TWI719546B - 麥克風、微機電系統裝置及製造微機電系統裝置的方法 - Google Patents

麥克風、微機電系統裝置及製造微機電系統裝置的方法 Download PDF

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Abstract

一種麥克風。在一些實施例中，麥克風可包括基底、隔 板、背板及側壁停止件。基底具有設置成穿過基底的開口。隔板設置在基底之上且面向基底的開口。隔板具有上覆於基底的開口的通氣孔。背板設置在隔板之上且與隔板間隔開。側壁停止件設置成沿著隔板的通氣孔的側壁，且因此不受可移動部分與穩定部分之間的距離限制。此外，側壁停止件不會使可移動部分的形狀發生替換，且因此將不太可能致使可移動部分出現裂縫。在一些實施例中，可如同通過自對齊製程形成的側壁停止件一樣來形成側壁停止件，因此不需要額外的罩幕。

Description

麥克風、微機電系統裝置及製造微機電系統裝 置的方法
本發明實施例是有關於一種麥克風、微機電系統裝置及製造微機電系統裝置的方法。
微機電系統(Microelectromechanical systems，MEMS)裝置(例如，加速度計、壓力傳感器及麥克風)已廣泛地用於諸多現代電子裝置中。微機電系統裝置可具有可移動部分，所述可移動部分用於探測運動，並將所述運動轉換成電信號。舉例來說，微機電系統加速度計及麥克風通常存在於汽車(例如，氣囊部署系統)、平板計算機或智能電話中。微機電系統加速度計包括將加速移動轉化為電信號的可移動部分。麥克風包括將聲音轉化為電信號的可移動隔膜。
根據本發明的實施例，一種麥克風，包括基底、隔板、 背板以及側壁停止件。基底具有設置成穿過所述基底的開口。隔板設置在所述基底之上且面向所述基底的所述開口，所述隔板具有上覆於所述基底的所述開口的通氣孔。背板設置在所述隔板之上且與所述隔板間隔開。側壁停止件設置成沿著所述隔板的所述通氣孔的側壁。
根據本發明的實施例，一種微機電系統裝置，包括基底、第一背板、第二背板、隔板以及側壁停止件。基底具有設置成穿過所述基底的開口。第一背板設置在所述基底之上且面向所述基底的所述開口。第二背板設置在所述第一背板之上。隔板位於所述第一背板與所述第二背板之間且包括設置成穿過所述隔板的開口，其中所述隔板與所述第一背板間隔開第一距離且與所述第二背板間隔開第二距離。側壁停止件設置成沿著所述隔板的所述開口的多個側壁。
根據本發明的實施例，一種製造微機電系統裝置的方法，所述方法包括：在基底之上形成第一層間介電層；在所述第一層間介電層之上形成隔板；在所述隔板之上形成第二層間介電層；執行第一蝕刻，以形成穿過所述第二層間介電層及所述隔板且到達所述第一層間介電層的上部部分中的開口；對所述第一層間介電層及所述第二層間介電層執行第二蝕刻，以在所述隔板上方及下方形成多個凹口且分別暴露出所述隔板的頂表面的一部分及底表面的一部分；以及沿著所述隔板的側壁在所述第一層間介電層及所述第二層間介電層的所述多個凹口中形成側壁停止件。
30、60:背板
30A、30C、60A、60C:氮化矽層
30B、60B:多晶矽層
35、65:開放區域
40:基底
42:第二保護層
45、75、104:開口
50:隔板
50b:底表面
50t:頂表面
55:通氣孔
58:錨定區域
70:層間介電層
70A:介電層
70B:第一層間介電層
70C:第二層間介電層
70D:上部介電層
72:第一保護層
74:空氣體積空間
82、84、86、88:接點
85:側壁停止件
86A:連接結構
90:微機電系統麥克風
95:微機電系統裝置
100:隔板層
100A:第一部分
100B:第二部分
102:罩幕層
105:共形介電層
106:第一凹口
108:第二凹口
1602、1604、1606、1608、1610、1612:動作
A-A’:剖面
d1:第一距離
d2:第二距離
h:垂直高度
結合附圖進行閱讀，從以下詳細說明最好地理解本發明的各方面。注意，根據行業中的標準慣例，各種特徵並不按比例繪製。事實上，為論述清晰起見，可任意地增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1是根據一些實施例的具有側壁停止件的微機電系統麥克風中的隔板的俯視圖。
圖2是示出根據一些實施例的具有側壁停止件的微機電系統麥克風的剖視圖。
圖3是根據一些替代實施例的具有側壁停止件的微機電系統麥克風的剖視圖，所述微機電系統麥克風具有雙複合背板。
圖4到圖15說明根據一些實施例具有隔板及側壁停止件的微機電系統麥克風在各個製造階段處的一系列剖視圖。
圖16說明根據一些實施例用於製造微機電系統麥克風的方法的流程圖。(以下不進行段落編號，無圖式者可填寫「無」)
本發明提供許多不同的實施例或實例來實施本發明的不同特徵。下文闡述組件及排列的具體實例以使本發明簡明。當然，這些僅是實例，並不旨在進行限制。舉例來說，在以下說明中，第一特徵形成於第二特徵之上或形成於第二特徵上可包括第一特 徵與第二特徵形成為直接接觸的實施例，且也可包括額外特徵可形成在第一特徵與第二特徵之間以使第一特徵與第二特徵不可直接接觸的實施例。另外，本發明可在各種實例中重複使用參考編號及/或字母。此重複是出於簡潔及清晰目的，且本質上並不規定所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。
