CN104885161A - 极紫外光源的靶材料供应装置 - Google Patents
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Abstract
一种用于极紫外(EUV)光源的靶材料供应装置,包括管,该管包括第一端、第二端、以及限定在第一端和第二端之间的侧壁。管的外表面的至少一部分包括电绝缘材料,第一端接收增压的靶材料,且第二端限定一孔口,增压的靶材料通过该孔口流过以产生靶材料液滴流。所述靶材料供应装置还包括位于管的外表面上的导电涂层。该涂层被配置为将管的外表面电连接至地从而减少外表面上的表面电荷。
Description
技术领域
本公开的主题涉及极紫外(EUV)光源的靶材料供应装置。
背景
极紫外(”EUV”)光,举例来说,具有50nm左右或更短的波长的电磁辐射(有时也被称为软X射线),且包括波长为大约13nm的光,可被用于光刻工艺以在基板上,例如,硅晶片,产生极微小的特征。
产生EUV光的方法包括,但不限于,将具有发射谱线在EUV范围内的元素(例如,氙、锂、或锡)的材料转换成等离子态。在一个这样的方法中,可通过用可被称为驱动激光的放大光束照射靶材料(例如,以液滴、流、或团簇材料的形式)来产生通常被称为激光产生等离子体(“LPP”)的所需的等离子体。对于这个过程,通常在密封容器(例如真空腔室)中产生等离子体,并用各种类型的测量仪器进行监视。
概述
在一个总的方面,极紫外(EUV)光源的靶材料供应装置包括管,该管包括第一端、第二端、以及限定在第一端和第二端之间的侧壁。所述管的外表面的至少一部分包括电绝缘材料、第一端接收被增压的靶材料、且第二端限定孔口,所述被增压的靶材料通过该孔口来产生靶材料液滴流。靶材料供应装置还包括管的外表面上的导电涂层。该涂层被配置为将管的外表面电连接到地,藉此减少外表面上的表面电荷。
实施例可包括如下特征的一个或多个。导电涂层可以是铱。导电涂层可以是铬。导电涂层可具有50nm或更少的厚度。导电涂层可位于孔口的一部分上。导电涂层可位于管的内表面上。此装置可包括耦合到管的调制器,且该调制器可被配置为以调制频率偏转所述管。导电涂层可位于调制器的外表面上。导电涂层可位于管的侧壁和第二端的一部分上。
在一些实施例中,此装置可包括接收管的第一端的导电配件,以及在该导电配件和位于管侧壁外表面上的导电涂层的一部分之间的导电连接。导电涂层可以是该导电连接。导电连接可以是与金属配件和导电涂层直接物理接触的截然不同的金属元件。
靶材料可以是熔锡。靶材料液滴流可从孔口出行向着接收激光束的靶区域行进,且液滴流中的第一液滴和液滴流中的第二液滴可在不同的时间通过靶区域的大体相同的空间位置。
在另一个总的方面,递送极紫外(EUV)光源的靶材料液滴流的组件被涂覆。此组件包括管,该管具有外表面、第一端、以及限定了孔口的第二端,其中该外表面的至少一部分为电绝缘,且孔口被配置为使得压缩的靶材料通过来产生靶材料小滴流。该组件被置于包括金属材料的源的腔室内。组件以相对金属材料的源呈角度地被放置,且侧壁外表面的至少一部分和第二端被涂覆以金属材料,其中选择源和该组件之间的距离以调整涂层的厚度。
实施例可包括如下特征中的一个或多个。金属材料可以是铬。金属材料可以是铱。涂层的厚度可小于50nm。涂层的厚度可在10nm和50nm之间。金属蒸汽可被生成于腔室内,且用金属材料涂覆侧壁外表面的至少一部分和第二端可包括将金属蒸汽溅射到侧壁的外表面和第二端上。孔口的内部可被涂覆达孔口宽度一半的距离。金属蒸汽可被溅射到侧壁的外表面和第二端上达30秒到1分钟之间的曝光时间。在用金属材料涂覆毛细管的外侧壁的部分和第二端之后,调制器可被耦合至毛细管。置于腔室内的组件可包括耦合到毛细管的调制器,且该调制器的外表面的至少一部分可用金属材料涂覆。调制器可包括围绕着毛细管的侧壁一部分的压电管。
在另一个总的方面,在极紫外(EUV)光源中生产靶材料液滴流包括将绝缘管外表面上的金属涂层电接地、向与绝缘管流体连通的贮液器内的靶材料施加压力、通过管的第一端接收增压靶材料、并使得靶材料通过由管的第二端限定的孔口来生产液滴流。液滴在真空腔室内朝靶区域行进,其中靶区域配置为接收足以将靶材料液滴转化为离子态的激光束,且流中的第一液滴和流中的第二液滴在不同时间通过靶区域的大体上相同的空间位置。
实施例可包括如下或其它特征。压力可为至少4000psi。
任意如上所述的技术的实施例可包括靶材料供应装置、喷嘴组件、EUV光源、EUV系统、配套元件、方法、过程、设备、或装置。一个或多个实施例的细节在如下附图和描述中有详解。其它特征将在描述和附图、以及权力要求中显而易见。
图示描述
图1为激光产生等离子体极紫外光源的框图。
图2A为示例性靶材料供应装置的侧视图。
图2B为图2A的靶材料供应装置的侧视图,其中在装置的一部分上具有表面电荷。
图3A为具有导电涂层的示例性靶材料供应装置的侧视图。
图3B为图3A取切面3B-3B的靶材料供应装置的管的剖视图。
图4为具有导电涂层的另一示例性靶材料供应装置的侧视图。
图5为具有导电涂层的另一示例性靶材料供应装置的侧视图。
图6为溅射腔室示例的图示。
图7为用于金属化靶材料供应装置的过程。
图8A和8B为另一示例性靶材料供应装置的透视图。
图9为用于在EUV光源中使用经金属化的靶材料供应装置的示例性过程。
描述
公开了具有导电表面或涂层的靶材料供应装置或喷嘴组件。此装置被用于在极紫外(EUV)光源中产生靶材料液滴。装置包括电绝缘管,该电绝缘管使得增压靶材料通过孔口来生产靶材料(分解成液滴流)的连续流。当用激光束照射时,液滴被转换为等离子态并发出EUV光。
因为包含于绝缘管内且通过绝缘管的靶材料通常是导电的,预计所述绝缘管将没有或具有很少的表面电荷,且离开管的靶材料几乎没有携带电荷。不过,经验证据表明表面电荷可意外地在绝缘管的表面上积聚,且离开的靶材料可具有电荷。当液滴从孔口行进至接收激光束的靶区域时,液滴上的电荷可导致液滴偏离它们的预期轨迹。因为液滴到等离子态的转换取决于照射液滴的激光束,通过增加被成功地照射为等离子态的液滴的数量,靶区域内的小滴的一致的空间放置可改进EUV光源的性能。
此外,可通过产生与泵浦激光的脉冲完全相同的速率(或频率),或几乎相同速率的液滴来改进EUV光源的性能。相比从喷嘴出现的靶材料的连续流最初中断的液滴的速率,泵浦激光的脉冲典型地具有低得多的重复率(或频率)。具有较低速率,更接近泵浦激光的速率的较大的液滴,可通过选择调制方案来形成,其中小的初始液滴具有迫使多个小的初始液滴合并并持续地形成具有与激光脉冲相同速率的较大液滴的相对速率。可是,由于小滴间的库伦排斥,绝缘管上表面电荷的出现和小的初始液滴里的电荷可阻碍以激光脉冲的速率形成较大液滴。库伦排斥导致附加力,其推动液滴分离并在垂直于液滴流的方向上使它们移位。移除或减少绝缘管上的表面电荷可有助于使初始小液滴在相同的线性轨迹上对齐并使得它们更可能合并为具有速率接近泵浦激光速率的较大液滴。
如下更详细讨论的,在绝缘管的表面上包括金属部分,诸如金属涂层,可通过允许绝缘管的表面接地来减少或消除表面电荷。因此,在绝缘管上包括金属部分可提供EUV光源的改善的效率。进一步地,因为初始小液滴的电荷的效果可随着靶材料上的操作压力的增加而愈明显,导电涂层可允许EUV光源在更高的操作压力下进行,诸如,举例来说,4000磅-每-平方英寸(psi)或更高。
在提供靶材料供应装置的更详细的描述之前,将首先描述LPP EUV光源的零件的描述。
参考图1,用沿着朝向靶位置105行进的放大的光束110来照射在靶位置105处的靶混合物114来形成LPP EUV光源100。靶位置105,也被称为照射部位,位于真空腔室130的内部107内。当放大光束110撞击靶混合物114时,靶混合物114内的靶材料被转换为具有发射谱线在EUV范围内的元素的等离子态。所创造的等离子体具有特定特性,这些特性取决于靶混合物114内的靶材料的构成。这些特性可包括由等离子体所产生的EUV光的波长和从等离子体所释放出的碎片的类型和量。
光源100还包括靶材料递送系统125,该系统递送、控制、并引导靶混合物114(以流体液滴、流体流、固体颗粒或簇、包含于流体液滴内的固体颗粒或包含于流体流内的固体颗粒的形式)。靶混合物114包括靶材料,诸如举例来说,水、锡、锂、氙、或被转换为等离子态时具有EUV范围内的发射谱线的任意材料。例如,元素锡可被用作纯锡(Sn);作为锡化合物,例如,SnBr4,SnBr2,SnH4;作为锡合金,例如,锡-镓合金,锡-铟合金,锡-铟-镓的合金,或者这些合金的任意组合。靶混合物114还可包括诸如非靶颗粒之类的杂质。因此,在其中没有杂质的情况下,靶混合物114仅由靶材料组成。靶混合物114通过靶材料递送系统125递送到真空腔室130的内部107内并到达靶位置105。
光源100包括驱动激光系统115,由于激光系统115的增益介质或多个介质中的粒子数反转,该光源产生放大光束110。光源100包括位于激光系统115和靶位置105之间的光束递送系统,该光束递送系统包括光束传输系统120和聚焦组件122。光束传输系统120接收来自激光系统115的放大光束110,并按需要导向(steer)和修改放大光束110然后将放大光束110输出到聚焦组件122。聚焦组件122接收放大光束110并将光束110聚焦至靶位置105。
在一些实施例中,激光系统115可包括一个或多个光学放大器、激光器、和/或用于提供一个或多个主脉冲(且在某些情况下,一个或多个预脉冲)的照射器。每个光学放大器包括能够以高增益光学地放大期望波长的增益介质、激励源、和内部光学器件。光学放大器可具有或没有激光镜或形成激光腔的其它反馈设备。因此,即使没有激光腔由于激光放大器的增益介质中的粒子数反转,激光系统115产生放大光束110。而且,如果有激光腔对激光系统115提供足够的反馈,激光系统115可产生作为相干激光束的放大光束110。术语“放大光束”包含如下中一项或多项:仅被放大但不一定是相干激光振荡的来自激光系统115的光、和既被放大又是相干激光振荡的来自激光系统115的光。
激光系统115中的光学放大器可包括作为增益介质的包括CO2的填充气体和可以大于或等于1000的增益来放大波长介于大约9100和大约11000nm之间(且特别地,在大约10600nm)的光。用于激光系统115的合适的放大器和激光器可包括脉冲激光设备,例如,例如,用DC或RF激励、在相对高功率(例如,10kW或更高)、和高脉冲重复频率(例如,50kHz或更大)下操作产生辐射在大约9300nm或大约10600nm的脉冲的、气体放电CO2激光设备。激光系统115中的光学放大器还可包括冷却系统,例如当在更高功率下操作激光系统115时可使用的水。
光源100包括集光镜(collector mirror)135,该集光镜具有孔(aperture)140以允许放大光束110穿过并到达靶位置105。集光镜135可以是,例如,在靶位置105处具有主焦点且在中间位置145处具有次焦点(也称为中间焦点)的椭球面镜,其中EUV光可从光源100被输出且可被输入,例如,集成电路光刻工具(未示出)。光源100还可包括开放式、中空的锥形罩(shroud)150(例如,气锥),该锥形罩从集光镜135朝向靶位置105逐渐变细,以减少进入聚焦组件122和/或光束传输系统120的等离子体生成的碎片的量,同时允许放大光束110到达靶位置105。为此目的,可在该锥形罩内提供朝向靶位置105的气流。
光源100还可包括主控制器155,该主控制器连接到液滴位置检测反馈系统156、激光控制系统157、以及光束控制系统158。光源100可包括一个或多个靶或液滴成像器160,该成像器提供指示液滴位置的输出,例如,相对于靶位置105的液滴位置的输出并将此输出提供给液滴位置检测反馈系统156,该反馈系统可,举例来说,计算液滴位置和轨迹,从该液滴位置和轨迹中可逐液滴地或平均计算液滴位置误差。液滴位置检测反馈系统156因此提供此液滴位置误差作为给主控制器155的输入。主控制器155可因此将激光位置、方向、以及时序校正信号,例如,提供给激光控制系统157,该激光控制系统可被用于,举例来说,控制激光时序电路,和/或提供给光束控制系统158来控制放大光束位置并光束传输系统120的修整来改变真空腔室130内的光束焦点的位置和/或焦度。
靶材料递送系统125包括靶材料递送控制系统126,该递送控制系统可操作响应于来自主控制器155的信号,例如,修改当由递送装置127释放时液滴的释放点,从而修正液滴到达达期望靶位置105时的误差。
此外,光源100可包括测量一个或多个EUV光参数的光源检测器165,这些参数包括但不限于,脉冲能量、因变于波长的的能量分布、特定波段内的能量、特定波段外的能量、以及EUV强度的角向分布和/或平均功率。光源检测器165生成反馈信号供主控制器155使用。反馈信号可以是,例如,指示参数中的误差,诸如激光脉冲的时序和聚焦,从而在准确的地点和时间恰当地拦截液滴用于有效和高效的EUV光生产。
光源100还可包括引导激光175,该引导激光可被用于使得光源100的不同部分对齐或帮助将放大光束110导向靶区域105。连同引导激光175,光源100包括被置于聚焦组件122内的计量系统124,采样来自引导激光175和放大光束110的光的一部分。在其它实现中,计量系统124被置于光束传输系统120内。计量系统124可包括采样或重新定向光的子集的光学元件,这样的光学元件由可经受得住引导激光束和放大光束110的功率的任意材料制造而成。光束分析系统由计量系统124和主控制器155构成,因为主控制器155分析来自引导激光175的采样的光并使用此信息通过光束控制系统158来调整聚焦组件122内的零件(component)。
因此,总的来说,光源100产生放大光束110,该放大光束110沿着光路被引导来照射位于靶位置105的靶混合物114,从而将靶混合物114内的靶材料转换为发出EUV范围内的光的等离子体。放大光束110以特定波长(也被称为源波长)操作,该特定波长基于激光系统115的设计和特性所确定。此外,当靶材料向激光系统115提供回足够反馈来产生相干激光时或者如果驱动激光系统115包括合适的光学反馈来形成激光腔,放大光束110可以是激光束。
如下所讨论,发射靶混合物114的递送装置127可包括靶材料供应装置,该供应装置具有表面涂覆以导电材料的绝缘管。当连接到地或小的DC电位时,导电涂层允许绝缘管的表面上的表面电荷被移除或大体上减少。
参考图2A,靶材料供应装置200的剖视侧视图被示出。装置200包括保存(hold)增压流体210的贮液器205以及与贮液器205通过开口207保持流体连通的毛细管220。施加至流体210的压力可以是,例如,介于2000磅每平方英寸(psi)和10,000psi之间。流体210为导电的且可以是,例如,熔融金属(molten metal),诸如锡。毛细管220由绝缘材料制成,诸如玻璃。玻璃可以是,举例来说,熔融石英(fused silica)或石英。
毛细管220包括接收熔融金属210的第一端222、侧壁224、以及限定孔口(orifice)228的第二端226。压力导致熔融金属210流动通过开口207并进入毛细管220的第一端222,其中熔融金属210被迫使通过孔口228并作为连续流240离开。随着连续流240远离孔口228且朝向靶区域105移动,连续流240分成转而合并为较大液滴244的初始小液滴242,这些较大液滴的一个或多个被放大光束110轰击并转化为等离子态来生成EUV光。理想地,连续流240、初始小液滴242、以及较大最终液滴244在“Z”方向上对齐并沿着从孔口228到靶区域105的预期轨迹“TE”行进。
装置200还可包括电可致动元件260。电可致动元件260可以是,例如,压电元件。电可致动元件260被可操作地耦合到靶材料210和驱动电可致动元件260的信号发生器265。在图2A的示例中,电可致动元件260耦合到管220来偏转管220并干扰流240。例如,当被驱动时,电可致动元件260可以一个或多个频率有选择地挤压或以其他方式移动管220。电可致动元件在2012年4月17日发布的美国专利No.8158960中被讨论,其在通过引用将其全部内容结合至此。
参考图2B,尽管导电流体通过毛细管220,表面电荷235可意外地积聚在毛细管220的外表面221上。例如,带电微粒235可积聚于侧壁224、第二端226的外表面上,和或电可致动元件260的电绝缘部分上。
表面电荷235的出现可导致初始小液滴242的空间位置在“X”和“Y”方向上偏离期望轨迹“TE”。例如,表面电荷235可积聚和自发放电,创建引起液滴242偏离其期望路径的电场。作为结果,初始金属液滴242没有在“Z”方向上对齐,且因此,液滴流可错失相对于照射激光束的最佳列队(alignment)。进一步,由表面电荷235诱发的电场可电极化连续流240并因此对初始金属液滴242充电。经充电的液滴彼此排斥,此举可进一步阻碍初始小液滴242的合并。
参考图3A,示例性靶材料供应装置300包括具有金属涂层330的毛细管320。装置300可以是关于图1所讨论的递送装置127的全部或部分。毛细管320由电绝缘材料(例如石英)制成。金属涂层330允许毛细管320的表面被电接地或连接至小的DC电位来移除或减少毛细管320的外表面上的表面电荷。通过移除或减少表面电荷,由装置300所产生的导电液滴在靶区域105内具有更一致的空间位置且更倾向于合并为具有与放大光束110内脉冲频率相同或几乎相同的频率的较大液滴。
在装置300中,毛细管320包括侧壁324、第二端326、和第一端322。侧壁324位于第一端322和第二端326之间。第二端326包括喷嘴327,喷嘴限定了孔口328(增压靶材料通过该孔口并形成被分成独立液滴(未示出)的连续喷雾)。孔口328可具有,例如,大约1um到大约30um的直径“d”。第一端322被接收在接地的金属配件340内。金属配件340被直接或间接地耦合至保存增压靶材料的贮液器(未示出)。
位于毛细管320的外表面上的金属涂层330沿侧壁324的外表面延伸、位于在第二端326的外表面上。金属涂层330还可延伸到孔口开口内。金属涂层330通过导电元件350(诸如导电电线)电连接到金属配件340。在一些实现中,金属涂层330还可通过直接的物理接触,连接到金属配件340来提供毛细管320和地之间的两路电连接。
装置300还包括电可致动元件360,当电可致动元件被驱动时,在流动通过毛细管320的靶材料中产生干扰。电可致动元件360可以是,例如,压电的。在图3A中所示的示例中,在金属涂层330被置于毛细管320之上后,电可致动元件360被置于毛细管320上。
图3B示出沿切面3B-3B所取的管320的横断面图。在图3B的示例中,管320不包括靶材料。如图3B中所示,金属涂层330在侧壁324上,且喷嘴327限定了孔口328。
参考图4,另一个示例性靶材料供应装置400包括在外表面上具有金属涂层430的毛细管420。毛细管420由电绝缘的材料(譬如石英)制成。金属涂层430允许毛细管420被电连接到地或小DC电位来移除或减少毛细管420的外表面上的表面电荷。毛细管420包括侧壁424、第二端426、以及第一端422。第二端426包括限定了孔口428的喷嘴427,且第一端422被接收在接地的金属配件440内。金属配件440被直接或间接地,耦合到保存增压靶材料的贮液器(未示出)。
装置400类似于装置300(图3A和3B),除了在装置400中,没有将金属涂层430电连接至金属配件440的明显的导电元件。而是,金属涂层430覆盖第二端426的外表面的至少一部分并沿着侧壁424的整个长度延伸,来通过金属配件440和金属涂层430的物理接触直接连接到金属配件440。因此,装置400的第二端426通过金属涂层430而不需要附加元件(例如图3A中所示的金属导线350)接地。
装置400还可包括电可致动元件460,电可致动元件在流动通过毛细管420的熔融金属中产生干扰。电可致动元件460可以是,例如,压电的。在图4中所示的示例中,金属涂层430在毛细管420上,且在金属涂层430被置于毛细管420之上后,电可致动元件460被置于毛细管420上。
参考图5,另一示例性靶材料供应装置500的侧透视图被示出。装置500包括毛细管520、电可致动元件560、以及金属配件540。毛细管520和电可致动元件560至少部分地由绝缘材料制成,例如石英。毛细管520包括限定孔口528的端526。增压靶材料从贮液器(未示出)流到毛细管520并通过孔口528离开管520。离开孔口528的靶材料形成液滴,如上所讨论过的。
装置500与装置300(图3A和3B)以及装置400(图4)的不同之处在于金属涂层530被置于电可致动元件560和毛细管520之上。由电可致动元件560所覆盖的毛细管520的部分也可包括金属涂层。金属涂层530可以,但无须,覆盖由毛细管520和电可致动元件560构成的装置500的部分的整个外表面。金属涂层530可被接地来将积聚的表面电荷从管520的表面移除。
为了将金属涂层530连接到地,导电元件550被连接到金属配件540(其为系统接地)且连接到金属涂层530。例如,导电元件550可以是柔性金属导线,其一端缠绕在毛细管520上并接触金属涂层530,而导线的另一端缠绕着作为金属配件的一部分的或与金属配件电接触的金属元件。附加地或可选地,金属丝可缠绕靠近孔口528的毛细管520的部分。
参照图6和7,示出用于金属化靶材料供应装置的电绝缘部分的示例技术。图6示出溅射镀膜机600,其中放置了靶材料供应装置620用于加工。图7示出用金属涂层涂覆靶材料供应装置的示例流程700。可用腔室溅射镀膜机600执行流程700。溅射镀膜机600可以是,例如,来自新泽西Moorestown的Denton Vacuum(丹顿真空)的涡轮溅射镀膜机(Turbo Sputter Coater)。
溅射镀膜机600包括具有沿着“z”方向喷射材料607的溅射靶材605的腔室602。材料607可以是导电材料。例如,材料607可以是铬、铱、或任意其它金属材料。材料607在靶材供应装置620的外表面上形成金属涂层(或金属层)610。涂层610也可延伸到喷嘴孔口内达较短距离。装置620还包括管626,由电绝缘材料制成,以及围绕着管626的一部分的压电元件628。压电元件628具有外表面,且至少该表面的一部分是绝缘的。装置620包括正面622和侧面624。
装置620由夹具630夹持于腔室602内。夹具630以相对于方向“z”呈角度“A”来夹持装置620。以角度“A”夹持装置620使得形成涂层610的金属材料607落在装置620的正面622和侧面624上。
参考图7,流程700可被用于用腔室602对装置620金属化。装置620被置于腔室602内(710)。装置620被以角度“A”定位(720)。以角度“A”定位装置620有助于确保从表面622到表面624的连续导电路径的沉积。进一步地,通过在腔室601内以角度“A”定位装置620,金属材料607被置于装置620的正面622和侧面624上。
溅射靶材605释放金属材料607来涂覆装置620的正面622和侧面624的外表面的至少一部分(730)。装置620可被暴露于溅射金属材料607达大约30秒到1分钟。一旦装置620被暴露于金属材料607,金属涂层610出现于绝缘管626的外表面和压电元件628上。金属涂层610形成连续导电路径,路径的一端在正面622上而另一端在侧面624上。金属涂层610也可涂覆位于装置620的内的一侧629的一部分。
尽管图6中所示的金属涂层610是在装置620的不止一面上,却并不一定如此。例如,金属涂层610可以形成为一端在正面622上而另一端在侧面624上的连续导电带,而没有覆盖正面622或侧面624的整个外表面。
装置620的暴露时间和距溅射靶材605距离决定金属涂层610的厚度,且该厚度被选择使得金属涂层610不会阻塞孔口627。孔口627可具有大约1到30μm的直径。在使用中,装置620通过使增压的熔融金属从孔口627通过来产生金属液滴流。因此,金属涂层610被形成为足够薄从而孔口627不会被阻塞,但又足够厚从而在金属涂层610的任意两点间形成连续导电路径。例如,金属涂层610可具有大约10到50nm的厚度。因为金属涂层610足够薄使得孔口627不会被阻塞,可被用在管上其中孔口直径远大于孔口627的直径(例如,一个数量级或远大于孔口627的直径)的涂覆方法不适用于或可修改用于实现过程700。
金属涂层610的厚度不必一致,但金属涂层610具有的厚度自始至终(throughout)能够维持电导率而不阻塞孔口627。金属涂层610的额定厚度由从溅射靶材605到装置620的正面622的距离“d”且由暴露时间所确定。例如,为了制作10到50nm厚的金属涂层,溅射靶材605和正面622之间的距离“d”可以是大约2英寸(5.08cm)而暴露时间可在大约30秒到1分钟之间。
在图6和7的示例中,在施加金属涂层610前压电元件被耦合至装置的管,导致压电元件的外表面也具有金属涂层610。不过,在某些实现中,例如图8A和8B中所示的示例,可在用金属涂覆管后压电元件再耦合至装置的管。
参考图8A和8B,示例装置800包括耦合至管820的压电元件810。在金属涂层822被施加到管820的端826和侧壁824后,压电元件810耦合至管820。端826限定了孔口828。金属涂层822没有阻塞孔口828。
在图8A和8B所示的示例中,压电元件810为圆筒状,且具有限定了圆形或环形开口812的侧壁811(开口在直径上宽到足够围绕管820的外表面)。压电元件810的开口812在管820上滑过来将压电元件810耦合至管820。压电元件810和管820可用粘合剂进一步耦合在一起。
压电元件810包括导线(未示出),其连接至驱动压电元件810的驱动器。在金属涂层822被施加于管820之后将压电元件810耦合至管820可有助于减少导线通过与金属涂层822的无意接触而使导线被接地或短路的发生。管820的表面的绝缘部分可被单独地金属化来避免或减少压电元件810的外表面上的表面电荷的积聚。
参考图9,用于在EUV光源中产生靶材料液滴流的示例过程900被示出。示例过程900可用EUV光源100(图1)执行。示例过程900参考作为产生靶混合物114的递送装置127的全部或部分的装置300(图3A和3B)进行讨论。不过,过程900可用作为递送装置127的全部或部分的装置300、400、500、620、以及800的任意一个来指向。
位于绝缘毛细管320的外表面上的金属涂层330被连接到地(910)。金属涂层330接地移除或减少毛细管320的表面上的表面电荷。金属涂层330可通过将导电元件350(例如柔性金属线)连接至金属涂层330和连接至接地的EUV光源100的一部分来接地。例如,金属配件340被接地。因此,通过使元件350环绕侧壁324的外面和环绕金属配件340上的导电元件,导电元件350可被电接地。
在其它实现中,金属涂层330被通过物理接触将金属涂层330直接连接至金属配件340来接地。例如,金属涂层330可被形成于第二端326上并沿着侧壁324的整个长度,并随后直接连接到金属配件340来建立这样的直接连接。在其它实现中,金属涂层330被通过直接连接和用单独的导电元件(例如柔性金属线)两者来接地。在一些情况下,代替被连接到地,金属涂层330可被连接到小DC电位。例如,金属涂层330可被连接到为负的DC电位来更快地移除在管320的表面上形成的正电荷。
压力被施加至保存在与毛细管320的端部保持流体连通的贮液器内的流体(920)。流体为通过毛细管320内孔口328转变为液滴(或靶材)的流的靶材料。当被放大光束110照射时,靶材料液滴流内的液滴产生EUV光。靶材料可以是,例如,锡、锂、氙、或这些金属的组合。元素锡可用作纯锡,用作锡化合物例如SnBr4、SnBr2、SnH4,或用作锡合金,如锡-镓、锡-铟、锡-铟-镓合金。施加至靶材料的压力(或操作压力)可以是至少2000psi,并可高达10000psi。例如,所施加的压力可以是2000psi、2500psi、或者4000psi。压力使得靶材料从贮液器流出并通过毛细管320的第一端318被接收(930)。靶材料通过毛细管320并通过孔口328离开以生成液滴流(940)。靶材料作为连续喷射流离开孔口328,并随后打散成独立液滴的流。
还参考图1,靶液滴在真空腔室130中行进到接收放大光束110的靶区域105。当激光束照射液滴时,液滴被转换为发射EUV光的等离子体。液滴一个接一个地通过靶区域105,于是,因此,每个液滴在不同时间通过靶区域105。与管320及靶区域105之间的预期轨迹相比,由于管320的表面接地,流内液滴的空间位置不变,或仅轻微地改变。因此,当第一液滴通过靶区域105时第一液滴的空间位置基本上与第二液滴在稍后通过靶区域105时的空间位置相同。例如,流内液滴的每一个在其通过靶区域(距装置25cm)时的空间位置的标准偏差可小于10μm。标准偏差可为大约5μm或更少。在另一示例中,流内液滴在其通过靶区域时的空间位置的标准偏差使得放大光束110照射大多数单独液滴并转化为等离子体。
其它实现在如下权利要求的范围内。例如,可在溅射镀膜机600的腔室602内同时涂覆多个喷嘴组件。靶材料供应装置300、400、500、620、和800的任何绝缘管可由金属或其它导电材料制成。靶材料供应装置300、400、500、620、和800的任何绝缘管可被用作图1的递送装置127的所有或部分。如上所讨论的任意金属涂层可由任意金属导电材料或来自导电材料的组合制成。每个管320、420、520、626、和820限定了通道。此通道可具有任意形状的横截面。靶材料可以是熔融金属。例如,靶材料可以是熔融的锡。
Claims (27)
1.一种极紫外(EUV)光源的靶材料供应装置,所述装置包括:
管,所述管包括第一端、第二端、以及限定在第一和第二端之间的侧壁,其中所述管的外表面的至少一部分包括电绝缘材料,所述第一端接收增压的靶材料,且所述第二端限定了孔口,所述增压的靶材料通过所述孔口来产生靶材料液滴流;以及
位于所述管的外表面上的导电涂层,所述涂层被配置为将所述管的外表面电连接到地,藉此减少外表面上的表面电荷。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电涂层为铱。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电涂层为铬。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电涂层具有50nm或更少的厚度。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电涂层位于所述孔口的一部分上。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电涂层位于所述管的内表面上。
7.如权利要求1所述的装置,进一步包括耦合到所述管的调制器,所述调制器被配置为以调制频率偏转所述管。
8.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述导电涂层位于所述调制器的外表面上。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电涂层位于所述管的侧壁和第二端的一部分上。
10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
接收所述管的第一端的导电配件;以及
位于所述导电配件和所述管的侧壁的外表面上的导电涂层的一部分之间的导电连接。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述导电涂层为所述导电连接。
12.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述导电连接为与金属配件和导电部件直接物理接触的不同金属元件。
13.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述靶材料为熔融的锡,且第二端限定孔口,所述熔融的锡通过所述孔口以产生锡液滴流。
14.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述靶材料液滴流从孔口朝向接收激光束的靶区域行进,且液滴流中的第一液滴和液滴流中的第二液滴在不同时间通过靶区域的大体相同的空间位置。
15.一种用于涂覆组件的方法,所述组件递送极紫外(EUV)光源的靶材料液滴流,所述方法包括:
将所述组件置于包括金属材料源的腔室内,所述组件包括管,所述具有外表面、第一端、以及限定孔口(配置为通过增压的靶材料来生成靶材料液滴流)的第二端,其中所述外表面的至少一部分电绝缘,且所述孔口配置为增压的靶材料通过所述孔口来生成靶材料液滴流;
相对于所述金属材料源呈一定角度定位所述组件;且
用金属材料涂覆侧壁外表面和第二端的至少一部分,其中源和所述组件之间的距离被选择用来调整涂层的厚度。
16.如权利要求15所述的方法,其特征在于,涂层的厚度小于50nm。
17.如权利要求15所述的方法,其特征在于,进一步包括在腔室内生成金属蒸汽,且其中用金属材料涂覆侧壁的外表面和第二端的至少一部分包括将金属蒸汽溅射到侧壁的外表面和所述第二端。
18.如权利要求17所述的方法,其特征在于,进一步包括涂覆孔口的内部达孔口宽度一半的距离。
19.如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述金属蒸汽被溅射到侧壁的外表面和第二端上达在30秒到1分钟之间的暴露时间。
20.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述金属材料为铬。
21.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述金属材料为铱。
22.如权利要求15所述的方法,其特征在于,进一步包括,在用金属材料涂覆毛细管的外侧壁和第二端的一部分之后,将调制器耦合至毛细管。
23.如权利要求15所述的方法,其特征在于,进一步包括,被置于腔室内的组件进一步包括耦合到毛细管的调制器,且调制器的外表面的至少一部分被涂覆以金属材料。
24.如权利要求23所述的方法,其特征在于,所述调制器包括围绕毛细管的侧壁的部分的压电管。
25.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述涂层的厚度在大约10nm和50nm之间。
26.一种用于在极紫外(EUV)光源中产生靶材料液滴流的方法,所述方法包括:
将绝缘管的外表面上的金属涂层电连接到地;
向保存在与所述绝缘管流体连通的贮液器内的靶材料施加压力;
通过管的第一端接收增压的靶材料;以及
使得靶材料通过由管的第二端限定的孔口以产生液滴流,其中
在真空腔室中朝着靶区域行进的液滴被配置为接收足够的光束来将靶材料液滴转换为等离子体,且流内的第一液滴和流内的第二液滴在不同时间通过靶区域内大体相同的空间位置。
27.如权利要求26所述的方法,其特征在于,所述压力至少为4000psi。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105333953A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-02-17 | 华中科技大学 | 一种可调谐宽波段激光等离子体极紫外光源 |
CN108827994A (zh) * | 2018-06-04 | 2018-11-16 | 西安交通大学 | 一种车载加速器中子源固态锂靶系统 |
CN113170566A (zh) * | 2018-10-29 | 2021-07-23 | Asml荷兰有限公司 | 用于延长目标材料递送系统寿命的装置和方法 |
CN113634383A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-11-12 | 江汉大学 | 一种基于电场力诱导的极紫外光源液滴靶发生装置及方法 |
CN114555537A (zh) * | 2019-10-17 | 2022-05-27 | Asml荷兰有限公司 | 液滴生成器喷嘴 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9392678B2 (en) * | 2012-10-16 | 2016-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source |
US10268128B2 (en) * | 2015-07-08 | 2019-04-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US10880979B2 (en) * | 2015-11-10 | 2020-12-29 | Kla Corporation | Droplet generation for a laser produced plasma light source |
WO2017121573A1 (en) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Asml Netherlands B.V. | Droplet generator for lithographic apparatus, euv source and lithographic apparatus |
US9755396B1 (en) * | 2016-11-29 | 2017-09-05 | Asml Netherlands B.V. | EUV LPP source with improved dose control by combining pulse modulation and pulse control mode |
US10499485B2 (en) | 2017-06-20 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Supply system for an extreme ultraviolet light source |
TWI634391B (zh) * | 2017-06-23 | 2018-09-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 噴嘴模組、微影裝置及其操作方法 |
TWI770256B (zh) * | 2018-08-24 | 2022-07-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 微影設備以及微影方法 |
WO2020068598A1 (en) | 2018-09-24 | 2020-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Target formation apparatus |
NL2024324A (en) * | 2018-12-31 | 2020-07-10 | Asml Netherlands Bv | Apparatus for controlling introduction of euv target material into an euv chamber |
CN111460246B (zh) * | 2019-12-19 | 2020-12-08 | 南京柏跃软件有限公司 | 基于数据挖掘和密度检测的实时活动异常人员发现方法 |
WO2023066650A1 (en) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | Asml Netherlands B.V. | Fuel droplet nozzle assembly |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1800307B1 (de) * | 1968-10-01 | 1970-06-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines metallischen Mehrschichtenverbundrohres |
AU507748B2 (en) * | 1976-06-10 | 1980-02-28 | University Of Sydney, The | Reactive sputtering |
DE3643088A1 (de) * | 1986-12-17 | 1988-06-30 | Flabeg Gmbh | Fernseh-bildroehre mit verbundfrontscheibe |
US7465946B2 (en) | 2004-03-10 | 2008-12-16 | Cymer, Inc. | Alternative fuels for EUV light source |
US7405416B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
US7897947B2 (en) | 2007-07-13 | 2011-03-01 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave |
US6912267B2 (en) * | 2002-11-06 | 2005-06-28 | University Of Central Florida Research Foundation | Erosion reduction for EUV laser produced plasma target sources |
US7449703B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-11-11 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling |
US7367138B2 (en) * | 2005-10-11 | 2008-05-06 | Nikon Corporation | Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles |
US8158960B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-04-17 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
DE102006044591A1 (de) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Anordnung, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie, sowie reflektives optisches Element mit verminderter Kontamination |
JP5001055B2 (ja) | 2007-04-20 | 2012-08-15 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
US7872245B2 (en) * | 2008-03-17 | 2011-01-18 | Cymer, Inc. | Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
JP2010062141A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-03-18 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
