CN104966775A - 一种白光led和白光led制作方法 - Google Patents

一种白光led和白光led制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104966775A
CN104966775A CN201510391443.2A CN201510391443A CN104966775A CN 104966775 A CN104966775 A CN 104966775A CN 201510391443 A CN201510391443 A CN 201510391443A CN 104966775 A CN104966775 A CN 104966775A
Authority
CN
China
Prior art keywords
packing colloid
colloid layer
layer
white light
glue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510391443.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104966775B (zh
Inventor
洪汉忠
罗顺安
许长征
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harvatek Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Harvatek Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harvatek Optoelectronics Shenzhen Co Ltd filed Critical Harvatek Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Priority to CN201510391443.2A priority Critical patent/CN104966775B/zh
Publication of CN104966775A publication Critical patent/CN104966775A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104966775B publication Critical patent/CN104966775B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Abstract

本发明公开了提供一种白光LED和白光LED制作方法,包括至少三层封装胶体层,其中,第一封装胶体层,其由第一层封装胶水设于碗杯支架内且位于LED芯片的上表面形成;第二封装胶体层,其通过离心分离将第二层封装胶水内的荧光粉沉淀出后形成,且设于所述第一封装胶体层上方;第三封装胶体层,其通过离心分离将所述第二层封装胶水内的荧光粉沉淀到已固化的所述第一封装胶体层的表面形成,且位于所述第一封装胶体层与第二封装胶体层之间。这种白光LED的光斑效果很好,黄斑改善明显,亮度高,而且不会出现亮度衰减,延长白光LED寿命,热稳定性好。

Description

一种白光LED和白光LED制作方法
技术领域
本发明涉及LED技术领域,更具体地说是涉及一种白光LED和白光LED制作方法。
背景技术
目前行业主流行白光LED是以蓝光LED芯片为主体,LED芯片设置在支架的凹槽内,位于凹槽底部,再覆盖上参有黄色荧光粉的封装胶,荧光粉吸收部分蓝光后,释放出波长较长的黄光,然后未被吸收的蓝光和黄光混合成白光。但现有白光LED混光不够均匀,亮度也比较低,荧光粉物质大部分集中在支架凹槽底部和LED芯片附件,长期受热会出现亮度衰减,影响LED寿命。
图1为现有技术中的白光LED结构图,这种白光LED由LED芯片2安装在碗杯支架1的底面,通过金线LED芯片2与碗杯支架1实现电路连接,然后在LED芯片2表面覆盖上封装胶体3,封装胶体3一般由激发黄色波长荧光粉和封装胶混合而成,有时会添加激发橙红色或绿色波长荧光粉。荧光粉吸收部分蓝光后,释放出波长较长的黄光,然后未被吸收的蓝光和黄光混合成白光。这种白光LED混光不够均匀,亮度也比较低,而且荧光粉物质大部分集中在支架凹槽底部和LED芯片附件,长期受热会出现亮度衰减,影响LED寿命。
发明内容
针对现有技术中的不足,本发明要解决的技术问题在于提供了一种光斑效果好,亮度高和热稳定性能好的白光LED和白光LED制作方法。
为解决上述技术问题,本发明通过以下方案来实现:提供一种白光LED,包括碗杯支架,固焊于碗被支架底面中心的LED芯片,以及实现碗杯支架与LED芯片电性连接的金属线,其特征在于:还包括至少三层封装胶体层,其中,
第一封装胶体层,其由第一层封装胶水设于碗杯支架内且位于LED芯片的上表面形成;
第二封装胶体层,其通过离心分离将第二层封装胶水内的荧光粉沉淀出后形成,且设于所述第一封装胶体层上方;
第三封装胶体层,其通过离心分离将所述第二层封装胶水内的荧光粉沉淀到已固化的所述第一封装胶体层的表面形成,且位于所述第一封装胶体层与第二封装胶体层之间。
进一步的,所述第一层封装胶水为苯基硅胶,其中添加有扩散粉。
进一步的,还包括第四封装胶体层,其通过离心机将所述第一层封装胶水中的扩散粉沉淀到LED芯片上表面以下且碗杯底部以上形成。
进一步的,所述第四封装胶体层为扩散胶层。
进一步的,所述第一封装胶体层为透明色。
进一步的,所述第二层封装胶水由荧光粉和胶水混合而成。
进一步的,所述第三封装胶体层为荧光粉层。
本发明还提供一种实现上述白光LED的白光LED制作方法,包括以下步骤:
S1、在碗杯支架内的LED芯片上表面滴第一层封装胶水形成第一封装胶体层;
S2、对第一封装胶体层进行固化;
S3、在第一封装胶体层上滴由荧光粉和胶水混合成的第二层封装胶水;
S4、通过离心机对第二层封装胶水进行离心分离,使第二层封装胶水内的荧光粉沉淀到已固化的第一封装胶层表面形成第三封装胶体层,第二层封装胶水内的荧光粉沉淀出后形成第二封装胶体层;
S5、对第二封装胶体层和第三封装胶体层进行固化。
进一步的,对于步骤S1中滴添加有扩散粉的第一层封装胶水,还包括以下步骤:
S101、对第一层封装胶水层通过离心机进行离心分离,使第一层封装胶水内的扩散粉沉淀到LED芯片上表面以下且碗杯底部以上形成第四封装胶体层,第一层封装胶水内的扩散粉沉淀出后形成第一封装胶体层;
S102、对第一封装胶体层和第四封装胶体层进行固化。
本发明的有益效果为:
1、本发明中的第三封装胶体层是第二层封装胶水通过离心分离将其内的荧光粉沉淀形成,故其一致性非常高,所形成的白光LED批次一致性非常好,而且第三封装胶体层也就是荧光粉层是非常均匀的分布在第一封装胶体层的表面,使白光LED的光斑效果很好,黄斑改善明显。
2、本发明白光LED的荧光粉都集中在第三封装胶体层也就是荧光粉层,而第三封装胶体层设于第一封装胶体层的表面,从而减少了荧光粉对LED芯片产生的光阻,提升亮度,亮度高;另外,由于第三封装胶体层设于第一封装胶体层的表面,从而不会出现亮度衰减,延长白光LED寿命。
3、本发明中的第一封装胶体层具有较好的耐热性能,且第三封装胶体层也就是荧光粉层距LED芯片有一定距离,使得整个白光LED的热稳定性好。
4、本发明中的第四封装胶体层扩散层位于LED芯片上表面以下且碗杯底部以上,这样减少了对LED芯片正面出光率的影响,还减少了正面出光遇到扩散粉消耗而产生的热;LED芯片侧面出光通过第四封装胶体层扩散层作用,改变LED芯片侧面光的传播途方向,可以较快的散发出来,从而提高出光;第四封装胶体层扩散层使LED芯片侧面出光变成规律而均匀的从正向散发光,从而改善了光斑。
附图说明
图1为现有技术中白光LED结构图。
图2为本发明白光LED的第一种实施例的结构图。
图3为本发明的第一种实施例的白光LED的制作方法流程图。
图4为本发明白光LED的第二种实施例的结构图。
图5为本发明的第二种实施例的白光LED的制作方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明的技术方案进行详细的阐述。
如图2所示为第一种实施例结构图,提供一种白光LED,包括碗杯支架10,固焊于碗被支架10底面中心的LED芯片20,以及实现碗杯支架10与LED芯片20电性连接的金属线,还包括至少三层封装胶体层,本实施例中包括三层封装胶体层,其中,
第一封装胶体层31,第一封装胶体层31由第一层封装胶水设于碗杯支架10内且位于LED芯片20的上表面形成。
第二封装胶体层32,第二封装胶体层32通过离心分离将第二层封装胶水内的荧光粉沉淀出后形成,且设于第一封装胶体层31上方;
第三封装胶体层33,第三封装胶体层33通过离心分离将第二层封装胶水内的荧光粉沉淀到已固化的第一封装胶体层31的表面形成,且位于第一封装胶体层31与第二封装胶体层32之间。
本实施例中第一层封装胶水为苯基硅胶,具有很好的耐热性和透光性,第二层封装胶水由荧光粉和胶水混合而成,第一封装胶体层为透明色,第三封装胶体层为荧光粉层。
如图3所示为上述第一种实施例中白光LED的制作方法,包括以下步骤:
S1、在碗杯支架内的LED芯片上表面滴第一层封装胶水形成第一封装胶体层;
S2、对第一封装胶体层进行固化;
S3、在第一封装胶体层上滴由荧光粉和胶水混合成的第二层封装胶水;
S4、通过离心机对第二层封装胶水进行离心分离,使第二层封装胶水内的荧光粉沉淀到已固化的第一封装胶层表面形成第三封装胶体层,第二层封装胶水内的荧光粉沉淀出后形成第二封装胶体层;
S5、对第二封装胶体层和第三封装胶体层进行固化。
第一种实施例中的第三封装胶体层是第二层封装胶水通过离心分离将其内的荧光粉沉淀形成,故其一致性非常高,所形成的白光LED批次一致性非常好,而且第三封装胶体层也就是荧光粉层是非常均匀的分布在第一封装胶体层的表面,使白光LED的光斑效果很好,黄斑改善明显。白光LED的荧光粉都集中在第三封装胶体层也就是荧光粉层,而第三封装胶体层设于第一封装胶体层的表面,从而减少了荧光粉对LED芯片产生的光阻,提升亮度,亮度高;另外,由于第三封装胶体层设于第一封装胶体层的表面,从而不会出现亮度衰减,延长白光LED寿命。第一封装胶体层具有较好的耐热性能,且第三封装胶体层也就是荧光粉层距LED芯片有一定距离,使得整个白光LED的热稳定性好。
在第一种实施例中的第一层封装胶水中直接添加扩散粉形成第一封装胶体层,使LED芯片的光在第一封装胶体层中进一步散射,进一步改善光斑,使光的空间更加均匀。
如图4所示为第二种实施例结构图,提供一种白光LED,包括碗杯支架40,固焊于碗被支架40底面中心的LED芯片50,以及实现碗杯支架40与LED芯片50电性连接的金属线,还包括至少三层封装胶体层,本实施例中包括四层封装胶体层,其中,
第一封装胶体层61,第一封装胶体层61由设于碗杯支架40内且位于LED芯片50的上表面的第一层封装胶水通过离心分离将其内的扩散粉沉淀出后形成。
第二封装胶体层62,第二封装胶体层62通过离心分离将第二层封装胶水内的荧光粉沉淀出后形成,且设于第一封装胶体层61上方;
第三封装胶体层63,第三封装胶体层63通过离心分离将第二层封装胶水内的荧光粉沉淀到已固化的第一封装胶体层61的表面形成,且位于第一封装胶体层61与第二封装胶体层62之间。
第四封装胶体层64,第四封装胶体层61由设于碗杯支架40内且位于LED芯片50的上表面的第一层封装胶水通过离心分离将其内的扩散粉沉淀到LED芯片上表面以下且碗杯底部以上形成。
本实施例中第一层封装胶水为苯基硅胶,其中添加有扩散粉,第二层封装胶水由荧光粉和胶水混合而成,第一封装胶体层为透明色,第三封装胶体层为荧光粉层,第四封装胶体层为扩散胶层。
如图5所示上述第二种实施例中白光LED的制作方法,包括以下步骤:
S1、在碗杯支架内的LED芯片上表面滴添加有扩散粉的第一层封装胶水;
S101、对第一层封装胶水通过离心机进行离心分离,使第一层封装胶水内的扩散粉沉淀到LED芯片上表面以下且碗杯底部以上形成第四封装胶体层,第一层封装胶水内的扩散粉沉淀出后形成第一封装胶体层。
S102、对第一封装胶体层和第四封装胶体层进行固化;
S2、在第一封装胶体层上滴由荧光粉和胶水混合成的第二层封装胶水;