此外，為便於說明起見，本文中可使用例如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”等空間相對用語來闡述圖中所說明的一個元件或特徵與另外的元件或特徵的關係。除了圖中所繪示的定向之外，所述空間相對用語還旨在囊括裝置在使用或操作中的不同定向。可以其他方式對設備進行定向(旋轉90度或處於其他定向)，且可相應地對本文中所使用的空間相對描述符同樣地加以解釋。
此外，為便於說明起見，本文中可使用“第一”、“第二”、“第三”等以在一個圖或一系列圖的不同元件之間進行區分。“第一”、“第二”、“第三”等並不旨在闡述對應元件。因此，結合第一圖所述的“第一介電層”可能未必對應於結合另一圖所述的“第一介電層”。
許多微機電系統(MEMS)裝置皆可使用半導體裝置製作方法來製造。對於具有可移動部分的微機電系統裝置來說，停止件通常附接在這些可移動部分上，或附接在微機電系統裝置的可能會與所述可移動部分接觸的對應穩定部分或可移動部分上，以使得保護微機電系統裝置免受損壞，及/或防止可移動部分與對應 的穩定部分或可移動部分產生黏附(stiction)。
一種製作用於微機電系統裝置的停止件的方法是將突出結構整合到微機電系統裝置的穩定部分或可移動部分。舉例來說，在可移動隔膜上或在可與所述可移動隔膜接觸的穩定部分的對應位置上形成額外“尖端”或“突出部”。此方法的一個問題是微機電系統裝置可因由所述突出結構致使的非平坦隔膜形貌而容易出現裂縫(crack)。增加可移動隔膜的厚度可有助於緩解此問題，但探測靈敏度將會變糟。此外，停止件的高度不可超過可移動隔膜與穩定部分之間的距離。當需要小的裝置佔用面積(footprint)時，此尺寸限制是一個較嚴重的問題。
鑒於以上缺陷方，本發明實施例涉及包括側壁停止件的微機電系統裝置以及相關聯的形成方法。舉示例性應用來說，微機電系統裝置可以是麥克風。麥克風包括：基底，具有開口；以及隔板，面向所述基底中的所述開口。所述隔板包括至少一個通氣孔。側壁停止件設置成沿著隔板的通氣孔的側壁。在一些實施例中，側壁停止件的上部部分接觸隔板的頂表面，且側壁停止件的下部部分接觸隔板的底表面。側壁停止件的上部部分及下部部分可將隔板夾持在其之間。側壁停止件附接到微機電系統裝置的可移動部分的邊緣(舉例來說，麥克風隔板的通氣孔的周界邊緣)，且因此不受可移動部分與穩定部分之間的距離限制。此外，側壁停止件不會使可移動部分的形狀發生替換，且因此將不太可能致使可移動部分出現裂縫。在一些實施例中，可如同通過自對 齊製程形成的側壁停止件一樣來形成所述側壁停止件，因此不需要額外的罩幕。
圖1及圖2示出微機電系統裝置的實例，所述微機電系統裝置包括製作在基底40上的微機電系統麥克風90。如圖2中所示，微機電系統麥克風90包括背板60及隔板(diaphragm)50，隔板50與背板60間隔開。背板60及隔板50兩者皆可導電，其形成電容元件。電接點82電連接到背板60且形成所述電容元件的第一端子，且電接點84電連接到隔板50且形成所述電容元件的第二端子。圖1是圖2中所示微機電系統麥克風90的隔板50的俯視圖。圖2中說明隔板50的剖面A-A’。隔板50包括分佈在隔板50上的多個通氣孔(venting hole)55(例如，所示的通氣孔，或不同尺寸不同數量的通氣孔)。隔板50還包括位於隔板50的邊界附近的一個或多個錨定(anchor)區域58。錨定區域58允許相對於背板60固定隔板50的邊界，且允許隔板50與背板60之間的間隙在隔板上遠離錨定區域58某一距離的其他位置處發生改變，例如在隔板50的中心處發生改變。隔板50可因聲波的能量而變形，使得隔板50朝向或遠離背板60彎曲，這是因為聲波通過基底40中的開口45對隔板50施加壓力。背板60具有多個開放區域65。隔板50與背板60之間存在空氣體積空間74。當隔板50朝向或遠離背板60彎曲時，空氣可通過背板60上的開放區域65及/或隔板50上的通氣孔55所形成的空氣通路而從空氣體積空間74出去或進入到空氣體積空間74中。由聲波所致的隔板50相 對於背板60的彎曲移動會改變隔板50與背板60之間的電容元件的電容。可借助電接點82及電接點84來測量此電容改變。
圖1是圖2中所示微機電系統麥克風90的隔板50的俯視圖。圖2中說明隔板50的剖面A-A’。隔板50包括分佈在隔板50上的多個通氣孔55(例如，所示的通氣孔，或更多通氣孔)。隔板50還包括位於隔板50的邊界附近的一個或多個錨定區域58。
如圖1及圖2所示，側壁停止件85設置成沿著隔板50的通氣孔55的周界邊緣及側壁。在一些實施例中，側壁停止件85的上部部分接觸隔板50的頂表面，且側壁停止件85的下部部分接觸隔板50的底表面。側壁停止件85的上部部分及下部部分可將隔板50夾持在其之間。因此，側壁停止件85在隔板50上方及下方垂直地延伸，且因此不受隔板50與背板60之間的距離限制。在一些實施例中，當隔板50處於放鬆(relax)狀況時，隔板50的垂直高度h可大於隔板50與背板60之間的距離d。隔板50的放鬆狀況是在隔板50不因聲波能量而彎曲、移動或變形時的狀況。側壁停止件85防止隔板50與背板60之間發生黏附。
