壁及侧壁形成绝缘层13。

上述绝缘层13的材质与第一牺牲材料层12的材质不同，例如为氮化硅。绝缘层13的形成方法例如为物理气相沉积或化学气相沉积，在沉积完后，光刻、刻蚀至少保留第一凹槽120的底壁及侧壁的绝缘层13。本实施例中，还保留第二凹槽120开口处的第一牺牲材料层12上的绝缘层13。

参照图5所示，在绝缘层13及部分区域的第一牺牲材料层12上形成第一导电材料层14，所述第一导电材料层14用于形成可动敏感薄膜，所述可动敏感薄膜在对应第一凹槽处120形成第一凸起141。

本步骤可以通过在绝缘层13及第一牺牲材料层12上沉积形成第一导电材料层，后光刻、刻蚀去除预定形成可动敏感薄膜区域外的第一导电层。上述刻蚀去除过程中，可动敏感薄膜的自由端端头，即第一导电材料层14的一端与绝缘层13对齐。

本实施例中，第一导电材料层14的材质为多晶硅，其它实施例中，还可以为金属，例如铜、铝等。

参照图6所示，在第一牺牲材料层12以及第一导电材料层14上形成第二牺牲材料层15，所述第二牺牲层15至少在预定形成声音传输通道开孔的区域具有若干第二凹槽150。

本实施例中，上述若干个第二凹槽150中，一部分形成在预定形成声音通道开孔区域。此外，预定形成暴露衬底10的通孔区域也具有第二凹槽150，该第二凹槽150的底部暴露第一牺牲材料层12。上述两区域的第二凹槽150可以在一步刻蚀中同时形成，也可以分别形成。考虑到节约成本，本实施例优选同时形成，此时，在预定形成声音通道开孔区域所形成的第二凹槽150的底部暴露第一导电材料层14。

所述第二牺牲材料层15的材质与绝缘层13的材质不同，与所述第一牺牲材料层12的材质可以相同，本实施例中也为氧化硅，其它实施例中，两者材质也可以不同。

本步骤完成后，还刻蚀去除部分区域的第二牺牲材料层15以及第一牺牲材料层12以暴露出衬底10，上述暴露出的衬底10后续用于形成作为MEMS麦克风空腔侧壁的钝化层。

参照图7所示，在所述第二牺牲材料层15上以及第二凹槽150（参照图6所示）内形成第三牺牲材料层16，所述第三牺牲材料层16表面具有对应所述第二凹槽150的第三凹槽160，刻蚀所述第二牺牲材料层15与第三牺牲材料层16形成暴露所述第一导电材料层14一端的第一通孔17。

第三牺牲材料层16的材质与绝缘层13的材质不同，与第一牺牲材料层12、第二牺牲材料层15的材质可以不同，本实施例中为氮氧化硅，其它实施例中，三者材质也可以相同。

本步骤中刻蚀形成第一通孔17同时，还刻蚀第三牺牲材料层16、第二牺牲材料层15与第一牺牲材料层12，形成暴露所述衬底10的第四通孔24。可以理解的是，相对于第二牺牲材料层15上预定形成暴露衬底10的通孔区域没有第二凹槽150，需两步分别刻蚀第三牺牲材料层16与第一牺牲材料层12（对应形成第一通孔17）、以及第三牺牲材料层16、第二牺牲材料层15与第一牺牲材料层12（对应形成第四通孔24）的情况，一步刻蚀形成两通孔的方案工艺简单、成本较低。

参照图8所示，在所述第三凹槽160外的第三牺牲材料层16上形成第二导电材料层18，在预定形成声音传输通道开孔的区域去除所述第二导电材料层18，所述第二导电材料层18用于形成固定电极18’（参见图1所示）。

为提高第三牺牲材料层16与形成在其上的第二导电材料层18的黏附性，在形成第二导电材料层18前，还在第一通孔17与第四通孔24的底壁、侧壁及第三牺牲层17上形成黏附材料层（未图示），并去除第四通孔24底壁的黏附材料层。上述黏附材料层的材质例如为氧化硅。

