KR101325304B1 - 터치 디바이스 및 이의 제조 방법 - Google Patents

터치 디바이스 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR101325304B1 KR1020120077085A KR20120077085A KR101325304B1 KR 101325304 B1 KR101325304 B1 KR 101325304B1 KR 1020120077085 A KR1020120077085 A KR 1020120077085A KR 20120077085 A KR20120077085 A KR 20120077085A KR 101325304 B1 KR101325304 B1 KR 101325304B1
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Abstract

본 개시의 실시예는 감지 영역 및 감지 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 터치 디바이스를 제공한다. 터치 디바이스는 감지 전극 층, 쉐이딩 층, 및 신호 전송 라인을 포함하며, 쉐이딩 층은 주변 영역 및 감지 전극 층 상에 배치된다. 쉐이딩 층은 중공 부분을 가지며 주변 영역을 완전히 덮는다. 신호 전송 라인은 쉐이딩 층 상에 배치되며 중공 부분에 채워진다. 신호 전송 라인은 중공 부분 아래의 쉐이딩 층을 통해 감지 전극 층에 전기적으로 접속된다. 또한, 터치 디바이스의 제조 방법도 또한 제공된다.

Description

터치 디바이스 및 이의 제조 방법{TOUCH DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 개시는 터치 기술에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시는 터치 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 터치 디바이스는 이동 전화, PDA 또는 PC 등과 같은 다양한 전자 제품에 널리 적용되어 왔다. 터치 디바이스는 일반적으로 기판과, 감지 전극, 블랙 광 차단 층, 및 터치 신호 와이어 등과 같은 일부 내부 컴포넌트를 포함하며, 기판은 이들 내부 컴포넌트에 대한 보호 기능 및 수용 기능을 구비하고, 기판은 감지 영역 및 감지 영역을 둘러싸는 주변 영역으로 형성된다. 감지 전극은 기판의 감지 영역 및 주변 영역 상에 배치되고, 블랙 광 차단 층은 주변 영역에서의 감지 전극 상에 덮인다. 그 다음, 쓰루 홀(through hole)이 블랙 광 차단 층 상에 형성되고 전도성 접착제로 채워짐으로써, 감지 전극과 블랙 광 차단 층 상의 터치 신호 와이어를 전기적으로 접속시킨다.
그러나, 쓰루 홀에 채워진 전도성 접착제와 블랙 광 차단 층 사이의 색상 차이의 문제점이 존재하며, 그리하여 블랙 광 차단 층의 쓰루 홀은 종래의 터치 디바이스의 외관을 불량하게 한다.
종래 기술에 존재하는 전술한 문제점을 고려하여, 본 개시의 목적은 터치 디바이스 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다. 중공 부분(hollow part)이 쉐이딩(shading) 층 상에 배치되며, 그리하여 중공 부분 아래의 쉐이딩 층은 전기 전도성 및 쉐이딩 기능을 갖는다. 이는 종래 터치 디바이스의 불량한 외관의 문제점을 극복한다.
본 개시의 실시예에 따르면, 터치 디바이스는 감지 영역 및 감지 영역을 둘러싸는 주변 영역 상에 배치된 감지 전극 층; 주변 영역에서의 감지 전극 층을 덮으며 중공 부분을 갖는 쉐이딩 층; 쉐이딩 층 상에 배치되며 중공 부분에 채워진 신호 전송 라인을 포함하며, 신호 전송 라인은 중공 부분 아래의 쉐이딩 층을 통해 감지 전극 층에 전기적으로 접속된다.
본 개시의 다른 실시예에 따르면, 감지 영역 및 감지 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 터치 디바이스의 제조 방법은, 감지 영역 및 주변 영역 상에 감지 전극 층을 형성하고; 주변 영역에서의 감지 전극 층 상에 쉐이딩 층을 형성하고; 쉐이딩 층의 표면 상에 중공 부분을 형성하고; 쉐이딩 층 상에 신호 전송 라인을 형성하는 것을 포함하며, 신호 전송 라인은 중공 부분에 채워짐으로써, 중공 부분 아래의 쉐이딩 층을 통해 신호 전송 라인을 감지 전극 층에 전기적으로 접속시킨다.
본 개시의 쉐이딩 층의 임피던스는 중공 부분을 배치함으로써, 즉 세로 방향(longitudinal) 전도성을 제어하도록 쉐이딩 층의 두께를 조정함으로써 변경된다. 따라서, 신호 전송 라인과 감지 전극 층은 쉐이딩 층 상에 쓰루 홀을 형성하지 않고서 전기적으로 접속될 수 있다. 종래의 터치 디바이스의 쉐이딩 층 구조와 비교하여 볼 때, 본 개시의 실시예의 쉐이딩 층은 터치 디바이스의 불량한 외관의 문제점을 피하고 터치 디바이스의 수율을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 개시의 실시예에 따른 터치 디바이스의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 개시의 실시예에 따른 도 1의 터치 디바이스의 각 제조 단계의 단면도들이다.
본 개시의 전술한 목적, 특징 및 이점을 보다 이해가기 쉽게 하도록, 도면과 함께 여러 실시예가 아래에 상세하게 기재된다.
도 1은 본 개시의 실시예에 따른 터치 디바이스(100)의 단면도를 도시한다. 터치 디바이스(100)는 감지 영역(100A) 및 감지 영역(100A)을 둘러싸는 주변 영역(100B)을 갖는 용량성(capacitive) 터치 디바이스를 포함한다.
터치 디바이스(100)의 터치 컴포넌트가 보호 커버(102)(터치 온 렌즈) 상에 배치되며, 보호 커버(102)의 외부 표면은 터치 디바이스(100)의 터치 표현이고, 보호 커버의 재료는 강화 유리 또는 임의의 기타 적용 가능한 재료일 수 있다. 감지 전극 층(104)이 보호 커버(102)의 내부 표면 상에 배치되며, 감지 전극 층(104)의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 및 알루미늄 아연 산화물(AZO)과 같은 투명 전도성 재료 또는 임의의 기타 적용 가능한 투명 전도성 재료일 수 있다. 감지 전극 층(104)은 증착 공정과 리소그래피 및 에칭 공정에 의해 형성된다.
다음의 설명에서 지칭되는 방향 "위에" 및 "아래에"는 아래의 보호 커버(102)의 방향에 관련하여 나타나고, 이들 방향은 각각의 컴포넌트의 대응하는 위치 관계를 예시하기 위해서만 사용된다.
본 개시의 실시예에 따르면, 쉐이딩 층(106)이 감지 전극 층(104) 상에 배치되고 주변 영역(100B)에 위치된다. 쉐이딩 층(106)의 재료는 블랙 포토레지스트 또는 블랙 인쇄 잉크를 포함한다. 감지 전극 층(104)에 의해 유도되는 전기적 변화를 터치 디바이스(100)의 신호 프로세서(도시되지 않음)로 전송하기 위하여, 신호 전송 라인(110)이 쉐이딩 층(106) 상에 형성되며, 신호 전송 라인(110)은 감지 전극 층(104)에 전기적으로 접속되어야 한다. 터치 디바이스(100)의 신호 프로세서는 터치 신호를 계산하여 디스플레이 디바이스(도시되지 않음)로 터치 신호를 전송할 수 있으며, 그리하여 디스플레이 디바이스는 터치 신호에 기초하여 이미지를 디스플레이한다.
본 개시의 실시예에 따르면, 쉐이딩 층(106)의 표면은 중공 부분(112)을 구비하며, 중공 부분(112)은 쉐이딩 층(106)을 천공(perforate)하는 것이 아니다. 쉐이딩 층(106)은 주변 영역(100B)을 완전히 덮는다. 쉐이딩 층(106)에 어떠한 쓰루 홀도 없으므로, 터치 디바이스(100)의 외관에 영향을 미치지 않는다.
또한, 쉐이딩 층(106)의 두께는 중공 부분(112)을 설계함으로써 조정될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 중공 부분(112) 아래의 쉐이딩 층(106)의 부분은 제1 두께 h1를 갖고, 중공 부분(112) 아래의 영역 밖의 쉐이딩 층(106)의 부분은 제2 두께 h2를 갖는다. 제1 두께는 h1은 제2 두께 h2보다 더 작다. 쉐이딩 층(106)의 임피던스는 쉐이딩 층(106)의 두께를 조정함으로써 변경될 수 있다. 더 얇은 두께를 갖는 쉐이딩 층(106)의 부분이 더 낮은 임피던스를 가지며, 그리하여 전기적 접속 효과를 갖는다. 더 두꺼운 두께를 갖는 쉐이딩 층(106)의 부분은 더 큰 임피던스를 가지며, 그리하여 전기적 절연 효과를 갖는다.