JP5551426B2 (ja) | 2008-12-19 | 2014-07-16 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
JP5739099B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2015-06-24 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、その制御システム、その制御装置およびその制御回路 |
US8837679B2 (en) | 2009-04-03 | 2014-09-16 | Excillum Ab | Supply of a liquid-metal target in X-ray generation |
GB2470049B (en) | 2009-05-07 | 2011-03-23 | Zeiss Carl Smt Ag | Optical imaging with reduced immersion liquid evaporation effects |
DE102009020776B4 (de) * | 2009-05-08 | 2011-07-28 | XTREME technologies GmbH, 37077 | Anordnung zur kontinuierlichen Erzeugung von flüssigem Zinn als Emittermaterial in EUV-Strahlungsquellen |
JPWO2010137625A1 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-11-15 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置 |
WO2011000622A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Spectral purity filter, lithographic apparatus, and method for manufacturing a spectral purity filter |
WO2011013779A1 (ja) | 2009-07-29 | 2011-02-03 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
CN102484938B (zh) * | 2009-09-01 | 2014-12-10 | 株式会社Ihi | 等离子体光源 |
US20120280148A1 (en) | 2010-01-07 | 2012-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Euv radiation source and lithographic apparatus |
JP5726587B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2015-06-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置 |
JP5802465B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-10-28 | ギガフォトン株式会社 | ドロップレット生成及び検出装置、並びにドロップレット制御装置 |
JP5921876B2 (ja) | 2011-02-24 | 2016-05-24 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP6057221B2 (ja) | 2011-04-05 | 2017-01-11 | イーティーエイチ・チューリッヒ | 液滴供給装置および該液滴供給装置を備える光源 |
JP2011253818A (ja) * | 2011-07-13 | 2011-12-15 | Komatsu Ltd | ターゲット供給装置 |
US9392678B2 (en) * | 2012-10-16 | 2016-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source |
-
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-
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-
2016
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105333953A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-02-17 | 华中科技大学 | 一种可调谐宽波段激光等离子体极紫外光源 |
CN105333953B (zh) * | 2015-10-13 | 2017-09-15 | 华中科技大学 | 一种可调谐宽波段激光等离子体极紫外光源 |
CN108827994A (zh) * | 2018-06-04 | 2018-11-16 | 西安交通大学 | 一种车载加速器中子源固态锂靶系统 |
CN108827994B (zh) * | 2018-06-04 | 2020-06-19 | 西安交通大学 | 一种车载加速器中子源固态锂靶系统 |
CN113170566A (zh) * | 2018-10-29 | 2021-07-23 | Asml荷兰有限公司 | 用于延长目标材料递送系统寿命的装置和方法 |
CN114555537A (zh) * | 2019-10-17 | 2022-05-27 | Asml荷兰有限公司 | 液滴生成器喷嘴 |
CN113634383A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-11-12 | 江汉大学 | 一种基于电场力诱导的极紫外光源液滴靶发生装置及方法 |
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