CN104926314B - 一种led用陶瓷基板 - Google Patents
一种led用陶瓷基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104926314B CN104926314B CN201510334118.2A CN201510334118A CN104926314B CN 104926314 B CN104926314 B CN 104926314B CN 201510334118 A CN201510334118 A CN 201510334118A CN 104926314 B CN104926314 B CN 104926314B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- oxide
- ceramic substrate
- auxiliary agent
- particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 22
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 26
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 21
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical group CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 14
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 13
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 7
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 7
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 7
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 7
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本发明公开了一种LED用陶瓷基板，优化LTCC制备工艺中的各种原料，以氮化铝、氮化硼、氧化铝和氧化铍作为主要原料，同时，添加了玻璃烧结助剂、铜铝合金纳米颗粒、稀土氧化物、溶剂、增塑剂、分散剂和粘结剂等添加剂，进一步优化了陶瓷基板的物化性能，本申请的陶瓷基板导热率大于400W/(m·k)，抗弯强度大于300Mpa，介电常数小于2。同时，通过常规的LTCC制备方法，即可将主要原料和添加剂制备成具有高导率的陶瓷基板，制备工艺简单，利于产业化。
Description
技术领域
本发明属于LED用基板领域，特别涉及一种LED用陶瓷基板。
背景技术
作为第四代照明光源，发光二极管(LED)以其维护费用低、寿命长、抗震性好、功耗小和环境友好等优势而受到世界各国的重视，被广泛用于指示灯、显示屏、背光源、景观照明、交通等，市场潜力巨大。
随着LED照明的需求日趋迫切，大功率LED的散热问题益发受到重视(过高的温度会导致LED发光效率衰减)；LED使用所产生的废热若无法有效散出，则会对LED的寿命造成致命性的影响。现阶段较普遍的陶瓷散热基板有4种:直接覆铜陶瓷板(DBC)、直接镀铜基板(DPC)、高温共烧多层陶瓷基板(HTCC)和低温共烧多层陶瓷基板(LTCC)。而如何设计一种性能优越尤其是散热性能好的LED陶瓷基板是现在研究的难题。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题，研制出一种散热性能好的LED用陶瓷基板：
一种LED用陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：氮化铝30-40份；氮化硼30-40份；氧化铝30-40份；氧化铍10-20份；玻璃烧结助剂5-10份；铜铝合金纳米颗粒5-10份；稀土氧化物2-5份；有机溶剂5-10份；增塑剂1-2份；分散剂1-2份；粘结剂1-2份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于100nm的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3的一种或几种；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜铝合金纳米颗粒的粒径为5-20纳米。
铜铝合金纳米颗粒的制备方法为溶胶-凝胶法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1650～1750℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
本发明的有益效果：
(1)整体而言，优化LTCC制备工艺中的各种原料，以氮化铝、氮化硼、氧化铝和氧化铍作为主要原料，同时，添加了玻璃烧结助剂、铜铝合金纳米颗粒、稀土氧化物、溶剂、增塑剂、分散剂和粘结剂等添加剂，进一步优化了陶瓷基板的物化性能，本申请的陶瓷基板导热率大于400W/(m·k)，抗弯强度大于300Mpa，介电常数小于2。同时，通过常规的LTCC制备方法，即可将主要原料和添加剂制备成具有高导率的陶瓷基板，制备工艺简单，利于产业化。
(2)具体来说，以氮化铝、氮化硼、氧化铝和氧化铍作为主要原料，氮化铝、氮化硼、氧化铝的复合，综合降低了成本，但是依旧保持了优良的散热性能；同时，加入的氧化铍作为主成分的加入，大大提高了导热率。在添加剂方面，本申请通过添加铜铝合金纳米颗粒，对陶瓷粉体进行金属纳米颗粒化，同时，纳米颗粒的加入，有利于提高热传递，同时，也提高了陶瓷基板的致密度。并且本申请独特的玻璃烧结助剂以及稀土氧化物，能够与主成分材料形成特殊晶体，继而对于陶瓷基板的成瓷性能也会大大增强。
具体实施方式
下面结合具体的实施例，并参照数据进一步详细描述本发明。应理解，这些实施例只是为了举例说明本发明，而非以任何方式限制本发明的范围。
实施例1：
一种LED用陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：氮化铝35份；氮化硼35份；氧化铝35份；氧化铍15份；玻璃烧结助剂7份；铜铝合金纳米颗粒7份；稀土氧化物3份；有机溶剂7份；增塑剂1份；分散剂1份；粘结剂1份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于100nm的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3的一种或几种；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜铝合金纳米颗粒的粒径为10纳米。
铜铝合金纳米颗粒的制备方法为溶胶-凝胶法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1650℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
该陶瓷基板导热率为430W/(m·k)，抗弯强度为320Mpa，介电常数为1.2。
实施例2：
