CN104914138A - 湿度传感器、湿度传感器阵列及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及传感器制造领域,公开了一种湿度传感器、湿度传感器阵列及其制备方法。本发明中,湿度传感器中敏感薄膜包括氧化石墨烯,其可以使响应时间大大减小,响应幅度提升,此外还能够分析出环境湿度以及环境气体的组分,并且结构简单,容易制备,成本低廉。
Description
技术领域
本发明涉及传感器制造领域,特别涉及一种湿度传感器、湿度传感器阵列及其制备方法。
背景技术
在工农业生产、气象、环保、国防、科研、航天等部门,人们经常需要对环境湿度进行测量及控制。人类的生存和社会活动与湿度密切相关。随着现代化的发展,很难找出一个与湿度无关的领域。由于应用领域不同,对湿度传感器的技术要求也不同。
基于电学性质的湿敏元件是最简单的湿度传感器,其主要有电阻式、电容式两大类。湿敏电阻的特点是在基片上覆盖一层用感湿材料制成的膜,称为敏感薄膜,当空气中的水蒸气吸附在敏感薄膜上或渗入敏感薄膜内时,元件的电阻率发生变化,而变化量与水蒸气浓度有一定关系,利用这一特性即可测量湿度。湿敏电容一般是用高分子薄膜(也称为敏感薄膜)作为电容的介电材料,常用的高分子材料有聚苯乙烯、聚酰亚胺、酪酸醋酸纤维、聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏氟乙烯等。当环境湿度发生改变时,湿敏电容的介电材料吸收的水汽就会改变,其表观的介电常数也就发生了变化,使其电容量变化。其电容变化量与相对湿度成正相关。
然而,现有的湿度传感器感湿材料或敏感薄膜均无法快速响应,也无法区分空气中或环境气体中其他气体的成分及含量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种湿度传感器及其制备方法,能够大大减小响应时间,提高响应速度,可以准确测量湿度,并且能够准确区分环境气体的气体组分、含量等。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种湿度传感器,包含:衬底、金属电极及敏感薄膜,其中,所述金属电极和敏感薄膜均形成在所述衬底上,所述敏感薄膜覆盖所述金属电极;所述敏感薄膜吸附的气体的成分或含量不同,其电抗不同。
本发明实施方式相对于现有技术而言,湿度传感器中敏感薄膜包括氧化石墨烯,其可以使响应时间大大减小,响应幅度提升,将现有技术中湿度传感器几秒到几分钟的响应时间提升到0.1秒以下,不仅能够测量环境气体的湿度(即水汽含量)而且可以分析环境气体中混入的一些其他蒸汽组分,例如酒精、丙酮、盐酸等。
可选的,在所述的湿度传感器中,所述敏感薄膜材质为以下任意之一或其两两组合的混合物或三者组合的混合物:
氧化石墨烯、有机高分子聚合物或无机金属氧化物。
可选的,所述敏感薄膜为多孔状,使其具有很大的比表面积,提升其与环境气体接触面积,从而提高湿度传感器的灵敏度。
可选的,在所述的湿度传感器中,还包括加热电阻结构,所述加热电阻结构形成在所述衬底远离所述金属电极一侧的表面上,或,所述加热电阻结构形成在所述衬底和所述金属电极之间,所述加热电阻结构和所述金属电极之间形成有隔离层,或,所述加热电阻结构与所述金属电极位于同一层,并且相互隔离。
可选的,在所述的湿度传感器中,所述金属电极包括第一金属电极和第二金属电极,所述第一金属电极和第二金属电极之间相互隔离。
可选的,在所述的湿度传感器中,所述第一金属电极和第二金属电极为插指状或树状。
本发明实施方式相对于现有技术而言结构更加简单,只需要两个电极即可,然而基于此却可以进行多种多样的测试,可以测电阻、电容、阻抗、品质因数、相位角等。
可选的,在所述的湿度传感器中,所述加热电阻结构为蛇形,位于敏感薄膜下方。
另外,在衬底上形成加热电极结构,可以在湿度传感器使用前及使用后先使用加热电极结构对湿度传感器进行加热,排出敏感薄膜内的湿气等,以使敏感薄膜的性能恢复,提高湿度传感器的使用寿命,防止老化。
可选的,在所述的湿度传感器中,所述第一金属电极、第二金属电极以及加热电阻结构均设有焊盘,所述敏感薄膜暴露出所述焊盘。
可选的,在所述的湿度传感器中,还包括分别与所述焊盘相连的键合引线,所述键合引线为铝引线或金引线。
可选的,在所述的湿度传感器中,还包括绝缘层,所述绝缘层形成覆盖所述第一金属电极和第二金属电极,所述绝缘层的材质为二氧化硅、三氧化二铝或氮化硅。覆盖第一金属电极和第二金属电极之间的绝缘层能够在测量电容时减小两电极之间的漏电,让测试更加准确。
本发明的实施方式还提供了一种湿度传感器阵列,包含:包括多个如上文所述的湿度传感器,所述湿度传感器的敏感薄膜材料为氧化石墨烯与有机高分子聚合物或氧化石墨烯与无机金属氧化物的混合物,或者为氧化石墨烯、有机高分子聚合物、无机金属氧化物三者的混合物,在所述湿度传感器阵列中,不同湿度传感器的敏感薄膜中各组分比例均不相同。
本发明实施方式相对于现有技术而言,湿度传感器阵列中湿度传感器的敏感薄膜中各组分比例均不相同,不同组分比例的敏感薄膜对于气体呈现出不同的特性。这些不同特性具体可以表现为:对于不同成分、不同浓度的气体各个传感器具有不同的响应幅度,响应速度,响应波形特点,噪声谱特性等,利用统计学中的模式识别或聚类算法(如贝叶斯决策方法、费舍尔线性判别算法、K临近分类算法、主成分分析、线性判别分析等)可以统计分析不同器件的不同响应特征,从而更加准确的识别环境气体中的各组分以及更加准确的检测出环境气体各组分的含量。
本发明的实施方式还提供了一种湿度传感器的制备方法,包含以下步骤:
提供衬底;
在所述衬底上形成金属电极;
在所述衬底及金属电极上形成敏感薄膜。
可选的,在所述湿度传感器的制备方法中,若所述衬底为导电材料,则在所述衬底上形成金属电极之前,还在所述衬底上形成一层绝缘层。
可选的,在所述湿度传感器的制备方法中,形成所述金属电极的步骤包括:
在所述衬底上形成一层金属薄膜;
在所述金属薄膜上涂覆光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光和显影处理,形成图案化的光刻胶;
以所述图案化的光刻胶为掩膜对所述金属薄膜进行刻蚀,获得金属电极;
去除所述图案化的光刻胶。
可选的,在所述湿度传感器的制备方法中,形成所述金属电极的步骤包括:
在所述衬底上涂覆光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光和显影处理,形成图案化的光刻胶;
在所述图案化的光刻胶及衬底表面形成一层金属薄膜;
进行去胶工艺,去除所述图案化的光刻胶,获得金属电极。
本发明实施方式相对于现有技术而言,只用一次光刻工艺即可形成金属电极,工艺简单,材料成本、制作成本、工艺设备成本等较低。
可选的,在所述湿度传感器的制备方法中,使用金属薄膜垫积、光刻、刻蚀或剥离的工艺技术在所述衬底远离所述金属电极的一侧表面上形成加热电阻结构,或,在所述衬底和所述金属电极之间形成加热电阻结构,并在所述加热电阻结构和所述金属电极之间形成隔离层,或,使用金属薄膜垫积、光刻、刻蚀或剥离的工艺技术在形成所述金属电极时同时形成加热电阻结构。
可选的,在所述湿度传感器的制备方法中,在形成所述金属电极之后,还形成一层绝缘层覆盖所述金属电极。
附图说明
图1a为第一实施例中湿度传感器的俯视图;
图1b为第一实施例中湿度传感器的沿图1a中A-A’向的剖面示意图;
图2为第一实施例中湿度传感器中金属电极的俯视图;
图3为第二实施例中湿度传感器中金属电极的俯视图;
图4为第三实施例中湿度传感器中金属电极的俯视图;
图5为第四实施例中湿度传感器阵列的俯视图;
图6为第五实施例中湿度传感器的制备方法的流程图;
图7至图16为第六实施例中湿度传感器制备过程中的剖面示意图;
