CN104865765A - 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置 - Google Patents

阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104865765A
CN104865765A CN201510345201.XA CN201510345201A CN104865765A CN 104865765 A CN104865765 A CN 104865765A CN 201510345201 A CN201510345201 A CN 201510345201A CN 104865765 A CN104865765 A CN 104865765A
Authority
CN
China
Prior art keywords
data line
raceway groove
grid line
line
width
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510345201.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104865765B (zh
Inventor
刘利萍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510345201.XA priority Critical patent/CN104865765B/zh
Publication of CN104865765A publication Critical patent/CN104865765A/zh
Priority to US15/082,932 priority patent/US9553112B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN104865765B publication Critical patent/CN104865765B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/205—Neutral density filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明涉及一种阵列基板、显示面板及其制作方法以及显示装置，该阵列基板，包括：像素区域和接线区域，像素区域设置在接线区域内侧；栅线，设置在像素区域，向接线区域延伸第一长度；数据线，设置在像素区域，向接线区域延伸第二长度；钝化层，设置在栅线和数据线之上，在接线区域的栅线上方设置有第一沟道，第一沟道的宽度大于栅线的宽度，在接线区域的数据线上方设置有第二沟道，第二沟道的宽度大于数据线的宽度；第一信号线，设置在第一沟道中并覆盖栅线，宽度大于第一沟道的宽度；第二信号线，设置在第二沟道中并覆盖数据线，宽度大于第二沟道的宽度。通过本发明的技术方案，能够保证信号线与栅线和数据线良好地电连接。

Description

阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及其制作方法、一种显示面板及其制作方法和一种显示装置。
背景技术
在阵列基板上搭接信号线，一般采用如下制作工艺，即在AA区(像素区域)延伸出的金属线(例如栅线和数据线)上的绝缘层上挖过孔，使金属线裸露出一个触点，然后再在其上搭接信号线(例如ITO)，这样，信号经过信号线传输至阵列基板的接线区域过孔的金属线上，随后传输至AA区域形成显示画面。
而一般金属线上的绝缘层采用非金属材料制作，非金属材料中的过孔的深度为4000～10000埃不等，当过孔较深时很容易发生信号线在孔边缘的断层，如图1所示，信号线通过钝化层中的过孔搭接至数据线，在箭头处容易出现断层，如图2所示，信号线通过钝化层中的过孔以及栅绝缘层中的过孔搭接至栅线，在箭头处容易出现断层，进而导致信号线中的信号无法顺利传输至栅线和数据线，造成像素区域点亮异常。另外，在信号线与栅线或数据线的接线处，由于形成的过孔较小，切割工艺的水汽较难完全挥发，在产线一定的温度环境下促进下，容易发生金属氧化以及电气腐蚀。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，如何避免信号线与栅线和数据线的搭接处出现断层，保证信号线与栅线和数据线良好地电连接。
为此目的，本发明提出了一种阵列基板，包括：像素区域和接线区域，所述像素区域设置在所述接线区域内侧；
栅线，设置在所述像素区域，向所述接线区域延伸第一长度；
数据线，设置在所述像素区域，向所述接线区域延伸第二长度；
钝化层，设置在所述栅线和所述数据线之上，在所述接线区域的栅线上方设置有第一沟道，所述第一沟道的宽度大于所述栅线的宽度，和/或在所述接线区域的数据线上方设置有第二沟道，所述第二沟道的宽度大于所述数据线的宽度；
第一信号线，设置在所述第一沟道中，并覆盖所述栅线，宽度等于所述第一沟道的宽度，向所述栅线传输第一信号；
第二信号线，设置在所述第二沟道中，并覆盖所述数据线，宽度等于所述第二沟道的宽度，向所述数据线传输第二信号。
优选地，所述栅线向所述接线区域延伸的端点，以及所述数据线向所述接线区域延伸的端点在所述接线区域以内。
优选地，所述第一信号线完全覆盖接线区域的栅线，并与接线区域的栅线直接接触，与相邻的栅线之间绝缘；
所述第二信号线完全覆盖接线区域的数据线，并与接线区域的数据线直接接触，与相邻的数据线之间绝缘。
优选地，还包括：
基底，其中，所述栅线设置在所述基底之上；
栅绝缘层，设置在所述栅线之上，其中，所述数据线设置在所述栅绝缘层之上。