一种LED用陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：氮化铝37份；氮化硼32份；氧化铝35份；氧化铍17份；玻璃烧结助剂9份；铜铝合金纳米颗粒6份；稀土氧化物4份；有机溶剂8份；增塑剂2份；分散剂2份；粘结剂2份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于100nm的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3的一种或几种；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜铝合金纳米颗粒的粒径为15纳米。
铜铝合金纳米颗粒的制备方法为溶胶-凝胶法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1700℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
该陶瓷基板导热率为450W/(m·k)，抗弯强度为325Mpa，介电常数为1.4。
实施例3：
一种LED用陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：氮化铝38份；氮化硼34份；氧化铝38份；氧化铍17份；玻璃烧结助剂6份；铜铝合金纳米颗粒6份；稀土氧化物4份；有机溶剂8份；增塑剂1份；分散剂1份；粘结剂1份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于100nm的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3的一种或几种；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜铝合金纳米颗粒的粒径为17纳米。
铜铝合金纳米颗粒的制备方法为溶胶-凝胶法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1750℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
该陶瓷基板导热率为435W/(m·k)，抗弯强度为315Mpa，介电常数为1.8。
实施例4：
一种LED用陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：氮化铝40份；氮化硼40份；氧化铝40份；氧化铍19份；玻璃烧结助剂7份；铜铝合金纳米颗粒6份；稀土氧化物4份；有机溶剂8份；增塑剂2份；分散剂1份；粘结剂2份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于100nm的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3的一种或几种；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜铝合金纳米颗粒的粒径为7纳米。
铜铝合金纳米颗粒的制备方法为溶胶-凝胶法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1720℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
该陶瓷基板导热率为455W/(m·k)，抗弯强度为355Mpa，介电常数为1.5。
实施例5：
一种LED用陶瓷基板，由以下组分及其重量份制成：氮化铝40份；氮化硼30份；氧化铝30份；氧化铍18份；玻璃烧结助剂5份；铜铝合金纳米颗粒6份；稀土氧化物4份；有机溶剂8份；增塑剂2份；分散剂2份；粘结剂2份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于100nm的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3的一种或几种；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂；
铜铝合金纳米颗粒的粒径为10纳米。
铜铝合金纳米颗粒的制备方法为溶胶-凝胶法。
玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1710℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒。将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
陶瓷基板采用LTCC制备方法。
具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
该陶瓷基板导热率为470W/(m·k)，抗弯强度为335Mpa，介电常数为1.0。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (7)
1.一种LED用陶瓷基板，其特征在于：由以下组分及其重量份制成：氮化铝30-40份；氮化硼30-40份；氧化铝30-40份；氧化铍10-20份；玻璃烧结助剂5-10份；铜铝合金纳米颗粒5-10份；稀土氧化物2-5份；有机溶剂5-10份；增塑剂1-2份；分散剂1-2份；粘结剂1-2份；
所述玻璃烧结助剂的重量组成为氧化硅70份；氧化硼10份；氧化铍10份；氧化钙10份；氧化铝5份；五氧化二磷3份；氧化锂3份；
所述的稀土氧化物为粒径小于100nm的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3的一种或几种；
所述有机溶剂为丙酮、异丙醇二元混合有机溶剂体系；
所述分散剂为PEG分散剂；
所述粘结剂为PVB粘结剂。
2.一种如权利要求1所述的LED用陶瓷基板，其特征在于：铜铝合金纳米颗粒的粒径为5-20纳米。
3.一种如权利要求1或2所述的LED用陶瓷基板，其特征在于：铜铝合金纳米颗粒的制备方法为溶胶-凝胶法。
4.一种如权利要求3所述的LED用陶瓷基板，其特征在于：玻璃烧结助剂的制备方法为，将各氧化物的原料混料、研磨，混合均匀后置于坩埚中，在1650～1750℃保温3h熔融，倒入蒸馏水中淬冷，得玻璃碎粒，将玻璃碎粒烘干后破碎、研磨，得到玻璃烧结助剂。
5.一种如权利要求4所述的LED用陶瓷基板，其特征在于：玻璃烧结助剂的粒径小于0.5μm。
6.一种如权利要求1或2或4所述的LED用陶瓷基板，其特征在于：陶瓷基板采用LTCC制备方法。
7.一种如权利要求6所述的LED用陶瓷基板，其特征在于：具体方法为，粉料制备—浆料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—叠层—层压—排胶—烧结—检测。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510334118.2A CN104926314B8 (zh) | 2015-06-17 | 2015-06-17 | 一种led用陶瓷基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510334118.2A CN104926314B8 (zh) | 2015-06-17 | 2015-06-17 | 一种led用陶瓷基板 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104926314A CN104926314A (zh) | 2015-09-23 |
| CN104926314B true CN104926314B (zh) | 2016-12-07 |
| CN104926314B8 CN104926314B8 (zh) | 2017-02-22 |
Family
ID=54113776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510334118.2A Expired - Fee Related CN104926314B8 (zh) | 2015-06-17 | 2015-06-17 | 一种led用陶瓷基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104926314B8 (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105304795A (zh) * | 2015-11-04 | 2016-02-03 | 苏州知瑞光电材料科技有限公司 | 一种led用陶瓷散热基板 |
| CN106187250A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-12-07 | 合肥毅创钣金科技有限公司 | 一种纳米氧化锆‑纳米铜增韧的大功率led散热氮化铝陶瓷基板 |
| CN106187204A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-12-07 | 合肥毅创钣金科技有限公司 | 一种氟羟基磷灰石改性的高致密度大功率led散热陶瓷基板 |
| CN106340669A (zh) * | 2016-09-18 | 2017-01-18 | 中南大学 | 一种用于固体电解质的氧化镧掺杂氧氮玻璃及其制备方法 |
| CN107311666A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-11-03 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 低温共烧陶瓷基板的成型与烧结方法 |
| KR101797232B1 (ko) * | 2017-07-10 | 2017-11-13 | 주식회사 케이에스엠컴포넌트 | 정전척 |
| CN109285786A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-29 | 郭鸿洲 | 一种芯片封装基板及制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1938221A (zh) * | 2004-03-29 | 2007-03-28 | 电气化学工业株式会社 | 氮化铝粉末及氮化铝烧结体 |
| CN1972883A (zh) * | 2004-06-21 | 2007-05-30 | 株式会社德山 | 氮化物烧结体及其制造方法 |
| CN103803984A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-05-21 | 莱鼎电子材料科技有限公司 | 采用复合粉末粒型制备氮化铝陶瓷基片的方法 |
-
2015
- 2015-06-17 CN CN201510334118.2A patent/CN104926314B8/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1938221A (zh) * | 2004-03-29 | 2007-03-28 | 电气化学工业株式会社 | 氮化铝粉末及氮化铝烧结体 |
| CN1972883A (zh) * | 2004-06-21 | 2007-05-30 | 株式会社德山 | 氮化物烧结体及其制造方法 |
| CN103803984A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-05-21 | 莱鼎电子材料科技有限公司 | 采用复合粉末粒型制备氮化铝陶瓷基片的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104926314A (zh) | 2015-09-23 |
| CN104926314B8 (zh) | 2017-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104926314B (zh) | 一种led用陶瓷基板 | |
| Lin et al. | Glass ceramic phosphors: towards long‐lifetime high‐power white light‐emitting‐diode applications–a review | |
| Pang et al. | Precipitating CsPbBr 3 quantum dots in boro-germanate glass with a dense structure and inert environment toward highly stable and efficient narrow-band green emitters for wide-color-gamut liquid crystal displays | |
| Zhang et al. | Facile preparation and ultrastable performance of single-component white-light-emitting phosphor-in-glass used for high-power warm white LEDs | |
| Yang et al. | Designed glass frames full color in white light-emitting diodes and laser diodes lighting | |
| Mou et al. | Efficient and heat-conducting color converter of phosphor glass film printed on sapphire substrate for high-power white LEDs/LDs | |
| Huang et al. | Toward high‐quality laser‐driven lightings: chromaticity‐tunable phosphor‐in‐glass film with “phosphor pattern” design | |
| CN104763901B (zh) | Led日光灯 | |
| Xu et al. | Emitting area limitation via scattering control in phosphor film realizing high-luminance laser lighting | |
| Zhuo et al. | Enhanced luminous efficiency of multilayer gradient refractive index phosphor in P2O5-ZnO-B2O3-BaO glass for white light-emitting diode packages | |
| Xu et al. | Tunable chromaticity and enhanced luminous efficacy of white LEDs with phosphor-in-glass coating via multilayer screen-printing | |
| Li et al. | Phosphor‐in‐silica‐glass: filling the gap between low‐and high‐brightness solid‐state lightings | |
| Mou et al. | Highly reflective interface design for phosphor-in-glass converter enabling ultrahigh efficiency laser-driven white lighting | |
| Xia et al. | Facile preparation and optical properties of Te/Pb-free Y3Al5O12: Ce3+ phosphor-in-glass via a screen-printing route for high-power WLEDs | |
| Wang et al. | Composition optimization of multifunctional CsPb (Br/I) 3 perovskite nanocrystals glasses with high photoluminescence quantum yield | |
| Zhao et al. | Chromaticity-tunable remote LuYAG: Ce phosphor-in-glass film on regular textured glass substrate for white light emitting diodes | |
| Xia et al. | Erosion mechanism of YAG: Ce3+ phosphor in bismuth borate glasses | |
| Si et al. | A stable and efficient red‐emitting color converter based on K2SiF6: Mn4+ phosphor‐in‐glass film for next‐generation laser‐excited lighting and display | |
| Wang et al. | Realizing high‐power laser lighting: artfully importing micrometer BN into Ce: GdYAG phosphor‐in‐glass film | |
| Yang et al. | All‐Inorganic Functional Phosphor–Glass Composites by Light Curing Induced 3D Printing for Next‐Generation Modular Lighting Devices | |
| CN104987065A (zh) | 一种led用氧化锆陶瓷基板 | |
| Jin et al. | Targeting cooling for YAG: Ce3+-based laser-driven lighting device by blending high thermal conductivity AlN in phosphor-sapphire composite | |
| Wang et al. | High color rendering index of warm WLED based on LuAG: Ce 3+ PiG coated CaAlSiN 3: Eu 2+ phosphor film for residential lighting applications | |
| CN105039820B (zh) | 一种led用铝碳化硅陶瓷基板 | |
| Wu et al. | Zn‐doped CaTiO3: Eu3+ red phosphors for enhanced photoluminescence in white LEDs by solid‐state reaction |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20160929 Address after: 266000 Licang, Qingdao, No. nine East water road, No. 320, No. Applicant after: Gu Yukui Address before: 410205 A543, Changsha, China, the headquarters of the software park, No. 39, sharp mountain road, high tech Development Zone, Hunan, China Applicant before: CHANGSHA DINGCHENG NEW MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Zhang Bao Inventor before: Liu Zhentian |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20161201 Address after: 733017 Yongchang Town, Gansu, Wuwei Patentee after: Gansu Rongbao Technology Co.,Ltd. Address before: 266000 Licang, Qingdao, No. nine East water road, No. 320, No. Patentee before: Gu Yukui |
|
| C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
| CI01 | Correction of invention patent gazette |
Correction item: Patentee|Address|Inventor Correct: Gansu Rongbao Technology Co.,Ltd.|733017 Yongchang Town, Gansu, Wuwei|Zhang Bao False: Gu Yukui|266000 Licang, Qingdao, No. nine East water road, No. 320, No.|Liu Zhentian Number: 49 Volume: 32 |
|
| CI03 | Correction of invention patent |
Correction item: Patentee|Address|Inventor Correct: Gansu Rongbao Technology Co.,Ltd.|733017 Yongchang Town, Gansu, Wuwei|Zhang Bao False: Gu Yukui|266000 Licang, Qingdao, No. nine East water road, No. 320, No.|Liu Zhentian Number: 49 Page: The title page Volume: 32 |
|
| ERR | Gazette correction | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161207 Termination date: 20190617 |