图17至图21为第七实施例中湿度传感器制备过程中的剖面示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在本发明各实施方式中,为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改,也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种湿度传感器。具体结构如图1a、1b和图2所示。湿度传感器包含:衬底10、金属电极20及敏感薄膜30,其中,金属电极20和敏感薄膜30均形成在衬底10上,敏感薄膜30覆盖金属电极20。
具体的,敏感薄膜30材质可以为以下任意一种或其两两组合的混合物或三者组合的混合物:氧化石墨烯、有机高分子聚合物或无机金属氧化物。其中,有机高分子聚合物可以为聚甲基丙烯酸甲酯或聚偏氟乙烯等,无机金属氧化物为氧化锡、氧化钛或氧化锌等。敏感薄膜30可以为单独的氧化石墨烯,也可以为氧化石墨烯和有机高分子聚合物的混合物、氧化石墨烯和无机金属氧化物的混合物,或为三者的混合物。其中,混合物中各组分可以根据工艺要求进行选择。敏感薄膜中包括氧化石墨烯,其可以使响应时间大大减小,响应幅度提升,由现有技术中湿度传感器几秒到几分钟的响应时间提升到0.1秒以下,不仅能够测量出环境气体中的湿度(水汽含量)而且可以分析出环境气体的各组分及其含量,例如酒精、丙酮、盐酸等组分,以便检测环境气体中的污染等等。
为了能够更加容易的吸附环境气体,可以将敏感薄膜30制作成稀松的多孔状结构,使其具有很大的比表面积,提升其与环境气体接触面积从而提高湿度传感器的灵敏度。
其中,金属电极20包括第一金属电极21和第二金属电极22,第一金属电极21和第二金属电极22之间相互隔离。请参考图2,在本实施例中,第一金属电极21和第二金属电极22为插指状,具有多个插指,在有限面积内提升电容量,便于进行电容的量测。
此外,第一金属电极21和第二金属电极22均设有焊盘23,敏感薄膜30暴露出焊盘23;湿度传感器还包括分别与焊盘23相连的键合引线40,键合引线40为铝引线或金引线,从而将湿度传感器连接到外部电路。
进一步的,湿度传感器还包括绝缘层(图中未示出),绝缘层覆盖第一金属电极21和第二金属电极22,绝缘层的材质为二氧化硅、三氧化二铝或氮化硅等绝缘材料。形成绝缘层后,在测电容时,可以减小两金属电极之间的漏电,让测试更加准确。
本实施例中提出的湿度传感器的原理是吸附水汽或其他气体后,两个金属电极之间的敏感薄膜30的物理特性(如电导率、介电常数、介电损耗、电化学特性等)会发生变化,两个金属电极之间的电抗也就发生了变化,通过测试两个金属电极之间的电抗即可反映出外界环境气体对敏感薄膜30造成的影响。
相对于现有技术而言本实施例提出的湿度传感器结构更加简单,只需要两个电极即可,然而基于此却可以进行多种多样的测试,可以测电阻、电容、阻抗、品质因数、相位角等。
本发明的第二实施方式涉及一种湿度传感器。第二实施方式与第一实施方式大致相同,主要区别之处在于:在第一实施方式中,第一金属电极21和第二金属电极22为插指状。而在本发明第二实施方式中,第一金属电极21和第二金属电极22为树状,如图3所示。此外,本领域技术人员可以理解,由于树状结构的金属电极20的插指短小,在光刻刻蚀时不易断,工艺上更容易制作,能够更进一步降低工艺难度,而且,树状结构的金属电极20插指更加密集,能够提高测试灵敏度。
不难发现,本实施方式为与第一实施方式相对应的实施例,本实施方式可与第一实施方式互相配合实施。第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效,为了减少重复,这里不再赘述。相应地,本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。
本发明的第三实施方式涉及一种湿度传感器。第三实施方式与第一实施方式大致相同,主要区别之处在于:在第一实施方式中,只包含插指状的第一金属电极21和第二金属电极22。而在本发明第三实施方式中,还包括加热电阻结构。
具体的,在本实施例中,加热电阻结构可以形成在衬底10的背面,即远离金属电极20一侧的表面上;或者,加热电阻结构可以形成在衬底10和金属电极20之间,并且在加热电阻结构和金属电极20之间形成有绝缘的隔离层,以隔离两者。
或者,如图4所示,在第一金属电极21和第二金属电极22之间形成蛇形的加热电阻结构24。加热电阻结构24与金属电极20位于同一层,并且相互隔离,两者采用同一工艺形成,可以在光刻第一金属电极21和第二金属电极22时同时定义此图样,没有增加工艺复杂程度。此外,加热电阻结构24也设有焊盘23,后续同样可以连接键合引线40。
本领域技术人员可以理解,加入的电阻结构可以在湿度传感器使用中或使用后加热器件,使得吸附的水汽与其他成分的气体更好的脱附,以排出敏感薄膜内的湿气等。这样敏感薄膜可以恢复得更加充分,从而维持湿度传感器的性能,防止传感器敏感材料老化,延长湿度传感器的使用寿命。
不难发现,本实施方式为与第一实施方式相对应的实施例,本实施方式可与第一实施方式互相配合实施。第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效,为了减少重复,这里不再赘述。相应地,本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。
本发明第四实施方式涉及一种湿度传感器阵列,包含多个上文所述的湿度传感器,湿度传感器的敏感薄膜30材质为氧化石墨烯与有机高分子聚合物的混合物、氧化石墨烯与无机金属氧化物的混合物或者上述三种材料的混合物,其中,不同湿度传感器的敏感薄膜30中各组分比例均不相同。其中,所述有机高分子聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯或聚偏氟乙烯等,所述无机金属氧化物为氧化锡、氧化钛或氧化锌等。
例如,一个湿度传感器阵列包括16个湿度传感器,并且16个湿度传感器中氧化石墨烯与有机高分子聚合物的组分按照一定比例变化,或者是氧化石墨烯与无机金属氧化物的组分按照一定比例变化,或者是氧化石墨烯、有机高分子聚合物、无机金属氧化物三者混合的比例变化,形成16个特性各不相同的湿度传感器,这些不同特性具体可以表现为:对于不同成分、不同浓度的气体各个传感器具有不同的响应幅度,响应速度,响应波形特点,噪声谱特性等,利用统计学中的模式识别或聚类算法(如贝叶斯决策方法、费舍尔线性判别算法、K临近分类算法、主成分分析、线性判别分析等)可以统计分析不同器件的不同响应特征,从而更加准确的识别环境气体中的各组分以及检测出环境气体各组分的含量。相比于单个湿度传感器,湿度传感器阵列的测试精度以及测试范围更广。
本发明第五实施方式涉及一种湿度传感器的制备方法,请参考图6,包含以下步骤:
S100:提供衬底;
S200:在衬底上形成金属电极;
S300:在衬底及金属电极上形成敏感薄膜。
其中,本实施例中提出的湿度传感器的制备方法制作步骤简单,实现成本低廉,具有良好的可操作性。
上面各种方法的步骤划分,只是为了描述清楚,实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分,分解为多个步骤,只要包含相同的逻辑关系,都在本专利的保护范围内。
本发明第六实施方式涉及一种湿度传感器的制备方法,下面将结合图7至图16做详细的描述。
请参考图7,提供衬底10;衬底10可以为硅片(参杂类型和参杂浓度不限)、玻璃、石英或柔性塑料(如聚酰亚胺PI,聚对苯二甲酸乙二醇酯PET等);其中,对于硅衬底,可以对其采用标准清洗工艺进行清洗,对于其他衬底,可以将其在丙酮、乙醇或异丙醇等有机溶剂中超声清洗(如果是塑料衬底,清洗剂不能溶解该塑料);然后采用去离子水清洗;接着,采用氮气N2吹干。清洗步骤均为本领域技术人员所熟知的工艺步骤,在此不作赘述。
请参考图8,如果衬底10是导电材料,如硅片,那么需要在衬底10上淀积一层绝缘层11,如二氧化硅、氮化硅或三氧化二铝等;二氧化硅、氮化硅或三氧化二铝可以采用化学气相沉积形成,二氧化硅还可以采用热氧化法形成。绝缘层11的厚度可以根据不同的工艺要求来决定,在此不作限定。
在本实施例中,以衬底10为硅片为例,并且在其之上形成了绝缘层11,接着,制作金属电极,形成所述金属电极的步骤包括:
在绝缘层11上形成一层金属薄膜20’,如图9所示;金属薄膜20’为铝、铜、金、银、铂或镍,采用热蒸发、电子束蒸发或磁控溅射形成;
在金属薄膜20’上涂覆光刻胶50’,如图10所示;光刻胶50’的形成包括匀胶和曝光前处理(如前烘等);
对光刻胶50’进行曝光和显影处理,采用掩模板60定义图案进行曝光,如图11所示。然后采用后烘、显影和坚膜等工艺去除被曝光的部分(正胶)或未曝光的部分(负胶)以形成图案化的光刻胶50,如图12所示。根据不同光刻胶的要求,有不同的后烘温度、时间及显影时间等;
以图案化的光刻胶50为掩膜对金属薄膜20’进行刻蚀,获得金属电极20,如图13所示;刻蚀可以为湿法刻蚀、反应离子刻蚀(IRE)或电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等,具体刻蚀参数可以根据具体要求来选择;
去除图案化的光刻胶50,如图14所示;采用光刻胶去胶液进行湿法去胶或者干法去胶均可。
在本实施例中,金属电极20包括相互隔离的第一金属电极21和第二金属电极22,在形成金属电极20之后,还形成一层绝缘层70覆盖第一金属电极21和第二金属电极22,如图15所示。绝缘层70的材质可以为二氧化硅、三氧化二铝或氮化硅等,采用的工艺可以为化学气相沉积CVD或原子层沉积ALD等。在测电容时,绝缘层70可以减小第一金属电极21和第二金属电极22之间的漏电,让测试更加准确。
接着,如图16所示,采用湿法工艺或干法工艺形成敏感薄膜30,湿法工艺为旋涂、滴涂或浸涂。可以将氧化石墨烯与高分子聚合物的混合物,或氧化石墨烯与金属氧化物的纳米颗粒的混合物,或上述三种材料的混合物配置成溶液,用湿法工艺沉积形成敏感薄膜30。干法沉积则是对于金属氧化物或者某些高分子化合物,采用磁控溅射、蒸发、化学气相沉积或原子沉积等方法沉积而成。
接着,在形成敏感薄膜30后,采用键合工艺形成键合引线40,键合引线40与金属电极20相连,从而获得如第一实施例所述的湿度传感器。
本发明第七实施方式涉及一种湿度传感器的制备方法。第七实施方式与第六实施方式大致相同,主要区别之处在于:在第七实施方式中,先形成金属薄膜20’,然后形成图案化的光刻胶50,以其作为掩膜对所述金属薄膜20’进行刻蚀,从而形成金属电极20。而在本发明第六实施方式中,采用的是剥离技术(lift-off),即先形成图案化的光刻胶50,然后再形成金属薄膜20’,去除图案化的光刻胶50,从而获得金属电极20。
具体的,形成金属电极20的步骤包括:
在绝缘层11上涂覆光刻胶50’,具体形成工艺均与第六实施例相同,在此不作赘述,如图17所示;
对光刻胶50’进行曝光和显影处理,形成图案化的光刻胶50,形成步骤如图18和图19所示,具体的形成步骤均与第六实施例相同,可以结合图18和图19参考第六实施例的描述,在此不作赘述;
在图案化的光刻胶50及绝缘层11的表面形成一层金属薄膜20’,如图20所示;
进行去胶工艺,去除图案化的光刻胶50,光刻胶顶部的金属也自然被剥离,从而获得金属电极20,如图21所示。
在本实施例中的其余步骤均与第六实施例相同,为了简化描述,在此不作赘述,具体的可以参考第六实施例。
本实施方式相对于现有技术而言,只用一次光刻工艺即可形成金属电极,工艺简单,材料成本、制作成本、工艺设备成本等较低。
需要指出的是,形成加热电阻结构的工艺同样为光刻工艺,其形成方式与形成金属电极的方式相同,或者采用同一工艺形成均可,本领域技术人员理应知晓,在此不作赘述。
本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施方式是实现本发明的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (14)
1.一种湿度传感器,其特征在于,包含:衬底、金属电极及敏感薄膜,其中,所述金属电极和敏感薄膜均形成在所述衬底上,所述敏感薄膜覆盖所述金属电极;所述敏感薄膜吸附的气体的成分或含量不同,其电抗不同。
2.根据权利要求1所述的湿度传感器,其特征在于,所述敏感薄膜材质为以下任意之一或两两组合的混合物或三者组合的混合物:
氧化石墨烯、有机高分子聚合物或无机金属氧化物。
3.根据权利要求1所述的湿度传感器,其特征在于,所述敏感薄膜为多孔状。
4.根据权利要求1所述的湿度传感器,其特征在于,还包括加热电阻结构,所述加热电阻结构形成在所述衬底远离所述金属电极一侧的表面上,或,所述加热电阻结构形成在所述衬底和所述金属电极之间,所述加热电阻结构和所述金属电极之间形成有隔离层,或,所述加热电阻结构与所述金属电极位于同一层,并且相互隔离。
5.根据权利要求4所述的湿度传感器,其特征在于,所述金属电极包括第一金属电极和第二金属电极,所述第一金属电极和第二金属电极之间相互隔离。
6.根据权利要求5所述的湿度传感器,其特征在于,所述第一金属电极和第二金属电极为插指状或树状。
7.根据权利要求6所述的湿度传感器,其特征在于,所述加热电阻结构为蛇形,并形成在所述第一金属电极和第二金属电极之间。
8.根据权利要求5所述的湿度传感器,其特征在于,还包括绝缘层,所述绝缘层覆盖所述第一金属电极和第二金属电极。
9.一种湿度传感器阵列,其特征在于,包括多个如权利要求1至8中任一项所述的湿度传感器,所述湿度传感器的敏感薄膜材料为氧化石墨烯与有机高分子聚合物或氧化石墨烯与无机金属氧化物的混合物,或者为氧化石墨烯、有机高分子聚合物、无机金属氧化物三者的混合物,在所述湿度传感器阵列中,不同湿度传感器的敏感薄膜中各组分比例均不相同。
10.一种湿度传感器的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:
提供衬底;
在所述衬底上形成金属电极;
在所述衬底及金属电极上形成敏感薄膜。
11.根据权利要求10所述的湿度传感器的制备方法,其特征在于,形成所述金属电极的步骤包括:
在所述衬底上形成一层金属薄膜;
在所述金属薄膜上涂覆光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光和显影处理,形成图案化的光刻胶;
以所述图案化的光刻胶为掩膜对所述金属薄膜进行刻蚀,获得金属电极;
去除所述图案化的光刻胶。
12.根据权利要求10所述的湿度传感器的制备方法,其特征在于,形成所述金属电极的步骤包括:
在所述衬底上涂覆光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光和显影处理,形成图案化的光刻胶;
在所述图案化的光刻胶及衬底表面形成一层金属薄膜;
进行去胶工艺,去除所述图案化的光刻胶,获得金属电极。
13.根据权利要求10所述的湿度传感器的制备方法,其特征在于,使用金属薄膜淀积、光刻、刻蚀或剥离的工艺技术在所述衬底远离所述金属电极一侧的表面上形成加热电阻结构,或,在所述衬底和所述金属电极之间形成加热电阻结构,并在所述加热电阻结构和所述金属电极之间沉积绝缘材料、形成隔离层,或,使用金属薄膜淀积、光刻、刻蚀或剥离的工艺技术在形成所述金属电极时同时形成加热电阻结构。
14.根据权利要求10所述的湿度传感器的制备方法,其特征在于,在形成所述金属电极之后,还形成一层绝缘层覆盖所述金属电极。
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