优选地，所述栅线与所述第一信号线的厚度之和等于所述钝化层和所述栅绝缘层的厚度之和，和/或
所述数据线与所述第二信号线的厚度之和等于所述钝化层的厚度。
本发明还提出了一种显示面板，包括上述任一项所述的阵列基板，还包括：
彩膜基板，对盒设置在所述阵列基板之上，
其中，所述彩膜基板的边界与所述阵列基板的边界之间的区域为所述接线区域。
优选地，所述阵列基板还包括：
预留区域，设置在所述接线区域内侧，且在所述像素区域外侧，
其中，所述彩膜基板的边界与所述像素区域的边界之间为所述预留区域。
优选地，所述第一沟道向所述预留区域延伸第三长度，且延伸端点不进入所述像素区域，所述第二沟道向所述预留区域延伸第四长度，且延伸端点不进入所述像素区域。
本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。
本发明还提出了一种阵列基板制作方法，包括：
形成栅线和数据线，其中，所述栅线设置在像素区域，向接线区域延伸第一长度，所述数据线设置在所述像素区域，向所述接线区域延伸第二长度，所述像素区域设置在所述接线区域内侧；
在所述栅线和所述数据线之上形成钝化层；
对所述钝化层进行蚀刻，以在所述接线区域的栅线上方形成第一沟道，所述第一沟道的宽度大于所述栅线的宽度，和/或在所述接线区域的数据线上方形成第二沟道，所述第二沟道的宽度大于所述数据线的宽度；
在所述第一沟道中形成第一信号线，以覆盖所述栅线，所述第一信号线的宽度等于所述第一沟道的宽度，向所述栅线传输第一信号；
在所述第二沟道中形成第二信号线，以覆盖所述数据线，所述第二信号线的宽度等于所述第二沟道的宽度，向所述数据线传输第二信号。
优选地，形成栅线和数据线包括：
在基底之上形成所述栅线；
在所述栅线之上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层之上形成所述数据线，
所述阵列基板制作方法还包括：
在所述数据线之上形成钝化层。
本发明还提出了一种显示面板制作方法，包括上述阵列基板制作方法，还包括：
将彩膜基板与形成的阵列基板对盒；
对对盒后的基板进行切割，以使所述彩膜基板的边界与所述阵列基板的边界相距第一距离，其中，所述彩膜基板的边界与所述阵列基板的边界之间为所述接线区域。
优选地，对对盒后的基板进行切割还包括：使所述彩膜基板的边界与所述像素区域的边界相距第二距离，其中，所述彩膜基板的边界与所述像素区域的边界之间为预留区域。
优选地，对所述钝化层进行蚀刻还包括：在所述接线区域的栅线上方形成第一沟道，以使所述第一沟道向所述预留区域延伸第三长度，且延伸端点不进入所述像素区域，和/或在所述接线区域的数据线上方形成第二沟道，以使所述第二沟道向所述预留区域延伸第四长度，且延伸端点不进入所述像素区域。
通过上述技术方案，通过在栅线和数据线之上的钝化层中设置沟道，可以使得第一信号线完全覆盖栅线，使得第二信号线完全覆盖数据线，保证第一信号线与栅线良好地电连接，第二信号线与数据线良好地电连接，并且能够避免第一信号线在与栅线连接处出现断裂，或第二信号线与数据线连接处出现断裂而造成信号传输不良。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1示出了现有技术中信号线与数据线的搭接示意图；
图2示出了现有技术中信号线与栅线的搭接示意图；
图3示出了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构示意图；
图4示出了图3中阵列基板沿CC’的截面示意图；
图5示出了图3中阵列基板沿DD’的截面示意图；
图6示出了图3中阵列基板沿AA’的截面示意图；
图7示出了图3中阵列基板沿BB’的截面示意图；
图8示出了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图；
图9示出了根据本发明一个实施例的阵列基板制作方法的示意流程图。
附图标号说明：
1-栅线；2-数据线；3-钝化层；4-第一信号线；5-第二信号线；6-基底；7-栅绝缘层；10-像素区域；20-接线区域；30-预留区域。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
如图3所示，根据本发明一个实施例的阵列基板，包括：像素区域10(即虚线所包含区域)和接线区域20，像素区域10设置在接线区域20内侧；
栅线1，设置在像素区域10，向接线区域20延伸第一长度；
数据线2，设置在像素区域10，向接线区域20延伸第二长度；
钝化层3，设置在栅线1和数据线2之上，在接线区域20的栅线1上方设置有第一沟道，第一沟道的宽度大于栅线1的宽度，和/或在接线区域20的数据线2上方设置有第二沟道，第二沟道的宽度大于数据线的宽度；
如图4所示，第一信号线4，设置在第一沟道中，并覆盖栅线1，宽度等于第一沟道的宽度，向栅线1传输第一信号；
如图6所示，第二信号线5，设置在第二沟道中，并覆盖数据线2，宽度等于第二沟道的宽度，向数据线2传输第二信号。
由于第一信号线4的宽度等于第一沟道的宽度，而第一沟道的宽度大于栅线1的宽度，第一信号线4的宽度也就大于栅线1的宽度，从而使得第一信号线4可以完全覆盖接线区域20中的栅线1，相应地，也可以使得第二信号线5完全覆盖接线区域20中的数据线2。
由于信号线与栅线1和数据线2大面积接触，因此不会出现个别区域连接断裂而导致的电连接不良，从而保证信号线与栅线1和数据线2能够良好地电连接，使得信号线中的信号能够顺利地传输至栅线1和数据线2以对像素区域20进行控制。
另外，由于第一沟道的宽度大于栅线1的宽度，第二沟道的宽度大于栅线2的宽度，从而沟道的面积远大于现有技术中钝化层3中过孔的面积，因此能够保证切割工艺的水汽完全挥发，避免沟道中的信号线或栅线1或数据线2发生金属氧化或电气腐蚀，保证产品具有良好的电气性能。进一步地，由于第一信号线4完全覆盖接线区域20中的栅线1，且第一信号线4的宽度大于栅线1的宽度，从而第一信号线4能够覆盖栅线1与栅绝缘层7之间的狭缝，如图4所示，避免了后续工艺中的氧气或水分渗入狭缝对栅线1造成腐蚀。类似地，第二信号线5能够覆盖数据线2与钝化层3之间的狭缝，如图6所示，避免了后续工艺中的氧气或水分渗入狭缝对数据线2造成腐蚀
如图5和图7所示，优选地，栅线1向接线区域20延伸的端点，以及数据线2向接线区域20延伸的端点在接线区域20以内。
由于每个阵列基板是通过切割一块母板得到的，而接线区域20的边沿是则是母板中划分每个阵列基板的切割线，在切割母板时即沿着切割线进行切割，若将栅线1和数据线2设置在该位置，切割操作会导致栅线1和数据线2被切割的一端存在不平整(例如毛刺)，会造成栅线1和数据线2电阻分布不均，并导致第一信号线4与栅线1的连接和第二信号线5与数据线2的连接处不平整，容易出现接触不良。
通过将栅线1和数据线2向接线区域20延长的端点设置在接线区域20以内，可以保证在从母板中切割划分阵列基板时，阵列基板中的栅线1和数据线2不会被切割，保证接线区域20的栅线1和数据线2表面平整，进而保证第一信号4线与栅线1的连接和第二信号线5与数据线2良好地电连接。
需要说明的是，栅线1和数据线2接线区域延长的长度可以相等也可以不相等，具体可以根据接线需要进行设置。
优选地，第一信号线4完全覆盖接线区域的栅线，并与接线区域的栅线1直接接触，与相邻的栅线之间绝缘；
第二信号线5完全覆盖接线区域的数据线2，并与接线区域的数据线2直接接触，与相邻的数据线之间绝缘。
优选地，还包括：
基底6，其中，栅线1设置在基底6之上；
栅绝缘层7，设置在栅线1之上，其中，数据线2设置在栅绝缘层7之上。
优选地，栅线1与第一信号线4的厚度之和等于钝化层3和栅绝缘层7的厚度之和，和/或
数据线2与第二信号线5的厚度之和等于钝化层3的厚度。
可以保证第一信号线4和第二信号线5的上表面与钝化层3的上表面处于同一平面，以便为后续工艺提供平整条件。
如图8所示，本发明还提出了一种显示面板，包括上述任一项中的阵列基板，还包括：
彩膜基板，对盒设置在阵列基板之上，
其中，彩膜基板的边界与阵列基板的边界之间的区域为接线区域10。
优选地，阵列基板还包括：
预留区域30，设置在接线区域10内侧，且在像素区域20外侧，
其中，彩膜基板的边界与像素区域20的边界之间为预留区域30。
在将彩膜基板与阵列基板对盒之后，还需要对彩膜基板的边缘进行切割，以在彩膜基板之外的阵列基板上形成接线区域20，以便与其他模组(例如印刷电路板)进行拼接。
通过在像素区域10和接线区域20之间设置预留区域30，可以避免对彩膜基板切割时对像素区域10造成损伤，保证形成的显示面板能够良好显示。
优选地，第一沟道向预留区域30延伸第三长度，且延伸端点不进入像素区域10，第二沟道向预留区域30延伸第四长度，且延伸端点不进入像素区域10。
由于第一信号线4设置在第一沟道中，可以覆盖预留区域30中的栅线1，第二信号线5设置在第二沟道中，可以覆盖预留区域30中的数据线2，从而在切割彩膜基板时，当切割过度时会先对坚硬的第一信号线4和/或第二信号线5造成部分损伤，而不会先损伤到栅线1和数据线2。由于第一信号线4和栅线1以及第二信号线5和数据线2除了在彩膜基板的切割线处相接触，还在接线区域20等位置相接触，所以在只切割到彩膜基板的切割线处的第一信号线4和第二信号线5时，并不会影响第一信号线4与栅线1以及第二信号线5与数据线的电连接。从而降低在切割彩膜基板时对第一信号线4之下的栅线1造成损伤，以及避免对第二信号线5之下的数据线2造成损伤，保证栅线1和数据线2能够良好地传到信号。
本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项的显示面板。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
如图9所示，本发明还提出了一种阵列基板制作方法，包括：
S1，形成栅线1和数据线2，其中，栅线1设置在像素区域10，向接线区域20延伸第一长度，数据线2设置在像素区域10，向接线区域20延伸第二长度，像素区域10设置在接线区域20内侧；
S2，在栅线1和数据线2之上形成钝化层3；
S3，对钝化层3进行蚀刻，以在接线区域20的栅线1上方形成第一沟道，第一沟道的宽度大于栅线1的宽度，和/或在接线区域20的数据线2上方形成第二沟道，第二沟道的宽度大于数据线2的宽度；
S4，在第一沟道中形成第一信号线4，以覆盖栅线1，第一信号线4的宽度等于第一沟道的宽度，向栅线1传输第一信号，在第二沟道中形成第二信号线5，以覆盖数据线2，第二信号线5的宽度等于第二沟道的宽度，向数据线2传输第二信号。
优选地，形成栅线1和数据线2包括：
在基底6之上形成栅线1；
在栅线1之上形成栅绝缘层7；
在栅绝缘层7之上形成数据线2，
阵列基板制作方法还包括：
在数据线2之上形成钝化层3。
本发明还提出了一种显示面板制作方法，包括上述阵列基板制作方法，还包括：
将彩膜基板与形成的阵列基板对盒；
对对盒后的基板进行切割，以使彩膜基板的边界与阵列基板的边界相距第一距离，其中，彩膜基板的边界与阵列基板的边界之间为接线区域20。
优选地，对对盒后的基板进行切割还包括：使彩膜基板的边界与像素区域10的边界相距第二距离，其中，彩膜基板的边界与像素区域10的边界之间为预留区域30。
优选地，对钝化层3进行蚀刻还包括：在接线区域20的栅线1上方形成第一沟道，以使第一沟道向预留区域30延伸第三长度，且延伸端点不进入像素区域10，和/或在接线区域20的数据线2上方形成第二沟道，以使第二沟道向预留区域30延伸第四长度，且延伸端点不进入像素区域10。
其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括：沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，考虑到现有技术中，图像编码方式没有充分地考虑人脸的成像角度等信息，难以进一步降低图像帧编码后的信息量，而且无法恢复原图像帧。通过本申请的技术方案，能够在进行图像传输过程中，进一步减小传输所占的带宽，提高用户对于图像传输的体验，并且能够使得图像接收端恢复原图像帧。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：像素区域和接线区域，所述像素区域设置在所述接线区域内侧；
栅线，设置在所述像素区域，向所述接线区域延伸第一长度；
数据线，设置在所述像素区域，向所述接线区域延伸第二长度；
钝化层，设置在所述栅线和所述数据线之上，在所述接线区域的栅线上方设置有第一沟道，所述第一沟道的宽度大于所述栅线的宽度，和/或在所述接线区域的数据线上方设置有第二沟道，所述第二沟道的宽度大于所述数据线的宽度；
第一信号线，设置在所述第一沟道中，并覆盖所述栅线，宽度等于所述第一沟道的宽度，向所述栅线传输第一信号；
第二信号线，设置在所述第二沟道中，并覆盖所述数据线，宽度等于所述第二沟道的宽度，向所述数据线传输第二信号。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线向所述接线区域延伸的端点，以及所述数据线向所述接线区域延伸的端点在所述接线区域以内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线完全覆盖接线区域的栅线，并与接线区域的栅线直接接触，与相邻的栅线之间绝缘；
所述第二信号线完全覆盖接线区域的数据线，并与接线区域的数据线直接接触，与相邻的数据线之间绝缘。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
基底，其中，所述栅线设置在所述基底之上；
栅绝缘层，设置在所述栅线之上，其中，所述数据线设置在所述栅绝缘层之上。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线与所述第一信号线的厚度之和等于所述钝化层和所述栅绝缘层的厚度之和，和/或
所述数据线与所述第二信号线的厚度之和等于所述钝化层的厚度。
6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，还包括：
彩膜基板，对盒设置在所述阵列基板之上，
其中，所述彩膜基板的边界与所述阵列基板的边界之间的区域为所述接线区域。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
预留区域，设置在所述接线区域内侧，且在所述像素区域外侧，
其中，所述彩膜基板的边界与所述像素区域的边界之间为所述预留区域。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟道向所述预留区域延伸第三长度，且延伸端点不进入所述像素区域，所述第二沟道向所述预留区域延伸第四长度，且延伸端点不进入所述像素区域。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6至8中任一项所述的显示面板。
10.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：
形成栅线和数据线，其中，所述栅线设置在像素区域，向接线区域延伸第一长度，所述数据线设置在所述像素区域，向所述接线区域延伸第二长度，所述像素区域设置在所述接线区域内侧；
在所述栅线和所述数据线之上形成钝化层；
对所述钝化层进行蚀刻，以在所述接线区域的栅线上方形成第一沟道，所述第一沟道的宽度大于所述栅线的宽度，和/或在所述接线区域的数据线上方形成第二沟道，所述第二沟道的宽度大于所述数据线的宽度；
在所述第一沟道中形成第一信号线，以覆盖所述栅线，所述第一信号线的宽度等于所述第一沟道的宽度，向所述栅线传输第一信号；
在所述第二沟道中形成第二信号线，以覆盖所述数据线，所述第二信号线的宽度等于所述第二沟道的宽度，向所述数据线传输第二信号。
11.根据权利要求10所述的阵列基板制作方法，其特征在于，形成栅线和数据线包括：
在基底之上形成所述栅线；
在所述栅线之上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层之上形成所述数据线，
所述阵列基板制作方法还包括：
在所述数据线之上形成钝化层。
12.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括权利要求10或10所述的阵列基板制作方法，还包括：
将彩膜基板与形成的阵列基板对盒；
对对盒后的基板进行切割，以使所述彩膜基板的边界与所述阵列基板的边界相距第一距离，其中，所述彩膜基板的边界与所述阵列基板的边界之间为所述接线区域。
13.根据权利要求12所述的显示面板制作方法，其特征在于，对对盒后的基板进行切割还包括：使所述彩膜基板的边界与所述像素区域的边界相距第二距离，其中，所述彩膜基板的边界与所述像素区域的边界之间为预留区域。
14.根据权利要求13所述的显示面板制作方法，其特征在于，对所述钝化层进行蚀刻还包括：在所述接线区域的栅线上方形成第一沟道，以使所述第一沟道向所述预留区域延伸第三长度，且延伸端点不进入所述像素区域，和/或在所述接线区域的数据线上方形成第二沟道，以使所述第二沟道向所述预留区域延伸第四长度，且延伸端点不进入所述像素区域。
CN201510345201.XA 2015-06-19 2015-06-19 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置 Active CN104865765B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510345201.XA CN104865765B (zh) 2015-06-19 2015-06-19 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置
US15/082,932 US9553112B2 (en) 2015-06-19 2016-03-28 Array substrate and method of manufacturing the same, display panel and method of manufacturing the same, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510345201.XA CN104865765B (zh) 2015-06-19 2015-06-19 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104865765A true CN104865765A (zh) 2015-08-26
CN104865765B CN104865765B (zh) 2018-10-30

Family

ID=53911697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510345201.XA Active CN104865765B (zh) 2015-06-19 2015-06-19 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9553112B2 (zh)
CN (1) CN104865765B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180014380A (ko) * 2016-07-29 2018-02-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
CN108376522A (zh) * 2018-04-27 2018-08-07 上海中航光电子有限公司 一种异形面板及显示装置
CN111656265A (zh) * 2019-01-04 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和电子装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000131719A (ja) * 1998-10-21 2000-05-12 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
CN1495478A (zh) * 2002-09-02 2004-05-12 ���ǵ�����ʽ���� 触点结构及制造方法，薄膜晶体管阵列面板及制造方法
US20050046776A1 (en) * 2003-04-11 2005-03-03 Ahn Byung Chul Liquid crystal display of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof
CN1605918A (zh) * 2003-10-11 2005-04-13 Lg.菲利浦Lcd株式会社 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US20060038957A1 (en) * 2002-12-31 2006-02-23 Kyoung-Mook Lee Method of manufacturing array substrate for liquid crystal display device
CN101017835A (zh) * 2006-02-07 2007-08-15 三星电子株式会社 薄膜晶体管面板及其制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101485585B1 (ko) * 2008-02-14 2015-01-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000131719A (ja) * 1998-10-21 2000-05-12 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
CN1495478A (zh) * 2002-09-02 2004-05-12 ���ǵ�����ʽ���� 触点结构及制造方法，薄膜晶体管阵列面板及制造方法
US20060038957A1 (en) * 2002-12-31 2006-02-23 Kyoung-Mook Lee Method of manufacturing array substrate for liquid crystal display device
US20050046776A1 (en) * 2003-04-11 2005-03-03 Ahn Byung Chul Liquid crystal display of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof
CN1605918A (zh) * 2003-10-11 2005-04-13 Lg.菲利浦Lcd株式会社 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN101017835A (zh) * 2006-02-07 2007-08-15 三星电子株式会社 薄膜晶体管面板及其制造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180014380A (ko) * 2016-07-29 2018-02-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102598970B1 (ko) 2016-07-29 2023-11-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
CN108376522A (zh) * 2018-04-27 2018-08-07 上海中航光电子有限公司 一种异形面板及显示装置
CN108376522B (zh) * 2018-04-27 2020-06-26 上海中航光电子有限公司 一种异形显示面板及显示装置
CN111656265A (zh) * 2019-01-04 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和电子装置
CN111656265B (zh) * 2019-01-04 2023-10-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9553112B2 (en) 2017-01-24
CN104865765B (zh) 2018-10-30
US20160372491A1 (en) 2016-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9711541B2 (en) Display panel and method for forming an array substrate of a display panel
CN104617106B (zh) 一种阵列基板及显示装置
US10444914B2 (en) Touch structure and preparation method therefor, touch substrate, and display device
CN103293811B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
KR101325304B1 (ko) 터치 디바이스 및 이의 제조 방법
EP3200231A1 (en) Array substrate, manufacturing method thereof and display device
CN104503617A (zh) 触摸屏的边框结构及其制造方法、触摸屏和显示装置
US9627416B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, display device
WO2020248722A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US10088724B2 (en) Display panel and displaying device
CN104991690A (zh) 一种触控显示面板、其制作方法、驱动方法及显示装置
EP3333624B1 (en) Electrical connection structure, array substrate and display device
CN106972033B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
US10437370B2 (en) Touch panel, electronic device with same, and method for fabricating same
JP2012003266A (ja) マザーボード及びアレイ基板の製造方法
CN112612164B (zh) 显示面板及其制备方法
US20170110091A1 (en) Pixel array
CN109407866A (zh) 一种触控面板及其制作方法、触控装置
CN104865765A (zh) 阵列基板及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置
CN109118956B (zh) 一种透明显示面板、显示装置和透明显示面板的制作方法
TWM516748U (zh) 觸控面板
CN109283758B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
US11086460B2 (en) Touch substrate, method for manufacturing same, and touch device
CN104766869A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN110518020B (zh) 一种显示面板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant