CN104979424A - 一种节能太阳能晶体硅电池制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，太阳能电池制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散，所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在硅片衬底进行磷扩散的一而制作第二电极，硅片衬底具体为P型硅片，制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场，形成背电场的P犁硅片的第二表而抛光，进行磷扩散，形成PN结，第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能电池正电极，P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙。本发明提出的一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。
Description
技术领域
本发明涉及一种电池制造技术，特别涉及一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，属于太阳能节能技术领域。
背景技术
太阳能电池是一种可以将能量转换的光电元件，其基本构造是运用P型与N型半导体接合而成的。半导体最基本的材料是“硅”，它是不导电的，但如果在半导体中掺入不同的杂质，就可以做成P型与N型半导体，再利用P型半导体有个空穴(P型半导体少了一个带负电荷的电子，可视为多了一个正电荷)，与N型半导体多了一个自由电子的电位差来产生电流，所以当太阳光照射时，光能将硅原子中的电子激发出来，而产生电子和空穴的对流，这些电子和空穴均会受到内建电位的影响，分别被N型及P型半导体吸引，而聚集在两端。此时外部如果用电极连接起来，形成一个回路，这就是太阳能电池发电的原理，主要来自于PN行半导体的内建电场驱使电子电洞移动，并收集起来。因此，在电子与电洞移动的路径上的缺陷密度将会对于光电流的产生有绝对的影响简单的说，太阳光电的发电原理，是利用太阳能电池吸收0.4μm～1.1μm波长(针对硅晶)的太阳光，将光能直接转变成电能输出的一种发电方式。
由于太阳能电池产生的电是直流电，因此若需提供电力给家电用品或各式电器则需加装直/交流转换器，换成交流电，才能供电至家庭用电或工业用电。
发明内容
本发明基于现有的太阳能电池的制造技术，采用创新性的科学原理，提出了一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命。
本发明解决其技术问题采用的技术方案是：一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，所述的太阳能电池制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散，所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一而制作第二电极，所述硅片衬底具体为P型硅片，制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场，形成背电场的P犁硅片的第二表而抛光，进行磷扩散，形成PN结，所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能电池正电极，所述P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙。
进一步，所述扩散温度为1150摄氏度，扩散时间为1.5小时，通氧量为2.8升每分钟，所述烘焙温度为75——85℃，烘焙时间为28秒。
进一步，所述在所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，在所述硅片衬底进行磷扩散的一面制作第二电极，所述硅片衬底进行硼扩散的一面丝网印刷第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一面丝网印刷第二电极，丝网印刷第一电极以及第二电极后的硅片衬底进行烧结。
本发明的有益效果：本发明提出的一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。
具体实施方式
下面结合具体实例对本发明作进一步说明。
一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，所述的太阳能电池制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散，所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一而制作第二电极，所述硅片衬底具体为P型硅片，制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场，形成背电场的P犁硅片的第二表而抛光，进行磷扩散，形成PN结，所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能电池正电极，所述P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙。
进一步，所述扩散温度为1150摄氏度，扩散时间为1.5小时，通氧量为2.8升每分钟，所述烘焙温度为75——85℃，烘焙时间为28秒。
进一步，所述在所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，在所述硅片衬底进行磷扩散的一面制作第二电极，所述硅片衬底进行硼扩散的一面丝网印刷第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一面丝网印刷第二电极，丝网印刷第一电极以及第二电极后的硅片衬底进行烧结。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定 。
Claims (3)
1.一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，其特征在于：所述的太阳能电池制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散，所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一而制作第二电极，所述硅片衬底具体为P型硅片，制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场，形成背电场的P型硅片的第二表而抛光，进行磷扩散，形成PN结，所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能电池正电极，所述P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙。
2.根据权利要求1所述的一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，其特征在于：所述扩散温度为1150摄氏度，扩散时间为1.5小时，通氧量为2.8升每分钟，所述烘焙温度为75——85℃，烘焙时间为28秒。
3.根据权利要求1所述的一种节能太阳能晶体硅电池制作方法，其特征在于：所述在所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，在所述硅片衬底进行磷扩散的一面制作第二电极，所述硅片衬底进行硼扩散的一面丝网印刷第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一面丝网印刷第二电极，丝网印刷第一电极以及第二电极后的硅片衬底进行烧结。
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| CN201410137813.5A CN104979424A (zh) | 2014-04-08 | 2014-04-08 | 一种节能太阳能晶体硅电池制作方法 |
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Publications (1)
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| CN104979424A true CN104979424A (zh) | 2015-10-14 |
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| CN201410137813.5A Pending CN104979424A (zh) | 2014-04-08 | 2014-04-08 | 一种节能太阳能晶体硅电池制作方法 |
Country Status (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105742411A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-07-06 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制作方法 |
| CN109713056A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-05-03 | 上海交通大学 | 一种具有径向pn结的黑硅太阳电池制备方法 |
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2014
- 2014-04-08 CN CN201410137813.5A patent/CN104979424A/zh active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20151014 |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |