CN112995869B

CN112995869B - Mems芯片及其制作方法、mems麦克风模组和电子设备

Info

Publication number: CN112995869B
Application number: CN202110203471.2A
Authority: CN
Inventors: 周宗燐; 邱冠勋
Original assignee: Goertek Microelectronics Inc
Current assignee: Goertek Microelectronics Inc
Priority date: 2021-02-23
Filing date: 2021-02-23
Publication date: 2023-05-30
Anticipated expiration: 2041-02-23
Also published as: CN112995869A

Abstract

本发明公开一种MEMS芯片及其制作方法、MEMS麦克风模组和电子设备。其中，MEMS芯片包括衬底、振膜以及背极板，振膜设于所述衬底的表面，所述振膜凸设有第一凸起，所述第一凸起开设有贯穿所述振膜的泄气孔；所述背极板电连接于所述振膜背对所述衬底的一侧，并与所述振膜之间形成有振动间隙，所述第一凸起位于所述振动间隙内，所述泄气孔与所述振动间隙连通，所述背极板开设有连通所述振动间隙的开孔。本发明技术方案的MEMS芯片能够维持气压平衡，保证良品率和可靠性。

Description

MEMS芯片及其制作方法、MEMS麦克风模组和电子设备

技术领域

本发明涉及麦克风技术领域，特别涉及一种MEMS芯片及其制作方法、MEMS麦克风模组和电子设备。

背景技术

相关技术中的MEMS(微型机电系统)麦克风芯片，为了防止振膜振动时与背极板粘结在一起，通常会在振膜与背极板之间的振动间隙内设置凸起结构进行防粘。但是，这种MEMS芯片的振膜在受到吹气或者喷气的瞬时高压时，难以快速泄压而维持气压平衡，导致容易损坏振膜，进而影响MEMS芯片的良品率和可靠性。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种MEMS芯片，旨在能够维持气压平衡，保证良品率和可靠性。

为实现上述目的，本发明提出的MEMS芯片，包括：

衬底；

振膜，设于所述衬底的表面，所述振膜凸设有第一凸起，所述第一凸起开设有贯穿所述振膜的泄气孔；以及

背极板，所述背极板电连接于所述振膜背对所述衬底的一侧，并与所述振膜之间形成有振动间隙，所述第一凸起位于所述振动间隙内，所述泄气孔与所述振动间隙连通，所述背极板开设有连通所述振动间隙的开孔。

可选地，所述开孔与所述泄气孔正对设置。

可选地，所述第一凸起位于所述振膜的中心位置处。

可选地，所述第一凸起的外形呈圆台形设置，且横截面积在靠近所述背极板的方向上逐渐减小。

可选地，所述振膜还凸设有第二凸起，所述第二凸起位于所述振动间隙内，并与所述第一凸起间隔设置。

可选地，所述第二凸起的数量为多个，多个所述第二凸起呈圆形阵列排布于所述振膜的周缘，且阵列的中心与所述第一凸起的中心重合。

可选地，所述MEMS芯片包括固定于所述背极板的第一焊盘和第二焊盘，所述背极板和所述振膜分别通过所述第一焊盘和所述第二焊盘与外部电路信号连接。

可选地，所述MEMS芯片还包括绝缘层，所述振膜通过所述绝缘层固定于所述衬底的表面。

本发明还提出一种MEMS芯片的制作方法，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底的一侧制作振膜；

在所述振膜背离所述衬底的一侧设置第一凸起，并在所述第一凸起开设贯穿所述振膜的泄气孔；

在所述振膜背离所述衬底的一侧制作背极板，并在所述背极板制作开孔；

在所述背极板与所述振膜之间制作连通所述泄气孔和所述开孔的振动间隙。

可选地，所述在所述振膜背离所述衬底的一侧制作背极板，并在所述背极板制作开孔的步骤中，包括：

将所述开孔与所述泄气孔正对设置。

可选地，所述在所述振膜背离所述衬底的一侧设置第一凸起，并在所述第一凸起开设贯穿所述振膜的泄气孔的步骤中，还包括：

在所述振膜背离所述衬底的一侧设置与所述第一凸起相间隔的第二凸起。

可选地，在所述振膜背离所述衬底的一侧设置与所述第一凸起相间隔的第二凸起的步骤中，包括：

在所述振膜的周缘设置呈圆形阵列排布的多个所述第二凸起，以使得多个所述第二凸起的阵列中心与所述第一凸起的中心重合。

本发明还提出一种MEMS麦克风模组，包括印刷电路板以及设置在所述印刷电路板上的MEMS麦克风芯片，所述MEMS芯片包括：

衬底；

本发明还提出一种电子设备，包括设备本体以及设置在所述设备本体上的MEMS麦克风模组，所述MEMS麦克风模组包括印刷电路板以及设置在所述印刷电路板上的MEMS麦克风芯片，所述MEMS芯片包括：

衬底；

本发明技术方案的MEMS芯片，通过在振膜设置第一凸起，并且第一凸起位于振膜与背极板之间的振动间隙内，即，第一凸起朝向背极板设置，从而使得振膜在产生振动时，即使靠近背极板振动变化，也可以通过第一凸起而防止振膜与背极板完全贴合在一起，避免麦克风的失效。而通过在第一凸起设置贯穿振膜的泄气孔，并使泄气孔与振动间隙连通，同时在背极板也开设连通振动间隙的开孔，这样使得振膜在受到瞬时的高气压时，气压能够通过泄气孔、振动间隙和开孔进行快速泄压，从而维持振膜受压平衡，避免损坏振膜，进而保证了MEMS芯片的良品率和可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明MEMS芯片一实施例的纵截面示意图；

图2为本发明MEMS芯片中振膜一实施例的俯视图；

图3为本发明MEMS芯片另一实施例的纵截面示意图；

图4为本发明MEMS芯片又一实施例的纵截面示意图；

图5至图13为本发明MEMS芯片各生产状态下的截面示意图；

图14为本发明MEMS芯片制作方法一实施的流程示意图；

图15为本发明MEMS芯片制作方法另一实施的流程示意图；

图16为本发明MEMS芯片制作方法又一实施的流程示意图；

图17为本发明MEMS芯片制作方法再一实施的流程示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				10	衬底	11	背腔
20	绝缘层	30	振膜
				31	第一凸起	311	泄气孔
33	第二凸起	40	振动间隙
				50	背极板	51	开孔
50a	连接部	50b	导通部
				60	第一焊盘	70	第二焊盘
80	牺牲层	100	MEMS芯片
				1	硅基板	2	第一二氧化硅层
3	第一多晶硅层	4	第二二氧化硅层
				5a	氮化硅层	5b	第二多晶硅层

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“且/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A且/或B为例”，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种MEMS芯片100。

请结合参照图1和图2，在本发明实施例中，该MEMS芯片100包括衬底10、振膜30以及背极板50。其中，振膜30设于所述衬底10的上表面，所述振膜30凸设有第一凸起31，所述第一凸起31开设有贯穿所述振膜30的泄气孔311；所述背极板50电连接于所述振膜30背对所述衬底10的一侧，并与所述振膜30之间形成有振动间隙40，所述第一凸起31位于所述振动间隙40内，所述泄气孔311与所述振动间隙40连通，所述背极板50开设有连通所述振动间隙40的开孔51。

具体地，衬底10的材质可以为单晶硅材料，振膜30可以采用非结晶金属合金制作而成，非结晶金属合金是指没有规则结晶结构的金属合金材料。该材料具有结晶金属所没有的高断裂韧性，高强度性和高弹性极限的特点，因此该材料具有良好的断裂韧性及弹性极限，从而可进一步保证振膜30在吹气或者喷气时能够承受高的气压，避免了振膜30的破损。

如图3和图4所示，背极板50可由氮化硅层5a和第二多晶硅层5b组成，以形成为双层背极结构，并且由第二多晶硅层5b或者氮化硅层5a靠近振膜30设置。结合参照图1和图10，背极板50也可以是由两层氮化硅层5a以及位于两层氮化硅层5a之间的第二多晶硅层5b组成，由此使得背极板50形成为三层背极结构。

振动间隙40主要是为振膜30的振动提供振动空间，当振膜30在声波的作用下产生振动时，振膜30与背极板50之间的距离会发生变化，即振动间隙40的大小发生变化。第一凸起31与振膜30可以形成为一体结构，可以理解地，第一凸起31的数量也可以是多个，当第一凸起31的数量为多个时，泄气孔311的数量也可以相应的为多个。因此，振膜30产生振动时，第一凸起31能够阻止振膜30贴合于背极板50，防止麦克风的失效。本申请中，开孔51的数量可以是一个或者多个，开孔51可以通过在背极板50刻蚀形成，开孔51的形状和尺寸则可根据实际情况进行适应性设定，本申请对此不作具体限定。

实际情况中，衬底10设置有背腔11，在使用时，外部声音的音波通过背腔11到达振膜30，从而带动振膜30振动，而电连接的振膜30与背极板50形成为MEMS芯片100的电容系统，当振膜30振动时，由于振膜30与背极板50之间的距离变化，导致了电容系统的电容发生变化，进而将音波信号转化为不同的电信号，实现麦克风的相应功能。

本发明技术方案的MEMS芯片100，通过在振膜30设置第一凸起31，并且第一凸起31位于振膜30与背极板50之间的振动间隙40内，即，第一凸起31朝向背极板50设置，从而使得振膜30在产生振动时，即使靠近背极板50振动变化，也可以通过第一凸起31而防止振膜30与背极板50完全贴合在一起，避免麦克风的失效。而通过在第一凸起31设置贯穿振膜30的泄气孔311，并使泄气孔311与振动间隙40连通，同时在背极板50也开设连通振动间隙40的开孔51，这样使得振膜30在受到瞬时的高气压时，气压能够通过泄气孔311、振动间隙40和开孔51进行快速泄压，从而维持振膜30受压平衡，避免损坏振膜30，进而保证了MEMS芯片100的良品率和可靠性。

进一步地，所述开孔51与所述泄气孔311正对设置。该实施例中，泄气孔311贯穿第一凸起31的上下两端，并与开孔51正对设置。可以理解地，当背极板50设有多个开孔51时，一个泄气孔311可以与其中的一个开孔51正对设置，如此设置，使得当振膜30受到较高的气压时，能够通过泄气孔311和对应的开孔51快速的将气压排出，以维持振膜30的气压平衡，进一步确保了振膜30不受损。

本申请一实施例中，所述第一凸起31位于所述振膜30的中心位置处。如此设置，使得振膜30发生振动时，位于中间的第一凸起31可以抵接于背极板50，从而防止四周部分的振膜30完全贴合于背极板50，确保振膜30与背极板50之间预留出间隙供振动，进而避免麦克风出现失效的现象。可以理解地，当第一凸起31设置有多个，多个第一凸起31可以呈阵列设置于振膜30，并且阵列的中心设置在振膜30的中心位置处。

进一步地，本申请所述第一凸起31的外形呈圆台形设置，且横截面积在靠近所述背极板50的方向上逐渐减小。如图1所示，第一凸起31纵截面轮廓为上窄下宽的梯形。如此，第一凸起31靠近背极板50一端的端面面积小于另一端的端面面积，这样当振膜30振动时，第一凸起31与背极板50相接触的面积较小，从而使两者之间的粘结力也较小，确保振膜30的回弹力能够大于粘结力，进而可以进一步降低振膜30与背极板50粘结在一起而不能回弹的风险，增加MEMS芯片100的可靠性。

当然，在其他的实施例中，第一凸起31的纵截面轮廓也可以是三角形、锥形、弧形或者半圆形等等。

本申请的一些实施例中，所述振膜30还凸设有第二凸起33，所述第二凸起33位于所述振动间隙40内，并与所述第一凸起31间隔设置。其中，第二凸起33可以与振膜30形成为一体结构，第二凸起33的形状可以与第一凸起31的形状相同，也可以不同。例如，第二凸起33凸出振膜30表面的高度可以低于第一凸起31凸出的高度，如此使得第二凸起33在防止振膜30与背极板50贴合接触时起辅助作用，当第一凸起31失效时，第二凸起33能够产生作用，防止振膜30与背极板50贴合接触在一起，从而进一步提高了可靠性。

进一步地，所述第二凸起33的数量为多个，多个所述第二凸起33呈圆形阵列排布于所述振膜30的周缘，且阵列的中心与所述第一凸起31的中心重合。该实施例中，第二凸起33的数量可以是8个，8个第二凸起33呈圆形阵列排布于振膜30，且阵列中心与第一凸起31的中心重合。如此使得振膜30产生振动时，振膜30周缘的多个第二凸起33与振膜30中间的第一凸起31能够共同阻挡振膜30与背极板50贴合在一起，从而避免麦克风出现失效的现象。

为了便于背极板50和振膜30的电路信号导通，本申请一实施例中，所述MEMS芯片100包括固定于所述背极板50的第一焊盘60和第二焊盘70，所述背极板50和所述振膜30分别通过所述第一焊盘60和所述第二焊盘70与外部电路信号连接。

