CN104952906A - 显示面板的像素结构 - Google Patents
显示面板的像素结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104952906A CN104952906A CN201510247569.2A CN201510247569A CN104952906A CN 104952906 A CN104952906 A CN 104952906A CN 201510247569 A CN201510247569 A CN 201510247569A CN 104952906 A CN104952906 A CN 104952906A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- pixel defining
- display floater
- dot structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 140
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种显示面板的像素结构，包括主动元件、第一电极、像素定义层、披覆层、发光层以及第二电极。主动元件位于基板上。第一电极位于主动元件上方并与主动元件电性连接。像素定义层位于第一电极上，其中像素定义层具有开口以暴露出第一电极。披覆层包覆像素定义层。发光层位于开口内并覆盖被暴露出的第一电极，其中发光层与像素定义层被披覆层分离开来。第二电极位于发光层上。本发明不仅使像素定义层吸附水气的机会减少，更可阻挡像素定义层释放水气至显示面板的内部元件中。
Description
技术领域
本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种显示面板的像素结构。
背景技术
目前是一个3C的时代，也就是电脑(Computer)、通讯(Communication)、和消费性电子产品(Consumer electronics)的时代。在这样的生活当中，市面上有许多琳琅满目的资讯设备，例如，手机、PDA、GPS、数字相机和显示器等。然而，大部分的资讯设备都是以平面显示器作为主要的沟通介面。因此，在资讯设备多样化的情况下，使得平面显示器种类的选择性也是相当多样化的，例如，液晶显示器、电浆显示器和有机发光二极体显示面板等。
有机发光二极体显示面板除了具有高亮度、省电、高对比度、快速反应时间以及低驱动电压等优点外，也符合资讯设备轻薄短小的走向。因此，近年来有机发光二极体显示面板的产品不断地推陈出新。依照有机发光二极体的驱动方式，大致上可分为被动有机发光二极体(PMOLED)显示面板与主动有机发光二极体(以下简称AMOLED)显示面板。其中，AMOLED显示面板可用于发展大尺寸的显示面板，所以备受瞩目。
然而，AMOLED显示面板含有由有机材料所形成的膜层(如：像素定义层)，其中由于有机材料具吸水特性，在高温、高电流的情形下，水气将会由像素定义层扩散至位于像素定义层周遭的内部元件(如：有机发光二极体，OLED)，使有机发光二极体失效或导致像素边缘区域产生暗区或暗点，进而使AMOLED显示面板加速劣化，降低面板的使用寿命缩短。
发明内容
本发明是有关于一种显示面板的像素结构，其可以避免水气经由像素定义层扩散至显示面板的内部元件而导致显示面板无法正常显示的问题。
一种显示面板的像素结构，包括主动元件、第一电极、像素定义层、披覆层、发光层以及第二电极。主动元件位于基板上。第一电极位于主动元件上方并与主动元件电性连接。像素定义层位于第一电极上，其中像素定义层具有开口以暴露出第一电极。披覆层包覆像素定义层。发光层位于开口内并覆盖被暴露出的第一电极，其中发光层与像素定义层被披覆层分离开来。第二电极位于发光层上。
基于上述，由于像素定义层被披覆层所包覆，因此不仅使像素定义层吸附水气的机会减少，更可阻挡像素定义层释放水气至显示面板的内部元件中。因此，本发明显示面板的像素结构可阻挡像素定义层中的水气向外扩散至显示面板的内部元件，以避免显示面板的内部元件因受潮失效以及/或者在像素边缘区域产生暗区或暗点，进而确保显示面板显示正常以及延长显示面板的使用寿命。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A是本发明的一实施例的显示面板的像素结构的剖面图。
图1B是本发明图1A的实施例的局部示意图。
图2A是本发明的一实施例的显示面板的像素结构的剖面图。
图2B是本发明图2A的实施例的局部示意图。
其中，附图标记
110：基板
120：半导体层
120S：源极区
120C：通道区
120D：汲极区
125：半导体图案层
130：闸绝缘层
140：共用线
150：保护层
160:储存电极图案层
170：平坦层
180：第一电极
190：像素定义层
200：披覆层
210：发光层
220：第二电极
B：开口的底部
C：储存电容器
D：汲极
D1、D2：披覆层的厚度
G：闸极
OLED：有机发光二极体
S：源极
T：主动元件
V1：第一开口
V1’：第一次开口
V2：第二开口
V2’：第二次开口
V3：第三开口
V4：第四开口
Ws：开口的侧壁
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案进行详细的描述，以更进一步了解本发明的目的、方案及功效，但并非作为本发明所附权利要求保护范围的限制。
本发明的像素结构例如是可应用于有机发光二极体显示面板之中，因此，为了详细地说明本发明的像素结构的设计，以下的说明是以单一像素结构为例以文字，并配合所附图式，来作说明。此领域技术人员应可以了解有机发光二极体显示面板的像素阵列是由多个相同或相似的像素结构所组成。因此，此领域技术人员可以根据以下针对单一像素结构的说明，而了解有机发光二极体显示面板中的像素阵列的结构或布局。在图1A与图2A中的主动元件是以与有机发光二极体电性连接的主动元件为例来说明；虽然图式中没有绘示出其他的主动元件，但实际上，其他主动元件的结构与有机发光二极体电性连接的主动元件的结构相同或相似。
图1A是本发明的一实施例的显示面板的像素结构的剖面图。为了清楚地说明本发明的实施例，图1A仅绘示出像素结构的主要构件：与有机发光二极体OLED电性连接的主动元件T、有机发光二极体OLED以及储存电容器C。也就是说，图1A省略其它构件未绘示，其中这些省略未绘示的构件可以具有所属技术领域中具有通常知识者所周知的结构，故在此不再赘述。
请参照图1A，像素结构位于基板110上，基板110的材质例如是玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。
