CN104813478B - 自旋阀元件 - Google Patents
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Abstract
自旋阀元件(10)，具有：由强磁性体构成的自旋注入元件(12)；由强磁性体构成的自旋检测元件(16)；及由非磁性体构成的通道部(14)，自旋检测元件(16)配置在与自旋注入元件(12)分离的位置，通道部(14)直接或经由绝缘层连接于自旋注入元件(12)及自旋检测元件(16)，在通道部(14)形成有在与自旋流正交的方向的剖面积被扩大的自旋扩散部(30)～(34)。
Description
技术领域
本发明有关一种自旋阀元件。
背景技术
以往，在自旋电子学(spin electronics)的领域，使用利用电子的自旋状态的自旋阀元件(例如，参照专利文献1)。该自旋阀元件具备由强磁性体构成的自旋注入元件及自旋检测元件、和桥接了自旋注入元件及自旋检测元件的由非磁性体所构成的通道部，通过所谓非局部的手法在自旋注入元件与自旋检测元件之间的通道部产生不伴有电荷流动的自旋流，检测在自旋检测元件与通道部的界面产生的自旋蓄积电压。此外，已知在自旋阀元件中，自旋流即电子的角动量的流与和自旋注入元件相隔的距离及自旋的扩散长度相依存地呈指数函数地衰减(例如，参照专利文献2)。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2012-151307号公报
专利文献2：JP特开2009-158554号公报
发明内容
[发明要解决的课题]
在设计自旋阀元件之际，有必要考虑上述自旋流的衰减以设定自旋注入元件和自旋检测元件之间的长度。即，因为有自旋注入元件和自旋检测元件之间的长度必须是可检测衰减后的自旋流的长度这样的一定的限制，所以自旋注入元件及自旋检测元件的配置自由度有限制且被要求可满足上述限制的加工技术。因此，本技术领域中可抑制自旋流的衰减的自旋阀元件是被企盼的。
[解决课题的手段]
本发明的一态样的自旋阀元件，具有：由强磁性体构成的自旋注入元件；由强磁性体构成的自旋检测元件；及由非磁性体构成的通道部，自旋检测元件配置在与自旋注入元件分离的位置，通道部直接或经由绝缘层连接于自旋注入元件及自旋检测元件，在通道部形成有在与自旋流正交的方向的剖面积被扩大的自旋扩散部。
通过此构成，当电流或电压施加于由强磁性体构成的自旋注入元件和由非磁性体构成的通道部时，在通道部会产生朝向自旋检测元件的自旋流。由于在通道部的一部分形成有在与自旋流正交的方向的剖面积被扩大的自旋扩散部，所以自旋扩散部使得在通道部产生的自旋流朝与自旋流正交的方向扩散。如此，由于可通过自旋扩散部的形状控制自旋流的扩散，所以例如可将自旋扩散部的形状作成使从自旋注入元件朝向自旋检测元件的自旋流比从自旋检测元件朝向自旋注入元件的自旋流还容易流动的形状。即，通过控制自旋扩散部的形状，可抑制自旋流在所期望方向衰减。由于自旋流的衰减受抑制，故可将自旋注入元件和自旋检测元件之间扩大，提升设计的自由度。
在一实施方式中，自旋扩散部可形成为，使得从自旋注入元件朝向自旋检测元件的第1方向的路径的自旋阻力比起从自旋检测元件朝向自旋注入元件的第2方向的路径的自旋阻力还小。
通过此构成，第1方向的路径的自旋阻力比第2方向的路径的自旋阻力还低。因此，朝第1方向流入通道部的自旋流的扩散和朝第2方向流入通道部的自旋流的扩散会产生差异，故可抑制例如第1方向的自旋流的衰减。
在一实施方式中，可为自旋扩散部具有剖面积最大的前端部，从自旋注入元件侧朝向前端部的情况与从前端部朝向自旋检测元件侧的情况相比，自旋扩散部在与自旋流正交的方向的剖面积的变化率较大。
通过此构成，从自旋注入元件侧流到扩散部的剖面积最大的前端部的自旋流的扩散程度和从前端部朝自旋检测元件侧流动的自旋流的扩散程度是不相同，能使从自旋注入元件朝向自旋检测元件的自旋流容易流动。因此可抑制自旋流的衰减。
在一实施方式中，自旋注入元件、自旋检测元件及通道部形成于基板上，自旋注入元件及自旋检测元件可在与基板的主面平行的方向相互分离配置。如此，在所谓面内自旋阀构造中可抑制自旋流的衰减。
在一实施方式中，由基板的上表面观之，自旋扩散部也可为，以通过所述剖面积最大的前端部且在与自旋流正交的方向延伸的线为基准形成为非对称。如此，因以通过前端部的线为基准将自旋扩散部设为非对称，所以从自旋注入元件朝向自旋检测元件流动的自旋流的扩散程度与从自旋检测元件朝向自旋注入元件流动的自旋流的扩散程度是不相同，例如可使从自旋注入元件朝向自旋检测元件的自旋流容易流动，故可抑制自旋流的衰减。
在一实施方式中，由基板的上表面观之，自旋扩散部也可为，以通道部的轴线为基准形成为对称。自旋流沿着通道部的轴线方向产生。通过上述构成，由于自旋流的传递以轴线方向为基准成为对称，故可使朝向轴线方向的自旋流容易流动。
在一实施方式中，在通道部也可形成多个自旋扩散部。通过此构成，可更有效率地扩散自旋。
在一实施方式中，也可使用非局部的手法检测电压。通过此构成，可控制不伴有电荷的流动的自旋极化电子的易流动性。
[发明效果]
如以上所说明，依据本发明的一态样及实施方式，可提供能抑制自旋流的衰减的自旋阀元件。
附图说明
图1是本发明一实施方式的自旋阀元件的立体图。
图2是一实施方式的自旋阀元件的顶视图。
图3是表示自旋扩散部的变形例的概要图。
图4是表示模拟中的自旋阀元件与所注入的自旋的关系的概要图。
图5是表示用于模拟的模型的概要图。
图6是表示自旋流传递的模拟结果的概要图。
图7是自旋流传递的模拟结果的概要图。
图8是表示自旋流的电流密度的模拟结果的图表。
图9是表示自旋扩散部的前端部大小与自旋流的电流密度变化的关系的模拟结果的图表。
图10是表示自旋扩散部的剖面积大小与自旋流的电流密度变化的关系的模拟结果的图表。
具体实施方式
以下，参照附图就本发明一实施方式作具体说明。此外，在附图的说明中对相同要素赋予相同符号且省略重复的说明。且附图的尺寸比例未必与所说明的一致。
一实施方式的自旋阀元件，例如是适合被采用作为具有所谓的面内自旋阀构造的元件。图1为一实施方式的自旋阀元件10的立体图。图2为本实施方式的自旋阀元件10的顶视图。
如图1及图2所示，自旋阀元件10具备形成于基板20上的自旋注入元件12、通道部14及自旋检测元件16。基板20采用例如Si、GaAs、MgO基板等的半导体或绝缘体基板。自旋注入元件12、通道部14及自旋检测元件16以通道部14对自旋注入元件12及自旋检测元件16进行桥接的方式形成连接于自旋注入元件12及自旋检测元件16的面内自旋阀构造。
自旋注入元件12是朝通道部14注入自旋的端子，例如为线形构件。自旋注入元件12以其轴线方向和面内方向(和基板面平行的方向)一致的方式配置于基板20上。自旋注入元件12由向指定方向被磁化的强磁性体所构成，例如由Fe、NiFe等所形成。图1所示的自旋注入元件12中的虚线箭头记号表示自旋注入元件12的磁化方向。自旋注入元件12的线宽例如为10μm以下。此外，自旋注入元件12的线宽也可为例如0.1μm以上。自旋注入元件12及通道部14相互接触(直接接合)。也可在自旋注入元件12的一端部形成用以施加电流或电压的端子部12a。此外，自旋注入元件12也可配置于通道部14上。此外，自旋注入元件12和通道部14也可经由绝缘层而接合。
自旋检测元件16为从通道部14检测自旋的端子，例如是线形构件。自旋检测元件16在基板20上且在和基板20的主面平行的方向与自旋注入元件12分离地配置。自旋检测元件16以其轴线方向和面内方向一致的方式配置于基板20上。自旋检测元件16由向指定方向被磁化的强磁性体所构成，例如由Fe、NiFe等所形成。磁化方向设为和自旋注入元件12的磁化方向平行或反平行。图1所示的自旋检测元件16中的虚线箭头记号表示自旋检测元件16的磁化方向，例如，呈现和自旋注入元件12的磁化方向平行的磁化方向。自旋检测元件16的线宽为例如10μm以下。此外，自旋检测元件16的线宽也可为例如0.1μm以上。自旋检测元件16及通道部14相互接触(直接接合)。此外，自旋检测元件16也可配置于通道部14上。此外，自旋检测元件16和通道部14也可经由绝缘层而接合。
通道部14为线形构件且以其轴线L1的方向和面内方向一致的方式配置。通道部14直接或经由绝缘层连接于自旋注入元件12及自旋检测元件16。自旋注入元件12及自旋检测元件16的接合位置为和通道部14的两端部分离的位置。通道部14由非磁性体所构成，例如由Si或砷化镓(GaAs)等的半导体材料，或Ag或Cu等的非磁性金属所形成。在通道部14的一端部(两端部中的靠近自旋注入元件12的端部)形成用以施加电流或电压的端子部14a。通道部14也可通过例如将积层于基板20上的半导体层加工成台面状而形成。通道部14的线宽为例如10μm以下。此外，通道部14的线宽也可为例如0.1μm以上。
在通道部14的一部分形成自旋扩散部，该自旋扩散部用以控制在通道部14产生的自旋流。此处，作为一例，在通道部14形成5个自旋扩散部30～34。具体言之，自旋扩散部30～34形成在自旋注入元件12的接合位置与自旋检测元件16的接合位置之间。自旋扩散部30～34被形成为，使得在通道部14产生的自旋流中从自旋注入元件12朝向自旋检测元件16的第1方向L1的路径的自旋阻力比起从自旋检测元件16朝向自旋注入元件12的第2方向L2的路径的自旋阻力还小的形状。
由于各个自旋扩散部30～34在此处具有相同形状，故以自旋扩散部30为例作说明。自旋扩散部30通过使与从和自旋注入元件12相接的接合部朝向和自旋检测元件16相接的接合部流动的自旋流正交的方向的通道部14的剖面积扩大得比其他部位的通道部14的剖面积还大而形成。例如，自旋扩散部30通过使通道部14的剖面积以通道部14的轴线M1为基准在宽度方向对称地扩大而形成。通过使自旋扩散部30的宽度方向的形状对称，从而自旋流的传递以轴线方向为基准成为对称，故可形成对朝向第1方向L1或第2方向L2的自旋流影响少且对朝向宽度方向的自旋流造成影响的形状。此外，自旋扩散部30具有例如在与自旋流正交的方向的剖面积成为最大的前端部30a。此外，由基板20的上表面观之，自旋扩散部30以通过前端部30a且在与自旋流正交的方向延伸的线M2为基准形成为非对称。例如，自旋扩散部30形成为，从自旋注入元件12侧朝向前端部30a的情况的剖面积变化率比起从前端部30a朝向自旋检测元件16侧的情况的剖面积变化率还大那样的形状。例如，通道部14的两侧部朝宽度方向外侧扩大，该扩大的部分由基板20的上表面观之形成以前端部30a为顶点而成的直角三角形状。在自旋扩散部30的沿着自旋流的方向的长度，是没有形成自旋扩散部的通道部14的部分的与自旋流正交的方向的长度的3倍时，上述剖面积也可以形成为没有形成自旋扩散部的通道部14的部分的与自旋流正交的方向的剖面积的1.2倍～3.0倍。此外，前端部30a与自旋扩散部31～34的前端部31a～34a对应。
具有上述构成的自旋阀元件10按以下方式动作。此处，利用以下所示的非局部的手法检测电压。非局部的手法不同于对电流流通的部分所产生的电压作测定的局部的手法，是使无电流流通的部分产生自旋的扩散传导且测定因自旋分极而产生的电位差的手法。
首先，如图1所示，在自旋注入元件12的端子部12a和通道部14的端子部14a之间施加电流(图1中白色箭头记号)。因此，与自旋注入元件12的磁化方向呈反平行的自旋注入于通道部14。注入于通道部14的自旋朝通道部14的两端部传递。即，在自旋注入元件12和自旋检测元件16之间，自旋朝第1方向L1传递。此时，在将朝向第1方向L1传递的自旋抵消的方向(第2方向L2)会有与朝向第1方向L1传递的自旋呈反平行的自旋流动。也即，例如，如图1所示，在向上自旋朝向第1方向L1传递的情况下，向下自旋朝第2方向L2流动。因此，在自旋注入元件12与自旋检测元件16之间虽不存在电荷流动，但会产生朝向第1方向L1的自旋流和朝向第2方向的自旋流。换言之，在自旋注入元件12与自旋检测元件16之间会产生不伴有电荷的流动的自旋流。
此处，为作对比，概略说明在现有的自旋阀元件的通道部产生的自旋流。在现有的自旋阀元件中，朝向第1方向L1的自旋流与朝向第2方向L2的自旋流以相同传递速度流动，两者根据自旋传递的距离呈指数函数地减少。由于朝向向上自旋的反方向的移动可视为朝向向下自旋的正方向的移动，故以朝向第1方向L1的自旋流与朝向第2方向L2的自旋流之差来表示的、整体的自旋流也根据传递距离呈指数函数地减少。
相对地，在通道部14传递的自旋不仅在第1方向及第2方向传递，也通过自旋扩散部30而朝宽度方向扩散。自旋扩散部30的形状形成为使朝向第1方向L1的自旋流的扩散程度和朝向第2方向L2的自旋流的扩散程度不同。此处，使朝向第1方向L1的自旋流的扩散程度比朝向第2方向L2的自旋流的扩散程度还大。即，使第1方向L1的自旋阻力比第2方向L2的自旋阻力还小。因此，朝向第2方向L2的自旋流比未设有自旋扩散部30的情况难传递，另一方面，朝向第1方向的自旋流比未设有自旋扩散部30的情况容易传递。即，朝向第1方向的自旋流的衰减受抑制。因此，就本实施方式的自旋阀元件10而言，虽然朝向第1方向L1的自旋流与朝向第2方向L2的自旋流根据自旋传递距离呈指数函数地减少，但会抑制朝向第1方向L1的自旋流的衰减，所以朝向第1方向L1的自旋流比起朝向第2方向L2的自旋流在自旋扩散长度上相对地变长。因此，整体的自旋流的衰减受抑制，结果使自旋流增大。
以上，依据本实施方式的自旋阀元件10，在通道部14的一部分形成有在与自旋流正交的方向的剖面积被扩大的自旋扩散部30，由于该自旋扩散部30的形状被设成从自旋注入元件12朝向自旋检测元件16的第1方向L1的自旋流比起从自旋检测元件16朝向自旋注入元件12的第2方向L2的自旋流还容易流动的形状，故可抑制第1方向L1的自旋流的衰减。由于通道部14整体的自旋流的衰减受抑制，结果可增大自旋流。因此，能使自旋注入元件和自旋检测元件之间扩大，故设计的自由度提升。且自旋扩散长度的控制非通过通道部的材料来控制，而是能通过形状来控制，故可设计不被材料所束缚的元件。又因为能通过在基板20上进行积层/蚀刻等制造自旋阀元件10，故可通过现有的半导体技术容易地制造。
上述实施方式是表示本发明的自旋阀元件的一例。本发明的自旋阀元件不受限于实施方式的自旋阀元件10，也可变形或适用于其他者。
例如，在上述实施方式中，作为自旋扩散部30的形状，以通道部14的两侧部朝宽度方向外侧扩大、且该扩大的部分由基板20的上表面观之成为以前端部30a为顶点而成的直角三角形状(棘爪(ratchet)形状)的例子作说明，但只要以通过前端部30a的线M2为基准呈非对称，则也可为其他形状。例如，可为锐角三角形，也可为钝角三角形(参照图3(A))。此外，不限于面内方向，也可三维地具有非对称的形状。
此外，在上述实施方式中，虽以自旋扩散部30的形状是以通道部14的轴线为基准呈对称的例子作说明，但也可为以通道部14的轴线为基准呈非对称。例如，如图3(B)所示，也可为通道部14的两侧部中仅一侧部朝宽度方向外侧扩大。
此外，在上述实施方式中，虽以自旋扩散部30～34构成1个自旋扩散部的例子作说明，但也可如图3(C)所示仅有自旋扩散部30，也可具有5个以外的多个自旋扩散部30。通道部14也可在两侧部中的一侧部具有1个以上的自旋扩散部30。
此外，在上述实施方式中，虽以自旋扩散部30～34具有相同形状的例子作说明，但也可如图3(D)、(E)所示为不同形状。例如，如图3(D)所示，自旋扩散部30～34可作成由基板20的上表面观之以前端部30a为顶点的三角形状有变小的倾向的特征。此外，例如，如图3(E)所示，自旋扩散部30～34可作成由基板20的上表面观之以前端部30a为顶点的三角形状有变大的倾向的特征。
此外，自旋阀元件10的各构成构件大小未特别限定，可为微米级构件，也可为纳米级的构件。
再者，在上述实施方式中，虽以具有面内自旋阀构造的自旋阀元件10为例作说明，但也可为例如自旋注入元件及自旋检测元件在积层方向夹着通道部的构造。
[实施例]
以下使用图4～图7，为了说明上述效果，针对本发明者所实施的实施例及比较例作叙述。
(确认抑止衰减的效果)
(实施例1)
首先，使用图4(A)及图5(A)所示的模型140进行模拟。通过模型140将自旋阀元件10的通道部14以数值方式再现，针对注入的自旋的扩散利用有限元素法(finite elementmethod)作计算。此外，在模拟中，将自旋的扩散置换成电子的扩散，计算电流密度。
模型140的一端Ip设为施加点，从施加点Ip注入向下自旋Sd。模型140是用以模拟图中从左朝右产生的向下自旋Sd的自旋流的模型。设长边轴向的长度L为2500nm、和长边轴向垂直的方向的宽度W为100nm、厚度为1nm。从施加点Ip到形成有自旋扩散部300的距离li设为100nm。自旋扩散部300～340各自的宽度b设为100nm、高度h为50nm。从施加点Ip起离自旋检测元件侧最远的自旋扩散部的端点b0到测定点Mp为止的距离1m设为50nm。且材料假设为铜，自旋的缓和的时间常数τ设为12ps。
在上述模型140中，从施加点Ip注入向下自旋Sd。结果显示于图6。在图6，利用图6(a)～(e)以时间序列表示自旋流的变化。如图6所示，确认了向下自旋Sd随着时间经过从图中左方朝右方传递且在自旋扩散部朝宽度方向扩散。然后，在测定点Mp计算向下自旋Sd的个数，求出电流密度。
其次，使用图4(B)及图5(B)所示的模型142进行模拟。模型142是用以模拟图中从右朝左产生的向上自旋Su的自旋流的模型，与模型140相较之下，在自旋的施加点Ip和测定点Mp呈相反这点有所不同。此外，模型140的自旋扩散部的形成位置和模型142的自旋扩散部的形成位置不同，但这是用以消除在测定点Mp以后的路径中因自旋流的反射等的发生所引起的噪声，并非实质的差异。使用模型142，将相对于自旋阀元件10的通道部14，自旋的施加点Ip和测定点Mp配置在相反侧的构造以数值方式再现。
在上述模型142中，从施加点Ip注入向上自旋Su。结果显示于图7。在图7，利用图7(a)～(e)以时间序列表示自旋流的变化。如图7所示，确认了向上自旋Su随着时间经过从图中右方朝左方传递且在自旋扩散部朝宽度方向扩散。更确认了其扩散程度与由模型140所模拟的情况不同。即，确认了由于具备在上述实施方式所说明的自旋扩散部，所以可在从自旋注入元件朝向自旋检测元件的自旋流与从自旋检测元件朝向自旋注入元件的自旋流的扩散程度上赋予变化。然后，在测定点Mp计算向上自旋Su的个数，求出电流密度。
(比较例1)
进行除了高度h是0这点以外其余皆和实施例相同的模拟。
由以上获得实施例1的模拟结果及比较例1的模拟结果。评价是，根据在测定点Mp计测到的向上自旋与向下自旋的个数差而设定电流密度的值。结果显示于图8。
图8中显示实施例1的模拟结果。通过图8表示实施例1和比较例1的电流密度的时间变化。图8的纵轴表示通过从向下自旋Sd的个数减去向上自旋Su的个数所获得的电流密度的差。图8的横轴显示在模拟中的时间经过。
如图8所示，实施例1的电流密度之差显示有限的值。即，确认了在从自旋注入元件朝向自旋检测元件的自旋流的传递和从自旋检测元件朝向自旋注入元件的自旋流的传递上会产生差异。且比较例1的电流密度之差为0。由此可确认通过控制扩散部的形状能抑制自旋流的衰减。
(扩散部最佳值的验证)
(实施例2)
进行除了宽度b是300nm、高度h是10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、75nm、80nm、90nm、及100nm这点以外其余皆和实施例1相同的模拟。
由以上获得实施例2的模拟结果。评价是，根据在测定点Mp计测到的向上自旋与向下自旋的个数差而设定电流密度的值。结果显示于图9。
图9中显示实施例2的模拟结果。通过图9表示实施例2的电流密度的时间变化。图9的纵轴表示通过从向下自旋Sd的个数减去向上自旋Su的个数所获得的电流密度的差。图9的横轴显示在模拟中的时间经过。此外，图9的插入图是时间在6.30ps附近的放大图。
如图9所示，实施例2中的各高度h的电流密度差显示有限的值。因此，宽度b是宽度W的3倍时，自旋扩散部的剖面积也可形成为，没有形成自旋扩散部的通道部的部分的与自旋流正交的方向的剖面积的1.2倍～3.0倍。即，确认了在自旋扩散部由通道部的上表面观之是以前端部为顶点的直角三角形状的情况下，在直角三角形状的与通道部平行的一边长度是通道部的和自旋流正交的方向的长度的3倍时，也可扩大上述自旋扩散部使自旋扩散部的剖面积成为1.2～3.0倍。
(实施例3)
进行除了宽度b是100nm、150nm、200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nm、高度h是50nm、60nm、70nm、75nm、80nm这点以外其余皆和实施例1相同的模拟。
由以上获得实施例3的模拟结果。评价是，根据在测定点Mp计测到的向上自旋与向下自旋的个数差而设定电流密度的值。结果显示于图10。
图10中显示实施例3的模拟结果。图10的各轴为，轴b表示自旋扩散部的宽度，轴h表示自旋扩散部的高度，能量差异(Energy Difference)轴表示通过从向下自旋Sd的个数减去向上自旋Su的个数所获得的电流密度的差。
图10是表示各高度h和宽度b中，电流密度之差最大的高度h和宽度b的组合。且显示此时的电流密度的差值。由此可确认在使自旋扩散部的高度和底边的长度变化的情况下，通过让自旋的扩大区域存在于通道部会使向上自旋及向下自旋的流产生刻意的差。
[产业上可利用性]
自旋阀元件10在产业上可利用如下。例如，可作为纳米级的电路中的电阻元件利用在MEMS(Micro Electro Mechanical Systems；微机电系统)、NEMS(Nano ElectroMechanical Systems；纳米机电系统)等的领域。且自旋阀元件10可作为电子/电气领域、医疗相关领域等的机器零件、元件来使用。
符号说明
10 自旋阀元件
12 自旋注入元件
12a 端子部
14 通道部
14a 端子部
16 自旋检测元件
20 基板
30、31、32、33、34 自旋扩散部
30a、31a、32a、33a、34a 前端部
140、142 模型
300、310、320、330、340、 自旋扩散部
302、312、322、332、342
Su 向上自旋
Sd 向下自旋
Claims (4)
1.一种自旋阀元件，具有：
基板；
由强磁性体构成的自旋注入元件；
由强磁性体构成的自旋检测元件；及
由非磁性体构成的通道部，
所述自旋注入元件、所述自旋检测元件及所述通道部形成于所述基板上，
所述自旋检测元件在和所述基板的主面平行的方向上配置在与所述自旋注入元件分离的位置，
所述通道部为线形构件，直接或经由绝缘层连接于所述自旋注入元件及所述自旋检测元件，具有多个扩大部分，所述扩大部分分别向通道部的宽度方向外侧延伸，从所述基板的上表面观之为非对称的形状。
2.如权利要求1所述的自旋阀元件，其中，
所述扩大部分从所述基板的上表面观之为三角形，
从所述自旋注入元件侧朝向所述三角形的前端部的情况与从所述前端部朝向所述自旋检测元件侧的情况相比，所述扩大部分在与自旋流正交的方向的剖面积的变化率较大。
3.如权利要求2所述的自旋阀元件，其中，
从所述基板的上表面观之，所述扩大部分以通过所述三角形的前端部且在与所述自旋流正交的方向延伸的线为基准形成为非对称。
4.如权利要求3所述的自旋阀元件，其中，
从所述基板的上表面观之，所述扩大部分以所述通道部的轴线为基准形成为对称。
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