CN104883154A - 一种衰减器电路结构 - Google Patents
一种衰减器电路结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104883154A CN104883154A CN201510284696.XA CN201510284696A CN104883154A CN 104883154 A CN104883154 A CN 104883154A CN 201510284696 A CN201510284696 A CN 201510284696A CN 104883154 A CN104883154 A CN 104883154A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- attenuator
- attenuation
- circuit structure
- circuit
- attenuator circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
本申请公开的一种衰减器电路结构包括由3个电阻组成的T型衰减电路,T型衰减电路的非并联接地支路采用一个场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)作为开关,T型衰减网络的接地并联支路采用串联的两个FET作为开关。采用串联的两个FET作为T型衰减网络并联接地支路的开关,一方面,当衰减器处于参考态时,大大降低了微波信号泄漏到衰减电路的可能性,另一方面,当衰减器处于衰减态时,两个FET作为衰减器电路的一部分,也提高了衰减器的衰减范围。为了进一步减小衰减器尺寸,该衰减器电路结构采用单片微波集成电路形式,使电路尺寸控制在芯片级,便于与其他元器件集成。
Description
技术领域
本申请属于通信技术领域,具体涉及一种衰减器电路结构的设计。
背景技术
微波数字衰减器是实现微波增益控制的一种主要元件,在微波通信系统中起到了非常重要的作用。数字衰减器具有工作频带宽,衰减精度高,驻波较好,衰减动态范围大,稳定性好以及易于控制等优点因而被广泛采用。微波数字衰减器主要用于调整微波信号的输出功率。例如在微波接收机中,实现自动增益控制,改善动态范围;在相控阵雷达以及智能天线中,与数字移相器一起改变天线单元激励的幅度和相位,以控制数字波束的方向,波束数量,主旁瓣比等,从而实现波束的电控扫描。
微波数字衰减器的衰减性能主要由其衰减电路决定。目前的T型衰减器所适用的衰减范围较小,不能适应较大衰减量的要求,而且当衰减器处于参考态时,T型网络的并联接地支路的开关不能很好的隔离微波信号,大大降低了信号的输出功率。
发明内容
为了解决现有T型衰减器衰减范围小、参考态时信号泄露等问题,本申请提供一种新型的衰减器电路结构。
为解决上述技术问题,本申请采用以下技术方案:
一种衰减器电路结构,包括由3个电阻组成的T型衰减电路,所述T型衰减电路的非并联接地支路采用一个场效应晶体管(Field EffectTransistor,FET)作为开关,其特征在于:所述T型衰减网络的接地并联支路采用串联的两个FET作为开关。
进一步地,所述三个FET的栅极处均施加有控制其导通及夹断的栅极电压。
进一步地,所述衰减器电路结构形式为单片微波集成电路。
与现有技术相比,本申请的有益效果是:
首先,本申请的衰减器电路结构采用串联的两个FET作为T型衰减网络并联接地支路的开关,一方面,当衰减器处于参考态时,大大降低了微波信号泄漏到衰减电路的可能性,另一方面,当衰减器处于衰减态时,两个FET作为衰减器电路的一部分,也提高了衰减器的衰减范围;
其次,本申请的衰减器电路结构基于单片微波集成电路技术,整个衰减器电路的尺寸在芯片级别,大大减小了衰减器尺寸,便于与其他元器件集成。
附图说明
图1为本申请的衰减器电路结构的示意图;
图2为实施例中的衰减器电路结构在4dB衰减位时参考态和衰减态时的输入输出回波损耗仿真图;
图3为实施例中的衰减器电路结构在4dB衰减位时的衰减量;
图4为实施例中的衰减器电路结构在4dB衰减位时的附加相移;
图5为实施例中的衰减器电路结构在4dB衰减位时参考态时的损耗。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
如图1所示,本实施例中的衰减器电路结构包括由3个电阻R1、R2和R3组成的T型衰减电路,其中A为输入端,B为输出端,R1与R2大小相等,T型衰减电路的非并联接地支路采用FET1作为开关、接地并联支路采用串联的FET2和FET3作为开关,FET1、FET2和FET3的栅极4、5、6处均施加有栅极电压,通过调节栅极电压的大小来控制FET1、FET2和FET3的导通及夹断。
当需要衰减器处于参考态时,在FET1的栅极4上加一个导通电压使FET1处于导通状态,而在FET2和FET3的栅极5、6上加上相同的夹断电压使FET2和FET3处于夹断状态;当需要衰减器处于衰减态时,在FET1的栅极4上加上一个夹断电压使FET1处于断开状态,在FET2和FET3的栅极5、6上加上相同的导通电压,使FET2和FET3同时处于导通状态即可,操作非常简便。当衰减器处于参考态时,由于两个FET将衰减器衰减电路的并联接地支路断开,因此微波信号泄漏到衰减电路的可能性大大降低;当衰减器处于衰减态时,FET2和FET3作为衰减电路的一部分,也可以提高了衰减器的衰减范围。
为了减少衰减器的尺寸,便于与其他元器件集成、连接,本实施例中的衰减器电路结构形式为单片微波集成电路技术,其尺寸仅为芯片级。
对本实施例中的衰减器电路结构进行仿真,得到的回波损耗的仿真结果如图2所示,可以看出,衰减态时,输入端回波损耗S(1,1)优于18dB,输出端回波损耗S(2,2)优于20dB;参考态时,输入端回波损耗S(3,3)优于28dB,输出端回波损耗S(4,4)优于26dB;得到的衰减量仿真结果如图3,可以看出,在频带内衰减精度<0.04dB,衰减精度指标很好,证明此结构对于大衰减位同样适用;得到的附加相移仿真结果如图4,在频带内最大附加相移仅为0.14deg;得到的插入损耗仿真结果如图5,可以看出,在频带内最大插入损耗仅为0.7dB。
Claims (3)
1.一种衰减器电路结构,包括由3个电阻组成的T型衰减电路,所述T型衰减电路的非并联接地支路采用一个场效应晶体管作为开关,其特征在于:所述T型衰减网络的接地并联支路采用串联的两个场效应晶体管作为开关。
2.根据权利要求1所述的衰减器电路结构,其特征在于:所述场效应晶体管的栅极处施加有控制场效应晶体管导通及夹断的栅极电压。
3.根据权利要求1或2所述的衰减器电路结构,其特征在于:该衰减器电路结构的形式为单片微波集成电路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510284696.XA CN104883154A (zh) | 2015-05-26 | 2015-05-26 | 一种衰减器电路结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510284696.XA CN104883154A (zh) | 2015-05-26 | 2015-05-26 | 一种衰减器电路结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104883154A true CN104883154A (zh) | 2015-09-02 |
Family
ID=53950509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510284696.XA Pending CN104883154A (zh) | 2015-05-26 | 2015-05-26 | 一种衰减器电路结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104883154A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109565268A (zh) * | 2016-07-15 | 2019-04-02 | 派赛公司 | 用于改善衰减器电路中的降q损耗和相位平衡的设备和方法 |
CN109792099A (zh) * | 2016-08-16 | 2019-05-21 | 天工方案公司 | 数字切换式衰减器 |
CN113794464A (zh) * | 2021-09-16 | 2021-12-14 | 芯灵通(天津)科技有限公司 | 一种高线性度宽带射频衰减器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63301610A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Sony Tektronix Corp | 可変減衰器 |
CN203387476U (zh) * | 2013-08-30 | 2014-01-08 | 电子科技大学 | 一种衰减器电路结构 |
CN104579236A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-04-29 | 南京国博电子有限公司 | 一种非对称的微波数字衰减器电路及其控制方法 |
-
2015
- 2015-05-26 CN CN201510284696.XA patent/CN104883154A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63301610A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Sony Tektronix Corp | 可変減衰器 |
CN203387476U (zh) * | 2013-08-30 | 2014-01-08 | 电子科技大学 | 一种衰减器电路结构 |
CN104579236A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-04-29 | 南京国博电子有限公司 | 一种非对称的微波数字衰减器电路及其控制方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109565268A (zh) * | 2016-07-15 | 2019-04-02 | 派赛公司 | 用于改善衰减器电路中的降q损耗和相位平衡的设备和方法 |
CN109565268B (zh) * | 2016-07-15 | 2022-10-04 | 派赛公司 | 用于改善衰减器电路中的降q损耗和相位平衡的设备和方法 |
CN109792099A (zh) * | 2016-08-16 | 2019-05-21 | 天工方案公司 | 数字切换式衰减器 |
CN113794464A (zh) * | 2021-09-16 | 2021-12-14 | 芯灵通(天津)科技有限公司 | 一种高线性度宽带射频衰减器 |
CN113794464B (zh) * | 2021-09-16 | 2024-01-02 | 芯灵通(天津)科技有限公司 | 一种高线性度宽带射频衰减器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2021098196A1 (zh) | 一种超宽带衰减器 | |
WO2021196404A1 (zh) | 一种低相差数控射频衰减器 | |
CN110380708B (zh) | 一种超宽带幅相补偿数字开关衰减器电路 | |
CN109616723B (zh) | 一种应用于5g毫米波基站的高精度移相器 | |
CN203387476U (zh) | 一种衰减器电路结构 | |
WO2021098195A1 (zh) | 一种高频开关型移相器 | |
Cho et al. | An X/Ku-band bi-directional true time delay T/R chipset in 0.13 µm CMOS technology | |
CN104883154A (zh) | 一种衰减器电路结构 | |
CN109787574A (zh) | 一种毫米波可变增益放大器结构 | |
CN107147372A (zh) | 超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器 | |
CN210640864U (zh) | 一种cmos毫米波串联非对称单刀双掷开关 | |
CN104617908A (zh) | 应用于微波毫米波的低相移衰减器 | |
CN110943729A (zh) | 一种cmos毫米波串联非对称单刀双掷开关 | |
Zhou et al. | A Ka-band low power consumption MMIC core chip for T/R modules | |
CN208479585U (zh) | 一种可多波束合成的新型高精度宽带延迟移相器 | |
CN115242217B (zh) | 一种基于fet开关管芯的超宽带温补压控衰减器芯片 | |
Akmal et al. | A fully integrated X-band multifunction core chip in 0.25 µm GaN HEMT technology | |
US20230006624A1 (en) | Power reconfigurable power amplifier | |
CN110768638B (zh) | 单电压控制电调衰减电路和稳幅装置 | |
CN108063604A (zh) | 一种低插损毫米波数字衰减器 | |
CN113949361A (zh) | 一种超宽带移相电路 | |
CN217010827U (zh) | 一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构及衰减器 | |
CN104134841A (zh) | 一种采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器 | |
RU2802412C1 (ru) | Сверхширокополосный двухразрядный фазовращатель | |
CN111697994B (zh) | 新型可调幅度均衡器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150902 |