본 개시의 실시예에 따르면, 신호 전송 라인(110)이 감지 전극 층(104)과 전기적으로 접속되어야 할 쉐이딩 층(106) 상 위치의 두께는 중공 부분(112)을 형성하도록 제1 두께 h1로 감소되며, 그리하여 중공 부분(112) 아래의 쉐이딩 층(106)이 세로 방향으로 전기적 접속 효과를 갖고, 세로 방향은 쉐이딩 층(106)의 표면 방향과 수직이다. 동시에, 제1 두께 h1을 갖는 쉐이딩 층(106)은 또한 광 쉐이딩 효과를 갖는다. 또한, 제2 두께를 갖는, 중공 부분(112) 아래의 영역 밖의 쉐이딩 층(106)의 부분은 세로 및 가로(transverse) 방향 둘 다로 전기적 절연 효과를 갖는다. 따라서, 본 개시의 쉐이딩 층(106)은 세로 방향 전도 효과를 갖는 중공 부분(112) 아래의 영역 및 절연 효과를 갖는 기타 영역의 결과를 달성할 수 있다.
터치 디바이스(100)에서, 주변 영역(100B)에서의 신호 전송 라인(110)은 쉐이딩 층(106) 상에 배치되고 중공 부분(112)에 채워진다. 신호 전송 라인(110)은 중공 부분(112) 아래의 쉐이딩 층(106)을 통해 감지 전극 층(104)에 전기적 접속될 수 있다. 따라서, 감지 전극 층(104)에 의해 유도된 전기적 변화가 중공 부분(112) 아래의 쉐이딩 층(106) 및 신호 전송 라인(110)을 통해 외부 집적 회로(도시되지 않음)로 전송된다. 신호 전송 라인(110)은 보통 금속 와이어로 형성되며, 신호 전송 라인(110)의 임피던스는 생략되어도 될 정도로 충분히 낮다. 따라서, 중공 부분(112) 아래의 쉐이딩 층(106)의 세로 방향 임피던스는 외부 집적 회로에 의해 허용되는 임피던스에 감지 전극 층(104)의 임피던스를 뺀 차이보다 더 적어야 한다.
실시예에서, 예를 들어, 외부 집적 회로에 의해 허용되는 임피던스가 15 kΩ보다 작고, 인듐 주석 산화물(ITO)로 형성된 감지 전극 층(104)의 임피던스가 8 kΩ인 경우, 중공 부분(112) 아래의 쉐이딩 층(106)의 세로 방향 임피던스는 7 kΩ보다 작아야 한다. 쉐이딩 층(106)의 제1 두께 h1는 쉐이딩 층(106)의 재료 특성, 요구되는 세로 방향 임피던스, 및 쉐이딩 효과에 기초하여 결정될 수 있다. 실시예에서, 쉐이딩 층(106)의 재료는 용매, 고분자, 및 블랙 카본 페이스트로 구성된 블랙 포토레지스트이고, 쉐이딩 층(106)에 의해 요구되는 세로 방향 임피던스는 7kΩ보다 작으며, 그리하여 쉐이딩 층(106)의 제1 두께 h1는 0.6 ㎛일 수 있고, 쉐이딩 층(106)의 제2 두께 h2는 1.8 ㎛일 수 있다.
쉐이딩 층의 두께에 기초하여, 이의 임피던스가 영향을 받으며, 전기 전도성이 요구되는 경우 쉐이딩 층(106)의 두께는 h1로 얇아지고, 중공 부분(112) 아래의 영역 밖의 위치와 같이 전기 접속이 요구되지 않는 경우에는 쉐이딩 층(106)의 두께가 h2로 두꺼워진다. 따라서, 신호 전송 라인(110)과 감지 전극 층(104)의 접속이 달성될 수 있고, 쉐이딩 층(106) 상에 홀이 형성될 필요가 없으므로, 터치 디바이스(100)의 불량한 외관 문제점을 피할 수 있다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 터치 디바이스(100)의 감지 영역(100A)에서의 절연 부분(108)이 감지 전극 층(104)의 감지 전극 패턴 상에 배치되고, 점프 와이어(109)가 절연 부분(108) 상에 배치된다. 이는 임의의 2개의 인접한 감지 전극 패턴이 동일 행 또는 동일 열 상의 상호접속 없이 전기적으로 접속될 수 있게 한다.