S3、通过离心机对第二层封装胶水进行离心分离,使第二层封装胶水内的荧光粉沉淀到已固化的第一封装胶层表面形成第三封装胶体层,第二层封装胶水内的荧光粉沉淀出后形成第二封装胶体层;
S4、对第二封装胶体层和第三封装胶体层进行固化。
第二种实施中的第四封装胶体层扩散层位于LED芯片上表面以下且碗杯底部以上,这样减少了对LED芯片正面出光率的影响,还减少了正面出光遇到扩散粉消耗而产生的热;LED芯片侧面出光通过第四封装胶体层扩散层作用,改变LED芯片侧面光的传播方向,可以较快的散发出来,从而提高出光;第四封装胶体层扩散层使LED芯片侧面出光变成规律而均匀的从正向散发光,从而改善了光斑。
本发明第二种实施例的白光LED和白光LED的制作方法,通过在第二层封装胶水中添加扩散粉,并通过离心分离形成第一封装体层和第四封装体层扩散层,进一步增加了白光LED的热稳定性和亮度和进一步改善光斑。
以上所述仅为本发明的优选实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种白光LED,包括碗杯支架(10,40),固焊于碗被支架底面中心的LED芯片(20,50),以及实现碗杯支架与LED芯片电性连接的金属线,其特征在于:还包括至少三层封装胶体层,其中,
第一封装胶体层(31,61),其由第一层封装胶水设于碗杯支架内且位于LED芯片的上表面形成;
第二封装胶体层(32,62),其通过离心分离将第二层封装胶水内的荧光粉沉淀出后形成,且设于所述第一封装胶体层上方;
第三封装胶体层(33,63),其通过离心分离将所述第二层封装胶水内的荧光粉沉淀到已固化的所述第一封装胶体层的表面形成,且位于所述第一封装胶体层与第二封装胶体层之间。
2.根据权利要求1所述的一种白光LED,其特征在于:所述第一层封装胶水为苯基硅胶,其中添加有扩散粉。
3.根据权利要求2所述的一种白光LED,其特征在于:还包括第四封装胶体层(64),其通过离心机将所述第一层封装胶水中的扩散粉沉淀到LED芯片上表面以下且碗杯底部以上形成。
4.根据权利要求3所述的一种白光LED,其特征在于:所述第四封装胶体层(64)为扩散胶层。
5.根据权利要求1所述的一种白光LED,其特征在于:所述第一封装胶体层(31,61)为透明色。
6.根据权利要求1所述的一种白光LED,其特征在于:所述第二层封装胶水由荧光粉和胶水混合而成。
7.根据权利要求1所述的一种白光LED,其特征在于:所述第三封装胶体层(33,63)为荧光粉层。
8.一种实现权利要求1至7中任一项白光LED的白光LED制作方法,包括以下步骤:
S1、在碗杯支架内的LED芯片上表面滴第一层封装胶水形成第一封装胶体层;
S2、对第一封装胶体层进行固化;
S3、在第一封装胶体层上滴由荧光粉和胶水混合成的第二层封装胶水;
S4、通过离心机对第二层封装胶水进行离心分离,使第二层封装胶水内的荧光粉沉淀到已固化的第一封装胶层表面形成第三封装胶体层,第二层封装胶水内的荧光粉沉淀出后形成第二封装胶体层;
S5、对第二封装胶体层和第三封装胶体层进行固化。
9.根据权利要求8所述的一种实现权利要求1至7中任一项白光LED的白光LED制作方法,其特征在于:对于步骤S1中滴添加有扩散粉的第一层封装胶水,还包括以下步骤:
S101、对第一层封装胶水层通过离心机进行离心分离,使第一层封装胶水内的扩散粉沉淀到LED芯片上表面以下且碗杯底部以上形成第四封装胶体层,第一层封装胶水内的扩散粉沉淀出后形成第一封装胶体层;
S102、对第一封装胶体层和第四封装胶体层进行固化。
CN201510391443.2A 2015-07-07 2015-07-07 一种白光led和白光led制作方法 Active CN104966775B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510391443.2A CN104966775B (zh) 2015-07-07 2015-07-07 一种白光led和白光led制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510391443.2A CN104966775B (zh) 2015-07-07 2015-07-07 一种白光led和白光led制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104966775A true CN104966775A (zh) 2015-10-07
CN104966775B CN104966775B (zh) 2020-01-21

