CN104838477A - 用于实现小特征中金属填充的方法 - Google Patents
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Abstract
一种在具有次30纳米特征的工件上电镀的方法，所述方法大体包括：施加化学品至所述工件，所述化学品包括在约55ppm到约250ppm范围中的卤素离子浓度和金属阳离子溶质物种；及施加少于约5秒的电波形，其中所述电波形包括电流斜波时段和脉冲电镀时段。
Description
相关申请案的交叉引用
本申请案要求享有申请号为61/737044且申请日为2012年12月13日的美国专利临时申请案的权益，通过引用将此美国专利临时申请案的公开内容整体明确地并入本文中。
技术领域
背景技术
集成电路是形成于半导体材料中和介电材料中的器件的互连集合体，其中介电材料覆盖于半导体材料的表面上。可形成于半导体中的器件包括MOS晶体管、双极晶体管、二极管和扩散电阻器。可形成于电介质中的器件包括薄膜电阻器和电容器。这些器件通过形成于电介质中的导体路径互连。通常，两个或更多层(level)的导体路径被用作为互连结构，其中由介电层将相继层分隔开。在当前实践中，通常使用铜和氧化硅来分别做为导体和电介质。
铜互连结构中的沉积物通常包括介电层、阻挡层、种晶层、铜填充物和铜帽。用于铜填充物和铜帽的常规电化学沉积(ECD)是在特征中使用酸性电镀化学品(acid plating chemistry)来进行的。铜的电化学沉积已被发现是沉积铜金属化层的最具有经济效益的方式。除了在经济上具有可行性，此沉积技术提供了实质上自底而上(例如非共形)的铜填充物，所述铜填充物在机械上和电学上适于互连结构。
常规ECD铜的酸性电镀化学品可包括，例如，硫酸铜、硫酸、氢氯酸和有机添加剂(比如加速剂、抑制剂和均匀剂)。这些添加剂通过以下特性和方式来驱使特征中的无孔洞(void-free)、自底而上(bottom-up)的填充：通过添加剂的吸附特性和解吸附特性以及通过竞争反应，例如，通过抑制在特征的顶部和侧壁上的电镀，同时增强在特征的底部的电镀。
持续的互连特征缩小带来新的挑战，这是由于特征尺寸(比如特征宽度和深宽比)妨碍和改变了通常所使用的添加剂的反应特性。在这方面，用于铜互连结构的次30纳米(sub-30nm)特征具有足够小的容积，且需要这样少的铜原子以致在常规ECD铜酸性电镀化学反应中，所述特征在电镀的前几秒内就被填充了。这样的时间比驱使常规的自底而上填充的镀浴(bath)添加剂的吸附和解吸附反应动力过程(kinetics)所需的时间要短。
因此，在小特征(例如次30纳米特征)中，由于存在孔洞，因此常规ECD填充可能造成较低品质的互连结构。例如，作为使用常规ECD沉积所形成的一种类型的孔洞的一个实例，特征的开口可能夹闭(pinch off)。许多其它类型的孔洞亦可由于在小特征中使用常规ECD铜填充而形成。这类孔洞以及使用常规ECD铜填充所形成的沉积物的其他内在特性会增加互连结构的电阻，因此减缓器件速度且恶化铜互连结构的可靠度。
因此，需要一种电化学沉积方法来自底而上填充次30纳米特征，从而减少孔洞区域的数量。本公开内容的实施方式用于满足此需要以及其它需要。
发明内容
本发明内容用于以简化的形式介绍构思的选择，而这些构思进一步描述于下文的详细的说明书中。此发明内容并非意于指明所要求保护的主题的关键特征，也非意于用作确定所要求保护的主题的范围的辅助。
依据本公开内容的一个实施方式，提供了在具有次30纳米特征的工件上电镀的方法。所述方法大体包括：施加化学品至工件，所述化学品包括在约55ppm到约250ppm范围中的卤素离子(halide ion)浓度和金属阳离子溶质物种；及施加电波形达少于约5秒，其中所述电波形包括电流斜波(ramping ofcurrent)时段和脉冲电镀时段。
依据本公开内容的另一实施方式，提供了在具有次30纳米特征的工件上电镀的方法。所述方法大体包括：施加化学品至工件，所述化学品包括在约55ppm到约250ppm范围中的卤素离子浓度和金属阳离子溶质物种；及施加电波形，其中所述电波形包括少于0.2秒的时段的电流斜波时段和少于约2秒的脉冲电镀时段。
依据本公开内容的另一实施方式，提供了在具有次30纳米特征的工件上电镀的方法。所述方法大体包括：施加化学品至工件，所述化学品包括在约120ppm到约150ppm范围中的卤素离子浓度和金属阳离子溶质物种；及施加电波形，其中所述电波形包括少于0.2秒的时段的电流斜波时段和少于约2秒的脉冲电镀时段。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述金属阳离子可为铜。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述卤素离子浓度可在约120ppm到约150ppm的范围中。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述卤素离子可选自由氯离子、溴离子和碘离子及前述离子的组合所构成的群组。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述电流斜波可选自由线性连续斜波、非线性连续斜波或脉冲式斜波所构成的群组。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述斜波时段可达一时段，所述时段选自由以下所构成的群组：少于约0.1秒(100毫秒)、少于约0.2秒(200毫秒)和少于约0.4秒(400毫秒)。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述斜波时段可在延迟时段之后开始。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述斜波可实现选自由以下电流电平所构成的群组的电流电平：在约1安培到约15安培的范围中、在约7安培到约15安培的范围中、在约18安培到约25安培的范围中和在约7安培到约25安培的范围中。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述脉冲时段可为少于约2秒(2000毫秒)的时段。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述脉冲时段可具有在约20％到约75％范围中的占空度(duty cycle).
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述脉冲时段可有约50％的占空度。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，各别脉冲延伸达一脉冲长度，所述脉冲长度选自由以下时间所构成的群组：约1毫秒到约100毫秒、约5毫秒到约100毫秒和约5毫秒到约50毫秒。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，开启电流脉冲可处于一电流电平，所述电流电平选自由以下所构成的群组：在约1到约30安培的范围中和在约4.5到约30安培的范围中。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，关闭电流脉冲可处于一电流电平，所述电流电平在选自由以下范围所构成的群组的范围中：约0安培到约20安培、约0安培到约10安培和约0安培到约5安培。
依据本公开内容的另一实施方式，在本文描述的任一方法中，所述波形可进一步包括触发的热输入(triggered hot entry)。
附图说明
本公开内容的前述各方面和许多伴随的优点将通过参考以下详细说明并结合附图而变得更加容易理解，其中：
图1为依据本公开内容的一个实施方式的用于铜电化学沉积电镀工艺中的示例性电流波形；
图2为依据本公开内容的另一实施方式的用于铜电化学沉积电镀工艺的示例性电流波形；
图3为依据本公开内容的一个实施方式的使用铜电化学沉积电镀工艺后的工件的横截面SEM图像；以及
图4为依据本公开内容的实施方式而制备的经受不同测试条件的不同测试基板的孔洞计数比较。
具体实施方式
本公开内容的实施方式针对工件及处理所述工件的方法，所述工件比如半导体晶片、器件或用于处理工件的处理组件。术语工件、晶片或半导体晶片表示任何平的媒介或物件，包括半导体晶片和其它基板或晶片、玻璃、掩模和光学或存储媒介、MEMS基板，或任何其它具有微电子、微机械或微机电器件的工件。
本文描述的工艺是用于工件的特征中的金属或金属合金沉积，其中所述特征包括沟槽(trench)和过孔(via)。在本公开内容的一个实施方式中，所述工艺可用于小特征中，例如，特征直径小于30纳米的特征。然而，应当理解，本文描述的工艺可适用于任何特征尺寸。本申请中论述的尺寸大小是指特征的顶部开口处的蚀刻后特征尺寸。本文描述的工艺可应用于各种形式的金属和金属合金沉积，例如，可用于镶嵌应用中。
应当理解，本文所用的说明性用语“微特征工件”和“工件”包括所有在处理中在给定点处已先前沉积和形成的结构和层。本公开内容的实施方式针对用于在小特征中无孔洞、自底而上填充的方法。依照本公开内容的一个实施方式，一种方法包括提供化学-物理驱动力以促进在小特征中无孔洞、自底而上填充。适合的化学-物理驱动力可包括增加镀浴中的卤素离子浓度以及在电镀工艺的开始时施加特定的输入和早期电镀电波形。
在本公开内容的实施方式中，本文描述的小特征可为次30纳米特征、次20纳米特征、在10-30纳米范围中的特征或在5-30纳米范围中的特征。
本技术领域中术语“无孔洞填充”被解释为具有减少的孔洞的特征，因此不会显著增加互连结构的电阻，或不会显著影响互连结构的产率或性能。尽管特征可能包含或者在电镀期间或者是在之后的处理条件中产生的一些孔洞，但这些孔洞在“无孔洞填充”中一般是检测不到的。就这方面，当例如使用如图3中所见的SEM图像进行目视检查时是检测不到这些孔洞的。此外，当与较大的特征相比较时，若较小特征达到相当的性能值(例如产率、电阻和可靠度值)，则这些孔洞是检测不到的，其中所述较大的特征的性能达到值(achievement)已被确定为是工业中可接受的，所述较大的特征例如是45纳米的特征。
电镀浴可为酸性金属镶嵌电镀浴，包括例如金属离子(比如硫酸铜形式的铜离子)、酸浓度(例如硫酸)、卤化物浓度(halide concentration)(比如氢氯酸形式的氯离子浓度)和有机添加剂(比如加速剂、抑制剂和均匀剂)。然而，应当理解本文描述的方法可应用于除了铜以外的其他金属，和除了具有酸浓度(比如硫酸)的化学品以外的其它种类的化学品。
依据本公开内容的实施方式，电镀浴中卤素离子浓度通过以下方式而增加：例如，使用增加的氯离子、溴离子或碘离子浓度，以及其它适合的卤素离子或前述离子浓度的组合。
作为适合的卤化物的非限制性实例，可在电镀浴中使用增加的氯离子浓度。在传统电镀浴中的氯化物浓度通常为约50ppm的浓度。依据本公开内容的实施方式，氯化物浓度可在此通常浓度的约1.1到约5倍的范围中。在本公开内容的一个实施方式中，氯化物浓度可为在传统电镀浴中通常氯化物浓度的约3倍。在本公开内容的一个实施方式中，氯化物浓度可在约120到150ppm的范围中。在本公开内容的一个实施方式中，氯化物浓度可在约55ppm到约250ppm的范围中。
依据本公开内容的实施方式的电镀浴可进一步包括选择性(optional)的有机添加剂，所述有机添加剂根据电镀浴的操作条件而可以不同浓度存在。就这方面，由于在传统ECD铜酸性电镀化学品中的有机添加剂(比如加速剂、抑制剂和均匀剂)在用于依据本公开内容的实施方式的小特征的电镀化学品中大部分不起作用，所以可能不需要这些添加剂的一些或全部，而因此可将这些添加剂的一些或全部从电镀浴中去除。然而，若使用与较小特征相同的化学浴来电镀较大的特征，则必须使电镀浴中包括这些添加剂以促进在较大特征中的无孔洞电镀，如将于下文中更加详细描述的。
电镀浴亦可包括络合剂，这些络合剂被用来促进铜沉积而不需要这些有机添加剂的一些或全部。作为非限制性的实例，适合的铜络合剂可包括螯合剂，比如乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid，EDTA)。亦可使用本领域的技术人员所熟知的其它络合剂。
结合电镀浴中增加的卤素浓度的化学作用，电波形的使用向化学电镀浴增加物理成分。在这方面，波形在仅凭化学品将无法产生作用的特征内部位置中增加了动能。由于特征尺寸非常小，且几乎和电镀添加剂分子处于相同的级别(scale)或相同的量级(order)，所以电镀化学品无法如在较大特征中预期的那样起作用。因此，波形的使用物理地操控在电镀过程中分子的行为。所述波形可为电流波形或电势波形。
尽管不希望被理论束缚，但发明人认为波形能减低在小特征中添加剂效能(effectiveness)的时间延迟。由于添加剂一般被包括以用于较大特征中，且在较小特征中并不特别有用，因此，认为增加的卤素浓度能减轻添加剂在小特征中的任何负面作用。例如，增加的卤素浓度可减轻抑制剂在小特征中的负面作用，为此，抑制剂的活化时间已通过使用电波形而加速了。
依据本公开内容的一个实施方式，适合的电流波形包括触发的热输入和斜波式电流，之后有短时间段(少于5秒)的脉冲电镀。在触发的热输入中，电流为开路直到晶片接触化学品为止，由此闭合电路以启动预设波形。
由于整个工件并非一次全湿，故使用电流的斜波来维持在润湿阶段期间工件中的恒定电流密度。电流斜波可以一种或多种方式来进行。参照图1中的非限制性实例，所述斜波是稳定的斜波。在此实施方式中，花费约150毫秒(从约0到约150毫秒)使整个工件浸没于化学品中。参照图2中的非限制性实例，稳定的斜波在短暂延迟后出现，然后维持稳定。延迟的长度可取决于何时启动电源。在此实例中，稳定的斜波出现从约0.15到约0.40秒，然后维持恒定从约0.40秒到约0.85秒。
应当理解，斜波阶段可为线性连续斜波、非线性连续斜波或脉冲斜波。依据本公开内容的一个实施方式，所述斜波可达到约1安培到约15安培范围中的电流电平。依据本公开内容的一个实施方式，所述斜波可达到约7安培到约15安培范围中的电流电平。依据本公开内容的另一实施方式，所述斜波可达到约18安培到约25安培范围中的电流电平。依据本公开内容的另一实施方式，所述斜波可达到约7安培到约25安培范围中的电流电平。
依据本公开内容的实施方式，斜波时段可少于0.1秒、少于0.2秒、少于0.4秒或少于1.0秒。
尽管不希望被理论束缚，但发明人认为在斜波阶段之后，可使用脉冲波形来负责当脉冲关闭时电流的暂态效应(transient effect)。在这方面，认为脉冲波形帮助控制会影响晶片附近的化学品的电压过冲(voltage overshoot)。
脉冲阶段是基于特征的填充时间、形貌和结构来计算的。发明人发现产生脉冲有利于减少在很小特征(例如次30纳米特征)中的孔洞。然而，脉冲对较大特征有负面作用，因为脉冲倾向于产生反电镀效应(例如，通过驱使添加剂远离电镀表面)，这会造成共形(conformal)沉积，与所需的自底而上(或非共形)填充相反(参见，例如，下面的实例4中描述的实验结果)。由于共形沉积倾向于造成夹闭，因此共形沉积在较大特征中是不合需要的。因此，脉冲阶段被限制于次30纳米特征填充的时间段，在较大特征遭受到负面结果之前结束。
依据本发明公开内容的一个实施方式，脉冲阶段可延续长达2秒(2000毫秒)。依据本公开内容的一个实施方式，脉冲阶段可延续长达0.5秒(500毫秒)。依据本公开内容的实施方式，脉冲长度可在从约大于1毫秒到约100毫秒的范围中。在一个实施方式中，脉冲长度可在从约5毫秒到约100毫秒的范围中。在一个实施方式中，脉冲长度可在从约5毫秒到约50毫秒的范围中。在图1和图2的示例实施方式中，脉冲长度为约10毫秒。(需指出的是，由于所示时间轴有限的分辨率，脉冲方案在图2中显示为从0.85到3.1秒的区块。)“长”脉冲方案的非限制性实例可包括，例如，15秒的脉冲时段，其中约每10毫秒产生脉冲。脉冲长度可为每次脉冲长达4秒。
在本公开内容的一个实施方式中，电流“开启”或“高”脉冲可为在约1到约30安培的范围中。在本公开内容的另一实施方式中，电流“开启”或“高”脉冲可为在约4.5到约30安培的范围中。电流“关闭”或“低”脉冲可为在以下范围中：约0到约20安培、约0到约10安培和约0到约5安培。
脉冲阶段的占空度可为在约20％到约70％的范围中，使用75％的最大占空度。在本公开内容的一个实施方式中，占空度为约50％。
本领域技术人员通常认为增加的卤素离子浓度和电波形的特定模式的组合在电化学沉积工艺中是不利生产的(counterproductive)。在这方面，本领域技术人员通常认为增加的卤素离子浓度会加速在小特征中的电化学沉积，而本领域技术人员通常认为电波形会抑制电化学沉积。
尽管不希望被理论束缚，但本申请的发明人认为增加的卤素离子浓度与电波形的特定模式的组合提供有利的电化学沉积结果，这是由于在小特征中特定的活动时序(timing)之故。在非限制性的实例中，在小特征中电镀的约前100毫秒内，卤素离子的存在造成沉积加速。在此时段期间，存在于电镀化学品中的抑制性添加剂可能尚未到达小特征内部，因此尚未在该处发挥作用。然而，抑制性添加剂可帮助抑制在场(field)上特征外部的沉积。
在此时段期间当小特征开始填充时，可施加波形来减缓或抑制沉积。所述波形可具有斜波时段，因而不会完全抑制由增加的卤化物浓度所造成的加速，由此允许在小特征中的部分沉积。
在小特征中电镀的约第二个100毫秒内，存在于电镀化学品中的抑制性添加剂可开始在小特征中产生作用。波形增加抑制作用以减缓沉积，并且降低在特征中产生孔洞的可能性。
在约1秒之后，存在于电镀化学品中的加速性添加剂开始产生作用。因此，可使用脉冲电镀控制加速作用。
如以下实例描述的，已在应用材料公司CFD3LM电镀腔室中于测试基板上实现无孔洞填充，且已通过SEM图像来验证。已成功填充在内部和外部晶片两者上的次30纳米特征，且使用化学机械抛光后缺陷检查(post-CMP defectinspection)来验证。
实例1：示例性波形
图1提供了电镀的前350毫秒的示例性波形，示出从输入延续150毫秒的电流斜波，接着10毫秒的、50％占空度的脉冲。在图1，示出了约0.2秒(200毫秒)的脉冲；然而，脉冲方案能持续更长的持续时间(duration)。在一个非限制性的实例中，脉冲方案可持续0.5秒(500毫秒)。
实例2：示例性波形
图2提供电镀前4秒的另一示例性波形，示出了0.15秒开始的电流斜波，这是当晶片完全浸入电镀溶液中时。由于所示时间轴的有限分辨率，10毫秒脉冲在图2中显示为从0.85到3.1秒的“区块”。在图2中，展示了稍微超过2秒(2000毫秒)的脉冲。
实例3：SEM图像
参照图3，示出了在实例2和图2的电镀波形和在电镀溶液中含120ppm氯化物的条件下的无孔洞间隙填充的横截面SEM图像。
实例4：比较孔洞计数结果
参照图4，提供了三种不同基板的比较孔洞计数结果：基板A，次20纳米特征；基板B，次20纳米特征；以及基板C，65纳米特征。基板A大致上有关于较密特征群(feature population)的较小阵列。基板B亦有小特征，但具有大得多的阵列而特征群的间隔密度较小。
每个基板被暴露于五种不同的条件下：(1)50ppm氯离子浓度且无脉冲电镀的对照条件；(2)120ppm氯离子浓度的增加氯化物条件；(3)120ppm氯离子浓度的增加氯化物条件和脉冲电镀，所述脉冲电镀例如依据图1的方案；(4)120ppm氯离子浓度的增加氯化物条件、增加整体镀浴抑制度的改变添加剂条件、和具有“长”脉冲步骤的脉冲电镀，所述脉冲电镀例如依据以下方案：持续15秒，其中每10毫秒产生脉冲；以及(5)120ppm氯离子浓度的增加氯化物条件、增加整体镀浴抑制度的改变添加剂条件和脉冲电镀，所述脉冲电镀例如依据图1的方案，其中增加氯化物条件和改变添加剂条件与以上条件(4)中的相同。这五种条件的孔洞计数透过图表示于图4中。
结果显示当电镀浴中氯离子浓度增加时，基板A和基板B的孔洞计数降低，如通过将条件(2)的数据和条件(1)对照的数据相较所见。此外，当电镀浴中氯离子浓度增加且伴随着脉冲电镀方案时，基板A和基板B的孔洞计数降低，如通过将条件(3)的数据和条件(2)的数据相较所见。在电镀浴B(增加氯化物浓度，但改变添加剂条件)下基板A和基板B的孔洞计数仍然降低，如通过将条件(4)的数据与条件(1)和(2)的数据相较所见，但与条件(3)达到的孔洞计数相比则基板A和基板B的孔洞计数稍稍增加。
条件(5)的数据与条件(4)的数据相比较，基板A的孔洞计数降低，而基板B的孔洞计数增加。此数据的变化可取决于基板A和基板B之间阵列尺寸的差异(如上所述)，和脉冲时段的长度对具有不同阵列尺寸的基板的作用。
对每个特定的基板，所需波形可被最佳化；因此，在一些情况中，长脉冲步骤可比较短的脉冲步骤更令人满意，反之亦然。此外，对每个特定基板，可确定所需镀浴添加剂浓度。因此，镀浴化学品和波形可针对各个基板来最佳化。
如比较条件(3)、(4)和(5)的数据可见，当施加脉冲时(特别是“长”脉冲步骤，如条件(4)中所使用的)，在基板C(65纳米特征)中的孔洞化增加，这表明脉冲不会改善在较大特征中的自底而上的填充。
尽管示例性实施方式已被阐述和说明，但应当理解在不背离本公开内容的精神和范围的情况下本发明中可做出各种变化。
Claims (17)
1.一种在具有次30纳米特征的工件上电镀的方法，所述方法包括以下步骤：
(a)施加化学品至所述工件，所述化学品包括在约55ppm到约250ppm范围中的卤素离子浓度和金属阳离子溶质物种；及
(b)施加少于约5秒的电波形，其中所述电波形包括电流斜波时段和脉冲电镀时段。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属阳离子为铜。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述卤素离子浓度在约120ppm到约150ppm的范围中。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述卤素离子选自由氯离子、溴离子和碘离子及前述离子的组合所构成的群组。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述电流斜波选自由线性连续斜波、非线性连续斜波或脉冲式斜波所构成的群组。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述斜波时段达一时段，所述时段选自由以下时段所构成的群组：少于约0.1秒(100毫秒)、少于约0.2秒(200毫秒)和少于约0.4秒(400毫秒)。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述斜波时段在一延迟时段之后开始。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述斜波达到电流电平，所述电流电平选自由以下电流电平所构成的群组：在约1安培到约15安培的范围中、在约7安培到约15安培的范围中、在约18安培到约25安培的范围中和在约7安培到约25安培的范围中。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述脉冲时段为少于约2秒(2000毫秒)的时段。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述脉冲时段具有在约20％到约75％范围中的占空度。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述脉冲时段有约50％的占空度。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述单独脉冲延续达一脉冲长度，所述脉冲长度选自由以下脉冲长度所构成的群组：约1毫秒到约100毫秒、约5毫秒到约100毫秒和约5毫秒到约50毫秒。
13.如权利要求1所述的方法，其中所述开启电流脉冲处于一电流电平，所述电流电平选自由以下电流电平所构成的群组：在约1到约30安培的范围中和在约4.5到约30安培的范围中。
14.如权利要求1所述的方法，其中所述关闭电流脉冲处于在一范围内的电流电平，所述范围选自由以下范围所构成的群组：约0安培到约20安培、约0安培到约10安培和约0安培到约5安培。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述波形进一步包括触发的热输入。
16.一种在具有次30纳米特征的工件上电镀的方法，所述方法包括以下步骤：
(a)施加化学品至所述工件，所述化学品包括在约55ppm到约250ppm范围中的卤素离子浓度和金属阳离子溶质物种；及
(b)施加电波形，其中所述电波形包括少于0.2秒的时段的电流斜波时段和少于约2秒的脉冲电镀时段。
17.一种在具有次30纳米特征的工件上电镀的方法，所述方法包括以下步骤：
(a)施加化学品至所述工件，所述化学品包括在约120ppm到约150ppm范围中的卤素离子浓度和金属阳离子溶质物种；及
(b)施加电波形，其中所述电波形包括少于0.2秒的时段的电流斜波时段和少于约2秒的脉冲电镀时段。
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