CN104836103A - 一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，这种方法将机械剥离法得到的二维层状黑磷，或者是超声震荡得到的分布在酒精溶液里的二维层状黑磷，通过定向转移的方法沉积到光纤头上，作为器件的可饱和吸收层。本发明所涉及的定向转移的方法，可以有效、高效的将黑磷转移到光纤头上，避免了人工转移过程中对材料造成的损害，并且能够精确定位纳米级材料所在的位置，避免了盲目转移的问题，提高了饱和吸收体制备的成功率。采用本发明方法制成的黑磷可饱和吸收体采用透射方式工作，可实现近中红外工作波段激光器的超短脉冲输出，具有性能好、兼容性强的特点，适用于激光器的调Q和锁模、光信号处理等应用。
Description
技术领域
本发明属于脉冲激光器的可饱和吸收体领域，具体涉及一种制备用于激光器中调Q、锁模、光信号处理等的可饱和吸收体器件的方法。
背景技术
目前市场上主要使用的可饱和吸收体器件是半导体可饱和吸收镜（SESAM），但是半导体可饱和吸收镜存在很多难以克服的缺点。首先，SESAM需要复杂且昂贵的基于洁净室的制造系统，制造工艺复杂，成本高；其次，由于Ⅲ-Ⅳ族半导体的固有带隙，饱和吸收光谱范围狭窄，基本局限在近红外波段，对于中、远红外波段，目前没有可用的SESAM；第三，SESAM的光损伤阈值也很低，很难应用在高功率激光领域中。
近年，两种新型碳纳米材料，石墨烯和单壁碳纳米管(SWCNT)被证明具有制作简易、成本低、光损伤阈值高等优点，成为可替代SESAM的新型可饱和吸收体材料。然而，在制作SWCNT可饱和吸收体的过程中，由于SWCNT容易团簇，导致难以分散；并且SWCNT不均匀的手型性质导致对其光学性质的准确控制难以实现，此外，其饱和吸收带宽有限。当使用石墨烯作为可饱和吸收体时，尽管其由于零带隙而拥有宽波段可饱和吸收的特性，但是单层石墨烯的光吸收系数较低(2.3%)，而多层石墨烯生长制备过程中往往存在膜层分布不均匀导致非饱和损耗增大、激光器泵浦阈值高的问题。
黑磷(black phosphorus)为直接带隙材料，单原子层黑磷的带隙为1.8 eV，多原子层黑磷的带隙为0.3 eV，理论上可通过改变黑磷的厚度来调节其带隙，可以使吸收波长从600 nm到4100 nm之间变化，适用于从可见光到中红外波段的激光器。相比碳纳米管而言，它可以实现更宽波段的吸收；相比石墨烯而言，它有更大的共振吸收(20%-30%)，因此是一种非常有潜力的超宽带可饱和吸收材料。黑磷有潜力替代SESAM成为超短脉冲光纤激光器和固体激光器中的可饱和吸收体材料。然而，到目前为止，黑磷尚未被成功制成可饱和吸收体，并应用于光纤激光器。其主要难点在于：1.黑磷暴露在空气中不稳定，很容易变性；2.黑磷的生长条件远比石墨烯苛刻，目前无法像石墨烯那样可以通过化学气相沉积生长出大面积的薄膜，只能通过机械剥离或者液相分离的方法得到纳米级尺寸的黑磷薄片，很难对准转移到直径小于10 μm的光纤纤芯上。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，采用该方法制成的黑磷可饱和吸收体采用透射方式工作，可实现在近中红外工作波段的超短脉冲输出，具有性能好、兼容性强的特点。
为解决上述技术问题，本发明通过以下技术方案实现：
一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，采用定向转移技术将二维层状黑磷沉积到光纤头上，作为可饱和吸收体器件的可饱和吸收层，具体包括以下步骤：
步骤1）采用硅基底作为衬底，将机械剥离得到的黑磷贴在所述硅基底上，或将溶液加工法得到的含有黑磷的酒精溶液滴到所述硅基底上并以30-70℃加热10-30分钟，以确保所述黑磷粘附在所述硅基底上；随后采用旋涂的方法在所述黑磷上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）保护层并以30-70℃加热10-30分钟形成黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜；
步骤2）裁剪一张面积至少能够覆盖所述硅基底的蓝膜胶带（Scotch tape），并在所述胶带中间抠出一个孔洞，洞的大小要适中；然后将所述蓝膜胶带贴在所述硅基底上，所述孔洞位置就是所需用的黑磷位置所在；
步骤3）将贴有所述蓝膜胶带的所述硅基底一起缓慢浸没在去离子水中，然后在所述去离子水中缓慢撕开所述蓝膜胶带，由于范德华力的作用，所述黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜便粘附在所述蓝膜胶带上，而所述蓝膜胶带中间孔洞处便是所要用的黑磷；
步骤4）将粘附有所述黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜的所述蓝膜胶带贴在用聚四氟乙烯制成的模具台上，确保所要用的黑磷对准所述模具台中间空洞；然后将所述模具台放置在光学显微镜上方的可调载物台上，观察中间孔洞处的黑磷分布，找到合适大小和厚度的黑磷；
步骤5）在光学显微镜下端的升降台上放置一个中间开有孔洞的聚四氟乙烯模具，所述聚四氟乙烯模具的中间孔洞处放置光纤头；调整光学显微镜物镜的焦距确定下方所述光纤头中间纤芯的位置，通过调节所述载物台和所述升降台来交替微调所述光纤头和之前寻找到的合适的黑磷的相对位置，直至将所述光纤头移至所述合适的黑磷的下方；在确保所述光纤头的纤芯准确对准所述合适的黑磷位置后，将所述载物台向上升起，让所述光纤头穿破所述黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜，这样所述合适的黑磷便精准的转移到了所述光纤头的纤芯上；
步骤6）将上述制得的沉积有黑磷的所述光纤头的纤芯与另一个无黑磷沉积的光纤头的纤芯对接，形成光纤头-黑磷-光纤头的三明治结构，最终制成基于黑磷的可饱和吸收体器件。
黑磷的共振吸收可以达到20%~30%，可以实现宽波段的吸收。此外，理论上可以通过调节黑磷的厚度来调节其带隙，从而实现从可见光到中红外波段的吸收，因此，黑磷可作为可饱和吸收材料，制成可饱和吸收器件，用于激光器中，以产生超快脉冲。
采用本方法制成的基于黑磷的可饱和吸收体采用透射方式工作，入射光通过表面覆盖有黑磷的光纤头照射到可饱和吸收层（黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜）上，再透射到与之对接的另一个光纤头当中，可实现近中红外工作波段的超短脉冲输出，具有性能好兼容性强的特点。
本发明方法不但继承了二维层状饱和吸收体的优点，如性能优良制作成本低廉等特点，而且更易整合精确度高，极大地提高了器件制备的成功率。
本发明的有益效果如下：
1、本发明将二维层状黑磷用光学透明的聚合物包裹制成薄膜，以保护黑磷免受空气腐蚀。
2、本发明使用定向转移的方法，有效、高效的将黑磷转移到光纤头上，避免了人工转移过程中对材料造成的损害，并且，能够精确定位纳米级材料所在的位置，避免了盲目转移，提高了饱和吸收体的制备成功率。
3、采用本发明方法制成的黑磷可饱和吸收体采用透射方式工作，可实现近中红外工作波段的超短脉冲输出，具有性能好、兼容性强的特点，可以适用于激光器的调Q和锁模、光信号处理等应用，更重要的是采用定向转移的方法可以精确有效地制备器件，成品率极大提升。
4、本发明可以发展到制备其他多种二维纳米材料的可饱和吸收器器件当中，简化了二维材料可饱和吸收体的制备过程。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明步骤1的制备方法的示意图；
图2为本发明步骤2的制备方法的示意图；
图3为本发明步骤3的制备方法的示意图；
图4为本发明步骤4的制备方法的示意图；
图5为本发明步骤5的制备方法的示意图。
图中标号说明：1、硅基底；2、黑磷；3、聚甲基丙烯酸甲酯保护层；4、黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜；5、蓝膜胶带；6、模具台；7、聚四氟乙烯模具；8、光纤头；9、载物台；10、载物台。
具体实施方式
下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本发明。
一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，采用定向转移技术将二维层状黑磷沉积到光纤头上，作为可饱和吸收体器件的可饱和吸收层。
黑磷(black phosphorus)作为一种新型的可饱和吸收体可以用于激光器调Q、锁模、光信号处理或者脉冲整形。它是一种二维层状原子晶体材料，具有极高的载流子迁移率和优异的光学性质，可实现较低的非饱和吸收损耗和较低的饱和吸收强度。黑磷的共振吸收可以达到20%~30%，可以实现宽波段的吸收。此外黑磷为直接带隙材料，具有一定的能带带隙，单原子层黑磷的带隙为1.8 eV，体材的带隙为0.3 eV，应用上通过改变黑磷的厚度即可以调控其带隙，从而使吸收波长从600nm到4100nm之间变化，适用于从近红外到中远红外波段的激光器。它是一种非常有潜力的超宽带可饱和吸收材料，可以替代SESAM成为超短脉冲激光器中的实用有效的可饱和吸收材料。
本发明的制备方法具体包括以下步骤：
步骤1）参见图1所示，用硅基底1作为衬底，将机械剥离得到的黑磷2贴在所述硅基底1上，或将溶液加工法得到含有黑磷2的酒精溶液滴到所述硅基底1上并以30-70℃加热10-30分钟，以确保所述黑磷2粘附在所述硅基底1上；随后采用旋涂的方法在所述黑磷2上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）保护层3并以30-70℃加热10-30分钟形成黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜4；
步骤2）参见图2所示，裁剪一张面积至少能够覆盖所述硅基底1的蓝膜胶带5，并在所述胶带5中间裁剪出一个孔洞，洞的大小要适中；然后将所述蓝膜胶带5贴在所述硅基底1上，所述孔洞位置就是所需用的黑磷位置所在；
步骤3）参见图3所示，将贴有所述蓝膜胶带5的所述硅基底1一起缓慢浸没在去离子水中，然后在所述去离子水中缓慢撕开所述蓝膜胶带5，由于范德华力的作用，所述黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜4便粘附在所述蓝膜胶带5上，而所述蓝膜胶带5中间孔洞处便是所需要的黑磷；
步骤4）参见图4所示，将粘附有所述黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜4的所述蓝膜胶带5贴在用聚四氟乙烯制成的模具台6上，确保所要用的黑磷对准所述模具台6中间孔洞；然后将所述模具台6放置在光学显微镜上方的可调载物台9上，观察中间孔洞处的黑磷分布，找到合适大小和厚度的黑磷；
步骤5）参见图5所示，在光学显微镜下端的升降台10上放置一个中间开有孔洞的聚四氟乙烯模具7，所述聚四氟乙烯模具7的中间孔洞处放置光纤头8；调整光学显微镜物镜的焦距确定下方所述光纤头8中间纤芯的位置，通过调节所述载物台9和所述升降台10来交替微调所述光纤头8和之前寻找到的合适的黑磷的相对位置，直至将所述光纤头8移至所述合适的黑磷的下方；在确保所述光纤头8的纤芯准确对准所述合适的黑磷位置后，将所述载物台10向上升起，让所述光纤头8穿破所述黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜4，这样所述合适的黑磷便精准的转移到了所述光纤头8的纤芯上；
步骤6）将上述制得的沉积有黑磷的所述光纤头8的纤芯与另一个无黑磷沉积的光纤头8的纤芯对接，形成光纤头-黑磷-光纤头的三明治结构，最终制成基于黑磷的可饱和吸收体器件。
采用本方法制成的基于黑磷的可饱和吸收体采用透射方式工作，入射光通过表面覆盖有黑磷的光纤头照射到可饱和吸收层（黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜）上，再透射到与之对接的另一个光纤头当中，可实现近中红外工作波段的超短脉冲输出，具有性能好、兼容性强的特点。
这种方法不但继承了二维层状饱和吸收体的优点，如性能优良、制作成本低廉等特点，而且更易整合、精确度高，大大提高了器件制备的成功率。
本发明所使用的黑磷是一种二维层状材料，也可以使用如石墨烯、MoS2、WS2、Bi2Se3、Bi2Te3等其他二维层状材料进行代替。本发明所提到的二维层状材料不受用来制备所述二维层状材料的方法的限制，制备所述二维层状材料的方法除了机械剥离和化学加工（溶液加工）法以外，还包括外延生长、化学气相沉积、激光烧蚀以及过滤阴极电弧法。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，其特征在于，采用定向转移技术将二维层状黑磷沉积到光纤头上，作为可饱和吸收体器件的可饱和吸收层，具体包括以下步骤：
步骤1）采用硅基底（1）作为为衬底，将机械剥离得到的黑磷（2）贴在所述硅基底（1）上，或将溶液加工法得到的含有黑磷（2）的酒精溶液滴到所述硅基底（1）上并以30-70℃加热10-30分钟，以确保所述黑磷（2）粘附在所述硅基底（1）上；随后采用旋涂的方法在所述黑磷（2）上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯保护层（3）并以30-70℃加热10-30分钟形成黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜（4）；
步骤2）裁剪一张面积至少能够覆盖所述硅基底（1）的蓝膜胶带（5），并在所述胶带（5）中间剪裁出一个洞口，洞的大小要适中；然后将所述蓝膜胶带（5）贴在所述硅基底（1）上，所述洞口位置就是所需要的黑磷位置所在；
步骤3）将贴有所述蓝膜胶带（5）的所述硅基底（1）一起缓慢浸没在去离子水中，然后在所述去离子水中缓慢撕开所述蓝膜胶带（5），由于范德华力的作用，所述黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜（4）便粘附在所述蓝膜胶带（5）上，而所述蓝膜胶带（5）中间孔洞处便是所要用的黑磷；
步骤4）将粘附有所述黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜（4）的所述蓝膜胶带（5）贴在用聚四氟乙烯制成的模具台（6）上，确保所需要的黑磷对准所述模具台（6）中间的孔洞；然后将所述模具台（6）放置在光学显微镜上方的可调载物台（9）上，观察中间孔洞处的黑磷分布，找到合适大小和厚度的黑磷；
步骤5）在光学显微镜下端的升降台（10）上放置一个中间开有孔洞的聚四氟乙烯模具（7），所述聚四氟乙烯模具（7）的中间孔洞处放置光纤头（8）；调整光学显微镜物镜的焦距确定下方所述光纤头（8）中间纤芯的位置，通过调节所述载物台（9）和所述升降台（10）来交替微调所述光纤头（8）和之前寻找到的合适的黑磷的相对位置，直至将所述光纤头（8）移至所述合适的黑磷的下方；在确保所述光纤头（8）的纤芯准确对准所述合适的黑磷位置后，将所述载物台（10）向上升起，让所述光纤头（8）穿破所述黑磷-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜（4），这样所述合适的黑磷便精准的转移到了所述光纤头（8）的纤芯上；
步骤6）将上述制得的沉积有黑磷的所述光纤头（8）的纤芯与另一个无黑磷沉积的光纤头（8）的纤芯对接，形成光纤头-黑磷-光纤头的三明治结构，最终制成基于黑磷的可饱和吸收体器件。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105428983A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-03-23 | 电子科技大学 | 基于黑磷光饱和吸收体的被动锁模激光器 |
| CN107104351A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-08-29 | 西北大学 | 一种黑磷可饱和吸收体及基于黑磷可饱和吸收体的激光器 |
| CN107204565A (zh) * | 2017-05-03 | 2017-09-26 | 浙江大学 | GeSe二维层状半导体及构成的饱和吸收体器件和用途 |
| CN108199252A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-06-22 | 深圳大学 | 可饱和吸收体及其制备方法和超快被动锁模激光器 |
| CN109682985A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-04-26 | 南京迈塔光电科技有限公司 | 一种微纳米材料转移装置及方法 |
| CN109825021A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-05-31 | 张晗 | 一种含碲烯的聚合物薄膜及其制备方法和应用 |
| CN111740304A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-10-02 | 中国科学院国家天文台长春人造卫星观测站 | 一种可饱和吸收体系统、制备方法及激光脉冲设备 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013022185A1 (ko) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | 전자부품연구원 | 스마트 윈도우용 그래핀 기반 vo2 적층체 및 제조방법 |
| US20130160701A1 (en) * | 2011-08-25 | 2013-06-27 | Michael S. Arnold | Barrier guided growth of microstructured and nanostructured graphene and graphite |
| CN103500917A (zh) * | 2013-10-23 | 2014-01-08 | 山东师范大学 | 三明治式石墨烯饱和吸收体及其制备方法 |
| CN103647210A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-03-19 | 复旦大学 | 一种基于渐变波导的石墨烯可饱和吸收体及其制备方法 |
| CN103871946A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-06-18 | 山东师范大学 | 基于小尺寸目标基底的大面积石墨烯转移支撑架及方法 |
-
2015
- 2015-04-14 CN CN201510174430.XA patent/CN104836103B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013022185A1 (ko) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | 전자부품연구원 | 스마트 윈도우용 그래핀 기반 vo2 적층체 및 제조방법 |
| US20130160701A1 (en) * | 2011-08-25 | 2013-06-27 | Michael S. Arnold | Barrier guided growth of microstructured and nanostructured graphene and graphite |
| CN103500917A (zh) * | 2013-10-23 | 2014-01-08 | 山东师范大学 | 三明治式石墨烯饱和吸收体及其制备方法 |
| CN103647210A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-03-19 | 复旦大学 | 一种基于渐变波导的石墨烯可饱和吸收体及其制备方法 |
| CN103871946A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-06-18 | 山东师范大学 | 基于小尺寸目标基底的大面积石墨烯转移支撑架及方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105428983A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-03-23 | 电子科技大学 | 基于黑磷光饱和吸收体的被动锁模激光器 |
| CN107204565A (zh) * | 2017-05-03 | 2017-09-26 | 浙江大学 | GeSe二维层状半导体及构成的饱和吸收体器件和用途 |
| CN107104351A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-08-29 | 西北大学 | 一种黑磷可饱和吸收体及基于黑磷可饱和吸收体的激光器 |
| CN108199252A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-06-22 | 深圳大学 | 可饱和吸收体及其制备方法和超快被动锁模激光器 |
| CN109825021A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-05-31 | 张晗 | 一种含碲烯的聚合物薄膜及其制备方法和应用 |
| CN109825021B (zh) * | 2018-12-27 | 2023-12-19 | 深圳瀚光科技有限公司 | 一种含碲烯的聚合物薄膜及其制备方法和应用 |
| CN109682985A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-04-26 | 南京迈塔光电科技有限公司 | 一种微纳米材料转移装置及方法 |
| CN109682985B (zh) * | 2019-01-30 | 2024-05-10 | 南京迈塔光电科技有限公司 | 一种微纳米材料转移装置及方法 |
| CN111740304A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-10-02 | 中国科学院国家天文台长春人造卫星观测站 | 一种可饱和吸收体系统、制备方法及激光脉冲设备 |
| CN111740304B (zh) * | 2020-07-06 | 2021-05-11 | 中国科学院国家天文台长春人造卫星观测站 | 一种可饱和吸收体系统、制备方法及激光脉冲设备 |
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