CN104966675A - 使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法 - Google Patents

使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法 Download PDF

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Abstract

使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法，通过使用丙烯酸粘着剂蓝膜作为保护二氧化硅层用蓝膜，然后在多余的二氧化硅层经氟化氢腐蚀去除后浸入半导体清洗常用的氨水溶液内，经过一定时间后蓝膜自动被剥离硅片表面。该剥离蓝膜方法操作简单，可以进行批量脱膜，大大提高了生产效率，且没有人员参与到剥离蓝膜的动作中，减少了人员对硅片的沾污与损伤，同时硅片表面的残余的蓝膜胶在剥离蓝膜的过程中被全部去除，节省了工序，降低了成本。

Description

使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法
技术领域
本发明涉及到半导体材料加工领域中保护硅片表面特定位置二氧化硅膜的方法，具体的说是一种使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法。
背景技术
半导体材料加工过程中使用蓝膜的工序较多，如在硅抛光片加工工艺的背封技术中使用蓝膜保护二氧化硅层；在器件加工工艺中蓝膜覆盖在已制成器件的晶圆表面，确保后续的流通过程中保护晶圆表面不被划伤等。
使用化学气相沉积技术在硅片背面沉淀一层二氧化硅薄膜，以抑制外延生长过程中来自衬底的掺杂杂质掺入到外延层中。但在化学气相沉积二氧化硅层时，不仅会在硅片背面希望沉积的区域沉积二氧化硅层，同样也会在硅片的倒角轮廓等部分产品不希望沉积的区域也会沉积上二氧化硅层，造成后续的抛光无法正常和外延时成核中心，形成多晶、非晶，造成器件良率降低。所以就要去除硅片正面及倒角面上的二氧化硅层，但在去除其氧化层的同时不能把背面的二氧化硅层也去除，这就要首先把背面的二氧化硅层先保护起来，再去除硅片表面沉积的二氧化硅层的。
国内外厂家最常用的保护二氧化硅层的方法是在硅片背面贴上一层一定大小蓝膜的方法，然后将其硅片放置在HF蒸汽或HF溶液内，利用HF腐蚀二氧化硅层，最终达到被蓝膜保护的二氧化硅层保留下来，没有蓝膜覆盖位置的二氧化硅层被腐蚀掉。
剥离贴在硅片背面蓝膜的方法，国内外厂家目前主要使用的方法有：
方法1：使用粘性很大的滚筒，从贴有蓝膜并边缘已经去除二氧化硅层的硅片边缘开始压上蓝膜滚动，通过滚筒表面的粘性黏上蓝膜，把蓝膜从硅片表面“撕”下来。这种方法有很多弊端：效率低；硅片表面残留的蓝膜胶需要再经过溶液清洗掉；“撕”的过程中硅片有一定的破碎比例；因需要使用粘性不能太大的蓝膜胶，蓝膜的边缘容易有HF进入，造成该处的二氧化硅层被腐蚀形成豁口，边缘掺差不齐。
方法2：贴有蓝膜并边缘已经去除二氧化硅层的硅片浸入温度超过60℃的纯水中，经过一定时间后，蓝膜与硅片表面之间进入大量气泡，然后再人工撕掉硅片表面的蓝膜，再用一定的溶液清洗硅片表面的残留蓝膜胶。这种方法同方法1存在几乎同样的弊端：效率低；硅片表面残留的蓝膜胶需要再经过溶液清洗掉；“撕”的过程中硅片有一定的破碎比例等。
方法3：使用吸盘吸紧蓝膜，然后顶针从吸盘上的孔插进蓝膜，顶着硅片表面，直到硅片与蓝膜分离。该方法因使用尖锐物顶针扎入硅片表面，对硅片表面有一定的损伤，且效率低。
发明内容
为解决现有技术中在剥离蓝膜时存在的技术效率低等弊端，本发明提供了一种使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法，通过本方法，对需要保护的二氧化硅膜用蓝膜保护起来，然后在去除不需要的二氧化硅膜后之后剥离蓝膜，进而达到在硅片特定位置保留二氧化硅膜的目的。
本发明为解决上述技术问题采用的技术方案为：使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法，包括以下步骤：
1）通过化学气相沉积的方法在硅片表面生成一层二氧化硅膜，然后以丙烯酸作为粘着剂将裁剪好的蓝膜粘附在需要保护部分的二氧化硅膜上，而硅片表面不需要保护的二氧化硅膜则不粘附蓝膜；
2）将硅片置于质量浓度为5-15%的氟化氢溶液中1-5分钟，以使硅片表面未受保护的二氧化硅膜与氟化氢反应，从而去除二氧化硅膜；
3）将反应完毕的硅片从氟化氢溶液中取出，并用纯水冲洗2-3次，去除表面残留的氟化氢溶液，然后将其置于氨水溶液中，待硅片表面的蓝膜脱落后，取出硅片用纯水清洗干净即可。
所述氨水溶液的温度为55-65℃，质量浓度为5-15%。
所述的蓝膜为蓝色PVC膜。
本发明中，丙烯酸作为一种常用粘着剂，不与HF酸发生反应但可以与碱发生分解反应，与碱反应后丙烯酸粘着剂的粘性降低很多，利用这个特点, 使用丙烯酸作为粘着剂的蓝膜来保护二氧化硅层，在硅片边缘已经去除二氧化硅层后，把贴有蓝膜的硅片浸入对二氧化硅层几乎没有腐蚀且在硅片清洗工序中大量用到的氨水溶液中，氨水与丙烯酸粘着剂发生反应，反应后蓝膜与硅片表面脱离，最终蓝膜氨水溶液表面，为了提高剥离速度，可以对氨水溶液进行加热，温度加热到55-65℃即可，优选为60℃。
有益效果：本发明的方法与现有技术相比，具有以下优点：
1）操作简单，可以进行批量贴膜、批量腐蚀、批量脱膜，提高了生产效率；
2）蓝膜从硅片表面剥离后，硅片表面不残留蓝膜上的粘着剂，不用再对硅片进行清洗，节省了工序，降低了成本；
3）因蓝膜是从硅片表面“泡”开的，就不存在碎片的风险；
4）人员不参与剥离蓝膜的动作中，减少了人员对硅片的沾污与损伤。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步的阐述。本发明所用的蓝膜是为市售蓝色PVC膜。
使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法，包括以下步骤：
1）通过化学气相沉积的方法在硅片表面生成一层二氧化硅膜，然后确定哪些部位的二氧化硅膜需要保留，确定好之后，将蓝膜裁剪成与所要保留二氧化硅膜部位形状大小完全相同的形状，然后使用丙烯酸作为粘着剂将裁剪好的蓝膜粘附在需要保护部分的二氧化硅膜上，而硅片表面不需要保护的二氧化硅膜则不粘附蓝膜；
2）将步骤1）中贴好蓝膜的硅片放入清洗片盒内；
3）向清洗片盒内放入质量浓度为5-15%的氟化氢溶液，使硅片完全浸泡于氟化氢溶液中1-5min，浸泡的时间根据二氧化硅膜层的厚度而定，在浸泡过程中，未受到蓝膜保护的二氧化硅膜层与氟化氢反应，进而被腐蚀，而受到蓝膜保护的二氧化硅膜层则不与氟化氢溶液接触反应；
4）将硅片从清洗片盒中取出放入快排纯水槽中，冲洗2-3次，以冲洗掉硅片表面残留的氟化氢溶液；
5）将冲洗完毕的硅片浸入温度为55-65℃的氨水溶液中，优选为温度60℃、质量浓度为5-15%的氨水溶液，约5分钟后硅片表面蓝膜开始脱离硅片，并浮在氨水溶液表面上，浸入10分钟左右，硅片表面蓝膜全部脱离了硅片表面，同时硅片表面也已经暴露在氨水溶液内一定时间，硅片表面的颗粒大多已被氨水溶液清洗掉，然后把浮在溶液表面的蓝膜用镊子夹走；
6）把硅片从氨水溶液内提出放入快排纯水槽，冲洗3次，冲洗掉硅片表面残留的氨水溶液，然后提出硅片放入甩干机把硅片甩干，然后把硅片倒入流转片盒进行下部工序作业即可。