像素结构包括主动元件T、半导体图案层125、共用线140、储存电极图案层160、第一电极180、像素定义层190、披覆层200、发光层210以及第二电极220。像素结构更包括闸绝缘层130、保护层150以及平坦层170。其中，半导体图案层125、共用线140以及储存电极图案层160构成储存电容器C。第一电极180、发光层210以及第二电极220构成有机发光二极体OLED。
具体来说，主动元件T位于基板110上，且包括半导体层120、闸极G、源极S以及汲极D。半导体层120以及半导体图案层125位于基板110之上，半导体层120具有源极区120S、汲极区120D以及通道区120C，且通道区120C位于源极区120S以及汲极区120D之间。其中，半导体层120以及半导体图案层125彼此不相连。半导体层120以及半导体图案层125的材质例如是非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟锗锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或含有掺杂物(dopant)于上述材料中、或上述的组合。
闸绝缘图案130位于半导体层120以及半导体图案层125上，闸绝缘图案130具有暴露出源极区120S的第一次开口V1’以及暴露出汲极区120D的第二次开口V2’。闸绝缘图案130的材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或其它合适的材料、或上述的组合。
闸极G以及共用线140分别位于半导体层120的通道区120C以及半导体图案层125之上，闸极G以及共用线140彼此不相连。其中，闸绝缘图案130位于半导体层120以及闸极G之间，且位于半导体图案层125以及共用线140之间。闸极G以及共用线140的材料包含金属、金属氧化物、有机导电材料或上述的组合。
保护层150位于闸极G以及共用线140之上。保护层150具有第一开口V1以及第二开口V2，其中第一开口V1与第一次开口V1’相连通以暴露出源极区120S；第二开口V2与第二次开口V2’相连通以暴露出汲极区120D。保护层150的材料包含无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或上述的组合。
源极S以及汲极D位于半导体层120之上，且储存电极图案层160位于半导体图案层125之上。其中，源极S透过第一开口V1以及第一次开口V1’贯穿保护层150以及闸绝缘图案130以电性连接源极区120S。汲极D透过第二开口V2以及第二次开口V2’贯穿保护层150以及闸绝缘图案130以电性连接汲极区120D。至此，半导体层120、闸极G、源极S以及汲极D构成本实施例的主动元件T，且半导体图案层125、共用线140以及储存电极图案层160构成储存电容器C。主动元件T与储存电容器C电性连结(未绘示)。在本实施例中，主动元件T是以顶部闸极型薄膜电晶体为例来说，但本发明不限于此。根据其他实施例，主动元件T也可以是底部闸极型薄膜电晶体。
平坦层170位于主动元件T与储存电容器C之上。平坦层170具有暴露出主动元件T的汲极D的第三开口V3。第一电极180位于主动元件T与储存电容器C上，且覆盖第三开口V3。其中，第一电极180藉由第三开口V3与主动元件T的汲极D电性连结。平坦层170的材料包含无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或上述的组合。
像素定义层190位于第一电极180上。像素定义层190具有第四开口V4，以暴露出第一电极180。第四开口V4具有底部B以及侧壁Ws。在本实施例中，像素定义层190的材质例如是包括有机材料，但本发明不以此为限。
披覆层200位于像素定义层190上，以包覆像素定义层190且暴露出第一电极180。位于像素定义层190上的披覆层200具有一厚度为D1(如图1B所示)。披覆层200更覆盖于第四开口的侧壁Ws上，且位于第四开口的侧壁Ws上的披覆层200具有一厚度为D2(如图1B所示)。其中厚度D1以及厚度D2例如为大于0微米且小于或等于1微米。在本实施例中，披覆层200的厚度D1例如是不等于披覆层200的厚度D2，但本发明不以此为限。其它实施例中，披覆层200的厚度D1亦可以与披覆层200的厚度D2相同。披覆层200的材料包含氧化硅或氮化硅。以本实施例为例，若披覆层200的材料为氧化物或氮化物，则厚度D1为大于0微米且小于或等于1微米且厚度D2为大于0微米且小于或等于1微米。在本实施例中，由于像素定义层190被披覆层200所包覆，因此当显示面板处于高温的制程或使用过程中，不仅减少像素定义层190吸附水气的机会，更可阻挡像素定义层190释放水气至显示面板的内部元件中，以避免显示面板的内部元件因受潮失效。
发光层210位于第四开口V4内并覆盖被暴露出的第一电极180。其中，发光层210与像素定义层190被披覆层200分离开来。第二电极220位于发光层210之上。至此，第一电极180、发光层210以及第二电极220构成有机发光二极体OLED。
在本实施例中，第一电极180以及第二电极220的材料是金属或金属氧化物等导电材质，本发明不以此为限。在一实施例中，第一电极180与第二电极220其中之一例如是金属层，则另一者例如是透明电极层。本实施例的发光层210的材料是以有机发光材料为例，但本发明不限于此。在一实施例，发光层210可以是单层的发光层或者是主发光层加上电子传输层、电子注入层、电洞传输层以及电洞注入层的组合。主发光层例如是白光发光材料层或是其他特定色光(例如红、绿、蓝等等)的发光材料层。在另一实施例，可以选择电子传输层、电子注入层、电洞传输层以及电洞注入层至少其中一层与主发光层来搭配，以构成两层、三层、四层或五层的堆叠层，进而增进发光层210的发光效率。另，有机发光二极体OLED的其它膜层的详细材质与结构为本领域具有通常知识者所熟知，因此不再赘述。
基于上述，在本实施例中，显示面板的像素结构的像素定义层被披覆层所包覆，因此当显示面板处于高温的制程或使用过程中，不仅减少像素定义层吸附水气的机会，更可阻挡像素定义层释放水气至有机发光二极体。换言之，本发明显示面板的像素结构可避免因像素定义层中的水气扩散至有机发光二极体而造成有机发光二极体因受潮失效以及/或者在像素边缘区域产生暗区或暗点的问题，进而确保显示面板显示正常以及延长显示面板的使用寿命。
图2A是本发明的另一实施例的显示面板的像素结构的剖面图。如图2A所示，图2A的实施例额像素结构与上述图1A的像素结构相似，因此相同或相似的元件以相同的或相似的符号表示，且不再重复说明。图2A的实施例与图1A的实施例主要差异处在于，披覆层200位于像素定义层190上并包覆像素定义层190，且披覆层200更覆盖被像素定义层190的第四开口V4所暴露出的第一电极190。在本实施例中，第一电极180被披覆层200所覆盖，且发光层210位于第四开口内的披覆层200上。
图2B是本发明图2A的实施例的局部示意图。请参照图2B，披覆层200具有一厚度为D3，其中厚度D3例如为大于0埃且小于或等于100埃。披覆层200的材料包含氧化硅或氮化硅。以本实施例为例，若披覆层200的材料为氧化物或氮化物，则厚度D3为大于0埃且小于或等于100埃。在本实施例中，由于像素定义层190被披覆层200所包覆，使发光层210与像素定义层190被披覆层200分离开来，因此当显示面板的处于高温的制程或使用过程中，不仅减少像素定义层190吸附水气的机会，更可阻挡像素定义层190释放水气至发光层210，以避免发光层210因受潮损坏。
藉此，在本实施例中的像素结构可避免因像素定义层中的水气扩散至有机发光二极体而造成有机发光二极体因受潮失效以及/或者在像素边缘区域产生暗区或暗点的问题，进而确保显示面板显示正常以及延长显示面板的使用寿命。
综上所述，本发明的像素结构的像素定义层被披覆层所包覆，因此当显示面板处于高温的制程或使用过程中，不仅可减少像素定义层吸附水气的机会，更可阻挡像素定义层释放水气至显示面板的内部元件(例如：有机发光二极体)。换言之，本发明显示面板的像素结构可避免因像素定义层中的水气扩散至有机发光二极体而导致有机发光二极体因受潮失效以及/或者在像素边缘区域产生暗区或暗点的问题，进而确保显示面板显示正常以及延长显示面板的使用寿命。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种显示面板的像素结构，其特征在于，包括：
一主动元件，位于一基板上；
一第一电极，位于该主动元件上方并与该主动元件电性连接；
一像素定义层，位于该第一电极上，其中该像素定义层具有一开口以暴露出该第一电极；
一披覆层，包覆该像素定义层；
一发光层，位于该开口内并覆盖被暴露出的该第一电极，其中该发光层与该像素定义层被该披覆层分离开来；以及
一第二电极，位于该发光层上。
2.如权利要求1所述的显示面板的像素结构，其特征在于，该披覆层的厚度为大于0微米且小于或等于1微米。
3.如权利要求1所述的显示面板的像素结构，其特征在于，该像素定义层的该开口具有一底部以及一侧壁，该披覆层覆盖该侧壁，且该披覆层于该侧壁上的厚度大于0微米且小于或等于1微米。
4.如权利要求1所述的显示面板的像素结构，其特征在于，该披覆层更覆盖被该像素定义层的该开口所暴露出的该第一电极，且该发光层位于该披覆层上。
5.如权利要求4所述的显示面板的像素结构，其特征在于，该披覆层的厚度大于0埃且小于或等于100埃。
6.如权利要求1所述的显示面板的像素结构，其特征在于，该披覆层的材质包括氧化物或是氮化物。
7.如权利要求1所述的显示面板的像素结构，其特征在于，该第一电极与该第二电极其中之一是一金属层，且另一是一透明电极层。
8.如权利要求1所述的显示面板的像素结构，其特征在于，该像素定义层的材质包括有机材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104109537A TWI552334B (zh) | 2015-03-25 | 2015-03-25 | 顯示面板之畫素結構 |
| TW104109537 | 2015-03-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104952906A true CN104952906A (zh) | 2015-09-30 |
| CN104952906B CN104952906B (zh) | 2018-10-26 |
Family
ID=54167443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510247569.2A Active CN104952906B (zh) | 2015-03-25 | 2015-05-15 | 显示面板的像素结构 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104952906B (zh) |
| TW (1) | TWI552334B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108550711A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及其制造方法、oled显示器 |
| CN110085772A (zh) * | 2019-06-04 | 2019-08-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制备方法 |
| CN110518053A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-29 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| WO2020118806A1 (zh) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111725422A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200939339A (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-16 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Pixel structure, color filter substrate and mathods of fabricating the same |
| CN101847652A (zh) * | 2010-04-21 | 2010-09-29 | 友达光电股份有限公司 | 电激发光显示面板 |
| WO2014020899A2 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Sony Corporation | Display unit and electronic apparatus |
| US20140375916A1 (en) * | 2013-06-25 | 2014-12-25 | Au Optronics Corporation | Flexible display panel and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7038377B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Display device with a narrow frame |
-
2015
- 2015-03-25 TW TW104109537A patent/TWI552334B/zh active
- 2015-05-15 CN CN201510247569.2A patent/CN104952906B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200939339A (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-16 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Pixel structure, color filter substrate and mathods of fabricating the same |
| CN101847652A (zh) * | 2010-04-21 | 2010-09-29 | 友达光电股份有限公司 | 电激发光显示面板 |
| WO2014020899A2 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Sony Corporation | Display unit and electronic apparatus |
| US20140375916A1 (en) * | 2013-06-25 | 2014-12-25 | Au Optronics Corporation | Flexible display panel and manufacturing method thereof |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108550711A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及其制造方法、oled显示器 |
| WO2019205264A1 (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及其制造方法、oled显示器 |
| WO2020118806A1 (zh) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110085772A (zh) * | 2019-06-04 | 2019-08-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示面板及其制备方法 |
| CN110518053A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-29 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111725422A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201635513A (zh) | 2016-10-01 |
| TWI552334B (zh) | 2016-10-01 |
| CN104952906B (zh) | 2018-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107275506B (zh) | 具有用于密封显示单元的保护层和封装层的显示设备 | |
| US10332919B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) array substrate and manufacturing method thereof and display device | |
| KR101073552B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN105789266A (zh) | 一种oled阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20150094950A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20030058150A (ko) | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR102568516B1 (ko) | 표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
| CN104952906A (zh) | 显示面板的像素结构 | |
| US20060197441A1 (en) | Array substrates for electroluminescent displays and methods of forming the same | |
| CN112714955B (zh) | 显示基板、显示面板及显示基板的制备方法 | |
| EP3840052B1 (en) | Display device and manufacturing method of same | |
| CN110610947A (zh) | Tft阵列基板及oled面板 | |
| KR20200093718A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| US11825694B2 (en) | Array substrate comprising light shielding portion and method for manufacturing the same | |
| KR100579175B1 (ko) | 유기전계 발광소자의 제조방법 | |
| KR102234318B1 (ko) | 표시 장치의 제조 방법 | |
| JP2023505359A (ja) | ディスプレイおよび電子デバイス | |
| JP2009199078A (ja) | 画像表示システム | |
| KR102402525B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20160053383A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 구비하는 유기전계발광 표시장치 | |
| CN115280537A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN114694590A (zh) | 显示装置及其制备方法 | |
| CN113948661B (zh) | 显示基板和显示装置 | |
| EP4340572A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR100669740B1 (ko) | 평판 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |