CN104822243B - 一种芯片散热方法及芯片散热系统 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例提供一种芯片散热方法及芯片散热系统，涉及电子技术领域，能够使芯片与散热器紧密地连接到一起，增强了芯片的散热效率。该系统包括：载板，设置在载板上的芯片，以及设置在芯片上的散热器，载板或者芯片的上表面固定连接有第一电磁组件，散热器上固定连接有第二电磁组件，芯片的上表面设置有热电涂层，该热电涂层用于将芯片运行所产生的热量转换为电流；第一电磁组件和/或第二电磁组件还连接有数据处理器，该数据处理器，用于采集热电涂层产生的电流所对应的电压值，并在电压值大于等于预设电压阈值时，控制第一电磁组件与第二电磁组件之间产生相互吸引的磁场，以使芯片与散热器间的距离减小。

Description

一种芯片散热方法及芯片散热系统

技术领域

本发明涉及芯片散热领域，尤其涉及一种芯片散热方法及芯片散热系统。

背景技术

目前，随着电视系统的繁复程度的增加，内核数量的增加，内核制程工艺的变化，芯片散热已经成为芯片设计的瓶颈之一。而芯片本身产生的热量，除了少部分通过底部载板以及焊点向外散热，主要还是通过芯片表面散热的。因此，通常是在芯片上面加散热器来实现芯片散热，散热器本身是通过硅脂介质(热导材料)与芯片进行接触，硅脂将热量传导到散热器上，再通过散热器进行热辐射将热量耗散出去。

但是，由于硅脂介质层涂抹的多少以及散热器本身的设计误差都会影响散热器与硅脂介质，以及硅脂介质与芯片之间是否紧密的接触在一起，从而使得我们无法保证散热器与硅脂介质以及芯片三者之间形成一个良好的热传导环境。

发明内容

本发明的实施例提供的一种芯片散热方法及芯片散热系统，能够使芯片与散热器紧密地连接到一起，增强了芯片的散热效率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种芯片散热系统，包括：载板，设置在所述载板上的芯片，以及设置在所述芯片上的散热器，所述载板或者所述芯片的上表面固定连接有第一电磁组件，所述散热器上固定连接有第二电磁组件，所述芯片的上表面设置有热电涂层，所述热电涂层用于将所述芯片运行所产生的热量转换为电流；

所述第一电磁组件和/或所述第二电磁组件还连接有数据处理器，所述数据处理器，用于采集所述热电涂层产生的电流所对应的电压值，并在所述电压值大于等于预设电压阈值时，控制所述第一电磁组件与所述第二电磁组件之间产生相互吸引的磁场，以使所述芯片与所述散热器间的距离减小。

第二方面，提供一种芯片散热方法，所述方法应用于第一方面提供的芯片散热系统，所述芯片散热系统包括：载板，设置在所述载板上的芯片，以及设置在所述芯片上的散热器，所述载板或者所述芯片的上表面固定连接有第一电磁组件，所述散热器上固定连接有第二电磁组件，所述芯片的上表面设置有热电涂层，所述热电涂层用于将所述芯片运行所产生的热量转换为电流，所述第一电磁组件和/或所述第二电磁组件还连接有数据处理器；所述方法包括：

所述数据处理器采集所述热电涂层中产生的电流对应的电压；

若判定所述电压值大于等于预设电压阈值，则控制所述第一电磁组件与所述第二电磁组件间产生相互吸引的磁场，以使所述芯片与所述散热器间的距离减小。

本发明的实施例提供的芯片散热方法及芯片散热系统，通过在现有的散热器与芯片间增加一层热电涂层、并在芯片散热系统中增加能够产生磁场的第一电磁组件和第二电磁组件，以及用于处理数据的数据处理器，从而在芯片表面产生大量热时，使得数据处理器可以采集该芯片上表面的热电涂层通过热电效应产生的电流对应的电压，然后在该电压值大于等于预设电压阈值时，控制第一电磁组件与第二电磁组件间产生相互吸引的磁场，使得第一电磁组件与第二电磁组件间产生吸引力，由于第一电磁组件固定在芯片的上表面或所述载板上，第二电磁组件与散热器固定连接，因此，与第一电磁组件和第二电磁组件分别相连的芯片和散热器产生吸引力，从而压缩了芯片与所述散热器间的距离，以使芯片与散热器能够紧密地连接到一起，从而增强了散热效果，可以对芯片实现有效的散热。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的实施例提供的一种芯片散热系统的俯视结构示意图；

图2为本发明的实施例提供的另一种芯片散热系统的MM’剖面结构示意图；

图3为本发明的实施例提供的又一种芯片散热系统的MM’剖面结构示意图；

图4为本发明的实施例提供的一种芯片散热方法的方法流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的实施例提供一种芯片散热系统，如图1、2所示，该芯片散热系统包括：芯片11、载板12、散热器13、第一电磁组件14、第二电磁组件15以及数据处理器16，其中：

芯片11设置在载板12上。

散热器13设置在芯片11上。

上述的载板12或芯片11上表面固定连接有第一电磁组件14，上述的散热器13上固定连接有第二电磁组件15。

需要说明的是，图1、2所示的第二电磁组件15固定连接在散热器13的上表面仅仅是一种示例，在实际构造时，该第二电磁组件15可以与散热器13的下表面固定连接，或者，该第二电磁组件15可以直接集成在散热器13的内部。具体的，当第一电磁组件14固定连接在载板12上，第二电磁组件15固定在散热器13的下表面时，则该热电涂层17设置在该第二电磁组件15与芯片11的上表面之间；当第一电磁组件14固定连接在载板12上，第二电磁组件15固定在散热器13的上表面时，则该热电涂层17设置在散热器13与芯片11的上表面之间。此外，由于热电涂层17需要设置在芯片11的上表面，因此，当第一电磁组件14固定连接在芯片11的上表面上，该第一电磁组件14实际上是设置在热电涂层17上的。

芯片11的上表面设置有热电涂层17，上述的热电涂层17用于将芯片11运行所产生的热量转换为电流。

第一电磁组件14和/或第二电磁组件15还连接有数据处理器16。其中，上述的数据处理器16可以集成在芯片11内部，也可以作为单独单元设置在载板12上。

数据处理器16，用于采集热电涂层17中产生的电流所对应的电压值，并在该电压值大于等于预设电压阈值时，控制第一电磁组件14与第二电磁组件15之间产生相互吸引的磁场，以使芯片11与散热器13间的距离减小。

在本实施例中，当上述的热电涂层17是由热电材料和导热材料混合组成时，则该芯片11与该散热器13间仅仅存在一层材料层。此外，如图3所示，当上述的热电材料层17包括热电材料层17a与导热材料层17b时，即该芯片11与该散热器13间存在两层材料层时，该热电材料层17a涂覆在该芯片11的上表面，该热电材料层17a上层覆盖该热导材料层17b。

其中，本实施例中提到的导热材料可以为散热界面材料。该散热界面材料一般为导热硅胶。这种散热界面材料不仅能够减少热源表面与散热器件接触面之间产生的接触热阻，还能很好的填充接触面之间的空隙，将空气挤出接触面，避免由于接触面之间的空气(空气是热的不良导体)，阻碍热量在接触面之间的传递。而且有了散热界面材料的补充还可以使接触面之间的接触更充分，真正做到面对面的接触。除此之外，该散热界面材料一般还作为粘合剂，起到器件之间的粘合作用。而本实施例中提到的热电材料则是一种能将热能和电能相互转换的功能材料。热电材料通常需要具备高导电性，以避免电阻所引起电功率之损失，同时亦需要具有低热传导系数以使冷热两端的温差不会因热传导而改变。

在本实施例中，当芯片11开始工作后会产生大量的热，芯片11表面温度会迅速升温(通常会从常温的26度迅速增加到100度以上)，此时芯片11上表面覆盖的热电涂层17在接收到芯片11传递的热量后，会通过热电效应将接收到的热量转化为电流，该电流会通过该热电涂层17与该数据处理器16间的电路传输至该数据处理器16的AD口，该数据处理器16的AD口会检测该电流在AD口的电压，然后，获取当前的电压阈值，并在该电压满足该电压阈值时，控制第一电磁组件14与第二电磁组件15间产生相互吸引的磁场，从而使得第一电磁组件与第二电磁组件间产生吸引力，进而使得芯片11与散热器13间的距离减小。

具体的，上述的数据处理器16在获取当前的电压阈值时具体包括：确定该芯片11当前工作的处理器内核的数量，并根据该芯片11当前工作的处理器内核的数量，从芯片11中工作的处理器内核的数量与电压阈值间的映射关系中，获取当前的电压阈值。

本发明的实施例提供的芯片散热系统，通过在现有的散热器与芯片间增加一层热电涂层、并在芯片散热系统中增加能够产生磁场的第一电磁组件和第二电磁组件，以及用于处理数据的数据处理器，从而在芯片表面产生大量热时，使得数据处理器可以采集该芯片上表面的热电涂层通过热电效应产生的电流对应的电压，然后在该电压值大于等于预设电压阈值时，控制第一电磁组件与第二电磁组件间产生相互吸引的磁场，使得第一电磁组件与第二电磁组件间产生吸引力，由于第一电磁组件固定在芯片的上表面或所述载板上，第二电磁组件与散热器固定连接，因此，与第一电磁组件和第二第二电磁组件分别相连的芯片和散热器产生吸引力，从而压缩了芯片与所述散热器间的距离，以使芯片通过导热材料与散热器能够紧密地连接到一起，从而增强了散热效果，可以对芯片实现有效的散热。

可选的，当第一电磁组件14为第一磁场产生线圈，第二电磁组件15为磁性结构体时，数据处理器16与第一磁场产生线圈相连，其中，本实施例中描述的磁性结构体是由磁性材料构成，形状不做限定，能够产生固定磁场强度的磁场；

数据处理器16在电压值大于等于预设电压阈值时，控制第一电磁组件14与第二电磁组件15间产生相互吸引的磁场时具体用于：获取电压值对应的电流阈值，并按照电流阈值调整第一磁场产生线圈的电流，使得第一磁场产生线圈与第二电磁组件15间产生相互吸引的磁场强度增强。具体的，由于第二电磁组件15为磁性结构体，磁场强度并未发生变化，而第一磁场产生线圈由于电流发生变化，对应的磁场强度也发生变化，此时，可以认为，第一磁场产生线圈与第二电磁组件15间的磁场变化趋势相反，从而产生相互吸引的磁场。

但是，需要说明的是，当上述的第一电磁组件14为第一磁场产生线圈，且该第一磁场产生线圈被设置在芯片的上表面时，由于电流增大时线圈自身存在电阻，因此当电流通过该第一磁场产生线圈时，该第一磁场产生线圈肯定会产生相应的热量损耗，即该第一磁场产生线圈在电流经过时可能会产生一定的热量，从而导致与其相连的芯片的温度升高，因此，当该第一磁场产生线圈设置在该芯片的上表面，应该保证该第一磁场产生线圈的热量损耗小，即应该保证该第一磁场产生线圈的电阻率小。

可选的，当第一电磁组件14为磁性结构体，第二电磁组件15为第二磁场产生线圈时，数据处理器16与第二磁场产生线圈相连；

数据处理器15在电压值大于等于预设电压阈值时，控制第一电磁组件14与第二电磁组件15间产生相互吸引的磁场时具体用于：获取电压值对应的电流阈值，并按照电流阈值调整第二磁场产生线圈的电流，使得第二磁场产生线圈与第一电磁组件14间产生相互吸引的磁场。同理，由于第一电磁组件14为磁性结构体，磁场强度并未发生变化，而第二磁场产生线圈由于电流发生变化，对应的磁场强度也发生变化，此时，可以认为，第二磁场产生线圈与第一电磁组件14间的磁场变化趋势相反，从而产生相互吸引的磁场。

可选的，当第一电磁组件14为第一磁场产生线圈，第二电磁组件15为第二磁场产生线圈时，数据处理器16分别与第一电磁组件14和第二电磁组件15相连；

数据处理器16在电压值大于等于预设电压阈值时，控制第一电磁组件14与第二电磁组件15间产生相互吸引的磁场时具体用于：获取电压值对应的电流阈值，并按照电流阈值分别调整第一磁场产生线圈以及第二磁场产生线圈的电流，使得第一磁场产生线圈与第二磁场产生线圈产生相互吸引的磁场。

而为了能够更好的增强芯片与散热器间的紧密程度，数据处理器，在调整第一磁场产生线圈与第二磁场产生线圈的电流值时，还可以调节第一磁场产生线圈与第二磁场产生线圈的电流方向，使得第一磁场产生线圈的电流方向与第二磁场产生线圈的电流方向相反。

本发明的实施例提供的芯片散热系统，通过在现有的散热器与芯片间增加一层热电涂层、并在芯片散热系统中增加能够产生磁场的第一电磁组件和第二电磁组件，以及用于处理数据的数据处理器，从而在芯片表面产生大量热时，使得数据处理器可以采集该芯片上表面的热电涂层通过热电效应产生的电流对应的电压，然后在该电压值大于等于预设电压阈值时，可以通过控制与数据处理器相连的磁场产生线圈中的电流，从而使得第一电磁组件与第二电磁组件间产生相互吸引的磁场，使得第一电磁组件与第二电磁组件间产生吸引力。由于第一电磁组件固定在芯片的上表面或所述载板上，第二电磁组件与散热器固定连接，因此，与第一电磁组件和第二第二电磁组件分别相连的芯片和散热器产生吸引力，从而压缩了芯片与所述散热器间的距离，以使芯片与散热器能够紧密地连接到一起，从而增强了散热效果，可以对芯片实现有效的散热。

本发明的实施例提供一种芯片散热方法，该方法应用于实施例一描述的芯片散热系统，该芯片散热系统包括：载板，设置在载板上的芯片，以及设置在芯片上的散热器，该载板或者芯片的上表面固定连接有第一电磁组件，该散热器上固定连接有第二电磁组件，芯片的上表面设置有热电涂层，该热电涂层用于将芯片运行所产生的热量转换为电流，第一电磁组件和/或第二电磁组件还连接有数据处理器，其中，上述的数据处理器可以集成在芯片内部，也可以作为单独单元设置在载板上。具体的，如图4所示，该方法包括如下步骤：

201、数据处理器采集热电涂层中产生的电流对应的电压值。

202、若数据处理器判定电压值大于等于预设电压阈值，则数据处理器控制第一电磁组件与第二电磁组件间产生相互吸引的磁场，以使芯片与散热器间的距离减小。

可选的，在步骤202之前，还包括：

a1、数据处理器确定芯片当前工作的处理器内核的数量。

a2、数据处理器根据芯片当前工作的处理器内核的数量，从该芯片中工作的处理器内核的数量与电压阈值间的映射关系中，获取当前的电压阈值。

可选的，步骤202具体包括如下内容：

202a、若数据处理器判定电压大于或等于电压阈值时，数据处理器根据电压和电压阈值，从第一信息映射表中获取电压值对应的电流阈值。

其中，上述的第二信息映射表为电压与电压阈值间的差值与电流阈值的映射关系表。

具体的，若本实施例中的电磁组件中均包含用于产生磁场的线圈时，以下四组示例，将示例性的说明V1、V2与电流阈值(线圈中电流的变化阈值)间的映射关系，其中，V1为数据处理器采集到的热电涂层所产生的电流对应的电压，V2为电压阈值。

示例一：V1＝V2+V2*10％(即电压与电压阈值间的差值为该电压阈值的10％)，线圈中电流的变化阈值为20ma；

示例二：V1＝V2+V2*15％，线圈中电流的变化阈值为25ma；

示例三：V1＝V2+V2*20％，线圈中电流的变化阈值为30ma；

示例四：V1＝V2+V2*25％，线圈中电流的变化阈值为35ma。

需要说明的是，本实施例中的中的电压阈值与电流阈值可以是技术人员根据实验数据得到的经验值。

201b1、当第一电磁组件为第一磁场产生线圈，第二电磁组件为磁性结构体时，则数据处理器按照电流阈值调整第一磁场产生线圈的电流，使得第一磁场产生线圈与第二电磁组件间产生相互吸引的磁场。

或者，

201b2、当第一电磁组件为磁性结构体，第二电磁组件为第二磁场产生线圈时，则数据处理器按照电流阈值调整第二磁场产生线圈的电流，使得第二磁场产生线圈与第一电磁组件间产生相互吸引的磁场。

或者，

201b3、当第一电磁组件为所述第一磁场产生线圈，第二电磁组件为第二磁场产生线圈时，则数据处理器按照电流阈值分别调整第一磁场产生线圈以及第二磁场产生线圈的电流，使得第一磁场产生线圈与第二磁场产生线圈产生相互吸引的磁场。

而为了能够更好的增强芯片与散热器间的紧密程度，数据处理器，在调整第一磁场产生线圈与第二磁场产生线圈的电流值时，还可以调节第一磁场产生线圈与第二磁场产生线圈的电流方向，使得第一磁场产生线圈的电流方向与第二磁场产生线圈的电流方向相反。

示例性的，若本实施例中的第一电磁组件为第一磁场产生线圈，第二电磁组件为第二磁场产生线圈，则数据处理器在检测到该电热涂层上产生的电流对应的电压值后，会通过增大为芯片产生磁场的第一磁场产生线圈的电流，来使得该第一磁场产生线圈为芯片产生的磁场发生变化，同时减少为散热器产生磁场的第二磁场产生线圈的电流，来使得第二磁场产生线圈为散热器产生的磁场发生变化，根据麦克斯韦电磁理论可知，当第一磁场产生线圈与第二磁场产生线圈的电流变化趋势相反，其对应的磁场方向也就相反，从而产生相互吸引的吸引力，进而使得分别与该第一磁场产生线圈和该第二磁场产生线圈相连的芯片与散热器，及芯片与散热器间的导热材料能够紧密地连接到一起，增强芯片的散热效果。这样我们可以得出，当第一磁场产生线圈与第二磁场产生线圈中电流的变化阈值(即电流阈值)越大时，其对应的磁场强度越强，芯片与散热器间的吸引力越大，对应的散热器与芯片间的距离越小，散热器的散热效率越高，芯片散热效果越好。因此，当需要加强散热器的散热效率时，数据处理器便可以通过增大用于调整线圈的磁场的电流阈值，来提高芯片的散热效果。

本发明的实施例提供的芯片散热方法，本发明的实施例提供的芯片散热系统，通过在现有的散热器与芯片间增加一层热电涂层、并在芯片散热系统中增加能够产生磁场的第一电磁组件和第二电磁组件，以及用于处理数据的数据处理器，从而在芯片表面产生大量热时，使得数据处理器可以采集该芯片上表面的热电涂层通过热电效应产生的电流对应的电压，然后在该电压值大于等于预设电压阈值时，控制第一电磁组件与第二电磁组件间产生相互吸引的磁场，使得第一电磁组件与第二电磁组件间产生吸引力，由于第一电磁组件固定在芯片的上表面或所述载板上，第二电磁组件与散热器固定连接，因此，与第一电磁组件和第二第二电磁组件分别相连的芯片和散热器产生吸引力，从而压缩了芯片与所述散热器间的距离，以使芯片与散热器能够紧密地连接到一起，从而增强了散热效果，可以对芯片实现有效的散热。

以上所述，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种芯片散热系统，包括：载板，设置在所述载板上的芯片，以及设置在所述芯片上的散热器，其特征在于，所述载板或者所述芯片的上表面固定连接有第一电磁组件，所述散热器上固定连接有第二电磁组件，所述芯片的上表面设置有热电涂层，所述热电涂层用于将所述芯片运行所产生的热量转换为电流；

所述第一电磁组件和/或所述第二电磁组件还连接有数据处理器，所述数据处理器用于采集所述热电涂层产生的电流所对应的电压值，并在所述电压值大于等于预设电压阈值时，控制所述第一电磁组件与所述第二电磁组件之间产生相互吸引的磁场，以使所述芯片与所述散热器间的距离减小。

2.根据权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，当所述第一电磁组件为第一磁场产生线圈，所述第二电磁组件为磁性结构体时，所述数据处理器与所述第一磁场产生线圈相连；

所述数据处理器在所述电压值大于等于预设电压阈值时，控制所述第一电磁组件与所述第二电磁组件之间产生相互吸引的磁场时具体用于：获取所述电压值对应的电流阈值，并按照所述电流阈值调整所述第一磁场产生线圈的电流，使得所述第一磁场产生线圈与所述第二电磁组件间产生相互吸引的磁场。

3.根据权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，当所述第一电磁组件为磁性结构体，所述第二电磁组件为第二磁场产生线圈时，所述数据处理器与所述第二磁场产生线圈相连；

所述数据处理器在所述电压值大于等于预设电压阈值时，控制所述第一电磁组件与所述第二电磁组件之间产生相互吸引的磁场时具体用于：获取所述电压值对应的电流阈值，并按照所述电流阈值调整所述第二磁场产生线圈的电流，使得所述第二磁场产生线圈与所述第一电磁组件间产生相互吸引的磁场。

4.根据权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，当所述第一电磁组件为第一磁场产生线圈，所述第二电磁组件为第二磁场产生线圈时，所述数据处理器分别与所述第一电磁组件和所述第二电磁组件相连；

所述数据处理器在所述电压值大于等于预设电压阈值时，控制所述第一电磁组件与所述第二电磁组件之间产生相互吸引的磁场时具体用于：获取所述电压值对应的电流阈值，并按照所述电流阈值分别调整所述第一磁场产生线圈以及所述第二磁场产生线圈的电流，使得所述第一磁场产生线圈与所述第二磁场产生线圈产生相互吸引的磁场。

5.根据权利要求4所述的芯片散热系统，其特征在于，所述数据处理器还用于：调节所述第一磁场产生线圈与所述第二磁场产生线圈的电流方向，使得所述第一磁场产生线圈的电流方向与所述第二磁场产生线圈的电流方向相反。

6.根据权利要求1至5任一项所述的芯片散热系统，其特征在于，所述热电涂层包括热电材料层与导热材料层，所述热电材料层涂覆在所述芯片的上表面，所述热电材料层上层覆盖有所述导热材料层。

7.根据权利要求6所述的芯片散热系统，其特征在于，所述导热材料为散热界面材料。

8.一种芯片散热方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1至7任一项所述的芯片散热系统，所述芯片散热系统包括：载板，设置在所述载板上的芯片，以及设置在所述芯片上的散热器，所述载板或者所述芯片的上表面固定连接有第一电磁组件，所述散热器上固定连接有第二电磁组件，所述芯片的上表面设置有热电涂层，所述热电涂层用于将所述芯片运行所产生的热量转换为电流，所述第一电磁组件和/或所述第二电磁组件还连接有数据处理器；所述方法包括：

所述数据处理器采集所述热电涂层中产生的电流对应的电压；

若判定所述电压值大于等于预设电压阈值，则控制所述第一电磁组件与所述第二电磁组件间产生相互吸引的磁场，以使所述芯片与所述散热器间的距离减小。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述若判定所述电压值大于等于预设电压阈值，则控制所述第一电磁组件与所述第二电磁组件间产生相互吸引的磁场，以使所述芯片与所述散热器间的距离减小具体包括：

若判定所述电压值大于或等于所述电压阈值时，根据所述电压值和所述电压阈值，从第一信息映射表中获取所述电压值对应的电流阈值；其中，所述第一信息映射表为电压值与电压阈值间的差值与电流阈值的映射关系表；

当所述第一电磁组件为第一磁场产生线圈，所述第二电磁组件为磁性结构体时，则按照所述电流阈值调整所述第一磁场产生线圈的电流，使得所述第一磁场产生线圈与所述第二电磁组件间产生相互吸引的磁场；

当所述第一电磁组件为磁性结构体，所述第二电磁组件为第二磁场产生线圈时，则按照所述电流阈值调整所述第二磁场产生线圈的电流，使得所述第二磁场产生线圈与所述第一电磁组件间产生相互吸引的磁场；

当所述第一电磁组件为所述第一磁场产生线圈，所述第二电磁组件为所述第二磁场产生线圈时，则按照所述电流阈值分别调整所述第一磁场产生线圈以及所述第二磁场产生线圈的电流，使得所述第一磁场产生线圈与所述第二磁场产生线圈产生相互吸引的磁场。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述若判定所述电压值大于等于预设电压阈值，则控制所述第一电磁组件与所述第二电磁组件产生相互吸引的磁场，以使所述芯片与所述散热器之间的距离减小之前，所述方法还包括：

确定所述芯片当前工作的处理器内核的数量；

根据所述芯片当前工作的处理器内核的数量，从所述芯片中工作的处理器内核的数量与电压阈值间的映射关系中，获取当前的电压阈值。