其中，第一焊盘60和第二焊盘70均可以是金属焊盘，第一焊盘60可通过连接部50a与背极板50导通，该连接部50a为非结晶金属合金件，连接部50a连接第一焊盘60与背极板50；第二焊盘70可通过导通部50b与振膜30导通，导通部50b同样可以为非结晶金属合金件，导通部50b连接第二焊盘70和振膜30。采用非结晶金属合金的连接部50a和导通部50b可以保证形成的电容系统具有良好的导通效果以及优良的结构强度。

本申请一实施例中，所述MEMS芯片100还包括绝缘层20，所述振膜30通过所述绝缘层20固定于所述衬底10的上表面。其中，绝缘层20可以为聚氧化乙烯(PEOX)，绝缘层20可以保证衬底10与隔膜之间保持绝缘，同时在制作过程中，也可以作为阻挡层，确保腐蚀的工序不会破坏上层的结构。

本申请中为了使背极板50与振膜30之间稳固连接，背极板50与振膜30之间设有牺牲层80，背极板50和振膜30分别位于牺牲层80的两侧。牺牲层80可以为聚氧化乙烯(PEOX)，在实际生产过程中，可在振膜30上沉积牺牲层80，之后在牺牲层80沉积背极板50，而对牺牲层80进行腐蚀，则形成出振动间隙40供振膜30振动。

参照图14，本发明还提出一种MEMS芯片的制作方法，该方法包括以下步骤：

S10，提供衬底10，在所述衬底10的一侧制作振膜30。

具体地，提供一硅基板1作为衬底10，硅基板1可以是整块的单晶硅晶圆。如图5至图7，在制作振膜30之前，可先在硅基板1的表面依次沉积两层第一二氧化硅层2，并分别对两层第一二氧化硅层2进行刻蚀后，再在第一二氧化硅层2上沉积第一多晶硅层3，以形成振膜30。由此通过先沉积的第一二氧化硅层2可以阻挡和绝缘，避免对上层结构产生破坏。

S20，在所述振膜30背离所述衬底10的一侧设置第一凸起31，并在所述第一凸起31开设贯穿所述振膜30的泄气孔311。

具体地，如图8所示，在第一二氧化硅层2上沉积第一多晶硅层3，形成振膜30时，由于通过两层第一二氧化硅层2的刻蚀，在第一多晶硅层3对应形成第一凸起31，通过刻蚀第一凸起31，形成泄气孔311，从而后续可通过该泄气孔311维持气压平衡。

S30，在所述振膜30背离所述衬底10的一侧制作背极板50，并在所述背极板50制作开孔51。

具体地，如图9至图11，在制作背极板50之前，先在振膜30的表面沉积第二二氧化硅层4，并进行刻蚀，之后再在第二二氧化硅层4上制作背极板50。背极板50可以为三层结构，包括两层氮化硅层5a和两层氮化硅层5a之间的第二多晶硅层5b；第二二氧化硅层4连接下层的振膜30与上层的背极板50，确保两者之间稳固连接，第二二氧化硅层4进行刻蚀可形成环形凹槽，由此通过该环形凹槽进行制作背极板50的凸起，防止振膜30与背极板50之间贴合。

S40，在所述背极板50与所述振膜30之间制作连通所述泄气孔31和所述开孔51的振动间隙40。

具体地，通过释放工艺，对振膜30与背极板50之间的第二二氧化硅层4进行刻蚀，形成振动间隙40，将振膜30上的泄气孔311以及背极板50的开孔51均连通该振动间隙40，从而形成快速泄压通道，维持振膜30受压平衡。

进一步地，本发明在步骤S30之后，还包括在背极板上沉积和刻蚀第一焊盘60和第二焊盘70，参照图12，该步骤中，第一焊盘60和第二焊盘70分别形成于背极板50两侧的固定槽中，通过第一焊盘60和第二焊盘70实现将背极板50、振膜30与外部电路导通。之后进行释放工艺，如图13所示，对硅基板1腐蚀形成背腔11，用于供声音通过。

参照图15，本申请一实施例中，步骤S30，在所述振膜30背离所述衬底10的一侧制作背极板50，并在所述背极板50制作开孔51的步骤中，包括：

步骤S31，将所述开孔51与所述泄气孔311正对设置。

该步骤中，将开孔51与泄气孔311正对，使得两者之间的气路较短，从而当振膜30受到较高的气压时，能够通过泄气孔311和对应的开孔51快速的将气压排出，以维持振膜30的气压平衡，进一步确保了振膜30不受损。

参照图16，进一步地，步骤S20，在所述振膜30背离所述衬底10的一侧设置第一凸起31，并在所述第一凸起31开设贯穿所述振膜30的泄气孔311的步骤中，还包括：

步骤S21，在所述振膜30背离所述衬底10的一侧设置与所述第一凸起31相间隔的第二凸起33。

该步骤中，第二凸起33可以与振膜30形成为一体结构，第二凸起33的形状可以与第一凸起31的形状相同，也可以不同。例如，第二凸起33凸出振膜30表面的高度可以低于第一凸起31凸出的高度，如此使得第二凸起33在防止振膜30与背极板50贴合接触时起辅助作用，当第一凸起31失效时，第二凸起33能够产生作用，防止振膜30与背极板50贴合接触在一起，从而进一步提高了可靠性。

参照图17，基于上述的实施例，步骤S21，在所述振膜30背离所述衬底10的一侧设置与所述第一凸起31相间隔的第二凸起33的步骤中，包括：

S211，在所述振膜30的周缘设置呈圆形阵列排布的多个所述第二凸起33，以使得多个所述第二凸起33的阵列中心与所述第一凸起31的中心重合。

该步骤中，第二凸起33的数量可以为奇数个或者偶数个，优选为8个。如此使得振膜30产生振动时，振膜30周缘的多个第二凸起33与振膜30中间的第一凸起31能够共同阻挡振膜30与背极板50贴合在一起，并且受力均衡，避免麦克风出现失效的现象。

本发明还提出一种MEMS麦克风模组，该MEMS麦克风模组包括印刷电路板以及设置在印刷电路板上的MEMS芯片100，该MEMS芯片100的具体结构参照上述实施例，由于本MEMS麦克风模组采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

本发明还提出一种电子设备，其中，该电子设备可以是智能手机、平板电脑、TWS耳机或者助听器等等。该电子设备包括设备本体以及设置在所述设备本体上的MEMS麦克风模组，该MEMS麦克风模组的具体结构参照上述实施例，由于本电子设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims

1.一种MEMS芯片，其特征在于，包括：

衬底；

背极板，所述背极板电连接于所述振膜背对所述衬底的一侧，并与所述振膜之间形成有振动间隙，所述第一凸起位于所述振动间隙内，所述泄气孔与所述振动间隙连通，所述背极板开设有连通所述振动间隙的开孔；

所述开孔与所述泄气孔正对设置，所述第一凸起的外形呈圆台形设置，且横截面积在靠近所述背极板的方向上逐渐减小，所述第一凸起围合形成有空腔，所述空腔具有靠近所述泄气孔的腔底壁，所述泄气孔的开口面积小于所述腔底壁的横截面面积；

所述第一凸起位于所述振膜的中心位置处；所述振膜还凸设有第二凸起，所述第二凸起位于所述振动间隙内，并与所述第一凸起间隔设置。

2.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第二凸起的数量为多个，多个所述第二凸起呈圆形阵列排布于所述振膜的周缘，且阵列的中心与所述第一凸起的中心重合。

3.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述MEMS芯片包括固定于所述背极板的第一焊盘和第二焊盘，所述背极板和所述振膜分别通过所述第一焊盘和所述第二焊盘与外部电路信号连接。

4.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述MEMS芯片还包括绝缘层，所述振膜通过所述绝缘层固定于所述衬底的表面。

5.一种MEMS芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底的一侧制作振膜；

在所述振膜背离所述衬底的一侧设置第一凸起，并在所述第一凸起开设贯穿所述振膜的泄气孔，所述第一凸起的外形呈圆台形设置，且横截面积在靠近所述背极板的方向上逐渐减小，所述第一凸起围合形成有空腔，所述空腔具有靠近所述泄气孔的腔底壁，所述泄气孔的开口面积小于所述腔底壁的横截面面积；所述第一凸起位于所述振膜的中心位置处；在所述振膜背离所述衬底的一侧设置与所述第一凸起相间隔的第二凸起；

在所述振膜背离所述衬底的一侧制作背极板，并在所述背极板制作开孔，将所述开孔与所述泄气孔正对设置；

6.如权利要求5所述的MEMS芯片的制作方法，其特征在于，在所述振膜背离所述衬底的一侧设置与所述第一凸起相间隔的第二凸起的步骤中，包括：

7.一种MEMS麦克风模组，其特征在于，包括印刷电路板以及设置在所述印刷电路板上的MEMS 麦克风芯片，所述MEMS 麦克风芯片为权利要求1至4任意一项所述的MEMS 芯片。

8.一种电子设备，其特征在于，包括设备本体以及设置在所述设备本体上的MEMS麦克风模组，所述MEMS 麦克风模组为权利要求7所述的MEMS麦克风模组。