CN104831344A - 一种半导体晶棒的拉晶方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体生产技术领域，名称是一种半导体晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤：a、将晶棒在280—320℃时进行第一次拉晶；b、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300—340℃；c、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280—320℃，上述的拉晶步骤是在振幅1毫米、频率30赫兹情况下进行的，这样的半导体晶棒的拉晶方法具有生产出的晶棒品质更好，进一步生产的半导体致冷件致冷效率更高的优点。
Description
技术领域
本发明涉及半导体生产技术领域，具体地说是涉及半导体晶棒的拉晶方法。
背景技术
晶棒的主要原料是三碲化二铋，这些原料在拉晶管中经过高温形成分子排列整齐的晶棒，在高温下原料的分子重新排列的过程就是拉晶，拉晶后的晶棒进行线切割生成半导体晶粒，然后将晶粒焊接在瓷板上就制造成半导体致冷件。
晶粒排列的整齐程度决定了半导体致冷件的效率，原料分子排列越整齐，半导体致冷件的致冷效率越高，反之，原料分子排列越杂乱，半导体致冷件的致冷效率越低，所以拉晶的效果决定了半导体致冷件的品质。
现有技术中，晶棒是在拉晶炉上进行的，拉晶炉具有加热环，拉晶的温度是280—320℃，并且是一次完成，这样生产出的晶棒具有品质较差的缺点，进一步的影响着半导体致冷件的致冷效率。
发明内容
本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种品质更好、生产半导体致冷件致冷效率更高的半导体晶棒的拉晶方法。
本发明的技术方案是这样实现的：一种半导体晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤：
a、将晶棒在280—320℃时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300—340℃。
进一步地讲，它还包括步骤b之后的下列c步骤：
c、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280—320℃。
进一步地讲，上述的拉晶步骤是在振幅1毫米、频率30赫兹情况下进行的。
本发明的有益效果是：这样的半导体晶棒的拉晶方法具有生产出的晶棒品质更好的优点，进一步生产的半导体致冷件致冷效率更高的优点；
将晶棒冷却到30—40℃后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280—320℃；以及上述的拉晶步骤是在振幅1毫米、频率30赫兹在情况下进行的，具有更好的效果。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
半导体致冷件是根据泊尔贴原理制成的，在一定温度下，通过直流电，半导体致冷件一侧致冷（吸热）、一侧致热（放热），在一定的时间内、同一规格的半导体致冷件两侧的温差越多，证明半导体致冷件的效率越高。
实施例1
a、将原晶棒（没有拉过晶的晶棒，下同）在280℃时进行第一次拉晶，制成拉晶棒。
将此晶棒制成6cm×6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是5.1℃。
实施例2
a、将原晶棒在320℃时进行第一次拉晶，制成拉晶棒。
将此晶棒制成6cm×6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是5.2℃。
实施例3
a、将原晶棒在280℃时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到30℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300℃时进行第二次拉晶。
将此晶棒制成6cm×6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是6.5℃。
实施例4
a、将原晶棒在320℃时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到40℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是320℃。
将此晶棒制成6cm×6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是7.0℃。
实施例5
a、将原晶棒在300℃时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到35℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300℃。
将此晶棒制成6cm×6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是6.9℃。
实施例6
a、将原晶棒在280℃时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到30℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300℃；
c、将晶棒冷却到30℃后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280℃。
将此晶棒制成6cm×6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是7.7℃。
实施例7
a、将原晶棒在320℃时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到40℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是320℃；
c、将晶棒冷却到40℃后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是320℃。
将此晶棒制成6cm×6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是7.9℃。
实施例8
a、将原晶棒在300℃时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到35℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300℃；
c、将晶棒冷却到35℃后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是300℃。
将此晶棒制成6cm×6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是8.1℃。
重复上述实施例3—8，拉晶步骤是在振幅1毫米、频率30赫兹在情况下进行的，生产出的晶粒，制成的半导体致冷件在同样型号、电压、时间的情况下，其温差更大，证明在拉晶步骤中，在振动环境中效果更好。
Claims (3)
1.一种半导体晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤：
a、将晶棒在280—320℃时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300—340℃。
2.根据权利要求1所述的半导体晶棒的拉晶方法，其特征是：它还包括步骤b之后的下列c步骤：
c、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280—320℃时进行第三次拉晶。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶棒的拉晶方法，其特征是：上述的拉晶步骤是在振幅1毫米、频率30赫兹情况下进行的。
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