Family

ID=54220786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510391443.2A Active CN104966775B (zh) 2015-07-07 2015-07-07 一种白光led和白光led制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104966775B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105633248A (zh) * 2016-01-06 2016-06-01 宏齐光电子(深圳)有限公司 一种led灯及其制备方法
CN107706284A (zh) * 2017-09-12 2018-02-16 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led封装方法及封装结构
CN108447960A (zh) * 2018-02-09 2018-08-24 永林电子有限公司 一种led灯珠的离心制作方法及其led灯珠
CN109817785A (zh) * 2018-12-25 2019-05-28 广东晶科电子股份有限公司 一种发光二极管及其制作方法
CN110323321A (zh) * 2019-06-28 2019-10-11 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led灯珠和led灯具
CN110323320A (zh) * 2019-06-28 2019-10-11 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led封装方法
CN111554789A (zh) * 2020-06-09 2020-08-18 福建天电光电有限公司 一种基于发光二极管杯内进行多层点胶封装工艺
CN112563383A (zh) * 2019-09-25 2021-03-26 佛山市国星光电股份有限公司 一种led封装方法、led器件及cob光源
CN117239039A (zh) * 2023-09-01 2023-12-15 广东光沐半导体科技有限公司 一种白光led封装结构及点胶工艺

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201435405Y (zh) * 2009-06-29 2010-03-31 大连九久光电科技有限公司 一种led的封装结构
CN101916806A (zh) * 2010-06-18 2010-12-15 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led封装方法及采用该方法封装成的led封装结构
CN102270713A (zh) * 2011-07-28 2011-12-07 深圳市聚飞光电股份有限公司 Led封装方法及led
CN102544322A (zh) * 2012-01-13 2012-07-04 深圳市兆驰节能照明有限公司 白色光led及其封装工艺
CN102867902A (zh) * 2012-10-08 2013-01-09 江苏国星电器有限公司 提升白光一致性及改善光斑的led灯及其封装方法
CN202712264U (zh) * 2012-07-10 2013-01-30 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种发光二极管
CN204792900U (zh) * 2015-07-07 2015-11-18 宏齐光电子(深圳)有限公司 一种白光led

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201435405Y (zh) * 2009-06-29 2010-03-31 大连九久光电科技有限公司 一种led的封装结构
CN101916806A (zh) * 2010-06-18 2010-12-15 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led封装方法及采用该方法封装成的led封装结构
CN102270713A (zh) * 2011-07-28 2011-12-07 深圳市聚飞光电股份有限公司 Led封装方法及led
CN102544322A (zh) * 2012-01-13 2012-07-04 深圳市兆驰节能照明有限公司 白色光led及其封装工艺
CN202712264U (zh) * 2012-07-10 2013-01-30 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种发光二极管
CN102867902A (zh) * 2012-10-08 2013-01-09 江苏国星电器有限公司 提升白光一致性及改善光斑的led灯及其封装方法
CN204792900U (zh) * 2015-07-07 2015-11-18 宏齐光电子(深圳)有限公司 一种白光led

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105633248A (zh) * 2016-01-06 2016-06-01 宏齐光电子(深圳)有限公司 一种led灯及其制备方法
CN105633248B (zh) * 2016-01-06 2023-05-26 宏齐光电子(深圳)有限公司 一种led灯及其制备方法
CN107706284A (zh) * 2017-09-12 2018-02-16 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led封装方法及封装结构
CN108447960A (zh) * 2018-02-09 2018-08-24 永林电子有限公司 一种led灯珠的离心制作方法及其led灯珠
CN109817785A (zh) * 2018-12-25 2019-05-28 广东晶科电子股份有限公司 一种发光二极管及其制作方法
CN110323321A (zh) * 2019-06-28 2019-10-11 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led灯珠和led灯具
CN110323320A (zh) * 2019-06-28 2019-10-11 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led封装方法
CN112563383A (zh) * 2019-09-25 2021-03-26 佛山市国星光电股份有限公司 一种led封装方法、led器件及cob光源
CN111554789A (zh) * 2020-06-09 2020-08-18 福建天电光电有限公司 一种基于发光二极管杯内进行多层点胶封装工艺
CN117239039A (zh) * 2023-09-01 2023-12-15 广东光沐半导体科技有限公司 一种白光led封装结构及点胶工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN104966775B (zh) 2020-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104966775A (zh) 一种白光led和白光led制作方法
JP5810758B2 (ja) 発光装置
CN102044622B (zh) 发光二极管及其制作方法
CN100411210C (zh) 一种白光led的封装方法
CN101872827B (zh) 发光二极管封装结构及其方法
CN103178194B (zh) 一种大功率白光led封装结构及其制备方法
CN101661987A (zh) 一种白光led封装结构及其封装方法
CN102916110A (zh) 一种白光led的封装工艺
CN102709453B (zh) 一种双层荧光粉结构的led光源及制作方法
CN106992241A (zh) Led灯条及led面光源模组
CN104485327A (zh) 一种led光源和led发光模组的制备方法
CN103797596B (zh) 发光模块
CN109713112A (zh) 白光led芯片、灯珠及白光led芯片、灯珠制备方法
JP3183896U (ja) 光混合式発光ダイオードの構造
CN206697479U (zh) 采用csp芯片和倒装蓝光led芯片封装的白光led cob的结构
CN106505138B (zh) 一种led封装结构及其制备方法
CN204792900U (zh) 一种白光led
CN102751396B (zh) 发光二极管封装结构的制造方法
CN201766102U (zh) 一种smd白光发光二极管
CN104851953A (zh) 可调光led封装结构
CN106981482A (zh) 一种led调光光源及其制备方法
CN112310265A (zh) 用于植物照明的光源及其制作方法
CN111628066A (zh) 一种提升led发光亮度的工艺方法
CN206947373U (zh) Led灯珠和led光源
CN206401357U (zh) 高色区集中性白光led封装

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant