CN104838515A - 显示装置、显示装置的制造方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括：多个发光元件，被布置在第一基板上；以及导光构件，被布置在与发光元件相对应的像素区域之间的边界中，并且在每个发光元件的主发光方向上引导从第一基板与面向第一基板的第二基板之间的每个发光元件所发射的光。

Description

显示装置、显示装置的制造方法以及电子设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年12月27日提交的日本在先专利申请JP2012-285643的权益，通过引用将其全部内容结合于本文中。
技术领域
本公开涉及显示装置、显示装置的制造方法以及电子设备，并且更具体地，涉及包括发光元件的显示装置。
背景技术
例如，使用有机电致发光(EL)发光元件、无机EL发光元件等的顶部发射型显示装置，设置有布置了发光元件的元件基板和面向该元件基板的密封基板。从发光元件发射的光通过透明的密封基板被观察到。例如，当每个发光元件发出白光时，从每个发光元件发射的光通过形成在密封基板中的滤色片并且被观察为各个像素的颜色的光。此外，当发光元件发射出具有诸如红色、绿色和蓝色的各个像素颜色的光时，滤色片在一些情况下还用于改善颜色纯度。
在上述密封基板(还被称为滤色片基板)中，称为黑矩阵的光遮蔽构件形成在与像素区域之间的边界相对应的位置处以改善对比度。例如在PTL 1中公开了用于黑矩阵的技术。根据PTL 1的技术，为了抑制在滤色片的传输区域与黑矩阵的区域之间的边界中出现的光的衍射现象，在传输区域中形成光密度的梯度。
引用列表
专利文献
PTL 1：JP 2010-008861A
发明内容
技术问题
然而，因为其中形成黑矩阵的密封基板和元件基板是单独制成并粘接的，所以密封基板和元件基板在一定程度上相距较远。此外，因为从发光元件发射的光被定向在除主发光方向(即，垂直于元件基板的方向)以外的方向上，所以从指定像素的发光元件发射的光在一些情况下可以在元件基板与密封基板之间的部分中与其他相邻的像素混合。
根据本公开的实施方式，希望提供能够防止从像素发射的光在发光元件形成在其中的基板与面对该基板的基板之间混合的新颖和改良的显示装置，新颖和改良的显示装置的制造方法以及新颖和改良的电子设备。
问题的解决方案
根据本公开的实施方式，提供一种显示装置，该显示装置包括：多个发光元件，被布置在第一基板上；以及导光构件(guide member)，被布置在与发光元件相对应的像素区域之间的边界中，并且在每个发光元件的主发光方向上引导从第一基板与面向第一基板的第二基板之间的每个发光元件发射的光。
根据本公开的实施方式，提供了一种显示装置的制造方法，包括：在第一基板或面向第一基板的第二基板上形成导光构件，该导光构件被布置在与布置在第一基板上的多个发光元件相对应的像素区域之间的边界中，并且在每个发光元件的主发光方向上引导从所述第一基板与第二基板之间的每个所述发光元件发射的光；以及将第一基板与第二基板相接合。
根据本公开的实施方式，提供的一种电子设备，该电子设备包括显示装置，该显示装置被配置为包括：多个发光元件，被布置在第一基板上；以及导光构件，被布置在与发光元件相对应的像素区域之间的边界中并且在每个发光元件的主发光方向上引导从第一基板与面向第一基板的第二基板之间的每个发光元件发射的光。
通过形成引导从第一基板与第二基板之间的发光元件发射的光的导光构件，即使当基板在一定程度上相距较远时，防止了从发光元件发射并且定向在除了主发光方向以外的方向上的光与其他相邻像素混合。
发明的有益效果
根据本公开的一个或多个实施方式，可以防止在发光元件形成在其中的基板与面向该基板的基板之间的像素中发射的光的混合。
附图说明
[图1]图1是示出了与根据本公开的实施方式的相关技术有关的显示装置的配置的实例的示图。
[图2]图2是示出了形成在有机EL显示器中的像素驱动电路的配置的实例。
[图3]图3是示出了有机EL显示器中的显示区域的平面配置的实例的示图。
[图4]图4是沿图3的直线I-I截取的截面图，示出显示区域的截面配置的实例。
[图5]图5是示出了根据本公开的第一实施方式的显示装置中的显示区域的截面配置的实例的示图。
[图6]图6是示出了在图5中示出的显示区域的平面配置的实例的示图。
[图7]图7是示出了制造根据本公开的第一实施方式的显示装置的方法的各过程中显示装置的状态的示图。
[图8]图8是示出了根据本公开的第一实施方式的电子设备的配置的示意性框图。
[图9]图9是用于描述本公开的第一实施方式的变形例的示图。
[图10]图10是用于描述本公开的第一实施方式的变形例的示图。
[图11A]图11A是用于描述本公开的第一实施方式的变形例的示图。
[图11B]图11B是示出了制造在图11A中示出的显示装置的方法的各过程中显示装置的状态的示图。
[图11C]图11C是在图11A中示出的实例的可替代的配置实例的示图。
[图12]图12是用于描述本公开的第一实施方式的变形例的示图。
[图13]图13是用于描述本公开的第一实施方式的变形例的示图。
[图14]图14是用于描述本公开的第一实施方式的变形例的示图。
[图15]图15是示出了根据本公开的第二实施方式的显示装置中的显示区域的截面配置的实例的示图。
[图16]图16是示出了制造根据本公开的第二实施方式的显示装置的第一方法的各过程中显示装置的状态的示图。
[图17]图17是示出了制造根据本公开的第二实施方式的显示装置的第二方法的各过程中显示装置的状态的示图。
[图18]图18是用于描述本公开的第二实施方式的变形例的示图。
[图19]图19是示出了根据本公开的第三实施方式的显示装置中的显示区域的截面配置的实例的示图。
[图20]图20是示出了制造根据本公开的第三实施方式的显示装置的方法的各过程中显示装置的状态的示图。
[图21]图21是用于描述本公开的第三实施方式的变形例的示图。
具体实施方式
在下文中，将通过参考附图更详细地描述本公开的优选实施方式。在本说明书和附图中，具有基本上相同功能结构的组成元件被赋予相同的参考数字并且将会省略重复描述。
在下文中，按照以下顺序进行描述。
1.相关技术的描述
2.第一实施方式
2-1.显示装置的配置
2-2.显示装置的制造方法
2-3.应用于电子设备
2-4.变形例
3.第二实施方式
3-1.显示装置的配置
3-2.显示装置的制造方法
3-3.变形例
4.第三实施方式
4-1.显示装置的配置
4-2.显示装置的制造方法
4-3.变形例
5.补充
(1.相关技术的描述)
为了便于更好地理解本发明的实施方式，首先将参照图1至图4对相关技术进行描述。
(整体配置)
图1是与根据本公开的实施方式的相关技术有关的显示装置的配置的实例的示图。与根据本公开的实施方式的相关技术有关的显示装置是有机EL显示器10。
参照图1，有机EL显示器10包括：显示区域30，其中红色发光元件32R、绿色发光元件32G、蓝色发光元件32B以矩阵形式被排列在元件基板20上。一对红色发光元件32R、一对绿色发光元件32G以及一对蓝色发光元件32B形成像素32。信号线驱动电路40和扫描线驱动电路50形成为处于显示区域30的外围的视频显示驱动器。
在显示区域30中，设置连接至红色发光元件32R、绿色发光元件32G以及蓝色发光元件32B中每一个的像素驱动电路60。在下面将参照图2更详细地描述像素驱动电路60的配置。
(像素驱动电路的配置)
图2是示出了有机EL显示器10形成在其中的像素驱动电路60的配置的实例。在本实施方式中，像素驱动电路60是虚拟地形成在以下描述的发光元件的下部电极中的有源型驱动电路。
参照图2，在像素驱动电路60中形成驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2，并且电容器Cs连接在驱动晶体管Tr1与写入晶体管Tr2之间。红色发光元件32R、绿色发光元件32G或蓝色发光元件32B在第一电源线Vcc与第二电源线GND之间串联连接至驱动晶体管Tr1。
在此，驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2是普通的薄膜晶体管(TFT)。可以将各种结构用作TFT的结构，例如，逆交错结构(底栅型)或交错结构(顶栅型)。
在像素驱动电路60中，排列了在列方向上的多个信号线40A和行方向上的多个扫描线50A。信号线40A与扫描线50A之间的每个交叉点与红色发光元件32R、绿色发光元件32G以及蓝色发光元件32B中的一个相对应。每个信号线40A连接至上述信号线驱动电路40。信号线驱动电路40通过信号线40A将图像信号提供至写入晶体管Tr2的源电极。同样地，每个扫描线50A连接至上述扫描线驱动电路50。扫描线驱动电路50经由扫描线50A将扫描信号依次提供到写入晶体管Tr2的栅电极。
(显示区域的配置)
图3是有机EL显示器10中的显示区域30的平面配置的实例的示图。图4是沿着图3的直线I-I截取的截面图，示出了显示区域30的截面配置的实例。在显示区域30中，如在图3中示出的，以矩阵形式排列红色发光元件32R、绿色发光元件32G以及蓝色发光元件32B。一对红色发光元件32R、一对绿色发光元件32G以及一对蓝色发光元件32B形成像素32。
在有机EL显示器10的显示区域30中，如在图4中示出的，通过粘合层26粘接元件基板20与密封基板23。多个发光元件21被布置在元件基板20上并且发光元件21覆盖有保护层22。另一方面，在密封基板23侧上，布置滤色片24(红色滤色片24R、绿色滤色片24G以及蓝色滤色片24B)并且黑矩阵25形成在滤色片24的每个边界之间。粘合层26位于保护层22与滤色片24之间。在下文中，将描述每个组成元件。
元件基板20是具有平坦表面的支撑件。例如，金属箔、由树脂制成的膜或片等被用作元件基板20。因为有机EL显示器10是顶部发射型显示装置，其中发光元件的光从密封基板23侧发射，所以元件基板20无需是透明的。尽管没有在附图中示出，但形成以下参考图2描述的像素驱动电路60的TFT层或者用于使TFT层的表面平面化的平面化膜可以形成在元件基板20上。
发光元件21通过以预先确定波长范围中的至少一个峰值波长将电压施加至发光材料而发出白色光、红色光、绿色光或蓝色光等。发光元件21包括发光材料层并且包括将电压施加至发光材料层的下部电极和上部电极。下部电极例如由铝合金形成，并且被连接至与形成在元件基板20上的像素驱动电路。由诸如氧化铟锡(IZO)的透明电极材料形成上部电极。可以在发光材料层的上方和下方层叠空穴注入层、空穴透明层、电子传输层、电子注入层等。在附图中，发光元件是单独形成的。然而，发光元件通常可以形成在除了下部电极和发光材料层以外的层中。
保护层22例如由无机非晶体型绝缘材料形成并且形成在元件基板20的整个表面上以覆盖发光元件21。保护层22例如具有绝缘性能或非渗透性能，并且因此保护发光元件21。此外，不是必需形成保护层22或粘合层26可以位于发光元件21上面(上部电极)。
密封基板23(透明基板)由玻璃等形成，并且密封形成于显示区域30中的层叠结构。在密封基板23上，针对各个像素的颜色的滤色片24(红色滤色片24R、绿色滤色片24G以及蓝色滤色片24B)被布置在与每个发光元件21相对应的像素区域中。黑矩阵25形成在滤色片24的每个边界中。
在此，黑矩阵25遮蔽来自光的各个颜色的滤色片24的边界区域，并且因此改善了显示的图像的对比度。黑矩阵25例如由光遮蔽金属形成，如钛、氮化钛、钽、氮化钽或钨或包含如碳的黑色着色剂的树脂膜。还可以使用铝、铜等，尽管可见光的反射率低于上述金属的反射率。金属层例如可以形成为上述材料的层叠膜。黑矩阵25的厚度比滤色片24的厚度薄或者与滤色片24的厚度相同，如在附图中示出的。
粘合层26由热固性树脂、紫外线固化树脂等形成并且被插入在元件基板20与密封基板23之间以粘着这些基板。
因为元件基板20和密封基板23是单独设置的并且粘接在上述有机EL显示器10中，所以元件基板20和密封基板23在一定程度上相距较远时，并且具体地，分离至少与粘合层26的厚度相对应的距离。在此，从发光元件21发射的光不仅仅定向在主发光方向上(即，垂直于元件基板20的方向)，而且定向在相对于元件基板20的倾斜方向上，如在附图中示出的。因为光穿过粘合层26，所以倾斜方向上发射的光会通过像素区域的边界而混合到其他相邻的像素区域中。当混合非原始像素的光的光时，当然会劣化通过像素所显示的图像的图像质量。
因此，在以下将描述的本公开的实施方式中，将提出实现防止上述像素之间发出的光的混合的配置。在以下将描述的实施方式中，因为整个配置、像素驱动电路的配置以及显示区域的平面表面配置与上述相关技术的那些相同，所以将省去其详细描述。在显示区域的截面配置中，与上述相关技术的组成部分相同的组成部分被赋予相同的参考标号，并且在一些情况下将省去其详细描述。
(2.第一实施方式)
首先，将描述本发明的第一实施方式。
(2-1.显示装置的配置)
图5是示出了根据本公开的第一实施方式的显示装置中的显示区域的截面配置的实例的示图。根据本实施方式的显示装置是有机EL显示器100。
在有机EL显示器100的显示区域中，通过粘合层26粘接元件基板20与密封基板23。多个发光元件21被布置在元件基板20上并且发光元件21覆盖有保护层22。另一方面，在密封基板23侧上，布置了滤色片24(红色滤色片24R、绿色滤色片24G以及蓝色滤色片24B)。
此外，导光构件110形成在各个颜色的滤色片24的边界中。导光构件110穿透滤色片24且在一侧与密封基板23的表面相接触，并且穿透粘合层26且在另一侧与元件基板20上的保护层22相接触。导光构件110例如是由金属或树脂膜等形成的光遮蔽构件，如在上文中描述的黑矩阵25。
因为导光构件110存在于密封基板23与元件基板20之间，更具体地，存在于滤色片24与保护层22之间的粘合层26的区域中，所以在主发光方向上引导从发光元件21发射的光。就是说，还从导光构件110的表面反射从发光元件21发射并且定向成相对于元件基板20倾斜的方向上的光，并且因此被定向在主发光方向上，即，垂直于元件基板20的方向上，从而防止混合到其他相邻的像素区域中。
在此，在附图中示出的实例中，导光构件110的横截面具有朝向元件基板20侧开口的锥形形状。因此，可以收集从发光元件21发射的更多的光，并且因此更多的光可以被引导到密封基板23的预定区域(像素区域)。密封基板23侧上的导光构件110的区域例如可以是与上述黑矩阵25相同的区域。因为导光构件110是光遮蔽构件，如上所述，故导光构件110引导发射的光并且还起到密封基板23侧上的黑矩阵的作用。可替换地，可以与导光构件110分离地形成单独的黑矩阵。
图6是示出了在图5中示出的显示区域的平面配置的实例的示图。参照图6，导光构件110被布置为包围各个颜色的滤色片24，即，各个颜色的像素区域。由于这些布置，可以防止在各个整个像素区域中的来自其他相邻像素区域的光的混合。在本实施方式中，导光构件110不是必需包围整个的相应的像素区域。例如，在条纹类型像素布置的情况下，如在附图中示出的实例，导光构件可以被布置在各个像素区域的长边侧上并且正常的黑矩阵可布置在短边侧上。这是因为长边侧上的像素之间的间隙狭窄并且发射光的混合的影响相当大。
(2-2.显示装置的制造方法)
图7是示出了制造根据本公开的第一实施方式的显示装置的方法的各过程中显示装置的状态的示图。参照图7，导光构件110首先形成在密封基板23上。例如可以通过将材料涂覆于密封基板23上，然后通过光刻法使材料图案化来形成导光构件110。当与导光构件110分离地形成单独黑矩阵时，黑矩阵可以在形成导光构件110之前形成。例如还可以通过将材料涂覆于密封基板23上，然后通过光刻法使材料图案化来形成黑矩阵。对本领域技术人员显而易见的是被描述为由本说明书中的涂覆形成的导光构件和黑矩阵还可以通过如化学气相淀积(CVD)或溅射方法的其他已知的工艺形成。滤色片通常可以通过印刷而不是通过涂覆形成。
接下来，各个颜色的滤色片24形成在由导光构件110包围的区域中(如上所述，整个像素区域不是必需被包围)。滤色片24例如可以通过喷墨法形成。因为导光构件110比滤色片24厚，在这时候导光构件110在滤色片24之间突出。
另一方面，单独制备发光元件21和保护层22形成在其上的元件基板20，并且通过粘合层26接合两个基板(包括形成在基板上的构件)。在这时候，滤色片24之间突出的导光构件110穿透粘合层26并且与保护层22相接触。此后，通过硬化粘合层26完成了有机EL显示器100。在附图中示出的实例中，粘合层26被施加于元件基板侧，但粘合层26可以涂覆于密封基板23侧。
(2-3.应用于电子设备)
接下来，将参照图8对包括根据本发明的第一实施方式的显示装置的电子设备的配置进行描述。图8示出了根据本发明的第一实施方式的电子设备的配置的示意性框图。
参照图8，电子设备1000包括有机EL显示器100、控制电路500、操作单元600、存储单元700以及通信单元800。电子设备1000是包括有机EL显示器100作为显示单元的任何设备，如电视、移动电话(智能手机)、数字相机或个人计算机。
控制电路500例如包括中央处理器(CPU)、随机存取存储器(RAM)以及只读存储器(ROM)并且控制电子设备1000的各个单元。有机EL显示器100还由该控制电路500控制。
操作单元600例如包括触摸板、按钮、键盘或鼠标并且接收用户在电子设备1000上的输入操作。控制电路500响应于通过操作单元600获取的输入操作来控制电子设备1000。
存储单元700例如包括半导体存储器、磁盘或光盘并且存储电子设备1000起作用所必需的各种类型的数据。可以读取或执行存储在存储单元700中的程序使得可运行控制电路500。
另外设置了通信单元800。通信单元800是连接至有线或无线网络900的通信接口并且例如包括调制解调器、端口或天线。控制电路500经由通信单元800从网络900接收数据，并通过通信单元800将数据传输到网络900。
本实施方式不仅包括上述有机显示器100而且包括电子设备1000。
(2-4.变形例)
将参照图9至图14描述上述本公开的第一实施方式的变形例。在制造方法或电子设备的应用中，上述本实施方式的配置还可以应用于每个变形例。
图9是示出包括具有直的截面形状而非锥形形状的导光构件112的有机EL显示器102的实例的示图。导光构件112的平面区域基本上与从密封基板23到保护层22的平面区域相同。在这种情况下，与图5的实例相比，稍微少地收集所发射的光。然而，因为导光构件112的横截面形状是简单的，所以在形成导光构件112时可以容易地执行处理。
图10是示出包括横截面具有朝向密封基板23侧开口的锥形形状的导光构件114的有机EL显示器104的实例的示图。导光构件114的横截面具有在图5的实例中示出的导光构件110的方向相反的方向上的锥形形状。在这种情况下，收集的发射光较少。然而，因为从导光构件114的表面反射的光被分散到更大的范围，所以显示的图像的可视角范围扩大。即，有机EL显示器104具有更大的方向性。
图11A至图11C是示出了其中在没有粘合层26的情况下接合元件基板20与密封基板23的有机EL显示器106的实例的示图。在图11A中示出的实例的情况下，透明的绝缘膜27形成在导光构件110之间，即，在滤色片24与保护层22之间的空间中，并且由导光构件110和透明绝缘膜27形成的表面直接接合到保护层22。因为没有插入粘合层26，例如，所以可以防止随着加热或紫外线的照射的硬化粘合层26的处理对其他构件的影响。此外，导光构件110可以使用图9的上述实例中示出的导光构件112或图10的上述实例中示出的导光构件114代替。
图11B是示出了制造在图11A中示出的有机EL显示器的方法的各过程的状态的示图。参照图11B，导光构件110形成在密封基板23上。在导光构件110所包围的区域中形成各个颜色的滤色片24的之后(因为这个过程是与在图7中示出的制造方法的相同的过程，所以将省去其详细说明)，透明绝缘膜27形成在导光构件110之间。然后，通过化学机械抛光(CMP)而对表面进行抛光而使由导光构件110和透明的绝缘膜27形成的表面平滑化，并且然后直接接合到面向由导光构件110和透明绝缘膜形成的表面的元件基板20的保护层22的表面。在直接接合时，例如使用表面活性化接合。在表面活性化接合时，各个表面通过等离子蚀刻活性化、湿刻蚀、离子束蚀刻之后，表面彼此接合。
图11C是示出了在图11A中示出的有机EL显示器106的配置的示意图的示图。在这个实例中，透明绝缘膜27形成在导光构件110之间并且覆盖位于元件基板20侧上的导光构件110的横截面。因此，面向元件基板20的保护层22的密封基板23侧上的表面由透明绝缘膜27形成。例如，当由于导光构件110的边缘的暴露而使直接接合的表面活性化变得困难时，这个配置是有效的。
图12是示出了导光构件110穿入到粘合层26中的有机EL显示器108的实例的示图。在有机EL显示器108中，导光构件110不穿透粘合层26并且不与保护层22相接触。因此，当元件基板20和密封基板23彼此接合时，可以在不考虑导光构件110的厚度的情况下设定元件基板20与密封基板23之间的间隙。例如，即使当导光构件110的厚度不均匀时，可以均匀地保持基板之间的间隙。此外，因为保护层22或者发光元件21的表面不与导光构件110相接触，所以可以不用使表面平滑化，例如，即使在不平坦的状态下还可以涂覆粘合层26。
图13是示出了具有直的横截面形状而非锥形形状的导光构件112穿入到粘合层26中的有机EL显示器120的实例的示图。在有机EL显示器120中，导光构件112不穿透粘合层26并且不与保护层22接触。如从附图清晰可见的，这个变形例是与图9中示出的上述实例和图12中示出的上述实例相结合的。因此，可以获得与实例的那些优势相同的优势。
图14是示出具有朝向密封基板23侧开口的锥形形状的横截面的导光构件114穿入到粘合层26中的有机EL显示器122的示图。在有机EL显示器122中，导光构件114不穿透粘合层26并且不与保护层22接触。如从附图清晰可见的，这个变形例是与图10中示出的上述实例和图12中示出的上述实例相结合的。因此，可以获得与实例的那些优势相同的优势。
已描述了本实施方式的变形例。在上述描述中，已描述了所有包括滤色片24的有机EL显示器的实例。然而，不是必需形成滤色片24。如上所述，当发光元件21发射出具有各个颜色的像素的光时，在一些情况下形成滤色片24以改善颜色纯度，但在其它情况下可以不形成滤色片。此外，在一些情况下，滤色片24仅为一些颜色的像素形成。在本实施方式中，因为导光构件110形成在密封基板23上，所以滤色片24的存在或不存在不影响导光构件110的结构。
(3.第二实施方式)
接下来，将描述本公开的第二实施方式。因为应用于电子设备的的配置与第一实施方式的上述配置相同，所以将省去其重复描述。
(3-1.显示装置的配置)
图15是示出了根据本公开的第二实施方式的显示装置中的显示区域的截面配置的实例的示图。根据本实施方式的显示装置是有机EL显示器200。
在有机EL显示器200的显示区域中，通过粘合层26粘接元件基板20和密封基板23。多个发光元件21被布置在元件基板20上并且发光元件21覆盖有保护层22。另一方面，在密封基板23侧上布置滤色片24(红色滤色片24R、绿色滤色片24G以及蓝色滤色片24B)。
此外，导光构件210形成在各个颜色的滤色片24的边界中。导光构件210在一侧上与滤色片24的元件基板20侧上的表面相接触，并且穿透粘合层26且在另一侧上与元件基板20上的保护层22相接触。就是说，导光构件210形成为正好被插入在滤色片24与保护层22之间。导光构件210例如是由金属或树脂膜等形成的光遮蔽构件，如在上文中描述的黑矩阵25。
根据本实施方式的导光构件210不形成在各个颜色的滤色片24之间。因此，在滤色片24的部分中像素之间的光的混合不能通过导光构件210防止。然而，因为从发光元件21发射的光由保护层22和滤色片24之间的区域中的导光构件210引导到主发光方向上，所以在整个有机EL显示器200中可以充分防止像素之间的光的混合。在这个实施方式中，如下面将描述的，滤色片24比导光构件210形成的更早并且可以获得改善形成滤色片24的方法的自由度的优势。
在此，在附图中示出的实例中，导光构件210的横截面具有朝向元件基板20侧开口的锥形形状。因此，收集从发光元件21发射的更多的光，并且因此更多的光可以被引导到密封基板23的预定区域(像素区域)。密封基板23侧上的导光构件210的区域例如可以是与上述黑矩阵25的区域相同的区域。在本实施方式中，导光构件210还是形成在像素区域之间的边界中的光遮蔽构件，所以导光构件210也起到黑矩阵的作用。然而，例如，为了进一步提高黑矩阵的作用，如与图4的实例中示出的黑矩阵的相同的黑矩阵可以单独形成在滤色片24的密封基板23的侧面上。
(3-2.显示装置的制造方法)
图16是示出了制造根据本公开的第二实施方式的显示装置的第一方法的各过程中的显示装置的状态的示图。参照图16，滤色片24首先形成在密封基板23上。例如可以通过将各个颜色的彩色光阻(color resist)涂覆于密封基板23，并且然后通过光刻法使彩色光阻图案化形成滤色片24。可替换地，滤色片24可以通过喷墨法形成。接下来，导光构件210形成在各个颜色的滤色片24之间的边界中。例如，可以通过将材料涂覆于滤色片24或者以下将描述的保护层，并且然后通过光刻法使材料图案化形成导光构件210。
在此，当存在滤色片24可能在形成导光构件210的过程中被损坏的顾虑时，保护层(未示出)可以形成在滤色片24的表面上并且导光构件210可以形成在滤色片24的表面上。此外，在一些情况下各个颜色的滤色片24由于光谱特性形成为具有不同的厚度，并且因此在边界中可能出现阶梯(step)差异，即使在成形过程中。当滤色片24之间的边界的阶梯差异大时，保护层(未示出)同样可以形成在滤色片24的表面上，保护层的表面例如通过CMP抛光保护层的表面而变得平滑，并且然后可以形成导光构件210。可替换地，当导光构件210的材料被涂覆于有阶梯差异的表面时，该表面例如可以通过CMP抛光表面而变得平滑。保护层例如通过使用如无机非晶体型绝缘材料(二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化硅碳化物等)的CVD的涂覆或工艺形成。
接下来，单独制备发光元件21和保护层22形成在其上的元件基板20，并且两个基板(包括形成在基板上的构件)通过粘合层26粘接。在这时候，从滤色片24的表面突出的导光构件210穿透粘合层26并且与保护层22相接触。此后，通过使粘合层26硬化完成有机EL显示器200。在附图中示出的实例中，粘合层26被应用于元件基板侧，但粘合层26可以被应用于密封基板23侧。
图17是示出了制造根据本公开的第二实施方式的显示装置的第二方法的各过程中显示装置的状态的示图。参照图17，首先，导光构件210形成在发光元件21和保护层22上，上述发光元件21和保护层22形成在元件基板20上。例如，可通过将材料涂覆于保护层22并且然后通过光刻法使材料图案化来形成导光构件210。如在图16的实例中，当保护层22的表面上非常不平坦时，保护层的表面例如可以通过CMP抛光表面而变得平滑或例如可以通过在涂覆导光构件210的材料时通过CMP对表面进行抛光而变得平滑。
接下来，单独制备各个颜色的滤色片24形成在其上的密封基板23，并且通过粘合层26粘接两个基板(包括形成在基板上的构件)。在这时候，从保护层22的表面突出的导光构件210穿透粘合层26且与滤色片24的边界相接触。当滤色片24之间的边界的阶梯差异大时，优选的是保护层(未示出)形成在滤色片24的表面上使保护层的表面平滑化，并且然后使其与导光构件210相接触。
此后，通过使粘合层26硬化完成有机EL显示器200。在附图中示出的实例中，粘合层26被应用于密封基板23侧上，但粘合层26可以应用于元件基板20侧。
(3-3.变形例)
将参照图18描述上述本公开的第二实施方式的变形例。在制造方法中，上述本实施方式的配置还可以应用于各个变形例。
图18是示出了导光构件210穿入到粘合层26中的有机EL显示器202的实例的示图。在有机EL显示器202中，导光构件210不穿透粘合层26并且不与保护层22相接触。因此，当元件基板20和密封基板23彼此接合时，可以在不考虑导光构件210的厚度的情况下设定元件基板20与密封基板23之间的间隙。例如，即使当导光构件210的厚度不均匀时，基板之间的间隙可以保持均匀。此外，因为保护层22或者发光元件21的表面不与导光构件210相接触，所以可以不用使表面平滑或者即使在不平坦的状态下也可以应用粘合层26。
尽管没有在附图中示出，但在本实施方式中，导光构件具有直的横截面形状而非锥形形状的变形例以及导光构件的横截面具有朝向密封基板23侧开口的锥形形状的变形例可以应用于图15的上述实例和图18的上述实例两者，如上述第一实施方式中的。元件基板20和密封基板23在没有粘合层26的干涉下结合的变形例还可以应用于图15的实例。
(4.第三实施方式)
接下来，将描述本发明的第三实施方式。因为应用于电子设备的配置与第一实施方式的上述配置相同，所以将省去其重复描述。
(4-1.显示装置的配置)
图19是示出了根据本公开的第三实施方式的显示装置中的显示区域的截面配置的实例的示图。根据本实施方式的显示装置是有机EL显示器300。
在有机EL显示器300的显示区域中，通过粘合层26粘接元件基板20和密封基板320。多个发光元件21被布置在元件基板20上并且发光元件21覆盖有保护层22。另一方面，在密封基板320侧上，布置滤色片24(红色滤色片24R、绿色滤色片24G以及蓝色滤色片24B)。
此外，导光构件310形成在各个颜色的滤色片24的边界中。导光构件310穿透滤色片24穿入到凹槽320g中且在一侧与密封基板320的表面相接触，并且穿透粘合层26且在另一侧与元件基板20上的保护层22相接触。就是说，导光构件310被配置为正好被插入滤色片24与保护层22之间。导光构件310例如是由金属或树脂膜等形成的光遮蔽构件，如在上文中描述的黑矩阵25。
在此，密封基板320由玻璃等形成并且在密封显示区域中形成如上述密封基板23中的层叠结构，但是与密封基板23的不同在于通过处理形成导光构件310穿入其中的凹槽320g。
根据本实施方式的导光构件310从粘合层26穿透各个颜色的滤色片24并且形成为直达密封基板320的内部。因此，因为从发光元件21发射的光在大于上述第一实施方式的导光构件110的区域中被引导到主发光方向，所以可以更有效地防止像素之间的光的混合。然而，在由玻璃等形成的密封基板320中形成凹槽320g的处理不是很容易。因此，本实施方式以及如上述第一实施方式和第二实施方式的其他实施方式可以考虑到过程中可获得的优势和困难程度而适当分配。
在此，在附图中示出的实例中，导光构件310的横截面具有朝向元件基板20侧开口的锥形形状。因此，可以收集从发光元件21发射的更多的光，并且因此更多的光可以被引导到密封基板320的预定区域(像素区域)。此外，在附图中示出的实例中，锥形形状是连续的直到导光构件310的两端。然而，例如，导光构件310的截面形状可以从穿入到密封基板320的部分起从锥形形状改变为直的矩形形状。因此，密封基板320的凹槽320g的横截面可具有矩形形状，并且因此凹槽320g可以在一定程度上较容易处理。密封基板320侧上的导光构件310的区域例如可以是与上述黑矩阵25相同的区域。因为如上所述，导光构件310是光遮蔽构件，所以导光构件310引导发射的光并且还起到位于密封基板320侧上的黑矩阵的作用。
(4-2.显示装置的制造方法)
图20是示出了制造根据本公开的第三实施方式的显示装置的方法的各过程中显示装置的状态的示图。参照图20，凹槽320g首先形成在密封基板320中。例如通过蚀刻过程或机械加工过程形成凹槽320g。接下来，导光构件310形成在与密封基板320上的凹槽320g相对应的区域中。例如，可以通过将材料涂覆于密封基板320上并且然后通过光刻法将材料图案化来形成导光构件310。在这时候，当由于形成凹槽320g的事实导致在涂覆了材料的表面上出现大的阶梯差异时，材料的表面可以通过CMP对表面进行抛光而变得平滑。
接下来，各个颜色的滤色片24形成在由导光构件310包围的区域中(如在第一实施方式中，不是必需包围整个区域并且黑矩阵可以形成在没有形成导光构件310的像素区域之间的边界中)。例如，可以通过喷墨法形成滤色片24。因为导光构件310比滤色片24厚，在这时候导光构件310在滤色片24之间突出。
接下来，单独制备发光元件21和保护层22形成在其上的元件基板20，并且通过粘合层26接合两个基板(包括形成在基板上的构件)。在这时候，滤色片24之间突出的导光构件310穿透粘合层26并且与保护层22相接触。此后，通过使粘合层26硬化完成有机EL显示器300。在附图中示出的实例中，粘合层26被应用于元件基板侧，但粘合层26可以应用于密封基板320侧。
(4-3.变形例)
将参照图21描述上述本公开的第三实施方式的变形例。在制造方法中，上述本实施方式的配置还可以应用于各个变形例。
图21是示出了导光构件310穿入到粘合层26中的有机EL显示器302的实例的示图。在有机EL显示器302中，导光构件310不穿透粘合层26并且不与保护层22接触。因此，当元件基板20与密封基板320接合至彼此时，可以不考虑导光构件310的厚度来设定元件基板20与密封基板320之间的间隙。例如，即使当导光构件310的厚度不均匀时，可以均匀地保持基板之间的间隙。此外，因为保护层22或者发光元件21的表面不与导光构件310相接触，故可以不用使表面平滑，例如，即使在不平坦的状态下也可以应用粘合层26。
尽管没有在附图中示出，但在本实施方式中，导光构件具有直的横截面形状而不是锥形形状的变形例和导光构件的横截面具有朝向密封基板320侧开口的锥形形状的变形例可以应用于图19的上述实例和图21的上述实例两者，如上述第一实施方式的。元件基板20和密封基板320在没有粘合层26的干涉下相结合的变形例还可以应用于图19的实例。
(5.补充)
上述实施方式已描述为显示装置是有机EL显示器的实例，但是本公开的实施方式不限于这些实例。本公开的实施方式可以应用于如无机EL显示器的各种显示装置，只要显示装置包括发光元件即可。
尽管没有示出，但由氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化硅碳化物等形成的绝缘膜可以形成为围绕黑矩阵。例如，这些绝缘膜可以形成在黑矩阵与滤色片之间或者可以形成在黑矩阵与绝缘膜之间。
本领域技术人员应理解，根据设计需求和其它因素可进行各种修改、组合、子组合和变更，只要它们在所附权利要求或其等价物的范围之内即可。
另外，本技术还可以被配置如下。
(1)一种显示装置，包括：
多个发光元件，被布置在第一基板上；以及
导光构件，被布置在与所述发光元件相对应的像素区域之间的边界中，并且在每个所述发光元件的主发光方向上引导从所述第一基板与面向所述第一基板的第二基板之间的每个所述发光元件发射的光。
(2)根据(1)所述的显示装置，进一步包括：
滤色片，被布置在所述第二基板上的所述像素区域中的一个像素区域中，
其中，所述导光构件至少在所述滤色片与所述第一基板之间引导发射的光。
(3)根据(2)所述的显示装置，，其中，所述导光构件穿透所述滤色片并且与所述第二基板的表面相接触。
(4)根据(2)所述的显示装置，其中，所述导光构件与所述滤色片的所述第一基板侧的表面相接触。
(5)根据(2)所述的显示装置，其中，所述导光构件穿透所述滤色片至所述第二基板中。
(6)根据(1)至(5)中的任一项所述的显示装置，进一步包括：
形成在所述第一基板上的所述多个发光元件的保护层，
其中，所述导光构件与所述保护层相接触。
(7)根据(6)所述的显示装置，进一步包括：
粘合层，被插入在所述保护层与所述第二基板之间，
其中，所述导光构件穿透所述粘合层。
(8)根据(1)至(5)中的任一项所述的显示装置，进一步包括：
形成在所述第一基板上的所述多个发光元件的保护层；以及
粘合层，被插入在所述保护层与所述第二基板之间，
其中，所述导光构件穿入至所述粘合层中。
(9)根据(1)至(8)中任一项所述的显示装置，其中，所述导光构件的横截面具有朝向所述第一基板侧开口的锥形形状。
(10)根据(1)至(8)中任一项所述的显示装置，其中，所述导光构件的横截面具有朝向所述第二基板侧开口的锥形形状。
(11)一种显示装置的制造方法，包括：
在第一基板或面向所述第一基板的第二基板上形成导光构件，所述导光构件被布置在与布置在所述第一基板上的多个发光元件相对应的像素区域之间的边界中，并且在每个所述发光元件的主发光方向上引导从所述第一基板与所述第二基板之间的每个所述发光元件发射的光；以及
将所述第一基板与所述第二基板相接合。
(12)根据(11)所述的显示装置的制造方法，进一步包括：
将滤色片布置在位于所述第二基板上的所述像素区域的一个像素区域中。
(13)根据(12)所述的显示装置的制造方法，
其中，所述导光构件形成在所述第二基板上，
其中，在布置所述滤色片的步骤之前执行形成所述导光构件的步骤。
(14)根据(13)所述的显示装置的制造方法，进一步包括：
形成凹槽，在所述凹槽中，所述导光构件穿入到所述第二基板中。
(15)根据(12)所述的显示装置的制造方法，
其中，所述导光构件形成在所述第二基板上；并且
其中，在布置所述滤色片的步骤之后执行形成所述导光构件的步骤。
(16)根据(11)至(15)中任一项所述的显示装置的制造方法，
其中，所述导光构件形成在所述第二基板上；并且
其中，在将所述第一基板与所述第二基板相接合的步骤中，所述导光构件与形成在所述第一基板上的所述多个发光元件的保护层相接触。
(17)根据(16)所述的显示装置的制造方法，其中，在将所述第一基板与所述第二基板相结合的步骤中，通过粘合层接合所述第一基板与所述第二基板并且所述导光构件穿透所述粘合层。
(18)根据(11)至(15)中任一项所述的显示装置的制造方法，在将所述第一基板与所述第二基板相接合的步骤中，通过粘合层接合所述第一基板与所述第二基板并且所述导光构件部分地穿入到所述粘合层中。
(19)一种电子设备，包括：
显示装置，被配置为包括：多个发光元件，被布置在第一基板上；以及导光构件，被布置在与所述发光元件相对应的像素区域之间的边界中，并且在每个所述发光元件的主发光方向上引导从所述第一基板与面向所述第一基板的第二基板之间的每个所述发光元件发射的光。
参考标号列表
20  元件基板
21  发光元件
22  保护层
23、320  密封基板
24  滤色片
26  粘合层
100、200、300  有机EL显示器
110、210、310  导光构件
320g  凹槽
1000  电子设备

Claims (19)

1.一种显示装置，包括：
多个发光元件，被布置在第一基板上；以及
导光构件，被布置在与所述发光元件相对应的像素区域之间的边界中，并且在每个所述发光元件的主发光方向上引导从所述第一基板与面向所述第一基板的第二基板之间的每个所述发光元件发射的光。
2.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
滤色片，被布置在所述第二基板上的所述像素区域中的一个像素区域中，
其中，所述导光构件至少在所述滤色片与所述第一基板之间引导发射的光。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述导光构件穿透所述滤色片并且与所述第二基板的表面相接触。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述导光构件与所述滤色片的所述第一基板侧的表面相接触。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述导光构件穿透所述滤色片至所述第二基板中。
6.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
形成在所述第一基板上的所述多个发光元件的保护层，
其中，所述导光构件与所述保护层相接触。
7.根据权利要求6所述的显示装置，进一步包括：
粘合层，被插入在所述保护层与所述第二基板之间，
其中，所述导光构件穿透所述粘合层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
形成在所述第一基板上的所述多个发光元件的保护层；以及
粘合层，被插入在所述保护层与所述第二基板之间，
其中，所述导光构件穿入至所述粘合层中。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导光构件的横截面具有朝向所述第一基板侧开口的锥形形状。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导光构件的横截面具有朝向所述第二基板侧开口的锥形形状。
11.一种显示装置的制造方法，包括：
在第一基板或面向所述第一基板的第二基板上形成导光构件，所述导光构件被布置在与布置在所述第一基板上的多个发光元件相对应的像素区域之间的边界中，并且在每个所述发光元件的主发光方向上引导从所述第一基板与所述第二基板之间的每个所述发光元件发射的光；以及
将所述第一基板与所述第二基板相接合。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，进一步包括：
将滤色片布置在所述第二基板上的所述像素区域中的一个像素区域中。
13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，
其中，所述导光构件形成在所述第二基板上，
其中，在布置所述滤色片的步骤之前执行形成所述导光构件的步骤。
14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，进一步包括：
形成凹槽，在所述凹槽中，所述导光构件穿入到所述第二基板中。
15.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，
其中，所述导光构件形成在所述第二基板上；并且
其中，在布置所述滤色片的步骤之后执行形成所述导光构件的步骤。
16.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，
其中，所述导光构件形成在所述第二基板上；并且
其中，在将所述第一基板与所述第二基板相接合的步骤中，所述导光构件与形成在所述第一基板上的所述多个发光元件的保护层相接触。
17.根据权利要求16所述的显示装置的制造方法，其中，在将所述第一基板与所述第二基板相结合的步骤中，通过粘合层接合所述第一基板与所述第二基板并且所述导光构件穿透所述粘合层。
18.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，在将所述第一基板与所述第二基板相接合的步骤中，通过粘合层接合所述第一基板与所述第二基板并且所述导光构件部分地穿入到所述粘合层中。
19.一种电子设备，包括：
显示装置，被配置为包括：多个发光元件，被布置在第一基板上；以及导光构件，被布置在与所述发光元件相对应的像素区域之间的边界中，并且在每个所述发光元件的主发光方向上引导从所述第一基板与面向所述第一基板的第二基板之间的每个所述发光元件发射的光。
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