CN104962989A - 一种pvt法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉 - Google Patents
一种pvt法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104962989A CN104962989A CN201510414603.0A CN201510414603A CN104962989A CN 104962989 A CN104962989 A CN 104962989A CN 201510414603 A CN201510414603 A CN 201510414603A CN 104962989 A CN104962989 A CN 104962989A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- single crystal
- carrier gas
- growth
- filter screen
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种PVT法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉，在生长管内籽晶与原料区域的温区中间加入一个石英过滤网，石英过滤网为石英制品，直径与生长管内径相同，石英过滤网与生长管紧密贴合，石英过滤网长度为5mm~30mm。石英过滤网内有密排、贯通性曲折通道，通道最大口径在0.5mm~3mm之间。有益效果是实现了对载气气流均匀性的控制，改善了晶体生长表面环境稳定性，有利于提高晶体生长工艺重复性和晶体生长质量，可以显著提高晶体成品率。
Description
技术领域
本发明涉及一种PVT法制备单晶的单晶炉，特别涉及一种PVT法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉。
背景技术
采用PVT法制备单晶的过程中，将生长原料放置于高温升华区，原料受热后以气态形式沿温度梯度向低温区输运，并在温度较低的籽晶表面进行凝华生长， PVT法生长单晶过程是一个物质传输过程，通过调节单晶炉温场分布、生长气压、载气流量、以及流程控制结构等工艺参数，可以制备出高质量单晶材料，对于传统PVT法制备单晶的过程中，难以控制载气气流的均匀性，从而使气态原料在传输过程中形成紊流等不稳定现象，影响晶体生长表面环境稳定性，导致晶体生长工艺重复性差，并且影响晶体质量，晶体成品率降低。
发明内容
鉴于现有技术存在的问题，本发明提供一种用于PVT法制备单晶的载气流场的控制方法，即在籽晶与原料区域中部加入一个石英过滤器，这样可以约束载气气流，改善气流流场的无序状态，从而有利于高质量单晶的PVT法生长，具体技术方案是，一种PVT法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉，包括生长管，其特征在于：在生长管内籽晶与原料区域的温区中间加入一个石英过滤网，石英过滤网为石英制品，直径与生长管内径相同，石英过滤网与生长管紧密贴合，石英过滤网长度为5mm~30mm，内有密排、贯通性曲折通道，通道最大口径在0.5mm~3mm之间。
本发明的有益效果是实现了对载气气流均匀性的控制，改善了晶体生长表面环境稳定性，有利于提高晶体生长工艺重复性和晶体生长质量，可以显著提高晶体成品率。
附图说明
图1是本发明的生长管的结构示意图。
图2是本发明的石英过滤网结构示意图。
图3是传统单晶炉生长管的结构示意图。
图4是本发明生长管内气流流场图。
图5是传统生长管内气流流场图。
具体实施方式
如图1石英过滤网3为石英制品，直径与生长管内径相同，石英过滤网3与生长管紧密贴合，石英过滤网3长度为10mm，内有密排、贯通性曲折通道3-1，通道3-1最大口径1mm。
实施例1
采用 PVT法制备ZnTe单晶
在生长管内籽晶1与原料2区域的温区中间加入一个石英过滤网3，晶体生长中的温区设置为1000℃、990℃、960℃、930℃、920℃，生长时间为10h，待程序运行结束，取出生长管，得到的单晶表面均匀平整。
实施例2
采用PVT法制备CdS单晶
在生长管内籽晶1与原料2区域的温区中间加入一个石英过滤网3，晶体生长中的温区设置为1055℃、1030℃、990℃、985℃、970℃，生长时间为12h，待程序运行结束，取出生长管，得到的单晶表面均匀平整。
Claims (1)
1.一种PVT法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉，包括生长管，其特征在于：在生长管内籽晶（1）与原料（2）区域的温区中间加入一个石英过滤网（3），石英过滤网（3）为石英制品，直径与生长管内径相同，石英过滤网（3）与生长管紧密贴合，石英过滤网（3）长度为5~30mm，内有密排、贯通性曲折通道（3-1），通道（3-1）口径在0.5~3mm之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510414603.0A CN104962989A (zh) | 2015-07-15 | 2015-07-15 | 一种pvt法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510414603.0A CN104962989A (zh) | 2015-07-15 | 2015-07-15 | 一种pvt法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104962989A true CN104962989A (zh) | 2015-10-07 |
Family
ID=54217067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510414603.0A Pending CN104962989A (zh) | 2015-07-15 | 2015-07-15 | 一种pvt法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104962989A (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH054894A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-14 | Sharp Corp | 化合物半導体の結晶成長法 |
| JPH0948688A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Denso Corp | 単結晶製造方法及びその単結晶製造装置 |
| JPH10101499A (ja) * | 1996-07-05 | 1998-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶成長方法及びその装置 |
| JPH11302097A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体結晶の成長方法 |
| CN102534763A (zh) * | 2012-01-17 | 2012-07-04 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种物理气相沉积法生长大尺寸碳化硅单晶的石墨坩埚及其应用 |
| WO2013151045A1 (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-10 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 結晶成長方法および結晶成長装置 |
-
2015
- 2015-07-15 CN CN201510414603.0A patent/CN104962989A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH054894A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-14 | Sharp Corp | 化合物半導体の結晶成長法 |
| JPH0948688A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Denso Corp | 単結晶製造方法及びその単結晶製造装置 |
| JPH10101499A (ja) * | 1996-07-05 | 1998-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶成長方法及びその装置 |
| JPH11302097A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体結晶の成長方法 |
| CN102534763A (zh) * | 2012-01-17 | 2012-07-04 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种物理气相沉积法生长大尺寸碳化硅单晶的石墨坩埚及其应用 |
| WO2013151045A1 (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-10 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 結晶成長方法および結晶成長装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2008039914A3 (en) | Sic single crystals with reduced dislocation density grown by step-wise periodic perturbation technique | |
| WO2007025118A3 (en) | System and method for crystal growing | |
| CN202390579U (zh) | 一种物理气相输运法生长碳化硅单晶用石墨坩埚 | |
| WO2017209376A3 (ko) | 탄화규소 단결정 잉곳의 성장장치 및 그 성장방법 | |
| CN203096233U (zh) | 一种碳化硅晶体生长的坩埚结构 | |
| WO2013002540A3 (en) | Apparatus and method for growing silicon carbide single crystal | |
| CN105803520A (zh) | Cz-80单晶炉自动收尾方法 | |
| CN105803519A (zh) | 一种m2型单晶硅快速收尾方法 | |
| CN105369344A (zh) | 一种温场梯度竖直移动法制备片状单晶的方法及装置 | |
| CN202066355U (zh) | 五温区管式炉 | |
| CN107236992A (zh) | 一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置 | |
| WO2009140406A3 (en) | Crystal growth apparatus for solar cell manufacturing | |
| CN104962989A (zh) | 一种pvt法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉 | |
| CN204097596U (zh) | 碳化硅单晶生长炉的测温孔自清理装置 | |
| CN104878451B (zh) | 一种氮化物单晶生长装置 | |
| CN103343385A (zh) | 一种异形尺寸的直拉单晶硅及其生长方法 | |
| CN104213195B (zh) | 一种低温pvt控制单晶生长包裹物缺陷的方法 | |
| CN205856655U (zh) | 一种碳化硅单晶炉 | |
| CN106498491B (zh) | 一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法 | |
| CN106637385A (zh) | 便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法 | |
| CN102719878A (zh) | 一种大晶体连续培养装置 | |
| CN106637386A (zh) | 提高拉晶速度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法 | |
| CN203007472U (zh) | 长晶炉 | |
| CN205907390U (zh) | 一种多坩埚液相外延SiC晶体的承载装置 | |
| CN106637387B (zh) | 直拉单晶用加热器及直拉单晶方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20151007 |