CN104979189B - 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法 - Google Patents
一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104979189B CN104979189B CN201510366328.XA CN201510366328A CN104979189B CN 104979189 B CN104979189 B CN 104979189B CN 201510366328 A CN201510366328 A CN 201510366328A CN 104979189 B CN104979189 B CN 104979189B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- etching
- plasma
- radio
- passed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims abstract description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法属于微电子器件、薄膜、材料加工领域。其特征在于:刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统。通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用;真空度低于10Pa后,通入氮气在N2,气氛中升温到900‐1100℃,通入氢气,打开射频电源,将射频功率调到40‐150W,电离N2和H2,对基底进行刻蚀,此时气压为30‐100Pa,持续0.5‐2个小时;刻蚀结束后,关闭射频与停止通入氢气,冷却到室温。本发明无需使用任何模板,直接在衬底上刻蚀出具有规则取向的图案,并且图案的形貌和方向可以通过衬底的晶面取向调控。本发明在微电子器件制造、微纳米材料制备等方面具有重要意义。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术与纳微材料制备领域,涉及一种无模板等离子体刻蚀方法。
背景技术
等离子体刻蚀是指在等离子体存在的条件下,通过离子溅射、化学反应以及辅助能量离子(或电子)与模式转换等方式下,精确可控地除去衬底表面上一定深度的薄膜物质而留下不受影响的沟槽的一种加工过程,该过程通常为各向异性且按直线进行。在大规模集成电路制造中,等离子体刻蚀是一种常用的加工技术,它与平面曝光、等离子体化学沉积、掩模、清洗、聚合等技术一起被广泛用于微电子器件、薄膜、材料加工等方面。然而,为了获得具有规则形貌和取向的图形,以往的等离子体刻蚀工艺中都需要一个平面曝光后得到的光刻图形作为掩膜,才能获得规则的图形。这样就使得加工工艺更加复杂,并且成本较高。本发明不使用任何模板,直接在衬底上刻蚀出具有规则取向等离子刻蚀线,并且可以通过衬底的晶面取向调控刻蚀线的形貌和形成方向。本发明在微电子器件制造,材料微纳米结构调控与制备等方面具有重要应用前景,如刻蚀后的衬底可以作为诱导纳米线器件生长的模板,制备取向形貌可控的纳米材料等。
发明内容
本发明的目的是采用一种无模板制备规则图形的等离子体刻蚀方法,在衬底上直接刻蚀出具有规则形貌和取向的图形,并且抗日义通过衬底的晶面取向对图形的形貌和取向进行调控。而且本发明制备工艺十分简单,成本低廉,为实现大规模的工业生产提供了可能。
1、一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法,其特征在于:
(1)刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统。真空腔体为石英管等,离子体发生系统为靠近石英管进气端的绕在石英管外的铜线圈,通过加载射频电源对进入管中的气体进行等离子体化,等离子体产生中心区域距离进气口1/4管长位置;升温装置位于石英管出气端,加热区中心距离出气口1/4管长位置;基底放置加热区中,从而通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用;
(2)刻蚀腔体内真空度低于10Pa后,通入氮气在N2,气氛中升温到900-1100℃,通入氢气,调整N2和H2,流量比例为1:1至4:1,打开射频电源,将射频功率调到40-150W,电离N2和H2,对基底进行刻蚀,此时气压为30-100Pa,持续0.5-2个小时;
(3)刻蚀结束后,关闭射频与停止通入氢气,冷却到室温后即在基底上获得具有规则取向的刻蚀图形结构。
进一步,步骤(1)中根据基底的晶面取向的来调控所制备图形的结构形貌,选用不同取向基底,将获得不同取向的规则排列的刻蚀线条。
本发明具有如下优点和有益效果:
(1)本发明利用简单的设备,不使用任何掩膜版,直接在硅衬底上可是出具有规则形貌的图形;
(2)在Si(100)衬底上,刻蚀线着两个方向生长,且这两个方向互相垂直;在Si(110)衬底上,刻蚀线只沿着一个方向生长;在Si(111)衬底上,刻蚀线沿着三个方向生长,任意两个方向的夹角为60°。
附图说明
图1为自搭建的管式炉示意图,是一套等离子体化学气象沉积(PECVD)系统,实验中我们不进行化学气相沉积,仅仅把硅衬底放置在石英管中,让等离子体对其进行轰击;
图2为实施例1中Si(100)衬底在等离子体刻蚀后的形貌,从图中我们可以看到在衬底表面上形成方向互相垂直的刻蚀线;
图3为实施例1中Si(100)衬底经等离子体刻蚀后,在40%HF酸溶液腐蚀30min后的形貌,从图中我们可以清晰的看到独立的,两个方向互相垂直的刻蚀线;
图4为实施例1中Si(100)衬底上刻蚀线的原子力显微镜(AFM)表征图,刻蚀线的深度达到几十个纳米,最深的地方达到100nm左右。
图5为实施例2中Si(110)衬底在等离子体刻蚀后的形貌,从图中我们可以看到在Si(110)衬底表面上,只有一个方向形成刻蚀线;
图6为实施例3中Si(111)衬底在等离子体刻蚀后的形貌,从图中我们可以看到在Si(111)衬底表面上,三个方向形成刻蚀线,并且任意两个方向的夹角为60°;
图7为实施例1、2、3中形成的刻蚀线的取向与衬底取向的关系图,(a)和(d)表明,在Si(100)衬底上,刻蚀线沿Si[011]和Si[0-11]方向;(b)和(e)表明,在Si(110)衬底上,刻蚀线只沿着Si[1-10]方向;(c)和(f)表明,在Si(111)衬底上,刻蚀线沿着Si[-101],Si[1-10]和Si[0-11]方向。总而言之,在不同取向的硅衬底上,刻蚀线都是沿着Si<110>方向取向形成
具体实施方式:
下面通过实施例对本发明做进一步说明,本发明绝非局限于所陈述的实例。
实施例1:
(1);把Si(100)衬底放入管式炉中;
(2)对管式炉进行抽真空,真空度小于10Pa后,通入N2,流量为20sccm;
(3)设定管式炉以10℃每分钟的升温速率,在N2气氛中升温到1000℃,
(4)温度达到1000℃后,通入H2,流量为10sccm,N2和H2流量比为2:1。
(5)打开射频电源,将射频功率调到60W,对气体进行放电,生成等离子体,此时气压在45Pa,持续1个小时;
(6)刻蚀1个小时后,关闭射频电源,关闭氢气,衬底在氮气气氛自然冷却到室温。
反应结束后,在衬底两个方向上形成规则的,独立的刻蚀线,并且这两个方向互相垂直,其SEM图见图2。
实施例2:
将衬底换为Si(110)衬底,步骤(5)持续2个小时;其余条件与实施例1一致,在衬底上制备出的只沿着一个方向的刻蚀线,其SEM图见图5.
实施例3:
将衬底换为Si(111)衬底,步骤(5)持续0.5个小时;其余条件与实施例1一致,在衬底上制备出的沿三个方向的刻蚀线,并且任意两个方向的夹角为60°,其SEM图见图6.
实施例4:
将温度升至900℃,其余条件与实施例1一致,在衬底上制备出的刻蚀线形貌与实施例1类似。
实施例5:
将温度升至1100℃,其余条件与实施例1一致,在衬底上制备出的刻蚀线形貌与实施例1类似。
实施例6:
将射频功率调整为40w,其余条件与实施例1一致,在衬底上制备出的刻蚀线形貌与实施例1类似。
实施例7:
将射频功率调整为150W,其余条件与实施例1一致,在衬底上制备出的刻蚀线形貌与实施例1类似。
实施例8:
将N2的速率调整为10sccm,此时N2和H2流量比为1:1,反应气压为30Pa,其余条件与实施例1一致,在衬底上制备出的刻蚀线形貌与实施例1类似。
实施例9:
将N2的速率调整为40sccm,此时N2和H2流量比为4:1,反应气压为100Pa,温度升至1000℃,其余条件与实施例1一致,在衬底上制备出的刻蚀线形貌与实施例1类似。
Claims (2)
1.一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法,其特征在于:
(1)刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统;真空腔体为石英管,等离子体发生系统为靠近石英管进气端的绕在石英管外的铜线圈,通过加载射频电源对进入管中的气体进行等离子体化,等离子体产生中心区域距离进气口1/4管长位置;升温装置位于石英管出气端,加热区中心距离出气口1/4管长位置;基底放置加热区中,从而通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用;
(2)刻蚀腔体内真空度低于10Pa后,通入氮气在N2,气氛中升温到900-1100℃,通入氢气,调整N2和H2,流量比例为1:1至4:1,打开射频电源,将射频功率调到40-150W,电离N2和H2,对基底进行刻蚀,此时气压为30-100Pa,持续0.5-2个小时;
(3)刻蚀结束后,关闭射频与停止通入氢气,冷却到室温后即在基底上获得具有规则取向的刻蚀图形结构。
2.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤(1)中根据基底的晶面取向的来调控所制备图形的结构形貌,选用不同取向基底,将获得不同取向的规则排列的刻蚀线条。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510366328.XA CN104979189B (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510366328.XA CN104979189B (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104979189A CN104979189A (zh) | 2015-10-14 |
CN104979189B true CN104979189B (zh) | 2017-12-08 |
Family
ID=54275588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510366328.XA Active CN104979189B (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104979189B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112762715B (zh) * | 2020-12-16 | 2021-12-14 | 北京大学 | 一种Mg-C纳米复合储氢材料的制备装置和制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6077451A (en) * | 1996-03-28 | 2000-06-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for etching of silicon materials |
CN101093796A (zh) * | 2002-06-27 | 2007-12-26 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法 |
CN101647100A (zh) * | 2007-03-28 | 2010-02-10 | 住友精密工业株式会社 | 等离子体处理装置 |
CN102751170A (zh) * | 2011-04-19 | 2012-10-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体处理设备 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6010433B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
-
2015
- 2015-06-29 CN CN201510366328.XA patent/CN104979189B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6077451A (en) * | 1996-03-28 | 2000-06-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for etching of silicon materials |
CN101093796A (zh) * | 2002-06-27 | 2007-12-26 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法 |
CN101647100A (zh) * | 2007-03-28 | 2010-02-10 | 住友精密工业株式会社 | 等离子体处理装置 |
CN102751170A (zh) * | 2011-04-19 | 2012-10-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体处理设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104979189A (zh) | 2015-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104389016B (zh) | 一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法 | |
CN106548918A (zh) | 一种射频和直流混合驱动的磁化容性耦合等离子体源 | |
CN104220637A (zh) | 用于半导体器件应用的氮化硅膜 | |
CN109811307B (zh) | 一种二维材料纳米带或微米带的制备方法 | |
CN101117208A (zh) | 一种制备一维硅纳米结构的方法 | |
CN102320606B (zh) | 一种生长纳米晶硅粉体的方法 | |
CN104979189B (zh) | 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法 | |
CN102653401B (zh) | 基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法 | |
CN102931055A (zh) | 一种多层石墨烯的减薄方法 | |
CN108493105B (zh) | 二氧化硅薄膜及其制备方法 | |
CN103208421A (zh) | 一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法 | |
CN104805409B (zh) | 采用磁控溅射‑掩模辅助沉积制备Ag纳米线阵列电极的方法 | |
CN106367727A (zh) | 一种利用掩膜法制备带自支撑框架的金刚石真空窗口的方法 | |
CN103484833B (zh) | 一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途 | |
CN101805894A (zh) | 一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法 | |
CN104152869B (zh) | 等离子体薄膜沉积装置及沉积方法 | |
CN107154331A (zh) | 钒的氧化物各向异性刻蚀的方法 | |
CN103311104A (zh) | 一种石墨烯的制备方法 | |
JP6021131B2 (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
CN102751179B (zh) | 一种制备石墨烯器件的方法 | |
CN106555168A (zh) | 一种通过调整氮气流量改善低温氧化硅薄膜性能的方法 | |
CN103887233A (zh) | 集成电路用低介电常数薄膜层的制备工艺 | |
CN103681242B (zh) | 硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺 | |
CN108133887B (zh) | 基于深槽刻蚀的平坦化方法 | |
CN102924119A (zh) | 基于3C-SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |