CN104979166A - 具有辐射源补偿的基座 - Google Patents

Abstract

本文所述的实施方式涉及用于温度测量的方法和装置。基座可被配置以在第一表面上支撑基板，且所述基板的第二表面可相对于所述第一表面定向。一个或更多个反射特征可形成在所述第二表面上。所述一个或更多个反射特征可在由温度传感器观察的半径处以各种图案布置。所述一个或更多个反射特征可提供来自所述基座的所述第二表面的增加的辐射反射和提供来自由所述温度传感器检测的热信号的更加准确的温度计算。

Description

具有辐射源补偿的基座

技术领域

本文所述的实施方式大体涉及温度测量的装置和方法。更具体地说，本文所述的实施方式涉及测量暴露于辐射源的基座的温度。

背景技术

在某些半导体处理腔室中的准确温度测量对于基板处理是重要的。例如，在外延沉积腔室中，提供辐射能的热源可被用以加热布置在基座上的基板。辐射高温测定法可用以测量基座底表面的热标记(thermal signature)，因为底表面一般呈现出通常恒定的辐射系数(emissivity)。热标记可通过高温计检测且基座温度可由热标记计算而得。

然而，辐射可从基座反射到高温计且人为地(artificially)增大由高温计检测的热标记。人为增大可能导致基座的不准确温度计算。用以对反射辐射(reflected radiation)增大进行估计(estimate)和补偿的一项技术依赖于测量当基座冷却时来自于辐射源的对高温计信号的贡献、从所述数据产生查找表(lookup table)、和使用查找表估计反射辐射的净贡献。然而，更一般地说，不准确度由辐射源老化、辐射源更换、基座更换和工艺参数漂移的影响而引起。

因此，在本领域中需要用于为反射辐射提供改进的温度测量和补偿计算的装置和方法。

发明内容

在一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的装置。所述装置包括基座，所述基座具有第一基板支撑表面和与所述第一表面相对定向的第二表面。一个或更多个反射特征(reflective feature)可以环状图案形成在所述第二表面上。所述一个或更多个反射特征可比所述基座的所述第二表面更能反射。

在另一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的装置。所述装置包括基座，所述基座具有第一基板支撑表面和与所述第一表面相对定向的第二表面。一个或更多个反射特征可以环状图案形成在所述第二表面上。所述一个或更多个反射特征可比所述基座的所述第二表面更能反射，且所述第二表面的至少一部分可邻近于所述一个或更多个反射特征而暴露。

在又一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的装置。所述装置包括具有处理空间的工艺腔室，和布置在所述处理空间中的基座。所述基座可具有第一基板支撑表面和与所述第一表面相对定向的第二表面。一个或更多个反射特征可以环状图案形成在所述第二表面上。所述一个或更多个反射特征可比所述基座的所述第二表面更能反射。多个辐射能量来源可在第二表面之下被耦接至所述腔室，且温度传感器可被定向以检测来自所述第二表面的所需半径的电磁辐射。

附图说明

因此，以可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可参考实施方式获得上文简要概述的本公开内容的更详细的描述，所述实施方式中的一些实施方式图示在附图中。然而，应注意，附图仅图示本公开内容的典型实施方式且因此不应被视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。

图1A图示根据本文所述的第一实施方式的基座的底视图。

图1B图示沿着剖面线1B-1B的图1A的基座的剖视图。

图1C图示根据本文所述的第二实施方式的基座的底视图。

图1D图示沿着剖面线1D-1D的图1C的基座的剖视图。

图2A图示根据本文所述的第三实施方式的基座的底视图。

图2B图示沿着剖面线2B-2B的图2A的基座的剖视图。

图3图示根据本文所述的一个实施方式的处理腔室的示意侧视图。

为了便于理解，已尽可能使用相同的附图标记来标示各图所共用的相同元件。预期，在一个实施方式中披露的元件可有利地用于其他实施方式，而无需特别详述。

具体实施方式

本文所述的实施方式涉及用于温度测量的装置和方法。基座可被配置以在第一表面上支撑基板，且所述基板的第二表面可相对于所述第一表面定向。一个或更多个反射特征可形成在所述第二表面上。所述一个或更多个反射特征可在由温度传感器观察的半径处以各种图案布置。所述一个或更多个反射特征可提供来自所述基座的所述第二表面的增加的辐射反射，且使得能够从由温度传感器检测的热信号进行更加准确的温度计算。

图1图示根据本文所述的一个实施方式的基座100的底视图。所述基座100可由任何工艺相容材料制成，所述材料诸如单片碳化硅(silicon carbide；SiC)、单片石墨、或涂有SiC的石墨。在包括单片SiC的实施方式中，所述基座100可由SiC粉末烧结至净形状(net shape)(例如，最终形状)，或烧结至接近净形状并随后进一步处理至净形状。所述基座100可如上所述借助烧结从石墨形成，或借助机械加工从一大块石墨材料形成。石墨基座也可使用任何适当的方法涂有SiC涂层以涂布所需表面。

所述基座100具有包括基板支撑表面103(如图1B中所示)的第一表面101(如图1B中所示)，所述基板支撑表面103被配置以在处理期间支撑基板(诸如图3中所示的基板325)。所述基座100具有与所述第一表面101相对的第二表面102，所述第二表面102包括一个或更多个特征104。所述特征104可具有任何形状或图案。例如，特征104可包括单个环状体，所述单个环状体以如图1中所示的内弯曲边缘105a和外弯曲边缘105b为界。预期，可利用一个以上环状体。在某些实施方式中，其他形状也可为有益的。例如，可利用椭圆形特征形状。

图1B图示沿着剖面线1B-1B的图1A的基座100的剖视图。在一个实施方式中，所述特征104从所述第二表面102延伸。例如，取决于所需反射特性和所需热特性，所述特征104可具有在约与约1mm之间的厚度。或者，所述特征104可在所述第二表面102中形成以使得所述特征104和所述第二表面102共面。所述特征104可被布置在所述基座100的所述第二表面102上的第一半径110处。所述半径可被选择以匹配由温度传感器(见图3，高温计358)观察的所述第二表面102的区域。

所述特征104可以任何适当的方式，或通过粗糙化或处理所述基座100的所述第二表面102而形成在基座100上，所述方式诸如被镶铸在所述基座100中、浮雕至所述基座100中、机械加工到所述基座100中、沉积在所述基座100上。例如，所述特征104可通过物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)工艺或其他类似共形沉积工艺被共形地沉积在所述第二表面102上。所述特征104的共形沉积使得所述特征104能够保持所述特征104的表面粗糙度类似于所述第二表面102的表面粗糙度。借助将所述第二表面102的表面粗糙度与所述特征104的表面粗糙度匹配，可以有可能将从所述第二表面102和从所述特征104反射的辐射量的差异最小化。

所述特征104可由材料106形成，所述材料106表现出反射特性且在约300摄氏度与约900摄氏度之间的处理温度下热稳定。选择用于所述特征104的材料106可尤其包括铝、铂、铱、铼和金。如果选择用于所述特征104的材料具有低于处理温度范围的熔点，那么保护涂层108(见图1B)可在所述特征104上形成以防止所述特征104在处理期间变形。所述保护涂层108也可被共形地沉积在所述材料106上以保持所需量的表面粗糙度。在一个实施方式中，所述材料106可以是铝且所述保护涂层108可以是二氧化硅。所述材料106和保护涂层108可被配置为是高度反射的和/或可对在所需范围内的波长是有选择性的。所述材料106也可被选择以具有与所述第二表面102类似的吸收率(absorptivity)，以降低所述特征104和所述第二表面102之间的温差。

图1C图示根据本文所述的一个实施方式的基座100的底视图。所述特征104不必是如图1A中所示的连续结构。例如，所述特征104可包括以间隔开的方式布置在所述第二表面102上的多个不连续(discrete)结构。如果所述特征104是不连续的，那么所述特征104的形状可呈现高深宽比，所述形状可垂直于所述基座100的旋转路径。所述特征104的形状可被配置以将所述特征104与所述第二表面102之间的热梯度最小化。所述特征104之间的所述第二表面102的区域120可仅包括所述基座100的材料，或可涂有反射性或吸收性材料。在一个实施方式中，所述区域120可涂有宽带反射体(broadband reflector)，所述宽带反射体被选择以在所需波长下吸收和/或反射辐射。因此，从所述特征104反射的辐射更加易于被检测以测量在某一波长下的反射辐射的实际贡献。

在一个实施方式中，所述特征104可沿着第一半径110被间隔开以在不连续特征104之间提供方位角变化(azimuthal variation)。所述方位角变化可为恒量或在相邻特征之间表现出周期差异。所述相邻特征104之间的间隔可具有足够小的空间范围，所述空间范围足够小以被所述基座材料的热扩散长度所补偿。因此，所述特征104的间隔和形状可被配置以将所述特征104与所述第二表面102之间的热梯度最小化。

图1D图示沿着剖面线1D-1D的图1C的基座100的剖视图。类似于图1B，所述特征104可被布置在所述基座100的所述第二表面102上的第一半径110处。如图所示，所述区域120也可在所述第一半径110内且所述特征104和所述区域120两者都可由温度传感器来观察。如图所示，所述特征104包括无保护涂层108的材料106。在此实例中，诸如铂之类的材料106可在约900摄氏度以上的温度下热稳定。

图2A图示根据本文所述的一个实施方式的基座100的底视图。如图所示，在所述基座100上形成第一特征图案112和第二特征图案114。所述第一特征图案112可类似于图1A的特征104，且所述第二特征图案114可类似于图1C的特征104。预期，可在所述第二表面102上以任何布置将各种特征图案彼此结合使用以增强在所述特征104上的入射辐射的反射。

图2B图示沿着剖面线2B-2B的图2A的基座100的剖视图。可将所述第一特征图案112布置在所述第二表面102上，使其处于第一半径110处或第一半径110附近；且可将所述第二特征图案114布置在所述第二表面102上，使其处于第二半径116处或第二半径116附近。在一个实施方式中，所述第一半径110和所述第二半径116不同。半径110、116可被选择成对应于由温度传感器观察的区域。

通常，与所述基座100的所述第二表面102相比，所述特征104被配置以具有增强的电磁辐射反射特性。在某些实施方式中，整个所述第二表面102，或所述第二表面102的大部分可包括所述特征104。或者，所述特征104可被布置在由温度传感器观察的所述第二表面102的区域上。所述特征104的所述增强反射可被限制到波长范围或一种波长。例如，所述特征104可在约0.4微米至约4.0微米之间的范围内，或在约3.0微米至约3.6微米之间的范围内具有增强的辐射反射。在一个实施方式中，所述特征104在以用于检测所述基座100的温度的高温计的操作波长为中心的波长范围内具有增强的辐射反射。

借助增强所述第二表面102上的入射辐射的反射率(reflectivity)，所述特征104使得温度传感器能够更加准确地确定所述基座100的热标记中反射辐射的贡献。尽管增强的反射率可能进一步使来自所述基座100的实际温度的热标记失真，但是反射辐射的贡献可借助收集全部或大部分反射辐射来得到实时计算。当计算在整个热标记中的反射辐射的贡献时，监控热标记中反射辐射的能力提供了改进的数据。因此，因为反射辐射的贡献已知且反射辐射的贡献可以是在确定所述基座100的温度时的因素，所以可更加准确地分析所述基座100的热标记。

图3图示根据本文所述的一个实施方式的包括处理腔室310的处理系统300的示意侧视图。所述处理腔室310可以是市场上可买到的处理腔室，诸如可从Santa Clara,CA的Applied Materials,Inc.(美国加州圣大克劳拉市的应用材料公司)获得的RP反应器。适用于执行外延硅沉积工艺或化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)工艺的来自其他制造商的其他类似配置的处理腔室也可受益于本文所述的实施方式。

所述处理系统300可被配置以执行外延沉积工艺。所述系统300包括所述工艺腔室310、处理空间301、进气口314、排气歧管318和所述基座100。所述基座100将所述处理空间301分隔成第一表面101之上的第一空间301a和第一表面101之下的第二空间301b。所述处理系统300也可包括控制器340，将在下文中更加详细地论述。

所述进气口314可被布置在于所述处理腔室310内部布置的所述基座100的第一侧处(例如，在所述第一处理空间301a中)，以当基板325被布置在所述基座100上时横跨所述基板325的处理表面323提供工艺气体。一种或更多种工艺气体可经由所述进气口314从气体面板308提供。所述进气口314可被流体地耦接至气室空间(plenum space)315，所述气室空间315可由所述第一空间301a的一个或更多个腔室衬套形成，以横跨所述基板325的所述处理表面323提供工艺气体。

所述排气歧管318可被布置在与所述进气口314相对的所述基座100的第二侧处，以从所述腔室310排出工艺气体。所述排气歧管318可包括开口，所述开口的宽度与所述基板325的直径大约相同，或所述开口的宽度比所述基板325的直径稍大。可加热所述排气歧管318例如以减少材料在所述排气歧管318的表面上的沉积。所述排气歧管318可被耦接至真空装置335，诸如真空泵或其它类似真空装置，以排出离开所述腔室310的工艺气体。

所述工艺腔室310通常包括上部302、下部304和外壳320。所述上部302被布置在所述下部304上且包括腔室盖306、上腔室衬套316和间隔衬套313。在某些实施方式中，可提供诸如高温计356的第一温度传感器以在处理期间收集和分析关于所述基板325的所述处理表面323的温度的数据。可在所述腔室盖306的顶上布置夹紧环307以固定所述腔室盖306。所述腔室盖306可具有任何适合的几何形状，诸如平坦的(如图所示)或具有类圆顶形状的几何形状和其它形状。所述腔室盖306可包括诸如石英之类的透明材料。

所述间隔衬套313可被布置在所述上腔室衬套316之上和所述腔室盖306之下，如图3中所示。所述间隔衬套313可被布置在间隔环311的内表面上，其中所述间隔环311被布置在所述工艺腔室310中且在所述工艺腔室310的部分317与所述腔室盖306之间，所述部分317耦接至所述进气口314和所述排气歧管318。所述间隔环311可以是可移动的和/或与现有腔室硬件可互换的。在一个实施方式中，所述间隔衬套313可包括石英或其它类似材料。

如图3中所示，所述上腔室衬套316可被布置在所述排气歧管318和所述进气口314之上和所述腔室盖306之下。在一个实施方式中，所述上腔室衬套316可包含石英或其它类似材料。所述上腔室衬套316、所述腔室盖306和所述下腔室衬套331(如下所述)可以是石英，从而有利地围绕所述基板325提供石英包层(envelope)。

所述下部304通常包括底板组件319、下腔室衬套331、下圆顶332、基座100、预加热环322、基座升降组件360、基座支撑组件364、加热系统351和第二高温计358。所述加热系统351可被布置在所述基座100之下以提供热能至所述基座100，如图3中所示。所述加热系统351可包括一个或更多个外部灯352和一个或更多个内部灯354。所述一个或更多个灯352、354可包括可选遮护板(optional shield)(未图示)以将热能导引至所述基座100的一部分和以防止所述第二高温计358的直接照射。

所述第二高温计358可被指向所述基座100的所述第二表面102的特定部分，如箭头358a所示。所述第二高温计358可被指向所述基座100的所述第二表面102上的所述特征104。在图3中仅图示了一个下部高温计，尽管预期，其他高温计可用于某些实施方式中且每一个高温计可被指向所述基座100的所述第二表面102上的特征。

所述第二高温计358检测由所述基座100的目标部分发射的热辐射，在这种情况下，所述目标部分是特征104。所述第二高温计358被配置以检测特定波长或波长范围(例如，所述高温计的操作波长或多个操作波长)的热辐射。例如，在一些实施方式中，所述第二高温计358检测在从约1.0至约4.0微米，例如从约3.0微米至约3.6微米的波长下的热辐射，不过可以使用其他波长的热辐射。

已观察到，典型地用于以红外线辐射的形式提供热量的灯可产生在一波长下的辐射，所述波长与由所述高温计356、358检测的波长重叠。例如，一些灯352、354产生约0.4微米至4.0微米的频率范围的红外线辐射形式的辐射能。由所述灯352、354发射的一些红外线辐射可能不被所述基座100吸收。一些红外线辐射反而从所述基座100被反射，且一些反射辐射可被导向所述第二高温计358。

除由所述基座100发射的热信号之外，反射辐射也可被所述第二高温计358所接收。在一些情况下，反射辐射干扰所述第二高温计358，第二高温计358检测由所述基座100发射的所需热信号。当确定对由所述基座100发射的热信号的反射辐射贡献时，借助增强由所述基座100反射且由所述第二高温计358检测的灯辐射量能够实现增强的补偿计算。因此，当确定由所述第二高温计358检测的所述基座100的热标记时，具有相对于导热性的最小辐射系数差异的所述特征104提供反射辐射的更准确测定以允许补偿。在一个实施方式中，具有已知变量的查找表可借助更准确地传感反射辐射来改进。

所述基座100上的所述特征104增加由所述加热系统351提供的入射热辐射的反射，从而增强所述基座100的至少一部分的辐射系数。如本文所使用，术语“入射”指的是到达或触击(striking)表面的辐射。在一些实施方式中，所述特征104被配置以具有由所述灯352、354产生的波长或波长范围的入射辐射能的增强的反射率。借助增强来自所述灯352、354的所有波长的入射辐射的反射率，所述特征104提供由所述第二高温计358检测的反射辐射的更准确的贡献，有利地影响所述高温计读数的准确度。所有波长的入射辐射能的增加的反射率也具有增加源辐射贡献的准确度以允许在高温计测量中补偿的益处。

或者，所述特征104可被配置以增强在由所述高温计358检测的波长或波长范围的入射辐射的反射率。例如，在一些实施方式中，与不具有特征104的基座100的第二表面102相比，特征104可被配置以具有在从约1.0微米至约4.0微米，例如从约3.0微米至约3.6微米的波长的入射辐射的更大反射率。此方案将减少或消除由高温计358检测的不准确源辐射贡献，从而增加由第二高温计358检测的热信号的补偿计算的准确度。

特征104可形成在基座100的至少一部分上，例如形成在由第二高温计358观察的基座100的部分上。借助在由所述高温计358观察的所述基座100的所述部分上提供所述特征104，由所述高温计358检测的特定高温计波长或波长范围的反射被增强以帮助反射辐射的准确计算。因此，当反射辐射的贡献被准确地确定时，高温计读数的准确度和可重复性被提高。

在一些实施方式中，由第二高温计358观察的基座100的部分可单独包括特征104，或可包括所述特征104以及无特征104的第二表面102的一个相邻部分或更多个相邻部分。在一些实施方式中，特征104可形成在例如基座100的结构的任何一个部分或更多个部分上；或形成在例如第二表面102的结构的表面的任何一个部分或更多个部分上。

基座100可包括任何适当的基板支撑表面103，诸如用以在所述基板支撑表面上支撑基板325的板(图示于图3中)或环(由图3中的虚线所示)。基座支撑组件364通常包括支撑托架334，所述支撑托架334具有用以将所述支撑托架334耦接至所述基座100的多个支撑销366。基座升降组件360包括基座升降轴326和多个升降杆模块361，所述升降杆模块361选择性地静止在所述基座升降轴326的各自垫327上。在一个实施方式中，升降杆模块361包括升降杆328的可选上部，所述上部可移动地穿过所述基座100中的第一开口362布置。在操作中，所述基座升降轴326被移动以啮合所述升降杆328。当啮合时，所述升降杆328可将所述基板325上升到所述基座100之上或将所述基板325下降到所述基座100上。

所述基座100可进一步包括耦接至所述基座支撑组件364的升降机构372。所述升降机构372可用以在垂直于所述基板325的处理表面323的方向上移动所述基座100。例如，所述升降机构372可用以将所述基座100相对于进气口314定位。在操作中，所述升降机构可促进所述基板325相对于由所述进气口314产生的流场的位置的动态控制。所述基板325位置的动态控制可用以改进所述基板325的处理表面323对流场的暴露，以将沉积均匀性和/或合成(composition)最佳化且将处理表面323上的残留物形成最小化。在一些实施方式中，所述升降机构372可被配置以围绕所述基座100的中心轴旋转所述基座100。或者，可提供分离的旋转机构。

在处理期间，所述基板325被布置在所述基座100上。灯352、354是红外线(infrared；IR)辐射(即，热量)的来源，且在操作中，所述灯352、354与第一高温计356、第二高温计358和控制器340一起横跨所述基板325产生预定温度分布。腔室盖306、上腔室衬套316，和下圆顶332可由如上所论述的石英形成；然而，也可使用其他红外线透明和工艺相容材料以形成这些部件。灯352、354可以是多区域灯加热装置的一部分以向所述基座100的背侧提供热均匀性。例如，加热系统351可包括多个加热区域，其中每一个加热区域包括多个灯。例如，所述一个或更多个灯352可以是第一加热区域和所述一个或更多个灯354可以是第二加热区域。灯352、354可在所述基板325的处理表面323上提供在约200摄氏度至约1300摄氏度之间，例如从约300摄氏度至约700摄氏度之间的宽的热范围。

当所述基板325布置于所述基座100上时，所述灯352、354可在所述基板325的处理表面323上提供约0.1摄氏度每秒至约10摄氏度每秒的快速响应控制。在例如借助边缘环或借助销支撑所述基板325的一些实施方式中，处理表面323上的加热速率可为约200摄氏度每秒。例如，灯352、354的快速响应控制和热范围可在所述基板325上提供沉积均匀性。进一步地，下圆顶332可例如借助主动式冷却(active cooling)或窗口设计而为温度受控的，以进一步帮助控制在基板325的处理表面323上的和/或在基座100的背侧上的热均匀性。

处理空间301a可由多个腔室部件界定或形成。例如，这些腔室部件可包括基座100、下腔室衬套331、上腔室衬套316、间隔衬套313和腔室盖306中的一个或更多个。处理空间301a可包括包含石英的内表面，诸如形成处理空间301a的任何一个或更多个腔室部件的表面。在一些实施方式中，可使用与处理环境相容的其他材料，诸如用于基座100的碳化硅(SiC)或涂布SiC的石墨。处理空间301a可容纳任何适当大小的基板，例如，诸如200mm、300mm、450mm或类似尺寸的基板。如果基板325是约300mm大小，则那么例如上腔室衬套和下腔室衬套316、331的内表面可径向相距基板325的边缘约50mm至约100mm。在一些实施方式中，基板325的处理表面323可被布置在垂直相距腔室盖306多达约100mm处，例如，被布置在垂直相距腔室盖306约20mm至约100mm之间处。

处理空间301a可具有变化的空间，例如，当升降机构372提升基座100接近于腔室盖306时，空间301a的大小可缩小；当所述升降机构372降低所述基座100远离所述腔室盖306时，空间301a的大小可膨胀。处理空间301a可被一个或更多个主动式或被动式冷却(passive cooling)部件冷却。例如，空间301a可被动地由所述工艺腔室310的壁冷却，所述壁例如可为不锈钢或类似材料。空间301a可例如借助在所述工艺腔室310周围使冷却剂气体或流体流动来主动地冷却。

控制器340可被耦接至处理系统300的各种部件以控制所述部件的操作，所述部件例如包括气体面板308和致动器330。控制器340包括中央处理单元(central processing unit；CPU)342、存储器344和支持电路346。控制器340可直接地(如图3中所示)或替代地借助与所述工艺腔室310相关联的计算机(或控制器)控制所述工艺腔室310和工艺腔室310的各种部件，所述部件诸如致动器330。控制器340可以是任何形式的通用计算机处理器中的一个，所述通用计算机处理器可用于工业环境(industrial setting)中以用于控制各种腔室和子处理器。存储器或计算机可读媒体344可以是易于购得的存储器中的一个或更多个，所述易于购得的存储器诸如随机存取存储器(random access memory；RAM)、只读存储器(read only memory；ROM)、软盘、硬盘、光存储媒体(例如，光盘或数字视频盘)、闪存盘或者本地的或远程的任何其他形式的数字存储器。支持电路346被耦接至CPU 342用于以传统方式支持处理器。支持电路346包括高速缓冲存储器、电源、时钟电路、输入/输出电路和子系统，和类似物。如本文所述的本发明的方法可被作为软件程序存储在存储器344中，所述软件程序可被执行或调用以按本文所述的方式控制处理系统300的操作。软件程序也可借助第二CPU(未图示)存储和/或执行，所述第二CPU相距被所述CPU 342控制的硬件远程地设置。

上文描述是针对在第二表面上包括一个或更多个特征的基座，所述第二表面上的一个或更多个特征被配置以比无特征的第二表面的一部分反射更多入射能量。然而，所述特征可被包括在需要温度读数的所述工艺腔室内的基座或其他部件的任何表面上。

虽然前述内容是针对本公开内容的实施方式，但是可在不背离本公开内容的基本范围的情况下设计本公开内容的其他和进一步的实施方式，且本公开内容的范围是由下述权利要求书所确定。

附图标记

标记名称

1B  剖面线

1D  剖面线

2B  剖面线

100  基座(74)

101  第一表面(4)

102  整个第二表面

102  第二表面(31)

103  基板支撑表面

103  适当基板支撑表面

104  相邻特征

104  不连续特征

104  特征(6)

104  特征(53)

105a  内弯曲边缘

105b  外弯曲边缘

106  材料(8)

108  保护涂层(5)

110  第一半径(6)

110  半径

112  第一特征图案(3)

114  第二特征图案(2)

114  第二特征图案

116  半径

116  第二半径(2)

120  区域(4)

300  处理系统(2)

300  处理系统(3)

300  系统

301  处理空间(2)

301  空间(3)

301a  第一处理空间

301a  第一空间(2)

301a  处理空间(6)

301b  第二空间

302  上部(2)

304  下部(3)

306  腔室盖(14)

307  夹紧环

308  气体面板(2)

310  腔室(2)

310  工艺腔室(8)

310  处理腔室(3)

311  间隔环(3)

313  间隔衬套(5)

314  进气口(9)

315  气室空间

316  上腔室衬套(7)

316  上腔室衬套{上和下腔室衬套}

317  部分

318  排气歧管(8)

319  底板组件

320  外壳

322  预加热环

323  处理表面(11)

325  基板(24)

326  基座升降轴(3)

327  垫

328  升降杆

328  升降杆(2)

330  致动器(2)

331  下腔室衬套(3)

331  下腔室衬套{上和下腔室衬套}

332  下圆顶(3)

334  支撑托架(2)

335  真空装置

340  控制器(6)

342  CPU(2)

344  计算机可读媒体

344  存储器(2)

346  支持电路(3)

351  加热系统(5)

352  灯(11)

352  外部灯

354  内部灯

354  灯(11)

356  第一高温计

356  高温计

356  高温计

358  高温计(5)

358  高温计

358  第二高温计(17)

358a  箭头

360  基座升降组件(2)

361  升降杆模块

361  升降杆模块

362  第一开口

364  基座支撑组件(3)

366  支撑销

372  升降机构(6)

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

基座，所述基座具有第一基板支撑表面和与所述第一基板支撑表面相对定向的第二表面；和

一个或更多个反射特征，所述一个或更多个反射特征以环形图案形成在所述第二表面上，其中所述一个或更多个反射特征比所述基座的所述第二表面更能反射。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述基座由一种材料形成，所述材料包括石墨、碳化硅、或上述材料的组合。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述基座包括涂布碳化硅的石墨。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征被共形地沉积在所述第二表面上。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征包括从群组选择的材料，所述群组由铝、铂、铱、铼、金、和上述材料的组合组成。

6.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征涂有二氧化硅。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征通过物理气相沉积被共形地沉积。

8.如权利要求7所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征包括涂有二氧化硅的铝。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征的形状呈现高深宽比，所述一个或更多个反射特征的形状相对于所述基座的旋转路径垂直地定向。

10.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

基座，所述基座具有第一基板支撑表面和与所述第一基板支撑表面相对定向的第二表面；和

一个或更多个反射特征，所述一个或更多个反射特征以环形图案形成在所述第二表面上，其中所述一个或更多个反射特征比所述基座的所述第二表面更能反射，且所述第二表面的至少一部分邻近于所述一个或更多个反射特征而暴露。

11.如权利要求10所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征包括连续的椭圆形带。

12.如权利要求10所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征包括以椭圆形图案排列的不连续结构。

13.如权利要求10所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征的表面粗糙度类似于所述第二表面的表面粗糙度。

14.如权利要求10所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征的第一环形图案在所述第二表面上的第一半径处被布置，且所述一个或更多个反射特征的第二环形图案在所述第二表面上的第二半径处被布置，且其中所述第二半径不同于所述第一半径。

15.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

工艺腔室，所述工艺腔室具有处理空间；

基座，所述基座布置在所述处理空间中，所述基座具有第一基板支撑表面和与所述第一基板支撑表面相对定向的第二表面；

一个或更多个反射特征，所述一个或更多个反射特征以环形图案形成在所述第二表面上，其中所述一个或更多个反射特征比所述基座的所述第二表面更能反射；

多个辐射能量源，所述多个辐射能量源在所述第二表面以下耦接至所述腔室；和

温度传感器，所述温度传感器被定向以检测来自所述第二表面的所需半径的电磁辐射。

16.如权利要求15所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征被选择以在3.0微米至3.6微米之间的波长下反射电磁能。

17.如权利要求15所述的装置，其中所述基座包括单片碳化硅、涂有碳化硅的石墨、或上述材料的组合。

18.如权利要求15所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征被共形地沉积在所述第二表面上。

19.如权利要求15所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征包括从群组选择的材料，所述群组由铝、铂、铱、铼、金、和上述材料的组合组成。

20.如权利要求15所述的装置，其中所述一个或更多个反射特征涂有二氧化硅。