上述第二导电材料层18的材质为多晶硅，其它实施例中，也可以为金属，例如铜、铝等。

本步骤中，如图8所示，第四通孔24底壁、侧壁及通孔24外的第三牺牲层16上也形成了第二导电层18，上述通孔24及底壁、侧壁附着的第二导电层18形成了导电插塞26（参见图1所示）。

参照图9所示，在所述第二导电材料层18（参见图8所示）上、第三凹槽160（参见图8所示）以及第一通孔17（参见图8所示）内形成钝化层19，图形化所述钝化层19分别形成暴露可动敏感薄膜的第二通孔20、暴露固定电极的第三通孔21以及若干声音传输通道开孔22。

本实施例中钝化层19的材质为氮化硅，该层材质需不同于第一牺牲材料层12、第二牺牲材料层15以及第三牺牲材料层16的材质。

参照图10所示，至少在所述第二通孔20与第三通孔21底部、侧壁及通孔外的钝化层19上形成第三导电材料层23，以分别形成引出可动敏感薄膜和固定电极电信号的接触电极。

第三导电材料层23的材质例如为铜、铬、金等。上述仅在第二通孔20与第三通孔21底部、侧壁形成第三导电材料层23是基于成本考虑，当然，也可以在第二通孔20与第三通孔21内填满上述第三导电材料层23。

参照图11所示，从所述衬底10的背面形成贯穿所述衬底10的开口，以形成声音传输通道开口25，所述声音传输通道开口25与所述若干声音传输通道开孔22相对。

在形成声音传输通道开口25时，衬底10的背面优选先形成一层氧化硅层（未图示），以保护非刻蚀区域。在上述刻蚀过程中，第一材料层11的第二部分112为刻蚀终止层。

对于残余的第一材料层11的第二部分112，经声音传输通道开口25腐蚀去除，例如对于多晶硅第二部分112，采用金属碱溶液去除。

参照图1所示，经声音传输通道开孔22至少腐蚀第三牺牲材料层16、第二牺牲材料层15，以及第一牺牲材料层12，以形成空腔30释放可动敏感薄膜，所述可动敏感薄膜为单臂梁14’，所述单臂梁14’的自由端靠近端头区域具有被绝缘层13覆盖的第一凸起141，以隔绝所述空腔30内壁的静电荷传输至所述单臂梁14’。

上述腐蚀液例如为HF酸。当然，腐蚀去除第一牺牲材料层12后，还可以继续腐蚀单臂梁14’固定端的第二牺牲材料层15、第三牺牲材料层16，仅由钝化层19支撑该单臂梁14’的固定端。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (16)

1.一种MEMS麦克风，包括：

空腔；

形成在所述空腔内的固定电极与可动敏感薄膜；

其特征在于，所述可动敏感薄膜为一端固定，另一端悬空的单臂梁，所述单臂梁的自由端靠近端头区域具有被绝缘层覆盖的第一凸起，以隔绝所述空腔内壁的静电荷传输至所述单臂梁。

2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述单臂梁的自由端端头与第一凸起之间的区域也覆盖有绝缘层。

3.根据权利要求2所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述空腔包括前腔与后腔，所述空腔的顶壁、部分侧壁以及所述单臂梁围合成所述前腔，半导体衬底、部分空腔侧壁以及所述单臂梁围合成所述后腔，所述空腔的顶壁形成有若干声音传输通道开孔，所述固定电极位于所述空腔的顶壁，所述衬底上形成有声音传输通道开口，所述单臂梁上的第一凸起与所述衬底的表面相对。

4.根据权利要求3所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述衬底上还具有第二凸起，所述第二凸起与所述单臂梁的自由端的端头相对。

5.根据权利要求3所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括将衬底接地的导电结构。

6.根据权利要求5所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述导电结构为导电插塞，所述导电插塞为所述空腔侧壁。

7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述可动敏感薄膜与固定电极的电信号通过空腔顶部的电连接结构引出。

8.一种MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底正面具有第一牺牲材料层，所述第一牺牲材料层表面具有第一凹槽；

在所述第一凹槽的底壁及侧壁形成绝缘层；

在所述绝缘层及部分区域的第一牺牲材料层上形成第一导电材料层，所述第一导电材料层用于形成可动敏感薄膜，所述可动敏感薄膜在对应第一凹槽处形成第一凸起；

在所述第一牺牲材料层以及第一导电材料层上形成第二牺牲材料层，所述第二牺牲层至少在预定形成声音传输通道开孔的区域具有若干第二凹槽；

在所述第二牺牲材料层上以及第二凹槽内形成第三牺牲材料层，所述第三牺牲材料层表面具有对应所述第二凹槽的第三凹槽；

刻蚀所述第二牺牲材料层与第三牺牲材料层形成暴露所述第一导电材料层一端的第一通孔；

在所述第三凹槽外的第三牺牲材料层上形成第二导电材料层，在预定形成声音传输通道开孔的区域去除所述第二导电材料层，所述第二导电材料层用于形成固定电极；

在所述第二导电材料层上、第三凹槽以及第一通孔内形成钝化层，图形化所述钝化层分别形成暴露可动敏感薄膜的第二通孔、暴露固定电极的第三通孔以及若干声音传输通道开孔；

至少在所述第二通孔与第三通孔底部、侧壁及通孔外的钝化层上形成第三导电材料层，以分别形成引出可动敏感薄膜和固定电极电信号的接触电极；

从所述衬底的背面形成贯穿所述衬底的开口，以形成声音传输通道开口，所述声音传输通道开口与所述若干声音传输通道开孔相对；

经声音传输通道开孔至少腐蚀第三牺牲材料层、第二牺牲材料层，以及第一牺牲材料层，以形成空腔释放可动敏感薄膜，所述可动敏感薄膜为单臂梁，所述单臂梁的自由端靠近端头区域具有被绝缘层覆盖的第一凸起，以隔绝所述空腔内壁的静电荷传输至所述单臂梁。

9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，在所述第一凹槽的底壁及侧壁形成绝缘层时，还在所述第一凹槽开口处的第一牺牲材料层上形成绝缘层。

10.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所提供的半导体衬底正面还形成有包括第一部分的第一材料层，所述第一部分形成第二凸起，所述第二凸起与所述单臂梁的自由端的端头相对。

11.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所提供的半导体衬底正面形成有包括第二部分的第一材料层，所述第二部分对应所述衬底的预定形成声音传输通道开口。

12.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层还在预定形成暴露衬底的通孔区域具有第二凹槽，刻蚀形成所述第一通孔同时，还刻蚀所述第三牺牲材料层与所述第一牺牲材料层，形成暴露所述衬底的第四通孔，在形成所述第二导电材料层同时，所述第四通孔底壁、侧壁及通孔外的第三牺牲层上形成第二导电层。

13.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，刻蚀形成所述第一通孔后，还在所述第一通孔底壁、侧壁及第三牺牲层上形成黏附材料层，所述黏附材料层用于黏附所述第三牺牲材料层与后续形成在其上的第二导电材料层。

14.根据权利要求12所述的形成方法，其特征在于，刻蚀形成所述第一通孔以及第四通孔后，还在所述第一通孔与第四通孔的底壁、侧壁及第三牺牲层上形成黏附材料层，并去除所述第四通孔底壁的所述黏附材料层，所述黏附材料层用于黏附所述第三牺牲材料层与后续形成在其上的第二导电材料层。

15.根据权利要求10或11所述的形成方法，其特征在于，所述第一材料层材质为多晶硅。

16.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，经声音传输通道开口腐蚀所述第一材料层的第二部分。