CN104823230A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

液晶面板(11)包括：配置在阵列基板(11b)的显示部(AA)的显示部用TFT(17)；配置在非显示部(NAA)的非显示部用TFT(29)；构成非显示部用TFT(29)的第二栅极电极部(29a)；由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部(29d)；与第二沟道部(29d)连接的第二源极电极部(29b)；与第二沟道部(29d)连接的第二漏极电极部(29c)；和第一层间绝缘膜(39)，其至少层叠于第二源极电极部(29b)和第二漏极电极部(29c)上，是相对地配置在下层侧且至少含有硅和氧的下层侧第一层间绝缘膜(39a)与相对地配置在上层侧且至少含有硅和氮并且膜厚为35nm～75nm的范围的上层侧第一层间绝缘膜(39b)的层叠结构。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
在用于液晶显示装置的液晶面板中，作为用于控制各像素的动作的开关元件，呈矩阵状地设置有多个TFT。在现有技术中，作为在TFT中使用的半导体膜，一般使用非晶硅等硅半导体，但是近年来提案有作为半导体膜使用电子迁移率更高的氧化物半导体的技术。在下述专利文献1中记载有将这样的使用了氧化物半导体的TFT用作开关元件的液晶显示装置的一个例子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011－29373号公报
(发明所要解决的问题)
氧化物半导体由于电子迁移率高而能够实现TFT的进一步小型化，能够实现液晶面板的开口率的提高，而且能够在设置有TFT的阵列基板上设置多种电路部。另一方面，氧化物半导体存在如果侵入水分则其电特性容易发生变化，由此，导致上述的电路部不正常地动作的问题。
发明内容
本发明是基于上述那样的情况而完成的发明，其目的在于使非显示部用晶体管不易发生动作不良。
(用于解决问题的技术方案)
本发明的表示装置包括：基板，其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部和以包围上述显示部的方式配置在外周侧的非显示部；配置在上述显示部的显示部用晶体管；配置在上述非显示部的非显示部用晶体管；构成上述非显示部用晶体管的栅极电极部；氧化物半导体膜，其构成上述非显示部用晶体管，上述氧化物半导体膜的至少一部分与上述栅极电极部在俯视时重叠；源极电极部，其构成上述非显示部用晶体管，上述源极电极部的至少一部分层叠于上述氧化物半导体膜上，并且上述源极电极部与上述氧化物半导体膜连接；漏极电极部，其构成上述非显示部用晶体管，上述漏极电极部的至少一部分层叠于上述氧化物半导体膜上，并且上述源极电极部在与上述源极电极部之间空出间隔且与上述氧化物半导体膜连接；和绝缘膜，其至少层叠于上述源极电极部和上述漏极电极部上，该绝缘膜为下层侧绝缘膜与上层侧绝缘膜的层叠结构，该下层侧绝缘膜相对地配置于下层侧，至少含有硅和氧，该上层侧绝缘膜相对地配置于上层侧，至少含有硅和氮，并且膜厚为35nm～75nm的范围。
这样，对于非显示部用晶体管，当对栅极电极部施加电压时，电流经由氧化物半导体膜在源极电极部与漏极电极部之间流动。该氧化物半导体膜例如与非晶硅薄膜等相比电子迁移率高，因此在源极电极部与漏极电极部之间流动大的电流时优选。
但是，在基板以包围中央侧的显示部的方式在外周侧配置非显示部的结构中，与配置在显示部的显示部用晶体管相比，配置在非显示部的非显示部用晶体管容易受到介于外部的水分的影响。假设，如果构成非显示部用晶体管的氧化物半导体膜被侵入外部的水分而产生劣化，则存在氧化物半导体膜的电特性发生变化、非显示部用晶体管不正常地动作的问题。
关于这一点，至少层叠于源极电极部和漏极电极部上的绝缘膜，由于为相对地配置在下层侧至少含有硅和氧的下层侧绝缘膜与相对地配置在上层侧至少含有硅和氮的上层侧绝缘膜的层叠结构，因此外部的水分不易通过上层侧绝缘膜到达氧化物半导体膜，而且，即使假设上层侧绝缘膜在成膜时含有氢且氢从上层侧绝缘膜脱离了的情况下，从上层侧绝缘膜脱离了的氢也不易通过下层侧绝缘膜到达氧化物半导体膜。由此，氧化物半导体膜不易产生由于侵入水分和/或氢而引起的劣化，其电特性不易发生变化，由此不易在非显示部用晶体管产生动作不良。
但是，假设上层侧绝缘膜的膜厚超过75nm时，具有在形成上层侧绝缘膜时上层侧绝缘膜中含有的氢的含有量变多并且从上层侧绝缘膜脱离了的氢的脱离量也变多的趋势，因此存在氧化物半导体膜由于从上层侧绝缘膜脱离的氢而劣化、电特性容易发生变化的问题。另一方面，假设上层侧绝缘膜的膜厚低于35nm时，对于下层侧绝缘膜的覆盖区域容易发生恶化而产生空隙(间隙)，因此存在防湿性降低、氧化物半导体膜容易被侵入水分的问题。关于这一点，通过使上层侧绝缘膜的膜厚为35nm～75nm的范围，能够使得来自上层侧绝缘膜的氢的脱离量变少，并且充分地确保上层侧绝缘膜的防湿性，因此氧化物半导体膜的电特性不易发生变化，由此不易在非显示部用晶体管产生动作不良。此外，通过充分地保持上层侧绝缘膜的防湿性，源极电极部和漏极电极部不易被水分腐蚀。
作为本发明的实施方式，优选以下结构。
(1)构成上述绝缘膜的上述上层侧绝缘膜的折射率为1.5～1.9的范围。首先，上层侧绝缘膜的折射率能够与组成相应地变化，具体而言存在如下趋势：当氮的含有量变少时，折射率的值变小，与此相对，当氮的含有量变多时，折射率的值变大。此处，假设在上层侧绝缘膜的折射率为1.5以下的情况下，由于氮的含有量少，所以防湿性降低，容易使水透过，氧化物半导体膜容易被侵入水分，并且对氧化物半导体膜的电特性产生不良的影响的问题。另一方面，假设在上层侧绝缘膜的折射率为1.9以上的情况下，由于氮的含有量多，所以存在难以利用通用的制造设备进行成膜的问题。因此，通过令上层侧绝缘膜的折射率为1.5～1.9的范围，能够确保十分的防湿性，使得氧化物半导体膜的电特性不易发生变化，并且能够容易地利用通用的制造设备进行成膜。
(2)构成上述绝缘膜的上述上层侧绝缘膜的折射率为1.5～1.72的范围。上层侧绝缘膜存在随着氮的含有量变多而在成膜时在上层侧绝缘膜中含有的氢的含有量变多的趋势。关于这一点，通过使得上层侧绝缘膜的折射率的上限值为1.72，上层侧绝缘膜中含有的氢的量变得更少，因此从上层侧绝缘膜脱离的氢的脱离量也变少，由此，氧化物半导体膜的电特性不易由于从上层侧绝缘膜脱离的氢而发生变化。
(3)包括：形成为与上述基板相对状的对置基板；被夹持于上述基板与上述对置基板之间的液晶；和介于上述基板与上述对置基板之间并且以包围上述液晶的方式配置而将上述液晶密封的密封部，上述非显示部用晶体管配置在比上述显示部用晶体管更靠近上述密封部的位置。这样，被夹持于基板与对置基板之间的液晶介于基板与对置基板之间，并且由以包围液晶的方式配置的密封部密封。非显示部用晶体管配置于比显示部用晶体管更靠近密封部的位置，因此，在外部的水分从密封部透过的情况下，虽然容易受到该水分的影响，但是通过如上述那样使得绝缘膜为上层侧绝缘膜与下层侧绝缘膜的层叠结构并且上层侧绝缘膜的膜厚为35nm～75nm的范围，从密封部透过的水分不易侵入到构成非显示部用晶体管的氧化物半导体膜，由此不易在非显示部用晶体管产生动作不良
(4)上述氧化物半导体膜具有延伸部，该延伸部从连接上述漏极电极部的位置向与上述源极电极部侧相反的一侧延伸，并且其至少一部分与上述栅极电极部在俯视时不重叠。这样，当氧化物半导体膜具有从连接漏极电极部的位置向与源极电极部侧相反的一侧延伸的延伸部，且该延伸部的至少一部分与栅极电极部在俯视时不重叠时，该延伸部的不重叠部位不易被栅极电极部遮挡外部光，因此容易受到外部光的照射，由此存在电特性劣化的问题。具体而言，氧化物半导体膜具有当接受到光的能量时容易在电荷的移动的容易程度方面产生影响的性质，存在产生在使非显示部用晶体管动作时电荷容易滞留在上述的延伸部的不重叠部位这样的问题的可能性。当不仅产生这样的问题而且产生氧化物半导体膜被侵入水分和/或氢而电特性发生变化这样的问题时，更容易在非显示部用晶体管产生动作不良，虽然如此，但是通过如上述那样使得绝缘膜为上层侧绝缘膜与下层侧绝缘膜的层叠结构并且使得上层侧绝缘膜的膜厚为35nm～75nm的范围，水分和氢不易侵入到氧化物半导体膜，因此不易在非显示部用晶体管产生动作不良。
(5)包括保护膜，该保护膜以介于上述氧化物半导体膜与上述源极电极部和上述漏极电极部之间的方式配置，具有分别形成在与上述源极电极部和上述漏极电极部在俯视时重叠的位置且使上述氧化物半导体膜分别与上述源极电极部和上述漏极电极部连接的一对开口部，并且保护上述氧化物半导体膜。这样，即使在制造过程中为了形成源极电极部和漏极电极部而进行蚀刻的情况下，氧化物半导体膜也由配置在其上层侧的保护膜保护而不被蚀刻。在制造后氧化物半导体膜也由保护膜保护，由此氢等更加不易侵入到氧化物半导体膜，由此不易在非显示部用晶体管产生动作不良。此外，在保护膜，在与源极电极部和漏极电极部在俯视时重叠的位置形成有一对开口部，因此能够通过这些开口部实现氧化物半导体膜与源极电极部和漏极电极部的连接。
(6)上述保护膜至少含有硅和氧。这样，通过使得保护膜为至少含有硅和氧的结构，能够从保护膜脱离的氢的量变少，因此氢不易侵入到氧化物半导体膜，由此更加不易在非显示部用晶体管产生动作不良。
(7)上述氧化物半导体膜至少含有铟、镓和锌。这样，至少含有铟、镓和锌的氧化物半导体膜具有更加容易由于水分和/或氢而发生劣化的性质，虽然如此，但是通过如上述那样使得绝缘膜为上层侧绝缘膜与下层侧绝缘膜的层叠结构并且使得上层侧绝缘膜的膜厚为35nm～75nm的范围，不易发生水分和/或氢侵入到氧化物半导体膜的情况，由此不易在非显示部用晶体管产生动作不良。
(8)包括配置在上述显示部，通过与上述显示部用晶体管连接而对上述显示部用晶体管传送扫描信号的扫描信号线；和配置在上述非显示部，与上述扫描信号线连接并且供给上述扫描信号的缓冲电路部，上述非显示部用晶体管构成上述缓冲电路部。这样，在构成缓冲电路部的非显示部用晶体管中，在源极电极部与漏极电极部之间流动的电流量与显示部用晶体管相比具有变得更大的趋势，因此当非显示部用晶体管的氧化物半导体膜由于被侵入水分和/或氢而发生劣化、电特性发生变化时，不能正常地动作的可能性变得更高。但是，通过如上述那样使得绝缘膜为上层侧绝缘膜与下层侧绝缘膜的层叠结构并且使得上层侧绝缘膜的膜厚为35nm～75nm的范围，不易发生水分和/或氢侵入到氧化物半导体膜的情况，由此不易在构成缓冲电路部的非显示部用晶体管产生动作不良。
(9)上述源极电极部和上述漏极电极部至少含有铜。这样，当源极电极部和漏极电极部含有铜时，与例如含有铝的情况相比导电性良好，但是更容易被腐蚀。关于这一点，通过如上述那样使得绝缘膜为上层侧绝缘膜与下层侧绝缘膜的层叠结构并且使得上层侧绝缘膜的膜厚为35nm～75nm的范围，外部的水分不易透过绝缘膜到达源极电极部和漏极电极部，由此源极电极部和漏极电极部不易被水分腐蚀。
发明的效果
根据本发明，能够使得在非显示部用晶体管不易产生动作不良。
附图说明
图1是表示安装有本发明的实施方式1中的驱动器的液晶面板、柔性基板与控制电路基板的连接结构的概略平面图。
图2是表示沿液晶显示装置的长边方向的截面结构的概略截面图。
图3是表示整个液晶面板的截面结构的概略截面图。
图4是表示液晶面板的显示部的截面结构的概略截面图。
图5是概略地表示构成液晶面板的阵列基板的配线结构的平面图。
图6是表示显示部用TFT的配线结构的平面图。
图7是表示显示部用TFT的平面结构的平面图。
图8是表示显示部用TFT的截面结构的、图7的viii-viii线截面图。
图9是表示非显示部用TFT的截面结构的截面图。
图10是表示比较实验1中的上层侧第一层间绝缘膜的折射率与脱离水分量的关系的图表。
图11是表示比较实验1中的上层侧第一层间绝缘膜的折射率与脱离氢量的关系的图表。
图12是表示比较实验2中的非显示部用TFT的电流-电压特性的图表。
图13是表示比较实验3中的比较例1的上层侧第一层间绝缘膜的截面结构的照片。
图14是表示比较实验3中的实施例1的上层侧第一层间绝缘膜的截面结构的照片。
图15是表示本发明的实施方式2中的液晶面板的显示部的截面结构的概略截面图。
图16是表示显示部用TFT的截面结构的截面图。
图17是表示本发明的实施方式3中的显示部用TFT的平面结构的平面图。
图18是表示显示部用TFT的截面结构的、图17的xviii-xviii线截面图。
图19是表示非显示部用TFT的截面结构的截面图。
具体实施方式
＜实施方式1＞
根据图1至图14说明本发明的实施方式1。在本实施方式中，例示液晶显示装置10。另外，在各图面的一部分表示X轴、Y轴和Z轴，以各轴方向成为在各图面所示的方向的方式进行描绘。此外，关于上下方向，以图2至图4等为基准，且以该图上侧为表面侧，以该图下侧为里侧。
如图1和图2所示，液晶显示装置10包括：液晶面板(显示装置，显示面板)1，其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部AA和以包围显示部AA的方式配置在外周侧的非显示部NAA；驱动液晶面板11的驱动器(面板驱动部)21；从外部对驱动器21供给各种输入信号的控制电路基板(外部的信号供给源)12；将液晶面板11与外部的控制电路基板12电连接的柔性基板(外部连接部件)13；和作为向液晶面板11供给光的外部光源的背光源装置(照明装置)14。此外，液晶显示装置10还包括用于收容并保持相互组装后的液晶面板11和背光源装置14的表背面的一对外装部件15、16，其中在表面侧的外装部件15形成有用于从外部视认在液晶面板11的显示部AA显示的图像的开口部15a。本实施方式中的液晶显示装置10用于移动电话(包括智能手机等)、笔记本电脑(包括平板型笔记本电脑等)、便携式信息终端(包括电子书和PDA等)、数字相框、便携式游戏机、电子墨水纸等各种电子设备(未图示)。因此，构成液晶显示装置10的液晶面板11的画面尺寸为几英寸～10几英寸左右，一般被分类为小型或中小型的大小。
首先，对背光源装置14进行简单说明。如图2所示，背光源装置14包括：朝向表面侧(液晶面板11侧)开口的形成为大致箱形的外壳14a；配置在外壳14a内的未图示的光源(例如冷陰极管、LED、有机EL等)；和以覆盖外壳14a的开口部的方式配置的未图示的光学部件。光学部件是具有将从光源发出的光转换成面状等功能的部件。
接着，对液晶面板11进行说明。如图1所示，液晶面板11作为整体形成为纵长的方形状(矩形状)，在其长边方向的靠近一个端部侧(图1所示的上侧)的位置配置有显示部(有源区域)AA，并且在靠近长边方向的另一个端部侧(图1所示的下侧)的位置分别安装有驱动器21和柔性基板13。在该液晶面板11，显示部AA外的区域为不显示图像的非显示部(非有源区域)NAA，该非显示部NAA由包围显示部AA的大致框状的区域(后述的CF基板11a的边框部分)和被确保在长边方向的另一个端部侧的区域(后述的阵列基板11b中与CF基板11a不重叠而露出的部分)构成，在其中的被确保在长边方向的另一个端部侧的区域包括驱动器21和柔性基板13的安装区域(实际安装区域)。在液晶面板11，形成为大致框状的非显示部NAA中，除驱动器21和柔性基板13的安装区域以外的剩余的三个边的端部(非安装侧端部)的宽度尺寸，详细而言从玻璃基板GS的外端至显示部AA的外端为止的直线距离，例如为2.0mm以下，更优选为1.8mm以下，成为边框极窄的窄边框结构。液晶面板11的短边方向与各图面的X轴方向一致，长边方向与各图面的Y轴方向一致。另外，在图1、图5和图6中，比CF基板11a小一圈的框状的点划线表示显示部AA的外形，该点划线的外侧的区域为非显示部NAA。
接着，对与液晶面板11连接的部件进行说明。如图1和图2所示，控制电路基板12通过螺丝等安装在背光源装置14的外壳14a的背面(与液晶面板11侧相反侧的外表面)。该控制电路基板12在酚醛纸以及玻璃环氧树脂制的基板上安装有用于向驱动器21供给各种输入信号的电子部件，并且形成有未图示的规定的图案的配线(导电路)线路。在该控制电路基板12，通过未图示的ACF(Anisotropic ConductiveFilm：各向异性导电膜)电且机械地连接有柔性基板13的一个端部(一端侧)。
如图2所示，柔性基板(FPC基板)13包括具有由绝缘性和可挠性的合成树脂材料(例如聚酰亚胺类树脂等)构成的基材，该基材上具有多个配线图案(未图示)，长度方向上的一个端部如上述那样与配置在外壳14a的背面侧的控制电路基板12连接，另一个端部(另一端侧)与液晶面板11的阵列基板11b连接，因此在液晶显示装置10内以截面形状成为大致U型的方式被折弯成弯曲状。在柔性基板13的长度方向上的两个端部，配线图案露出至外部而构成端子部(未图示)，这些端子部分别与控制电路基板12和液晶面板11电连接。由此，能够将从控制电路基板12侧供给的输入信号传送至液晶面板11侧。
如图1所示，驱动器21由在内部具有驱动电路的LSI芯片构成，基于从作为信号供给源的控制电路基板12供给的信号进行动作，由此，对从作为信号供给源的控制电路基板12供给的输入信号进行处理而生成出力信号，将该出力信号向液晶面板11的显示部AA输出。该驱动器21在俯视时为横长的方形(沿液晶面板11的短边成为长条形)，并且直接安装在液晶面板11(后述的阵列基板11b)的非显示部NAA，即进行COG(Chip On Glass)安装。另外，驱动器21的长边方向与X轴方向(液晶面板11的短边方向)一致，其短边方向与Y轴方向(液晶面板11的长边方向)一致。
重新对液晶面板11进行说明。如图3所示，液晶面板11至少具有：一对基板11a、11b；设置于两个基板11a、11b间，含有作为伴随着施加电场而光学特性发生变化的物质的液晶分子的液晶层(液晶)11c；以通过介于两个基板11a、11b间而维持液晶层11c的厚度的量的狭缝的状态，将液晶层11c密封的密封部11j。一对基板11a、11b中，表面侧(正面侧)为CF基板(对置基板)11a，背侧(背面侧)为阵列基板(基板)11b。密封部11j配置在液晶面板11中的非显示部NAA，并且形成为在俯视时(从相对于阵列基板11b的板面的法线方向看)模仿非显示部NAA的、纵长的大致框状(图2)。密封部11j中，配置在液晶面板11的除了驱动器21和柔性基板13的安装区域以外的剩余的三个边的端部(非安装侧端部)部分配置在非显示部NAA的最外端位置(图2)。另外，在两个基板11a、11b的外表面侧分别贴附有偏光板11f、11g。
本实施方式中的液晶面板11的动作模式是将IPS(In-PlaneSwitching：面内开关型)模式进一步改良而得到的FFS(Fringe FieldSwitching：边缘场开关)模式，如图4所示，在一对基板11a、11b中的阵列基板11b侧一起形成后述的像素电极部(第二透明电极部)18和共用电极部(第一透明电极部)22，将这些像素电极部18和共用电极部22配置在不同的层。CF基板11a和阵列基板11b包括几乎透明的(具有高的透光性的)玻璃基板GS，在该玻璃基板GS上层叠形成有各种膜。其中，CF基板11a如图1和图2所示那样，以短边尺寸与阵列基板11b大致相同，但是长边尺寸比阵列基板11b小，并且使长边方向上的一个(图1所示的上侧)端部与阵列基板11b一致的状态贴合。因此，阵列基板11b中长边方向上的(图1所示的下侧)端部在规定范围不与CF基板11a重叠，表面背面两个板面成为向外部露出的状态，在此处确保驱动器21和柔性基板13的安装区域。另外，在两个基板11a、11b的内面侧，分别形成有用于使液晶层11c中含有的液晶分子取向的取向膜11d、11e(图4)。
首先，对在阵列基板11b的内面侧(液晶层11c侧，与CF基板11a相对面侧)利用已知的光刻法层叠形成的各种膜进行说明。在阵列基板11b，如图8所示，从下层(玻璃基板GS)侧起依次层叠形成有第一金属膜(栅极金属膜)34、栅极绝缘膜35、氧化物半导体膜36、保护膜(蚀刻阻挡膜，ES膜)37、第二金属膜(源极金属膜)38、第一层间绝缘膜(绝缘膜)39、有机绝缘膜40、第一透明电极膜23、第二层间绝缘膜41、第二透明电极膜24。
第一金属膜34例如由包括铜(Cu)的单层膜构成。由此，假设与令第一金属膜为铝(Al)的单层膜的情况相比，配线电阻低，导电性良好。栅极绝缘膜35是至少层叠于第一金属膜34的上层侧的膜，例如由氧化硅(SiO2)构成。氧化物半导体膜36层叠于栅极绝缘膜35的上层侧，例如由含有作为氧化物半导体的一种的铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物薄膜构成。含有作为氧化物半导体膜36的铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物薄膜为非晶质或晶质。该氧化物半导体膜36在显示部AA构成后述的显示部用TFT17的第一沟道部17d等，在非显示部NAA构成后述的非显示部用TFT29的第二沟道部29d等。保护膜37是至少层叠于氧化物半导体膜36的上层侧的膜，例如由氧化硅(SiO2)构成。
第二金属膜38是至少层叠于保护膜37的上层侧的膜，例如为将由钛(Ti)构成的下层侧金属膜38a配置在下层侧并且将由铜(Cu)构成的上层侧金属膜38b配置在上层侧的层叠结构。由此，假设与令第二金属膜为钛与铝(Al)的层叠结构的情况相比，配线电阻低，导电性良好。第一层间绝缘膜39是至少层叠于第二金属膜38的上层侧的膜，例如为至少含有硅和氧的下层侧第一层间绝缘膜(下层侧绝缘膜)39a与至少含有硅和氮的上层侧第一层间绝缘膜(上层侧绝缘膜)39b的层叠结构。另外，关于第一层间绝缘膜39在之后进行详细说明。有机绝缘膜40是层叠于第一层间绝缘膜39的上层侧的膜，例如由作为有机材料的丙烯类树脂材料(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))构成，作为平坦化膜发挥作用。
第一透明电极膜23是层叠于有机绝缘膜40的上层侧的膜，例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)或ZnO(Zinc Oxide：氧化锌)这样的透明电极材料构成。第二层间绝缘膜41是至少层叠于第一透明电极膜23的上层侧的膜，例如由氮化硅(SiNx)构成，平面视图中的图案与上述的第一层间绝缘膜39相同，详细情况后述。第二透明电极膜24是至少层叠于第二层间绝缘膜41的上层侧的膜，例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)或ZnO(Zinc Oxide：氧化锌)这样的透明电极材料构成。上述各膜中，第一透明电极膜23和第二透明电极膜24仅在阵列基板11b的显示部AA形成，在非显示部NAA不形成，与此相对，关于栅极绝缘膜35、保护膜37、第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41等由绝缘材料构成的各绝缘膜35、37、39、41，作为遍及阵列基板11b的几乎整个面的整面状的图案(在一部分具有开口)形成。此外，第一金属膜34、氧化物半导体膜36和第二金属膜38在阵列基板11b的显示部AA和非显示部NAA的双方以规定的图案形成。
接着，对在阵列基板11b的显示部AA内存在的结构依次进行详细说明。在阵列基板11b的显示部AA，如图6和图7所示，作为开关元件的显示部用TFT(显示部用晶体管)17和像素电极部18多个地呈矩阵状排列设置，并且在这些显示部用TFT17和像素电极部18的周围，以包围形成为栅格状的栅极配线(扫描信号线、行控制线)19和源极配线(列控制线、数据线)20的方式设置。换言之，在成为栅格状的栅极配线19与源极配线20的交叉部，呈矩阵状配置有显示部用TFT17和像素电极部18。栅极配线19由第一金属膜34构成，源极配线20由第二金属膜38构成，以在彼此的交叉部位间设置有栅极绝缘膜35和保护膜37的方式配置。栅极配线19和源极配线20分别与显示部用TFT17的第一栅极电极部17a和第一源极电极部17b连接，像素电极部18与显示部用TFT17的第一漏极电极部17c连接(图8)。其中，如图7所示，第一栅极电极部17a由以从沿X轴方向直线延伸的栅极配线19沿Y轴方向突出的方式分支的分支部构成，第一源极电极部17b由以从沿Y轴方向直线延伸的源极配线20沿X轴方向突出的方式分支的分支部构成。
如图8所示，显示部用TFT17具有：由第一金属膜34构成的第一栅极电极部17a；由氧化物半导体膜36构成，与第一栅极电极部17a在俯视时重叠的第一沟道部17d；由保护膜37构成，在与第一沟道部17d在俯视时重叠的位置贯通形成有两个第一开口部17e1、17e2的第一保护部17E；由第二金属膜38构成，通过两个第一开口部17e1、17e2中的一个第一开口部17e1与第一沟道部17d连接的第一源极电极部17b；和由第二金属膜38构成，通过两个第一开口部17e1、17e2中的另一个第一开口部17e2与第一沟道部17d连接的第一漏极电极部17c。其中，第一沟道部17d沿X轴方向延伸，并且能够将第一源极电极部17b与第一漏极电极部17c桥接，由此，在两个电极部17b、17c间能够进行电荷的移动。第一源极电极部17b与第一漏极电极部17c在第一沟道部17d的延伸方向(X轴方向)上空出规定的间隔，配置成相对状。
如图7所示，第一栅极电极部17a为从栅极配线19分支的结构，其形成范围设置成相对于第一源极电极部17b为与其几乎整个区域在俯视时重叠，相对于第一漏极电极部17c为仅与其一部分(与第一沟道部17d连接的连接部分附近)在俯视时重叠。由此，假设与令第一栅极电极部为相对于第一漏极电极部17c的几乎整个区域在俯视时重叠的形成范围的情况相比，能够令在第一栅极电极部17a与第一源极电极部17b、第一漏极电极部17c和第一沟道部17d之间形成的寄生电容(以下，称为Cgd电容)小，因此，在显示像素的总电容中所占的Cgd电容的比例降低。因此，Cgd电容难以对被施加至像素电极部18的电压值产生影响，由此实现液晶面板11的高精细化，与显示像素的面積和总电容变小的情况相比优选。随着第一栅极电极部17a的形成范围被设定成上述那样，第一沟道部17d如图7和图8所示那样具有第一延伸部17d1，该第一延伸部17d1从连接第一漏极电极部17c的位置起沿X轴方向向与第一源极电极部17b侧相反的一侧(图7和图8所示的右侧)延伸，并且其前端部(一部分)与第一栅极电极部17a在俯视时不重叠。此外，形成第一沟道部17d的氧化物半导体膜36与非晶硅薄膜等相比电子迁移率例如高20倍～50倍程度，因此容易实现显示部用TFT17的小型化，能够实现像素电极部18的透过光量的极大化，由此，在实现高精细化和低消費电力化等方面优选。具有这样的由氧化物半导体膜36构成的第一沟道部17d的显示部用TFT17中，第一栅极电极部17a配置在最下层，在其上层侧隔着栅极绝缘膜35层叠有第一沟道部17d，成为底栅型，成为与一般的具有非晶硅薄膜的TFT相同的层叠结构。
像素电极部18由第二透明电极膜24构成，在被栅极配线19和源极配线20围成的区域作为整体在俯视时形成纵长的方形(矩形)，并且通过设置未图示的纵长的多个狭缝而形成大致梳齿形。如图8所示，像素电极部18在第二层间绝缘膜41上形成，在与后述的共用电极部22之间设置有第二层间绝缘膜41。配置在像素电极部18的第一层间绝缘膜39、有机绝缘膜40和第二层间绝缘膜41中，在与第一漏极电极部17c在俯视时重叠的位置，以在上下貫通的方式形成有接触孔CH，像素电极部18通过该接触孔CH与第一漏极电极部17c连接。由此，当将显示部用TFT17的第一栅极电极部17a通电时，电流经由第一沟道部17d在第一源极电极部17b与第一漏极电极部17c之间流动，并且对像素电极部18施加规定的电位。该接触孔CH配置在相对于第一栅极电极部17a和由氧化物半导体层36构成的第一沟道部17d的双方在俯视时不重叠的位置。另外，接触孔CH通过在形成第二层间绝缘膜41时使用掩模在第二层间绝缘膜41图案形成开口部，将形成有该开口部的第二层间绝缘膜41用作抗蚀剂，对下层侧的第一层间绝缘膜39和有机绝缘膜40进行蚀刻，从而在第一层间绝缘膜39和有机绝缘膜40分别形成与第二层间绝缘膜41的开口部连通的开口部。
共用电极部22由第一透明电极膜23构成，为遍及阵列基板11b的显示部AA的几乎整个面的、所谓的整面状的图案。如图8所示，共用电极部22以被夹在有机绝缘膜40与第二层间绝缘膜41之间的方式配置。在共用电极部22，从未图示的共通配线被施加共通电位(基准电位)，因此，通过如上述那样通过显示部用TFT17控制施加至像素电极部18的电位，能够使两电极部18、22间产生规定的电位差。当在两电极部18、22间产生电位差时，在液晶层11c，被施加包含由于像素电极部18的狭缝18a而沿着阵列基板11b的板面的成分、和相对于阵列基板11b的板面的法线方向的成分的边缘电场(斜电场)，因此，能够对液晶层11c所含的液晶分子中的存在于狭缝18a的液晶分子和存在于像素电极部18上的液晶分子的配向状态进行开关。由此，液晶面板11的开口率变高，能够获得充分的透射光量，并且能够获得高的视野角性能。另外，在阵列基板11b还能够设置电容配线(未图示)，该电容配线与栅极配线19平行，并且将像素电极部18横穿且隔着栅极绝缘膜35、保护膜37、第一层间绝缘膜39、有机绝缘膜40和第二层间绝缘膜41重叠。
接着，对CF基板11a的显示部AA内存在的结构进行详细说明。在CF基板11a，如图4所示，设置有以与阵列基板11b侧的各像素电极部18在俯视时重叠的方式呈矩阵状排列配置有多个R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)等各着色部而构成的彩色滤光片11h。在构成彩色滤光片11h的各着色部间，形成有用于防止混色的大致栅格状的遮光层(黑矩阵)11i。遮光层11i与上述的栅极配线19和源极配线20在俯视时重叠地配置。在彩色滤光片11h和遮光层11i的表面设置有取向膜11d。另外，在该液晶面板11，由R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)这三种颜色的着色部和与它们相对的三个像素电极部18的组构成作为显示单位的一个显示像素。显示像素由具有R着色部的红色像素、具有G着色部的绿色像素和具有B着色部的蓝色像素构成。该各种颜色显示像素在液晶面板11的板面沿行方向(X轴方向)重复排列配置，由此构成像素组，该像素组沿列方向(Y轴方向)大量排列配置(图4和图5)。
接着，对阵列基板11b的非显示部NAA内存在的结构进行详细说明。阵列基板11b的非显示部NAA中，在与显示部AA的短边部相邻的位置，如图5所示那样设置有列控制电路部27，与此相对，在与显示部AA的长边部相邻的位置设置有行控制电路部28。列控制电路部27和行控制电路部28能够进行用于将来自驱动器21的出力信号供给至显示部用TFT17的控制。列控制电路部27和行控制电路部28以与显示部用TFT17相同的氧化物半导体膜36为基体在阵列基板11b上单片地形成，由此具有用于控制输向显示部用TFT17的出力信号的供给的控制电路。该列控制电路部27和行控制电路部28如图5和图6所示那样，配置在非显示部NAA的比密封部11j更靠中央侧即显示部AA侧的位置，换言之，配置在比在显示部AA配置的显示部用TFT17更靠近密封部11j的位置。另外，在图5以二点划线表示密封部11j，在图6以实线表示密封部11j。此外，列控制电路部27和行控制电路部28在阵列基板11b的制造工序中在对显示部用TFT17等进行图案形成时，利用已知的光刻法同时被图案形成于阵列基板11b上。
其中，如图5所示，列控制电路部27配置在显示部AA的、与图5所示的下侧的短边部相邻的位置，换言之，在Y轴方向上配置在成为显示部AA与驱动器21之间的位置，在沿X轴方向延伸的横长的大致方形的范围形成。该列控制电路部27具有与配置在显示部AA的源极配线20连接并且将来自驱动器21的出力信号中所含的图像信号分配至各源极配线20的开关电路(RGB开关电路)，具体而言，源极配线20在阵列基板11b的显示部AA沿X轴方向排列配置有多个，并且与构成R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)各种颜色的显示像素的各显示部用TFT17分别连接，列控制电路部27通过开关电路将来自驱动器21的图像信号分配供给至R、G、B的各源极配线20。此外，列控制电路部27还能够包括电平转移电路和ESD保护电路等附属电路。
与此相对，行控制电路部28如图5所示那样配置在显示部AA的、与图5所示的左侧的长边部相邻的位置，在沿Y轴方向延伸的纵长的大致方形的范围形成。行控制电路部28具有扫描电路，该扫描电路与配置在显示部AA的栅极配线19连接，并且将来自驱动器21的出力信号中所含的扫描信号按规定的时序供给至各栅极配线19，对各栅极配线19依次进行扫描。具体而言，栅极配线19在阵列基板11b的显示部AA沿Y轴方向排列配置有多个，行控制电路部28通过扫描电路将来自驱动器21的控制信号(扫描信号)从显示部AA中图5所示的上端位置的栅极配线19至下端位置的栅极配线19依次进行供给，由此进行栅极配线19的扫描。此外，在行控制电路部28还能够包括电平转移电路和ESD保护电路等附属电路。另外，列控制电路部27和行控制电路部28通过在阵列基板11b上形成的未图示的连接配线与驱动器21连接。
在设置于该行控制电路部28的扫描电路中，如图5所示，包括与栅极配线19连接并且将扫描信号放大并输出至栅极配线19的缓冲电路部26。而且，在该缓冲电路部26设置有非显示部用TFT(非显示部NAA用晶体管)29。该非显示部用TFT29在阵列基板11b的板面中配置在非显示部NAA，并且在阵列基板11b的制造工序中与显示部用TFT17同时形成。非显示部用TFT29用于在扫描电路进行的信号处理的最终阶段输出扫描信号，因此处理的电流量比显示部用TFT17处理的电流量大。
对非显示部用TFT29的层叠结构进行说明。如图9所示，非显示部用TFT29具有：由第一金属膜34构成的第二栅极电极部(栅极电极部)29a；由氧化物半导体膜36构成，与第二栅极电极部29a在俯视时重叠的第二沟道部29d；由保护膜37构成，在与第二沟道部29d在俯视时重叠的位置贯通形成有两个第二开口部29e1、29e2的第二保护部29e；由第二金属膜38构成，通过两个第二开口部29e1、29e2中的一个第二开口部29e1与第二沟道部29d连接的第二源极电极部(源极电极部)29b；和由第二金属膜38构成，通过两个第二开口部29e1、29e2中的另一个第二开口部29e2与第二沟道部29d连接的第二漏极电极部(漏极电极部)29c。其中，第二沟道部29d沿X轴方向延伸并且将第二源极电极部29b与第二漏极电极部29c桥接，使电荷能够在两电极部29b，29c间移动。第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c在第二沟道部29d的延伸方向(X轴方向)上空出规定的间隔地配置成相对状。
该非显示部用TFT29的第二栅极电极部29a、第二源极电极部29b、第二漏极电极部29c、第二沟道部29d和第二保护部29e的平面配置与上述的显示部用TFT17的各构成部位相同，如图7所示。第二栅极电极部29a如图7所示那样，与显示部用TFT17的第一栅极电极部17a同样为从栅极配线19分支的结构，其形成范围以相对于第二源极电极部29b与其几乎整个区域在俯视时重叠，但是相对于第二漏极电极部29c仅与其一部分(与第二沟道部29d的连接部分附近)在俯视时重叠的方式设定。随着第二栅极电极部29a的形成范围被上述那样设定，第二沟道部29d如图7和图9所示那样具有第二延伸部(延伸部)29d1，该第二延伸部29d1从连接第二漏极电极部29c的位置沿X轴方向向与第二源极电极部29b侧相反的一侧(图9所示的右侧)延伸，并且其前端部(一部分)与第二栅极电极部29a在俯视时不重叠。此外，构成该第二沟道部29d的氧化物半导体膜36与显示部用TFT17的第一沟道部17d相同，具有高的电子迁移率。此外，非显示部用TFT29与显示部用TFT17相同，第二栅极电极部29a配置在最下层，在其上层侧，隔着栅极绝缘膜35层叠有第二沟道部29d，成为底栅型。通过采用这样使非显示部用TFT29的各构成部位与显示部用TFT17的各构成部位相同的配置结构，在实现成品率的提高等方面优选。
但是，配置在非显示部NAA的非显示部用TFT29如图4和图5所示那样，与配置在显示部AA的显示部用TFT17相比，配置在阵列基板11b的外周侧并且配置在密封部11j的附近，因此，在存在于外部的水分透过密封部11j等进入内部的情况下，容易受到该水分的影响。假设在由构成非显示部用TFT29的氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d被侵入外部的水分而产生劣化时，存在其电特性发生变化、非显示部用TFT29不正常地动作的问题。而且，非显示部用TFT29构成行控制电路部28中所含的缓冲电路部26，处理的电流值比显示部用TFT17大，因此，由于在第二沟道部29d产生劣化、其电特性发生变化的情况下产生的非显示部用TFT29的动作不良，在液晶面板11产生显示不良的可能性高。进一步，如图7和图9所示，构成非显示部用TFT29的第二沟道部29d如上述那样具有一部分与第二栅极电极部29a不重叠的第二延伸部(延伸部)29d1，该第二延伸部29d1不易被第二栅极电极部29a遮挡从背光源装置14向液晶面板11照射的光，因此容易受到光的照射。构成第二沟道部29d的氧化物半导体膜36具有在接受到光的能量时在电荷的移动的容易程度方面容易受到影响的性质，存在在使非显示部用TFT29动作时电荷容易滞留在第二延伸部29d1的问题。因此，具有以下状况：与随着氧化物半导体膜36被侵入水分等而氧化物半导体膜36产生劣化的问题相互作用，因非显示部用TFT29而容易产生动作不良。
因此，在本实施方式中的阵列基板11b，以从上层侧覆盖非显示部用TFT29中的第二源极电极部29b、第二漏极电极部29c和第二沟道部29d的方式配置的第一层间绝缘膜39，采用相对地配置在下层侧且至少含有硅和氧的下层侧第一层间绝缘膜39a与相对地配置在上层侧且至少含有硅和氮的上层侧第一层间绝缘膜39b的层叠结构。通过这样的结构，能够获得以下的作用和效果。首先，第一层间绝缘膜39中相对地配置在上层侧的上层侧第一层间绝缘膜39b为至少含有硅和氮的结构，由此，即使在由于非显示部用TFT29配置在密封部11j的附近而外部的水分侵入的情况下，该外部的水分也难以透过上层侧第一层间绝缘膜39b，水分难以到达由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d。该上层侧第一层间绝缘膜39b含有硅和氮，在成膜工序中，例如在使硅烷(SiH4)与氨(NH3)反应而进行成膜时，会在该工序产生氢。因此，上层侧第一层间绝缘膜39b存在在成膜时在内部侵入氢的情况，由此存在在成膜后由于热环境而氢脱离的情况。在这种情况下，也通过采用第一层间绝缘膜39中相对地配置在下层侧的下层侧第一层间绝缘膜39a至少含有硅和氧的结构，使得从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的氢难以透过下层侧第一层间绝缘膜39a，脱离氢难以到达由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d。由此，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d不易产生起因于水分和/或氢的侵入的劣化，并且电特性不易发生变化，由此不易在非显示部用TFT29产生动作不良。
而且，构成本实施方式中的第一层间绝缘膜39的上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm～75nm的范围，由此，来自上层侧第一层间绝缘膜39b的氢的脱离量少，并且上层侧第一层间绝缘膜39b的防湿性得到充分确保。由此，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性不易发生变化，由此，不易由于非显示部用TFT29而产生动作不良。通过这样使得在非显示部用TFT29不易产生动作不良，能够担保缓冲电路部26的正常的动作，并且液晶面板11不易发生显示不良，动作信頼性高。而且，非显示部用TFT29虽然是由于第二沟道部29d具有容易受到光的照射的第二延伸部29d1而容易产生动作不良的结构，但是通过如上述那样使得起因于外部的水分等的动作不良不易产生，能够充分确保动作信頼性。此外，因为由氧化硅构成的保护膜37(第二保护部29e)以介于第二沟道部29d与第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c之间的方式配置，从保护膜37脱离出的氢的量变少，由此第二沟道部29d更不容易被侵入氢，由此不易在非显示部用TFT29产生动作不良。此外，第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c因为含有铜而容易被水分腐蚀，但是通过利用上述的上层侧第一层间绝缘膜39b抑制水分的透过，腐蚀的发生被抑制，由此，不易在非显示部用TFT29产生动作不良。另外，下层侧第一层间绝缘膜39a与上层侧第一层间绝缘膜39b相比膜厚相对较大。
对下层侧第一层间绝缘膜39a和上层侧第一层间绝缘膜39b的组成进行详细说明。下层侧第一层间绝缘膜39a例如由氧化硅(SiO2)构成，上层侧第一层间绝缘膜39b例如由氮化硅(SiNx)构成。该上层侧第一层间绝缘膜39b并不限定于仅由硅和氮构成的组成，而能够含有其它的元素(氧)。上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率能够与氮的含有量相应地变动，为氮的含有量越少折射率越小、氮的含有量越多折射率越大的趋势，具体而言，对上层侧第一层间绝缘膜39b而言，折射率越接近2.0，组成越接近纯粹的氮化硅，与此相对，折射率越远离2.0，氮的含有量越少，氧的含有量越增加。另外，同样地，下层侧第一层间绝缘膜39a也不限定于仅由硅和氧构成的组成，而能够含有硅和氧以外的元素(例如氮)，在为含有氮组成的情况下，与上层侧第一层间绝缘膜39b同样地在折射率与氮的含有量方面具有相关关系。于是，本实施方式中的上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5～1.9的范围，由此能够确保充分的防湿性，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性不易发生变化，由此能够容易地利用通用的制造设备进行成膜。进一步，本实施方式中的上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率更优选为1.5～1.72的范围，由此上层侧第一层间绝缘膜39b中所含有的氢的量变得更少，来自上层侧第一层间绝缘膜39b的脱离氢量也变少，由此，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性不易由于脱离氢而发生变化。
以上，关于构成缓冲电路部26的非显示部用TFT29，对上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚和折射率的数值范围进行了说明，上层侧第一层间绝缘膜39b遍及阵列基板11b的几乎整个面地、以大致均匀的膜厚且由相同的材料形成。由此，关于构成缓冲电路部26以外的电路的非显示部用TFT29和配置在显示部AA的显示部用TFT17所具有的上层侧第一层间绝缘膜39b，膜厚和折射率的数值范围也为与构成缓冲电路部26的非显示部用TFT29相同的设定，由此也能够获得与构成上述的缓冲电路部26的非显示部用TFT29相同的作用和效果。
＜比较实验＞
接着，在本实施方式中，对以上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm～75nm的范围且令折射率为1.5～1.9的范围，更优选为1.5～1.72的范围为根据的比较实验1～3进行说明。在比较实验1中，对非显示部用TFT29具有的第一层间绝缘膜39的上层侧第一层间绝缘膜39b，通过使折射率在1.475～1.9的范围发生变化并且进行升温脱离分析(TDS：Thermal Disportion Spectroscopy)，对上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为1nm时的脱离水分量和脱离氢量进行测定。详细而言，在比较实验1中，以令上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.475的例子为比较例1，以下同样以令折射率为1.51的例子为实施例1，以令折射率为1.51的例子为实施例1，以令折射率为1.53的例子为实施例2，以令折射率为1.6的例子为实施例3，以令折射率为1.605的例子为实施例4，以令折射率为1.65的例子为实施例5，以令折射率为1.72的例子为实施例6，以令折射率为1.815的例子为实施例7，以令折射率为1.9的例子为实施例8。而且，在图10和图11表示比较实验1的测定结果。在图10，以横轴为上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率，以纵轴为来自上层侧第一层间绝缘膜39b的脱离水分量。在图11，以横轴为上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率，以纵轴为来自上层侧第一层间绝缘膜39b的脱离氢量。另外，图10和图11中的脱离水分量和脱离氢量均是上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为1nm时的脱离分子数，且是以实施例1中的脱离分子数为基准(1.0)的情况下的相对值。
在比较实验2中，使非显示部用TFT29具有的第一层间绝缘膜39的上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚在0nm～100nm的范围变化并且对非显示部用TFT29的电流-电压特性进行测定。详细而言，在比较实验2中，以令上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为0nm的例子为比较例1，以下同样以令膜厚为25nm的例子为比较例2，以令膜厚为50nm的例子为实施例1，以令膜厚为75nm的例子为实施例2，以令膜厚为85nm的例子为实施例3，以令膜厚为100nm的例子为实施例4。其中，关于比较例1，换言之可以说是从第一层间绝缘膜39除去上层侧第一层间绝缘膜39b仅为下层侧第一层间绝缘膜39a的结构。此外，在比较实验2中的各比较例和各实施例中，下层侧第一层间绝缘膜39a的膜厚全部为265nm。而且，在图12表示比较实验2的测定结果。在图12，以横轴为施加至第二栅极电极部29a的电压值(单位为“V”)，以纵轴为在第二源极电极部29b与第二漏极电极部29c之间流动的电流值(单位为“A”)。另外，在图12，以二点划线表示比较例1，以间隔窄的虚线表示比较例2，以间隔宽的点划线表示实施例1，以实线表示实施例2，以间隔宽的虚线表示比较例3，以间隔窄的点划线表示比较例4。
在比较实验3中，使非显示部用TFT29具有的第一层间绝缘膜39的上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚变化并且使用SEM(ScanningElectron Microscope：扫描电子显微镜)等电子显微镜拍摄了截面结构的照片。详细而言，在比较实验2，以令上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚T1为25nm的例子为比较例1，同样以令膜厚T2为35nm的例子为实施例1。此外，在比较实验3中的比较例1和实施例1中，下层侧第一层间绝缘膜39a的膜厚全部为150nm。而且在图13和图14表示通过比较实验3拍摄的照片。该图13和图14是将非显示部用TFT29在Y轴方向上、在中央位置附近沿X轴方向切断后的截面结构的照片，图13表示比较例1，图14表示实施例1。
接着，对各比较实验的实验结果进行说明。首先，关于比较实验1，从图10中记载的图表可知，比较例1中的脱离水分量与实施例1～8相比格外多。这被认为是因为，如果上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率低于1.5，则上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氮的量过少，防湿性降低，容易透过水分。与此相对，可知上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5以上的实施例1～8中，脱离水分量被抑制得少，具备充分的防湿性。因此，上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率优选下限值为1.5。此外，在令上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.9以上时，需要使用特殊的制造装置和制造方法使上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氮的量多，难以利用通用的制造装置进行制造。因此，通过令上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率的上限值为1.9，能够确保利用通用的制造装置时的制造容易性
另一方面，从作为比较实验1的实验结果的图11中记载的图表可知，实施例7、8中的脱离氢量与比较例1和实施例1～实施例6相比较多。这被认为是因为，如果上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率超过1.72，则上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氮的量多，因此呈现含有更多在成膜时产生的氢的趋势。详细而言，上层侧第一层间绝缘膜39b的成膜工序中，例如当使硅烷与氨发生反应而进行成膜时，在该工程中产生氢，此时的氢的发生量处于与氨的量即上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氮的量相应地成比例地变化的关系，因此认为，如果上层侧第一层间绝缘膜39b的含有氮量变多，则含有氢量也变多。与此相对，可知：上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5～1.72的实施例1～6中，脱离氢量被抑制得少，被侵入由氧化物半导体层36构成的第二沟道部29d的氢量也水分少。如上所述，从比较实验1的实验结果而言，上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5～1.9的范围，在确保充分的防湿性且确保利用通用的制造设备时的成膜容易性方面优选，更优选折射率为1.5～1.72的范围，在抑制脱离氢量方面优选。
接着，关于比较实验2，从图12中记载的图表可知，在比较例3、4中，非显示部用TFT29不具有閾值电压，不能获得作为晶体管的开关特性。这被认为是因为，如果上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚超过75nm，则上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氢量的绝对值过大，从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离而侵入到作为氧化物半导体层36的第二沟道部29d的氢量也多，作为结果第二沟道部29d的电的性质成为接近导体的性质，不再作为半导体发挥作用。与此相对，可知：在上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为75nm以下的实施例1、2和比较例1、2中，含有的氢量的绝对值不会过大，因此侵入到作为氧化物半导体层36的第二沟道部29d的氢量也少，并且能够使第二沟道部29d作为半导体正常地发挥作用。
关于比较实验3，从图13中记载的照片可知，当如比较例1那样上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚T1为25nm时，在上层侧第一层间绝缘膜39b产生多个空隙(间隙)42。这是因为当上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为25nm以下时，对于下层侧第一层间绝缘膜39a的覆盖区域恶化，存在水分等容易通过空隙42透过、防湿性降低的问题。与此相对，从图14中记载的照片可知，当如实施例1那样上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚T2为35nm时，在上层侧第一层间绝缘膜39b几乎不产生空隙42。由此可以说，当上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm以上时，对于下层侧第一层间绝缘膜39a的覆盖区域良好，能够确保充分的防湿性。如上所述，从比较实验2、3的实验结果而言，从抑制脱离氢量且确保充分的防湿性的观点出发优选上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm～75nm的范围。
如以上说明的那样，本实施方式的液晶面板(表示装置)11包括：阵列基板(基板)11b，其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部AA和以包围显示部AA的方式配置在外周侧的非显示部NAA；配置在显示部AA的显示部用TFT(显示部用晶体管)17；配置在非显示部NAA的非显示部用TFT(非显示部用晶体管)29；构成非显示部用TFT29的第二栅极电极部(栅极电极部)29a；第二沟道部29d，其构成非显示部用TFT29，至少一部分由与第二栅极电极部29a在俯视时重叠的氧化物半导体膜36构成；第二源极电极部(源极电极部)29b，其构成非显示部用TFT29，至少一部分层叠于由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d上，并且与由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d连接；第二漏极电极部(漏极电极部)29c，其构成非显示部用TFT29，至少一部分层叠于由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d上，并且在与第二源极电极部29b之间空出间隔且与由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d连接；和第一层间绝缘膜(绝缘膜)39，其至少层叠于第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c上，该第一层间绝缘膜39为下层侧第一层间绝缘膜(下层侧绝缘膜)39a和上层侧第一层间绝缘膜(上层侧绝缘膜)39b的层叠结构，该第一层间绝缘膜39a相对地配置于下层侧，至少含有硅和氧，该第一层间绝缘膜39b相对地配置于上层侧，至少含有硅和氮，并且膜厚为35nm～75nm的范围。
这样，关于非显示部用TFT29，在第二栅极电极部29a被施加电压时，通过由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，电流在第二源极电极部29b与第二漏极电极部29c之间流动。由该氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d例如与非晶硅薄膜等相比电子迁移率高，因此在第二源极电极部29b与第二漏极电极部29c之间流动大的电流方面优选。
但是，在阵列基板11b以包围中央侧的显示部AA的方式在外周侧配置有非显示部NAA的结构中，配置在非显示部NAA的非显示部用TFT29与配置在显示部AA的显示部用TFT17相比容易受到存在于外部的水分的影响。假设在由构成非显示部用TFT29的氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d被侵入外部的水分而产生劣化时，存在由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性发生变化，非显示部用TFT29不正常地动作的问题。
关于这一点，因为至少层叠于第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c上的第一层间绝缘膜39，为相对地配置在下层侧且至少含有硅和氧的下层侧第一层间绝缘膜39a与相对地配置在上层侧且至少含有硅和氮的上层侧第一层间绝缘膜39b的层叠结构，所以由于上层侧第一层间绝缘膜39b而外部的水分不易到达由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，不仅如此，而且假设在上层侧第一层间绝缘膜39b在成膜时含有氢且氢从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的情况下，也由于下层侧第一层间绝缘膜39a而从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的氢不易到达由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d。由此，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d不易产生起因于水分和/或氢的侵入的劣化，其电特性不易发生变化，由此，在非显示部用TFT29不易发生动作不良。
但是，假设上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚超过75nm时，具有在形成上层侧第一层间绝缘膜39b时上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氢的含有量变多、并且从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的氢的脱离量也变多的趋势，因此存在由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d由于从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的氢而劣化、电特性容易发生变化的问题。另一方面，假设上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚低于35nm时，对于下层侧第一层间绝缘膜39a的覆盖区域容易发生恶化而产生空隙(间隙)42，因此存在防湿性降低、在由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d容易被侵入水分的问题。关于这一点，通过使上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm～75nm的范围，能够使得来自上层侧第一层间绝缘膜39b的氢的脱离量变少，并且充分地确保上层侧第一层间绝缘膜39b的防湿性，因此由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性不易发生变化，由此不易在非显示部用TFT29产生动作不良。此外，通过充分地保持上层侧第一层间绝缘膜39b的防湿性，第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c不易被水分腐蚀。
此外，构成第一层间绝缘膜39的上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5～1.9的范围。首先，上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率能够与组成相应地变化，具体而言存在如下趋势：当氮的含有量变少时，折射率的值变小，与此相对，当氮的含有量变多时，折射率的值变大。此处，假设在上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5以下的情况下，由于氮的含有量少，所以防湿性降低，容易使水透过，水分容易侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，并且对由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性产生不良的影响的问题。另一方面，假设在上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.9以上的情况下，由于氮的含有量多，所以存在难以利用通用的制造设备进行成膜的问题。因此，通过令上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5～1.9的范围，能够确保十分的防湿性，使得由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性不易发生变化，并且能够容易地利用通用的制造设备进行成膜。
此外，构成第一层间绝缘膜39的上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5～1.72的范围。上层侧第一层间绝缘膜39b存在随着氮的含有量变多而在成膜时在上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氢的含有量变多的趋势。关于这一点，通过使得上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率的上限值为1.72，上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氢的量变得更少，因此从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的氢的脱离量也变少，由此，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性不易由于从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的氢而发生变化。
此外，包括：形成为与阵列基板11b相对状的CF基板对置基板)11a；被夹持在阵列基板11b与CF基板11a之间的液晶层(液晶)11c；和介于阵列基板11b与CF基板11a之间并且以包围液晶层11c的方式配置而将液晶层11c密封的密封部11j，非显示部用TFT29配置在比显示部用TFT17更靠近密封部11j的位置。这样，被夹持在阵列基板11b与CF基板11a之间的液晶层11c，被设置于阵列基板11b与CF基板11a之间并且由以包围液晶层11c的方式配置的密封部11j密封。非显示部用TFT29配置在比显示部用TFT17更靠近密封部11j的位置，因此在外部的水分从密封部11j透过的情况下，虽然容易受到该水分的影响，但是通过如上述那样使得第一层间绝缘膜39为上层侧第一层间绝缘膜39b与下层侧第一层间绝缘膜39a的层叠结构并且上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm～75nm的范围，从密封部11j透过的水分不易侵入到构成非显示部用TFT29的由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，由此不易在非显示部用TFT29产生动作不良
此外，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d具有从连接第二漏极电极部29c的位置向与第二源极电极部29b侧相反的一侧延伸，并且至少其一部分与第二栅极电极部29a在俯视时不重叠的第二延伸部(延伸部)29d1。这样，当由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d具有从连接第二漏极电极部29c的位置向与第二源极电极部29b侧相反的一侧延伸的第二延伸部(延伸部)29d1，且该第二延伸部29d1的至少一部分与第二栅极电极部29a在俯视时不重叠时，该第二延伸部29d1的不重叠部位不易被第二栅极电极部29a遮挡外部光，因此容易受到外部光的照射，由此存在电特性劣化的问题。具体而言，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d具有当接受到光的能量时容易在电荷的移动的容易程度方面产生影响的性质，存在产生当使非显示部用TFT29动作时电荷容易滞留在第二延伸部29d1的不重叠部位这样的问题的可能性。当不仅产生这样的问题而且产生在由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d被侵入水分和/或氢而电特性发生变化这样的问题时，更容易在非显示部用TFT29产生动作不良，虽然如此，但是通过如上述那样使得第一层间绝缘膜39为上层侧第一层间绝缘膜39b与下层侧第一层间绝缘膜39a的层叠结构并且使得上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm～75nm的范围，水分和氢不易侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，因此不易在非显示部用TFT29产生动作不良。
此外，包括第二保护部29e，其以介于由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d与第二源极电极部29b以及第二漏极电极部29c之间的方式配置，具有分别形成在与第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c在俯视时重叠的位置且使由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d分别与第二源极电极部29b以及第二漏极电极部29c连接的一对第二开口部(开口部)29e1、29e2，由保护由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的保护膜37构成。这样，即使在制造过程中为了形成第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c而进行蚀刻的情况下，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d也通过配置在其上层侧的、由保护膜37构成的第二保护部29e保护而不被蚀刻。在制造后由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d也被由保护膜37构成的第二保护部29e保护，由此氢等更加不易侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，由此不易在非显示部用TFT29产生动作不良。此外，在由保护膜37构成的第二保护部29e，在与第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c在俯视时重叠的位置形成有一对第二开口部29e1、29e2，因此能够通过这些开口部实现由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d与第二源极电极部29b以及第二漏极电极部29c的连接。
此外，由保护膜37构成的第二保护部29e至少含有硅和氧。这样，通过使得由保护膜37构成的第二保护部29e为至少含有硅和氧的结构，能够使从由保护膜37构成的第二保护部29e脱离的氢的量变少，因此氢不易侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，由此更加不易在非显示部用TFT29产生动作不良。
此外，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d至少含有铟、镓和锌。这样，至少含有铟、镓和锌的由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d具有更加容易由于水分和/或氢而发生劣化的性质，虽然如此，但是通过如上述那样使得第一层间绝缘膜39为上层侧第一层间绝缘膜39b与下层侧第一层间绝缘膜39a的层叠结构并且使得上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm～75nm的范围，不易发生水分和/或氢侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的情况，由此不易在非显示部用TFT29产生动作不良。
此外，包括：配置在显示部AA且通过与显示部用TFT17连接而对显示部用TFT17传送扫描信号的栅极配线(扫描信号线)19；和配置在非显示部NAA且与栅极配线19连接并且供给扫描信号的缓冲电路部26，非显示部用TFT29构成缓冲电路部26。这样，在构成缓冲电路部26的非显示部用TFT29中，在第二源极电极部29b与第二漏极电极部29c之间流动的电流量与显示部用TFT17相比处于变得更大的趋势，因此，当非显示部用TFT29的由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d由于被侵入水分和/或氢而发生劣化、电特性发生变化时，不能正常地动作的可能性变得更高。但通过如上述那样使得第一层间绝缘膜39为上层侧第一层间绝缘膜39b与下层侧第一层间绝缘膜39a的层叠结构，并且使得上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm～75nm的范围，不易发生水分和氢侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的情况，由此不易在构成缓冲电路部26的非显示部用TFT29产生动作不良。
此外，第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c至少含有铜。这样，当第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c含有铜时，与例如含有铝的情况相比导电性良好，但是更容易被腐蚀。关于这一点，通过如上述那样使得第一层间绝缘膜39为上层侧第一层间绝缘膜39b与下层侧第一层间绝缘膜39a的层叠结构并且使得上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm～75nm的范围，外部的水分不易透过第一层间绝缘膜39到达第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c，由此第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c不易被水分腐蚀。
＜实施方式2＞
根据图15或图16对本发明的实施方式2进行说明。在该实施方式2中，表示将共用电极部122配置在CF基板111a侧的结构。另外，对与上述的实施方式1相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
如图15所示，本实施方式中的液晶面板111的共用电极部122不配置在具有显示部用TFT117等的阵列基板111b侧，而配置在CF基板111a侧，动作模式为VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式。共用电极部122以介于取向膜111d与彩色滤光片111h以及遮光层111i之间的方式配置，为遍及CF基板111a的几乎整个面的整面状的图案。在阵列基板111b，图16所示，随着共用电极部122被除去而第二层间绝缘膜被除去，在有机绝缘膜140的上层侧直接层叠第二透明电极膜124(像素电极部118)。利用这样的也能够获得与上述的实施方式1中记载的结构大致同样的作用和效果。
＜实施方式3＞
根据图17至图19对本发明的实施方式3进行说明。在该实施方式3中，表示对各TFT217、229的各栅极电极部217a、229a的平面配置后的结构。另外，对与上述的实施方式1相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
如图17和图18所示，构成显示部用TFT217的第一栅极电极部217a不从栅极配线219分支，而形成为一体。即，显示部用TFT217以整体载置于栅极配线219上的方式配置。因此，构成显示部用TFT217的第一沟道部217d遍及其整个区域地与第一栅极电极部217a(栅极配线219)在俯视时重叠配置。同样，图17和图19所示，构成非显示部用TFT229的第二栅极电极部229a不从栅极配线219分支，而形成为一体。即，非显示部用TFT229以整体载置于栅极配线219的方式配置。因此，构成非显示部用TFT229的第二沟道部229d遍及其整个区域地与第二栅极电极部229a(栅极配线219)在俯视时重叠配置。这样，来自未图示的背光源装置的光良好地被各栅极电极部217a、229a遮挡，难以被照射至由氧化物半导体膜236构成的各沟道部217d、229d。由此，各沟道部217d、229d的电特性不易发生变化，因此在各TFT217、229不易产生动作不良。利用这样的结构也能够获得与上述的实施方式1中记载的结构大致同样的作用和效果。
＜其它实施方式＞
本发明并不限定于根据上述记述和附图说明的实施方式，例如以下那样的实施方式也包含在本发明的技术的范围内。
(1)在上述各实施方式中，另上层侧第一层间绝缘膜的折射率的数值范围为1.5～1.9，例如在随着生产技术的进展、能够利用通用的制造装置制造折射率为1.9以上的组成的上层侧第一层间绝缘膜的情况下，能够将上层侧第一层间绝缘膜的折射率的上限值变更为1.9以上。
(2)在上述各实施方式中，例示了在形成上层侧第一层间绝缘膜时使用硅烷(SiH4)与氨(NH3)的混合气体的情况，其实也能够使用这以外的物质。例如，在形成上层侧第一层间绝缘膜时，能够使用硅烷(SiH4)与氮(N2)的混合气体。此外，还能够代替硅烷使用二氯硅烷(SiH2CL2)。此外，还能够使用硅烷、氨与氮的混合气体形成上层侧第一层间绝缘膜。
(3)在上述各实施方式中，作为配置在非显示部的非显示部用TFT，例示了用于在扫描电路进行的信号处理的最终阶段输出扫描信号的TFT，其实在具有这以外的功能的非显示部用TFT中也能够应用本发明。
(4)在非显示部NAA，除了构成缓冲电路部的非显示部用TFT以外还设置有具有各种功能的非显示部用TFT，不需要对所有这样的非显示部用TFT将上层侧第一层间绝缘膜的膜厚和折射率限定于上述的数值范围。即，也可以为上层侧第一层间绝缘膜的膜厚和折射率处于上述的数值范围内的非显示部用TFT和不处于上述的数值范围内的非显示部用TFT混合存在的结构。
(5)在上述各实施方式中，对构成显示部用TFT和非显示部用TFT的上层侧第一层间绝缘膜的膜厚和折射率处于上述的数值范围的结构进行了说明，其实也可以采用构成显示部用TFT的上层侧第一层间绝缘膜的膜厚和折射率不处于上述的数值范围内的结构。
(6)在上述各实施方式中，对配置在非显示部的行控制电路部具有的非显示部用TFT进行了例示，其实在配置在非显示部的列控制电路部具有的非显示部用TFT也能够同样地应用本发明。
(7)除了上述的各实施方式以外，阵列基板的行控制电路部的配置和设置数还能够适当地进行变更。例如，本发明中还包括行控制电路部相对于阵列基板的显示部配置在图5所示的右侧相邻的结构，以及行控制电路部在阵列基板的左右夹着显示部的位置配置一对的结构。
(8)除了上述的各实施方式以外，对栅极绝缘膜、保护膜、有机绝缘膜和第二层间绝缘膜的具体的材料，也能够适当地进行变更。
(9)在上述各实施方式中，例示了栅极绝缘膜为单层膜的结构，其实还能够层叠由不同的材料构成的膜。例如，能够令栅极绝缘膜为例如由氮化硅(SiNx)构成的下层侧栅极绝缘膜与由氧化硅(SiO2)构成的上层侧栅极绝缘膜的层叠结构，即与第一层间绝缘膜上下的层叠顺序反转的层叠结构。
(10)在上述各实施方式中，说明了令氧化物半导体膜包括铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物薄膜的情况，其实也能够使用其它种类的氧化物半导体材料，具体而言，能够使用包含铟(In)、硅(Si)和锌(Zn)的氧化物、包含铟(In)、铝(AL)和锌(Zn)的氧化物、包含锡(Sn)、硅(Si)和锌(Zn)的氧化物、包含锡(Sn)、铝(Al)和锌(Zn)的氧化物、包含锡(Sn)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物、包含镓(Ga)、硅(Si)和锌(Zn)的氧化物、包含镓(Ga)、铝(Al)和锌(Zn)的氧化物、包含铟(In)、铜(Cu)和锌(Zn)的氧化物、包含锡(Sn)、铜(Cu)和锌(Zn)的氧化物等。
(11)在上述各实施方式中，说明了当在显示部用晶体管形成接触孔时，将形成有开口部的第二层间绝缘膜用作抗蚀剂，对第一层间绝缘膜和有机绝缘膜进行蚀刻的情况，但是，例如也可以在形成第一层间绝缘膜、有机绝缘膜和第二层间绝缘膜时分别另外对开口部进行图案形成。此外，接触孔的平面配置能够适当地进行变更。
(12)在上述各实施方式中，对动作模式为FFS模式或为VA模式的液晶面板进行了例示，在此以外本发明还能够应用于IPS(In-PlaneSwitching：面内开关型)模式等其它动作模式的液晶面板。
(13)在上述各实施方式中，说明了在液晶面板、显示部在短边方向上配置在中央在长边方向上靠近一个端部侧地配置的结构，其实本发明还包括在液晶面板的显示部在长边方向上配置在中央在短边方向上靠近一个端部侧地配置的结构。此外，本发明还包括在液晶面板的显示部在长边方向和短边方向上靠近一个端部侧地配置的结构。相反，液晶面板的显示部在长边方向和短边方向上配置在中央的结构也包括在本发明中。
(14)在上述各实施方式中，说明了第二金属膜由钛(Ti)和铜(Cu)的层叠膜形成的情况，例如也可以代替钛钼(Mo)、氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、钨(W)、铌(Nb)、钼-钛合金(MoTi)、钼-钨合金(MoW)等。此外，还能够代替铜使用铝(Al)等。除此以外，还能够使用钛、铜、铝等的单层金属膜。
(15)在上述各实施方式中，说明了将驱动器直接COG安装在阵列基板上的结构，本发明还包括将驱动器安装在通过ACF与阵列基板连接的柔性基板上的结构。
(16)在上述各实施方式中，说明了在阵列基板的非显示部设置列控制电路部和行控制电路部的情况，其实还能够省略列控制电路部与行控制电路部中的任一电路部，使驱动器负担其功能。
(17)在上述各实施方式中，例示了形成为纵长的方形的液晶面板，本发明还能够应用于形成为横长的方形的液晶面板和形成为正方形的液晶面板。
(18)将触摸面板和视差屏障面板(开关液晶面板)等功能性面板以层叠的方式安装于各实施方式中记载的液晶面板上的结构也包括在本发明中。此外，直接在液晶面板形成触摸面板图案的结构也包括在本发明中。
(19)在上述各实施方式中，作为液晶显示装置具备的背光源装置例示了边缘光型的背光源装置，使用直下型的背光源装置的结构也包括在本发明中。
(20)在上述各实施方式中，例示了具备作为外部光源的背光源装置的透射型的液晶显示装置，本发明还能够应用于利用外光进行显示的反射型液晶显示装置，在这种情况下，能够省略背光源装置。
(21)在上述各实施方式中，作为液晶显示装置的开关元件使用TFT，其实还能够应用于使用TFT以外的开关元件(例如薄膜二极管(TFD))的液晶显示装置，此外，除了进行彩色显示的液晶显示装置以外，还能够应用于进行白黑显示的液晶显示装置。
(22)在上述各实施方式中，例示了使用液晶面板作为显示面板的液晶显示装置，在使用其它种类的表示面板(PDP(等离子体显示面板)和有机EL面板等)的表示装置中也能够使用本发明。在这种情况下，能够省略背光源装置。
(23)在上述各实施方式中，例示了被分类为小型或中小型、用于便携式信息终端、移动电话、笔记本电脑、数字相框、便携式游戏机、电子墨水纸等各种电子设备等中的液晶面板，但是，在画面尺寸例如为20英寸～90英寸，被分类为中型或大型(超大型)的液晶面板中也能够应用本发明。在这种情况下，能够将液晶面板用于电视接收装置、电子牌匾(数字招牌)、电子黑板等电子设备。
(24)在上述的实施方式1、2中，例示了构成显示部用TFT的第一沟道部具有与第一栅极电极部在俯视时不重叠的第一延伸部、并且构成非显示部用TFT的第二沟道部具有与第二栅极电极部在俯视时不重叠的第二延伸部的结构，显示部用TFT的第一沟道部能够为与实施方式1、2相同的配置结构，而且非显示部用TFT为第二沟道部的整个区域与第二栅极电极部在俯视时重叠的配置结构(上述的实施方式3与同样的配置结构)。其实能够与此相反，令非显示部用TFT的第二沟道部为与实施方式1、2相同的配置结构，而且显示部用TFT为第一沟道部的整个区域与第一栅极电极部在俯视时重叠的配置结构(与上述的实施方式3相同的配置结构)。
(25)在上述的实施方式1、2中，例示了在各TFT各栅极电极部为从栅极配线分支的结构、并且各沟道部为具有与各栅极电极部在俯视时不重叠的各延伸部的结构，还能够采用相对于从栅极配线分支的结构的各栅极电极部、各沟道部的整个区域分别在俯视时重叠的配置结构。该配置结构能够仅应用于显示部用TFT和非显示部用TFT中的任一方或应用于双方。进一步，在将上述配置结构仅应用于显示部用TFT和非显示部用TFT中的任一方的情况下，能够使未应用的一侧的TFT的配置结构与上述的实施方式1、2相同。
(26)在上述各实施方式中，说明了第一金属膜为铜(Cu)的单层膜的情况，还能够代替铜而使用钛(Ti)和铝(Al)等。此外，还能够使第一金属膜与第二金属膜同样地为钛(Ti)和铜(Cu)等的层叠膜。在令第一金属膜为层叠膜的情况下，还能够代替下层侧的钛使用例如钼(Mo)、氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、钨(W)、铌(Nb)、钼-钛合金(MoTi)、钼-钨合金(MoW)等。
附图标记的说明
11、111…液晶面板(显示装置)，11a、111a…CF基板(对置基板)，11b、111b…阵列基板(基板)，11c…液晶层(液晶)，11j…密封部，17、117、217…显示部用TFT(显示部用晶体管)，19、219…栅极配线(扫描信号线)，26…缓冲电路部，29、229…非显示部用TFT(非显示部用晶体管)，29a、229a…第二栅极电极部(栅极电极部)，29b…第二源极电极部(源极电极部)，29c…第二漏极电极部(漏极电极部)，29d、229d…第二沟道部(氧化物半导体层)，29d1…第二延伸部(延伸部)，29e…第二保护部(保护膜)，29e1、29e2…第二开口部(开口部)，34…第一金属膜(栅极电极部)，36…氧化物半导体层，37…保护膜，38…第二金属膜(源极电极部，漏极电极部)，39…第一层间绝缘膜(绝缘膜)，39a…下层侧第一层间绝缘膜(下层侧绝缘膜)，39b…上层侧第一层间绝缘膜(上层侧绝缘膜)，AA…显示部，NAA…非显示部。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部和以包围所述显示部的方式配置在外周侧的非显示部；
配置在所述显示部的显示部用晶体管；
配置在所述非显示部的非显示部用晶体管；
构成所述非显示部用晶体管的栅极电极部；
氧化物半导体膜，其构成所述非显示部用晶体管，所述氧化物半导体膜的至少一部分与所述栅极电极部在俯视时重叠；
源极电极部，其构成所述非显示部用晶体管，所述源极电极部的至少一部分层叠于所述氧化物半导体膜上，并且所述源极电极部与所述氧化物半导体膜连接；
漏极电极部，其构成所述非显示部用晶体管，所述漏极电极部的至少一部分层叠于所述氧化物半导体膜上，并且所述源极电极部在与所述源极电极部之间空出间隔且与所述氧化物半导体膜连接；和
绝缘膜，其至少层叠于所述源极电极部和所述漏极电极部上，该绝缘膜为下层侧绝缘膜与上层侧绝缘膜的层叠结构，该下层侧绝缘膜相对地配置于下层侧，至少含有硅和氧，该上层侧绝缘膜相对地配置于上层侧，至少含有硅和氮，并且膜厚为35nm～75nm的范围。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
构成所述绝缘膜的所述上层侧绝缘膜的折射率为1.5～1.9的范围。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
构成所述绝缘膜的所述上层侧绝缘膜的折射率为1.5～1.72的范围。
4.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，包括：
形成为与所述基板呈相对状的对置基板；
被夹持于所述基板与所述对置基板之间的液晶；和
介于所述基板与所述对置基板之间并且以包围所述液晶的方式配置而将所述液晶密封的密封部，
所述非显示部用晶体管配置在比所述显示部用晶体管更靠近所述密封部的位置。
5.如权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述氧化物半导体膜具有延伸部，该延伸部从连接所述漏极电极部的位置向与所述源极电极部侧相反的一侧延伸，并且至少该延伸部的一部分与所述栅极电极部在俯视时不重叠。
6.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于：
包括保护膜，该保护膜以介于所述氧化物半导体膜与所述源极电极部以及所述漏极电极部之间的方式配置，具有分别形成在与所述源极电极部和所述漏极电极部在俯视时重叠的位置且使所述氧化物半导体膜与所述源极电极部以及所述漏极电极部分别连接的一对开口部，并且保护所述氧化物半导体膜。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
所述保护膜至少含有硅和氧。
8.如权利要求1～7中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述氧化物半导体膜至少含有铟、镓和锌。
9.如权利要求1～8中任一项所述的显示装置，其特征在于，包括：
配置在所述显示部，通过与所述显示部用晶体管连接而对所述显示部用晶体管传送扫描信号的扫描信号线；和
配置在所述非显示部，与所述扫描信号线连接并且供给所述扫描信号的缓冲电路部，
所述非显示部用晶体管构成所述缓冲电路部。
10.如权利要求1～9中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述源极电极部和所述漏极电极部至少含有铜。
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