또한, 터치 디바이스(100)는 감지 전극 층(104), 쉐이딩 층(106), 절연 부분(108), 점프 와이어(109) 및 신호 전송 라인(110) 위에 완전히 덮여진 보호 층(114)을 더 포함한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 개시의 실시예에 따라 도 1과 같은 터치 디바이스를 제조하는 각 단계의 단면도들이며, 보호 커버(102)가 터치 디바이스(100) 아래에 구성된다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 강화 유리와 같은 보호 커버(102)가 제공되고, 인듐 주석 산화물(ITO) 층과 같은 투명 전도성 재료 층이 완전히 보호 커버(102)의 내부 표면 상에 증착되며, 증착 방법은 스퍼터링 공정이다. 다음으로, 투명 전도성 재료 층이 감지 전극 층(104)을 형성하도록 리소그래피 및 에칭 공정과 같은 패터닝 공정에 의해 패터닝된다. 실시예에서, 감지 전극 층(104)은 열들로 정렬되어 있는 복수의 마름모꼴(rhombic) 감지 전극 패턴(104X) 및 행들로 정렬되어 있는 복수의 마름모꼴 감지 전극 패턴(104Y)을 포함한다. 감지 전극 패턴(104Y)은 서로 접속되고, 감지 전극 패턴(104X)은 서로 분리되어 있다. 다른 실시예에서, 감지 전극 층(104)의 감지 전극 패턴은 또한 임의의 다른 형상 또는 임의의 다른 정렬 방법으로 이루어질 수 있다.
또한, 제1 쉐이딩 층(106A)이 주변 영역(100B)에서의 감지 전극 층(104) 상에 형성된다. 실시예에서, 제1 쉐이딩 층(106A)의 두께는 h1이다. 그 후에, 제2 쉐이딩 층(106B)이 제1 쉐이딩 층(106A) 상에 형성된다. 실시예에서, 제1 쉐이딩 층(106A)과 제2 쉐이딩 층(106B)의 총 두께는 h2이다. 제1 쉐이딩 층(106A) 및 제2 쉐이딩 층(106B)의 재료는 둘 다 동일할 수 있고, 블랙 포토레지스트 또는 블랙 인쇄 잉크를 포함할 수 있으며, 또는 둘 다 상이한 재료일 수 있다. 블랙 포토레지스트는 리소그래피 공정에 의해 패터닝될 수 있는 반면에, 블랙 인쇄 잉크는 인쇄 공정에 의해 패터닝될 수 있으며, 그리하여 제1 쉐이딩 층(106A) 및 제2 쉐이딩 층(106B)을 형성한다.
도 2b를 참조하면, 중공 부분(112)이 제2 쉐이딩 층(106B) 상에 형성된다. 실시예에서, 중공 부분은 제1 쉐이딩 층(106A)을 노출시키도록 제2 쉐이드층(106B)에서 천공된다. 다른 실시예에서, 중공 부분(112) 아래의 제1 쉐이딩 층(106A)과 제2 쉐이딩 층(106B)의 총 두께가 쉐이딩 층(106)에 의해 요구되는 세로 방향 임피던스 및 쉐이딩 효과를 달성할 수 있는 한, 중공 부분(112)은 제2 쉐이딩 층(106B)을 천공하지 않는다.
제2 쉐이딩 층(106B)의 재료가 블랙 포토레지스트인 경우, 중공 부분(112)은 리소그래피 공정에 의해 형성된다. 제2 쉐이딩 층(106B)의 재료가 블랙 인쇄 잉크인 경우, 중공 부분(112)은 도 2a에서와 같은 제2 쉐이딩 층(106B) 상에 패턴을 형성하는 인쇄 공정 동안 동시에 형성된다.
도 2c를 참조하면, 동일 열에 있는 임의의 2개의 인접한 감지 전극 패턴(104X) 및 감지 전극 패턴(104Y)을 전기적으로 접속시키는 점프 와이어(109)에 일어나는 회로 단락을 피하기 위해 감지 전극 층(104)의 감지 전극 패턴(104Y) 상에 절연 부분(108)이 형성된다. 절연 부분(108)의 재료는 폴리이미드와 같은 유기 또는 무기 절연 재료를 포함한다. 절연 재료는 절연 부분(108)을 형성하도록 리소그래피 및 인쇄 공정에 의해 패터닝된다.
도 2d를 참조하면, 신호 전송 라인(110)이 제2 쉐이딩 층(106B) 상에 형성되고 중공 부분(112)에 채워진다. 또한, 점프 와이어(109)가 절연 부분(108) 상에 형성되며, 점프 와이어(109) 및 신호 전송 라인(110)의 재료는 금속 재료이다. 금속 재료는 점프 와이어(109) 및 신호 전송 라인(110)을 형성하도록 리소그래피 및 에칭 공정 또는 인쇄 공정에 의해 패터닝된다. 실시예에서, 점프 와이어(109) 및 신호 전송 라인(110)은 동일 공정에 의해 동시에 형성된다.
도 2e를 참조하면, 보호 커버(102) 상의 감지 전극 층(104), 절연 층(108), 점프 와이어(109), 쉐이딩 층(106) 및 신호 전송 라인(110) 등을 포함한 모든 컴포넌트를 완전히 덮도록 보호 층(114)이 형성됨으로써, 도 1과 같은 터치 디바이스(100)의 제조를 완료한다.
결론적으로, 본 개시의 실시예에 따르면, 중공 부분(112)이 쉐이딩 층(106)의 표면 상에 형성되며, 그리하여 중공 부분(112) 아래의 쉐이딩 층(106)의 두께가 얇아지고 세로 방향 전도 효과를 구비할 것이다. 쉐이딩 층(106)은 신호 전송 라인(110)을 통해 감지 전극 패턴(104X)에 전기적으로 접속된다. 또한, 중공 부분(112) 아래의 영역 밖의 쉐이딩 층(106)의 부분의 두게는 효과적인 절연 효과를 달성할 수 있다. 따라서, 쉐이딩 층(106)의 두께를 조정함으로써 쉐이딩 층(106)의 임피던스가 변경될 수 있으며, 그리하여 중공 부분(112) 아래의 쉐이딩 층(106)의 부분은 세로 방향 전도 효과를 갖고, 중공 부분(112) 아래의 영역 밖의 쉐이딩 층(106)의 다른 부분은 가로 및 세로 방향 둘 다의 비전도 효과를 갖는다.
본 개시의 실시예의 쉐이딩 층(106)은 세로 방향 전도성을 제어하도록 두께를 조정함으로써 임피던스를 변경하므로, 쉐이딩 층(106) 상에 천공 홀이 형성될 필요가 없고, 그리하여 신호 전송 라인(110) 및 감지 전극 층(104)을 전기적으로 접속시킨다. 종래의 터치 디바이스의 쉐이딩 층 구조와 비교하여 볼 때, 본 개시의 실시예의 쉐이딩 층(106)은 터치 디바이스(100)의 불량한 외관 문제점을 피할 수 있다.
본 개시는 상기 기재한 실시예를 참조하지만, 이는 본 개시의 범위를 한정하고자 하는 것이 아니다. 기재된 실시예에 대한 수정 및 치환이 본 개시의 진정한 의미 및 범위에서 벗어나지 않고서 이루어질 수 있다는 것이 당해 기술 분야에서의 숙련자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 개시의 범위는 더욱이 첨부된 청구항에 의해 정의된다.
100: 터치 디바이스 100A: 감지 영역
100B: 주변 영역 102: 보호 커버
104: 감지 전극 층 106: 쉐이딩 층
108: 절연 부분 110: 신호 전송 라인
112: 중공 부분 114: 보호 층

Claims (17)

  1. 터치 디바이스에 있어서,
    감지 영역 및 상기 감지 영역을 둘러싸는 주변 영역 상에 배치된 감지 전극 층;
    상기 주변 영역에서의 상기 감지 전극 층을 덮으며 중공 부분(hollow part)을 갖는 쉐이딩 층(shading layer); 및
    상기 쉐이딩 층 상에 배치되며 상기 중공 부분에 채워진 신호 전송 라인을 포함하고,
    상기 신호 전송 라인은 상기 중공 부분 아래의 쉐이딩 층을 통해 상기 감지 전극 층에 전기적으로 접속되는 것인 터치 디바이스.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 중공 부분 아래에 위치된 쉐이딩 층은 제1 두께를 갖고, 상기 중공 부분 아래의 영역 밖에 위치된 쉐이딩 층은 제2 두께를 가지며, 상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 작은 것인 터치 디바이스.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 제1 두께를 갖는 쉐이딩 층은 전기 전도성을 갖고, 상기 제2 두께를 갖는 쉐이딩 층은 전기적으로 절연된 것인 터치 디바이스.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 쉐이딩 층의 재료는 블랙 포토레지스트 또는 블랙 인쇄 잉크를 포함하는 것인 터치 디바이스.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 쉐이딩 층은,
    상기 감지 전극 층 상에 배치되며 전기 전도성을 갖는 제1 쉐이딩 층; 및
    상기 제1 쉐이딩 층 상에 배치되며 중공 부분을 갖는 제2 쉐이딩 층을 포함하는 것인 터치 디바이스.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 중공 부분은 상기 제1 쉐이딩 층을 노출시키도록 상기 제2 쉐이딩 층에서 천공되는(perforated) 것인 터치 디바이스.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 중공 부분 아래에 위치된 제1 쉐이딩 층은 상기 신호 전송 라인과 상기 감지 전극 층이 전기적으로 접속되도록 세로(longitudinal) 방향으로 전기 전도성을 갖고, 상기 세로 방향은 상기 감지 전극 층의 표면에 수직인 것인 터치 디바이스.
  8. 청구항 5에 있어서, 상기 제1 쉐이딩 층과 상기 제2 쉐이딩 층의 재료는 동일한 것인 터치 디바이스.
  9. 청구항 5에 있어서, 상기 제1 쉐이딩 층과 상기 제2 쉐이딩 층의 재료는 상이한 것인 터치 디바이스.
  10. 청구항 1에 있어서,
    보호 커버로서, 상기 감지 전극 층이 상기 보호 커버 상에 배치되거나 상기 보호 커버와 상기 쉐이딩 층 사이에 배치되는 것인, 보호 커버; 및
    상기 감지 전극 층, 상기 쉐이딩 층, 및 상기 신호 전송 라인 상에 완전히 덮이는 보호 층을 더 포함하는 터치 디바이스.
  11. 터치 디바이스의 제조 방법에 있어서,
    감지 영역 및 상기 감지 영역을 둘러싸는 주변 영역 상에 감지 전극 층을 형성하는 단계와;
    상기 주변 영역에서의 상기 감지 전극 층 상에 중공 부분을 갖는 쉐이딩 층을 형성하는 단계와;
    상기 쉐이딩 층 상에 신호 전송 라인을 형성하는 단계로서, 상기 신호 전송 라인은 상기 신호 전송 라인이 상기 중공 부분 아래의 쉐이딩 층을 통해 상기 감지 전극 층에 전기적으로 접속되도록 상기 중공 부분에 채워지는 것인 단계를 포함하는 터치 디바이스의 제조 방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 중공 부분은 상기 쉐이딩 층의 표면 상에 형성되는 것인 터치 디바이스의 제조 방법.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 쉐이딩 층을 형성하는 단계는,
    상기 감지 전극 층 상에 제1 쉐이딩 층을 형성하는 단계와;
    상기 제1 쉐이딩 층 상에 제2 쉐이딩 층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 중공 부분은 상기 제2 쉐이딩 층 상에 형성되는 것인 터치 디바이스의 제조 방법.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 제2 쉐이딩 층의 재료는 블랙 포토레지스트를 포함하고, 상기 중공 부분을 형성하는 단계는 리소그래피 공정을 포함하는 것인 터치 디바이스의 제조 방법.
  15. 청구항 13에 있어서, 상기 제2 쉐이딩 층의 재료는 블랙 인쇄 잉크를 포함하고, 상기 중공 부분을 형성하는 단계는 인쇄 공정을 포함하는 것인 터치 디바이스의 제조 방법.
  16. 청구항 11에 있어서, 상기 중공 부분 아래에 위치된 쉐이딩 층은 제1 두께를 갖고, 상기 제1 두께를 갖는 쉐이딩 층은 상기 신호 전송 라인 및 상기 감지 전극 층이 전기적으로 전도되도록 세로 방향으로 전기 전도성을 가지며, 상기 세로 방향은 상기 감지 전극 층의 표면에 수직인 것인 터치 디바이스의 제조 방법.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 중공 부분 아래의 영역 밖에 위치된 쉐이딩 층은 상기 제1 두께보다 더 큰 제2 두께를 가지며, 상기 제2 두께를 갖는 쉐이딩 층은 전기적으로 절연된 것인 터치 디바이스의 제조 방법.
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