圖3示出具有側壁停止件85的微機電系統裝置95的剖視圖。在一些實施例中，微機電系統裝置95包括基底40。在一些實施例中，基底40可以是單晶矽基底或絕緣體上半導體(semiconductor-on-insulator，SOI)基底(例如，絕緣體上矽基底)。舉例來說，基底40可以是矽、玻璃、二氧化矽、氧化鋁或其組合。在一些實施例中，矽基底上可製作有互補金屬氧化物半 導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)電路。基底40具有設置成穿過基底40的開口45。隔板50設置在基底40之上且面向基底40的開口45。隔板50具有設置成穿過所述隔板的開口。側壁停止件85設置成沿著隔板的開口的邊緣周界。側壁停止件85向上延伸以超過隔板50的頂表面50t，且向下延伸以超過隔板50的底表面50b。在一些實施例中，隔板50的開口是圓柱形狀的通氣孔55。側壁停止件85可具有環形形狀，其沿著隔板50的開口的周界連續延伸。側壁停止件85也可跨越隔板的開口的邊緣橫向地延伸。因此，側壁停止件85的上部部分接觸隔板50的頂表面，且側壁停止件85的下部部分接觸隔板50的底表面。側壁停止件85的上部部分與下部部分將隔板50夾持在其之間。在一些實施例中，側壁停止件85包含氮化矽。在一些替代實施例中，側壁停止件85包含多晶矽。
在一些實施例中，隔板50可包括尺寸相同或不同的多個通氣孔，以使隔板50的一側(例如，開口45附近的一側)處的第一壓力與隔板50的另一側(例如，第二背板60附近的一側)處的第二壓力達到平衡。當在隔板50的開口45附近的位置處存在大的氣壓時，兩個壓力的此平衡可減小隔板50斷裂的可能性。隔板50還可包括設置成部分地或完全地穿過隔板50的一些其他開口。上文所公開的側壁停止件可夾持在所有這些不同開口的邊緣上。
在一些實施例中，微機電系統裝置95還包括第一背板 30，第一背板30設置在隔板50與基底40之間且面向基底40的開口45。微機電系統裝置95還可包括設置在隔板50之上的第二背板60。隔板50與第一背板30間隔開第一距離d1，且與第二背板60間隔開第二距離d2。在一些實施例中，隔板50及第一背板30形成第一電容元件的兩個導電端子；隔板50及第二背板60形成第二電容元件的兩個導電端子。第一背板30及第二背板60可包括導電層。第一背板30及第二背板60還可分別包括堆疊在一起的多個層。舉例來說，第一背板30及第二背板60可分別包括第一氮化矽層、第二氮化矽層及設置在所述第一氮化矽層與所述第二氮化矽層之間的多晶矽層。電接點82電連接到形成電容元件的第一端子的第二背板60，且電接點84電連接到形成電容元件的第二端子的隔板50。另外，微機電系統麥克風(微機電系統裝置95)可包括一個或多個接點(例如，接點86)，所述一個或多個接點通過介層孔連接到基底上的預製作CMOS電路(圖中未示出)。預製作CMOS電路可提供支持微機電系統麥克風(微機電系統裝置95)的運作的電子裝置。
圖4到圖15是示出根據一些實施例的製造微機電系統麥克風的方法的剖視圖，所述微機電系統麥克風具有隔板及側壁停止件。
如圖4中的剖視圖中所示，可在基底40之上形成連接結構86A及介電層。在各種實施例中，基底40可以是例如矽、玻璃、二氧化矽、氧化鋁等。介電層70A可以是氧化物材料(例如， SiO2)。在一些實施例中，可通過熱製程來形成介電層70A。在其他實施例中，可通過沉積製程來形成介電層70A，所述沉積製程包括例如化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)或原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)。然後，根據罩幕層(未示出)將介電層70A圖案化以形成溝槽或介層孔，所述溝槽或介層孔是用於將形成的連接結構86A。舉例來說，圖4中所示的介層孔可形成為穿過介電層70A。可在溝槽或介層孔中填充導電材料以在介電層70A內形成連接結構86A。
如圖5中的剖視圖所示，在介電層70A上形成第一背板30。在一些實施例中，可使用適合的沉積技術(例如，物理氣相沉積(PVD)或化學氣相沉積(CVD))沉積共形多晶矽層來形成第一背板層30。在一些其他實施例中，第一背板層(第一背板30)包括三個層，所述三個層是通過首先沉積氮化矽層30A，繼續沉積多晶矽層30B且後續接著沉積另一氮化矽層30C來形成。可使用PVD、CVD或任何其他適合的技術來形成這三個層中的每一者。在沉積之後，根據罩幕層(未示出)將第一背板層(第一背板30)圖案化以形成包括多個開放區域35的第一背板30。
如圖6中的剖視圖中所示，在第一背板30之上形成隔板層100，且第一層間介電層70B將隔板層100與第一背板30間隔開。在一些實施例中，第一層間介電層70B是氧化物層且沉積在第一背板30及介電層70A之上，後續接著進行平面化製程。可使 用例如化學氣相沉積(CVD)等適合的技術在第一層間介電層70B的頂部上沉積隔板層100，後續接著進行第一圖案化製程。可執行所述第一圖案化製程來將隔板層100蝕刻成離散部分。舉例來說，可執行第一圖案化製程來蝕刻隔板層100以形成第一部分100A，所述第一部分100A從第二部分100B離散地耦合到連接結構86A。在一些實施例中，隔板層100可由多晶矽製成。然後，在隔板層100之上形成第二層間介電層70C。舉例來說，第一層間介電層70B可以是氧化矽層。第一層間介電層70B可具有在從約1μm到約3μm範圍中的厚度。第二層間介電層70C可以是氧化矽層。第二層間介電層70C可具有在從約0.05μm到約1μm範圍中的厚度。
如圖7中的剖視圖中所示，在第二層間介電層70C之上形成罩幕層102，且根據罩幕層102形成開口104。在一些實施例中，罩幕層可包含使用微影製程圖案化的光阻或氮化物(例如，Si3N4)。可通過第一蝕刻製程形成開口104。在一些實施例中，第一蝕刻製程所使用的蝕刻劑可包括具有蝕刻化學物質的幹式蝕刻劑，所述蝕刻化學物質包括氟物種(例如CF4、CHF3、C4F8等)。在一些實施例中，蝕刻劑可包括濕式蝕刻劑，例如氫氟酸(hydrofluoric acid，HF)、緩衝氧化物蝕刻(Buffered Oxide Etch，BOE)溶液或四甲基氫氧化銨(Tetramethylammonium hydroxide，TMAH)。開口104可形成為穿過第二層間介電層70C及隔板層100且到達第一層間介電層70B的上部部分中。由第一蝕刻製程控制 開口104的深度，以決定將在一些後續製程步驟中形成的側壁停止件的高度。舉例來說，第一層間介電層70B的上部部分可具有在從約0.05μm到約1μm範圍中的高度。第一層間介電層70B在開口104之下的其餘深度可在從約0.5μm到約2.95μm的範圍中。
如圖8中的剖視圖中所示，對第二層間介電層70C執行第二蝕刻製程，以在隔板50上方形成第一凹口106且暴露出隔板50的頂表面的一部分。也對第一層間介電層70B執行所述第二蝕刻製程，以在隔板50下方形成第二凹口108且暴露出隔板50的底表面的一部分。可使用就定位的罩幕層102執行所述第二蝕刻製程。第二蝕刻製程包括濕式蝕刻，所述濕式蝕刻相對於隔板50來說對第一層間介電層70B及第二層間介電層70C具有選擇性，更具體來說，所述濕式蝕刻對第一層間介電層70B及第二層間介電層70C的蝕刻速率是對隔板50的蝕刻速率的至少20倍。第二蝕刻製程控制第一凹口106的橫向尺寸及第二凹口108的橫向尺寸，以決定將在一些後續製程步驟中形成的側壁停止件的厚度(即，橫向尺寸)。舉例來說，第一凹口106的橫向尺寸及第二凹口108的橫向尺寸可處於從約0.05μm到約1μm範圍中。
如圖9中之剖視圖中所示，在第二層間介電層70C上形成共形介電層105，且共形介電層105向下延伸到第二層間介電層70C的側壁、隔板50的側壁及第一層間介電層70B的上部部分的側壁，且橫向延伸到第一層間介電層70B的上表面。可通過適合的沉積技術(例如，PVD製程或CVD製程)來形成共形介電層 105。共形介電層105可以是氮化矽層。共形介電層105可具有處於從約0.1μm到約2μm範圍中的厚度。
如圖10中的剖視圖中所示，對共形介電層105(圖9中示出)執行第三蝕刻製程，以在第二層間介電層70C的側壁、隔板50的側壁以及第一層間介電層70B的上部部分的側壁旁邊形成側壁停止件85。所述第三蝕刻製程是各向異性蝕刻製程，例如是移除橫向部分的垂直蝕刻，以留下位於第一層間介電層及第二層間介電層(圖8中示出)的第一凹口106、第二凹口108內且位於隔板50的側壁旁邊的共形介電層的垂直部分。在一些實施例中，第三蝕刻製程所使用的蝕刻劑可包括具有蝕刻化學物質的幹式蝕刻劑，所述蝕刻化學物質包括氟物種(例如，CF4、CHF3、C4F8等)。
如圖11中的剖視圖中所示，在第二層間介電層70C及側壁停止件85之上形成上部介電層70D。在上部介電層70D之上形成第二背板60。第二背板60可由與第一背板30相同或不同的材料製成。在一些實施例中，可通過沉積共形導電層或包括導電層的多個層(例如，氮化矽層60A、多晶矽層60B及另一氮化矽層60C)，後續接著進行圖案化製程來形成第二背板60。這些層中的每一者可使用PVD、CVD或任何其他適合的技術來形成。
如圖12中的剖視圖中所示，在上部介電層70D之上形成多個接點82、接點84、接點86、接點88。可通過沉積接點層後續接著進行圖案化製程來形成接點。用於形成所述接點的材料的 實例包括銀、金、銅、鋁、鋁銅合金、金銅合金或其他適合導電材料。下部介電層(介電層70A)、第一層間介電層70B及第二層間介電層70C以及上部介電層70D共同形成層間介電層(參見圖2、圖3或圖15中所示的層間介電層70)，所述層間介電層為基底40上的各種組件提供電隔離及機械支撐。
如圖13中的剖視圖中所示，形成第一保護層72並將其圖案化以形成穿過第一保護層72且上覆於隔板50的第一開口75。在基底40上沉積第二保護層42。第一保護層72及第二保護層42的示例性保護層包括光阻層或介電材料層(例如，氮化矽)。移除第二保護層42的一些區域以在基底40上形成保護罩幕，所述保護罩幕敞開基底40的選定部分以供進行蝕刻製程。將基底40圖案化以在與隔板50對應的位置處形成穿過基底40的第二開口45。在一些實施例中，可通過各向異性等離子蝕刻來敞開基底40上的開口45。
如圖14中的剖視圖中所示，執行蝕刻以釋放(release)隔板50，以使隔板50可相對於第一背板30及第二背板60移動。使用濕式蝕刻劑從基底40上的開口45及層間介電層70上的開口75兩者開始蝕刻層間介電層70，以形成隔板50且可能形成懸浮背板(第二背板60)。可用於蝕刻層間介電層70的濕式蝕刻劑的實例包括氫氟酸(HF)、緩衝氧化物蝕刻(BOE)溶液(6份分40%的NH4F及1份49%的HF)或四甲基氫氧化銨(TMAH)。因此，隔板50被配置成當氣壓大於或小於預定值時在所述氣壓下偏移 (deflect)。側壁停止件85被配置成保護隔板50免於沾到第一背板30及/或第二背板60。
如圖15中的剖視圖中所示，移除第一保護層72及第二保護層42兩者。可使用化學品剝離或使用蝕刻劑蝕刻掉這些保護層。在移除這些保護層之後，製作出具有隔板50及側壁停止件85的微機電系統麥克風(微機電系統裝置95)。所製作的微機電系統麥克風(微機電系統裝置95)包括：電接點82，電連接到形成電容元件的第一端子的背板60；及電接點84，電連接到形成電容元件的第二端子的隔板50。另外，微機電系統麥克風(微機電系統裝置95)可包括一個或多個接點(例如，接點86，圖中僅示出一個)，所述一個或多個接點通過介層孔連接到基底上的預製作CMOS電路(圖中未示出)。所述預製作CMOS電路可提供支持微機電系統麥克風(微機電系統裝置95)的運作的電子裝置。在一些實施例中，可於在基底40(如圖4中所示)上形成下部介電層(介電層70A之前)，先使用適合的製程在基底40上製作預製作CMOS電路。
圖16說明根據一些實施例的用於製造微機電系統裝置的方法的流程圖。微機電系統裝置包括側壁停止件，所述側壁停止件被夾持在可移動隔板的開口的邊緣上，以為所述可移動隔板提供黏附保護。圖4至圖15中示出所述微機電系統裝置的實例。儘管關於圖16中所示的方法闡述圖4至圖15，但應瞭解，圖4至圖15中所公開的結構並不僅限於圖16中所示方法，而是可作為獨立 於圖16中所示方法的結構而獨立存在。類似地，儘管關於圖4至圖15中闡述圖16中所示方法，但應瞭解，圖16中所示方法並不僅限於圖4至圖15中所公開的結構，而是可作為獨立於圖4至圖15中所公開的結構而獨立存在。此外，雖然下文將所公開的方法(例如，圖16中所示的方法)說明並闡述為一系列動作或事件，但應瞭解，不應在限制意義上解釋所說明的這些動作或事件的排序。舉例來說，除了本文中所說明及/或所述的次序之外，一些動作還可按照不同的次序發生及/或與其他動作或事件同時發生。另外，實施本文中所述的一個或多個方面或實施例可能並不需要所有的所說明動作。此外，可在一個或多個單獨的動作及/或階段中實施本文中所繪示的動作中的一者或多者。
在動作1602處，提供半導體基底，且在第一層間介電層與第二層間介電層之間形成隔板層。舉例來說，參見由圖6中所示的剖視圖所示。
在動作1604處，對第一層間介電層、隔板及第二層間介電層執行第一蝕刻以形成開口。舉例來說，參見由圖7中所示的剖視圖所示。
在動作1606處，執行第二蝕刻以使開口橫向延伸，且在隔板上方及下方形成凹口。舉例來說，參見由圖8中所示的剖視圖所示。
在動作1608處，沿著隔板的側壁形成側壁停止件。舉例來說，參見由圖9到圖10中所示的剖視圖所示。
在動作1610處，形成保護層並將其圖案化，以形成穿過所述保護層的第一開口。將基底圖案化以在與隔板對應的位置處形成穿過基底的第二開口。舉例來說，參見由圖13中所示的剖視圖所示。
在動作1612處，執行蝕刻以釋放隔板。舉例來說，參見由圖14中所示的剖視圖所示。
因此，依據上文可瞭解到，本發明實施例涉及一種微機電系統裝置及相關聯方法。儘管上文的說明以微機電系統麥克風為例，但所公開的側壁停止件可實施於不同的微機電系統裝置中。在這些裝置中，側壁停止件夾持到部分地或完全地設置在微機電系統裝置的可移動隔板內的開口(通氣孔或其他開口結構)的邊緣。側壁停止件用於保護可移動隔板免受黏附影響。側壁停止件位於開口的側壁旁邊，並且可在可移動隔板上方及/或下方垂直地延伸，且跨越隔板的開口的邊緣橫向地延伸。
在一些實施例中，本發明涉及一種麥克風。所述麥克風包括具有開口的基底，所述開口設置成穿過所述基底。隔板設置在基底之上且面向基底的開口。隔板具有上覆於基底的開口的通氣孔。背板設置在隔板之上且與隔板間隔開。側壁停止件設置成沿著隔板的通氣孔的側壁。在實施例中，所述側壁停止件具有高於所述隔板的頂表面的上部部分以及低於所述隔板的底表面的下部部分。在實施例中，所述側壁停止件跨越所述通氣孔的邊緣橫向地延伸，且包括接觸所述隔板的頂表面的上部部分及接觸所述 隔板的底表面的下部部分；其中所述側壁停止件的所述上部部分及所述下部部分將所述隔板夾持在其之間。在實施例中，所述側壁停止件包含氮化矽。在實施例中，所述側壁停止件包含多晶矽。在實施例中，當所述隔板處於放鬆狀況時，所述側壁停止件的高度大於所述背板與所述隔板之間的距離。在實施例中，所述背板包括第一氮化矽層、第二氮化矽層及設置在所述第一氮化矽層與所述第二氮化矽層之間的多晶矽層。
在其他實施例中，本發明涉及一種微機電系統裝置。所述微機電系統裝置包括具有開口的基底，所述開口設置成穿過所述基底。第一背板設置在基底之上且面向所述基底的開口。第二背板設置在第一背板之上。隔板位於第一背板與第二背板之間，且包括設置成穿過所述隔板的開口。所述隔板與第一背板間隔開第一距離且與第二背板間隔開第二距離。側壁停止件設置成沿著隔板的開口的多個側壁。在實施例中，所述側壁停止件在垂直方向上向上延伸到所述第一背板與所述隔板之間的第一位置，且向下延伸到所述隔板與所述第二背板之間的第二位置。在實施例中，所述側壁停止件具有沿著所述隔板的所述開口的周界連續延伸的環形形狀。在實施例中，所述第一背板及所述第二背板各自包括第一氮化矽層、第二氮化矽層及設置在所述第一氮化矽層與所述第二氮化矽層之間的多晶矽層。在實施例中，所述側壁停止件跨越所述隔板的所述開口的邊界邊緣橫向地延伸。
在其他實施例中，本發明涉及一種製造微機電系統裝置 的方法。在所述方法中，在基底之上形成第一層間介電層，且在所述第一層間介電層之上形成隔板。然後，在隔板之上形成第二層間介電層。執行第一蝕刻以形成穿過第二層間介電層及隔板且到達第一層間介電層的上部部分中的開口。對第一層間介電層及第二層間介電層執行第二蝕刻，以在隔板上方及下方形成多個凹口且分別暴露出隔板的頂表面的一部分及底表面的一部分。沿著隔板的側壁在第一層間介電層及第二層間介電層的多個凹口中形成側壁停止件。在實施例中，根據罩幕層執行所述第一蝕刻，所述罩幕層在所述第一蝕刻之前形成在所述第二層間介電層上。在實施例中，使用就定位的所述罩幕層執行所述第二蝕刻；且其中所述第二蝕刻包括濕式蝕刻，所述濕式蝕刻相對於所述隔板來說對所述第一層間介電層及所述第二層間介電層具有選擇性。在實施例中，所述第一層間介電層及所述第二層間介電層由氧化矽製成，且所述隔板由氮化矽或多晶矽製成。在實施例中，通過以下步驟形成所述側壁停止件：沉積共形介電層，後續接著執行各向異性蝕刻製程以移除多個橫向部分且留下位於所述第一層間介電層及所述第二層間介電層的所述多個凹口中且位於所述隔板的所述側壁旁邊的多個垂直部分。在實施例中，所述方法還包括在形成所述隔板之前，在所述第一層間介電層與所述基底之間沉積第一背板並將所述第一背板圖案化。在實施例中，所述方法還包括：在所述第二層間介電層及所述側壁停止件之上形成上部介電層；以及在所述上部介電層之上形成第二背板。在實施例中，所述方 法還包括：形成保護層並將所述保護層圖案化，以形成穿過所述保護層且上覆於所述隔板的第一開口；將所述基底圖案化，以在與所述隔板對應的位置處形成穿過所述基底的第二開口；以及執行蝕刻以釋放所述隔板。
以上內容概述了數個實施例的特徵，以使所屬領域的技術人員可更好地理解本發明的各方面。所屬領域的技術人員應瞭解，其可容易地使用本發明作為設計或修改其他製程及結構以實現與本文中所介紹的實施例相同的目的及/或達成相同的優勢的基礎。所屬領域的技術人員還應意識到這些等效構造並不背離本發明的精神及範圍，且其可在不背離本發明的精神及範圍的情況下在本文中做出各種變化、替代及更改。
60:背板
65:開放區域
40:基底
45:開口
50:隔板
55:通氣孔
58:錨定區域
70:層間介電層
74:空氣體積空間
82、84、86:接點
85:側壁停止件
90:微機電系統麥克風
d:距離
h:垂直高度

Claims (10)

  1. 一種麥克風，包括：基底，具有設置成穿過所述基底的開口；隔板，設置在所述基底之上且面向所述基底的所述開口，所述隔板具有上覆於所述基底的所述開口的通氣孔；背板，設置在所述隔板之上且與所述隔板間隔開；以及側壁停止件，設置成沿著所述隔板的所述通氣孔的側壁。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的麥克風，其中所述側壁停止件具有高於所述隔板的頂表面的上部部分以及低於所述隔板的底表面的下部部分。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的麥克風，其中所述側壁停止件跨越所述通氣孔的邊緣橫向地延伸，且包括接觸所述隔板的頂表面的上部部分及接觸所述隔板的底表面的下部部分；其中所述側壁停止件的所述上部部分及所述下部部分將所述隔板夾持在其之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的麥克風，其中當所述隔板處於放鬆狀況時，所述側壁停止件的高度大於所述背板與所述隔板之間的距離。
  5. 一種微機電系統裝置，包括：基底，具有設置成穿過所述基底的開口；第一背板，設置在所述基底之上且面向所述基底的所述開口；第二背板，設置在所述第一背板之上； 隔板，位於所述第一背板與所述第二背板之間且包括設置成穿過所述隔板的開口，其中所述隔板與所述第一背板間隔開第一距離且與所述第二背板間隔開第二距離；以及側壁停止件，設置成沿著所述隔板的所述開口的多個側壁。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的微機電系統裝置，其中所述側壁停止件具有沿著所述隔板的所述開口的周界連續延伸的環形形狀。
  7. 一種製造微機電系統裝置的方法，所述方法包括：在基底之上形成第一層間介電層；在所述第一層間介電層之上形成隔板；在所述隔板之上形成第二層間介電層；執行第一蝕刻，以形成穿過所述第二層間介電層及所述隔板且到達所述第一層間介電層的上部部分中的開口；對所述第一層間介電層及所述第二層間介電層執行第二蝕刻，以在所述隔板上方及下方形成多個凹口且分別暴露出所述隔板的頂表面的一部分及底表面的一部分；以及沿著所述隔板的側壁在所述第一層間介電層及所述第二層間介電層的所述多個凹口中形成側壁停止件。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中根據罩幕層執行所述第一蝕刻，所述罩幕層在所述第一蝕刻之前形成在所述第二層間介電層上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的方法，其中使用就定位的所述罩幕層執行所述第二蝕刻；且其中所述第二蝕刻包括濕式蝕刻，所述濕式蝕刻相對於所述隔板來說對所述第一層間介電層及所述第二層間介電層具有選擇性。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中通過以下步驟形成所述側壁停止件：沉積共形介電層，後續接著執行各向異性蝕刻製程以移除多個橫向部分且留下位於所述第一層間介電層及所述第二層間介電層的所述多個凹口中且位於所述隔板的所述側壁旁邊的多個垂直部分。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11206493B2 (en) * 2018-03-30 2021-12-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Sensor device and manufacturing method thereof
US10766763B2 (en) * 2018-09-28 2020-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Sidewall stopper for MEMS device
KR20200118545A (ko) * 2019-04-08 2020-10-16 주식회사 디비하이텍 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법
CN112995869B (zh) * 2021-02-23 2023-05-30 歌尔微电子股份有限公司 Mems芯片及其制作方法、mems麦克风模组和电子设备
US11943584B2 (en) * 2021-08-31 2024-03-26 Fortemedia, Inc. MEMS microphone

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1213261A2 (en) * 2000-12-11 2002-06-12 Axsun Technologies, Inc. A process for fabricating stiction features on an electrostatically driven optical membrane and an electrostatically driven optical membrane
EP2460762A1 (en) * 2010-12-06 2012-06-06 Nxp B.V. MEMS device having reduced stiction and manufacturing method
CN106145025A (zh) * 2015-05-15 2016-11-23 台湾积体电路制造股份有限公司 用于mems器件中的气密密封的具有锥形侧壁的凹槽
US9630837B1 (en) * 2016-01-15 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. MEMS structure and manufacturing method thereof
US9967679B2 (en) * 2015-02-03 2018-05-08 Infineon Technologies Ag System and method for an integrated transducer and temperature sensor

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4332843C2 (de) * 1993-09-27 1997-04-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung und mikromechanische Vorrichtung
US6413793B1 (en) * 2001-05-17 2002-07-02 Xerox Corporation Method of forming protrusions on single crystal silicon structures built on silicon-on-insulator wafers
DE102005056759A1 (de) * 2005-11-29 2007-05-31 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Struktur zum Empfang und/oder zur Erzeugung von akustischen Signalen, Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur und Verwendung einer mikromechanischen Struktur
US8121315B2 (en) * 2007-03-21 2012-02-21 Goer Tek Inc. Condenser microphone chip
JP5987572B2 (ja) * 2012-09-11 2016-09-07 オムロン株式会社 音響トランスデューサ
US9469527B2 (en) * 2013-03-14 2016-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS pressure sensor and microphone devices having through-vias and methods of forming same
US9681234B2 (en) * 2013-05-09 2017-06-13 Shanghai Ic R&D Center Co., Ltd MEMS microphone structure and method of manufacturing the same
KR102056287B1 (ko) * 2013-11-27 2019-12-16 한국전자통신연구원 마이크로폰
CN103607684B (zh) * 2013-11-29 2019-01-18 上海集成电路研发中心有限公司 电容式硅麦克风及其制备方法
JP6467837B2 (ja) * 2014-09-25 2019-02-13 オムロン株式会社 音響トランスデューサ及びマイクロフォン
CN105984829A (zh) * 2015-02-06 2016-10-05 联华电子股份有限公司 半导体结构及其制造方法
CN105721997B (zh) * 2015-04-08 2019-04-05 华景科技无锡有限公司 一种mems硅麦克风及其制备方法
US10766763B2 (en) * 2018-09-28 2020-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Sidewall stopper for MEMS device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1213261A2 (en) * 2000-12-11 2002-06-12 Axsun Technologies, Inc. A process for fabricating stiction features on an electrostatically driven optical membrane and an electrostatically driven optical membrane
EP2460762A1 (en) * 2010-12-06 2012-06-06 Nxp B.V. MEMS device having reduced stiction and manufacturing method
US9967679B2 (en) * 2015-02-03 2018-05-08 Infineon Technologies Ag System and method for an integrated transducer and temperature sensor
CN106145025A (zh) * 2015-05-15 2016-11-23 台湾积体电路制造股份有限公司 用于mems器件中的气密密封的具有锥形侧壁的凹槽
US9630837B1 (en) * 2016-01-15 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. MEMS structure and manufacturing method thereof

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