Claims (3)

1.使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）通过化学气相沉积的方法在硅片表面生成一层二氧化硅膜，然后以丙烯酸作为粘着剂将裁剪好的蓝膜粘附在需要保护部分的二氧化硅膜上，而硅片表面不需要保护的二氧化硅膜则不粘附蓝膜；
2）将硅片置于质量浓度为5-15%的氟化氢溶液中1-5分钟，以使硅片表面未受保护的二氧化硅膜与氟化氢反应，从而去除二氧化硅膜；
3）将反应完毕的硅片从氟化氢溶液中取出，并用纯水冲洗2-3次，去除表面残留的氟化氢溶液，然后将其置于氨水溶液中，待硅片表面的蓝膜脱落后，取出硅片用纯水清洗干净即可。
2.根据权利要求1所述的使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法，其特征在于：所述氨水溶液的温度为55-65℃，质量浓度为5-15%。
3.根据权利要求1所述的使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法，其特征在于：所述的蓝膜为市售蓝色PVC膜。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109686692A (zh) * 2017-10-18 2019-04-26 昆山中辰矽晶有限公司 手动贴膜边缘去氧化层的制程方法
CN109727841A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 东莞新科技术研究开发有限公司 晶圆的清洗方法
CN109904070A (zh) * 2017-12-11 2019-06-18 有研半导体材料有限公司 一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101752243A (zh) * 2008-12-08 2010-06-23 北京有色金属研究总院 一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法
CN102437043A (zh) * 2011-12-15 2012-05-02 天津中环领先材料技术有限公司 采用划磨方式去除igbt用抛光片晶圆边缘氧化膜的方法
CN104425224A (zh) * 2013-09-02 2015-03-18 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Ⅲ族化合物衬底的掩膜层制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101752243A (zh) * 2008-12-08 2010-06-23 北京有色金属研究总院 一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法
CN102437043A (zh) * 2011-12-15 2012-05-02 天津中环领先材料技术有限公司 采用划磨方式去除igbt用抛光片晶圆边缘氧化膜的方法
CN104425224A (zh) * 2013-09-02 2015-03-18 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Ⅲ族化合物衬底的掩膜层制备方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109686692A (zh) * 2017-10-18 2019-04-26 昆山中辰矽晶有限公司 手动贴膜边缘去氧化层的制程方法
CN109727841A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 东莞新科技术研究开发有限公司 晶圆的清洗方法
CN109904070A (zh) * 2017-12-11 2019-06-18 有研半导体材料有限公司 一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法
CN109904070B (zh) * 2017-12-11 2021-04-20 有研半导体材料有限公司 一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法

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