CN104810301A - 晶圆图参数调整方法及系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶圆图参数调整方法及系统，其中方法包括如下步骤：在装载盒顶部和底部分别插入第一晶圆和第二晶圆，接收到晶圆图参数调整命令信号后，控制升降台带动装载盒上升；晶圆检测传感器实时扫描装载盒，并产生脉冲信号；计算机控制脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块中相应的存储位置处；根据脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数，计算并检验晶圆参数；根据晶圆参数，计算晶圆图参数，并将晶圆图参数存储至第二存储模块中。其通过计算机进行脉冲信号的采集和晶圆图参数的计算，有效提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种晶圆图参数调整方法及系统。
背景技术
在半导体行业中，自动化程度越来越高，很多工作都尽量交给机器去处理，以提高生产效率和减少颗粒污染。通常，一个装载盒装载有多片晶圆，以加快操作人员更换晶圆的速度，提高生产效率。
在设备机械手提取晶圆之前，通常需要对晶圆是否存在、晶圆是否放斜等晶圆分布进行必要的确认，以防止设备机械手提取晶圆时对设备产生不良后果。
在半导体制造设备的生产过程中，用于检测晶圆信号的传感器及定位传感器往往具有一定的自由度可调，所以生产出的设备必须进行实际的测试才能确定出晶圆图的相关参数，在测试过程中，晶圆图的绘制过程往往需要多次人工采集及计算，极大的影响了生产效率。
发明内容
基于此，有必要针对晶圆图的绘制过程中的多次人工采集及计算导致生产效率低的问题，提供一种晶圆图参数调整方法及系统。
一种晶圆图参数调整方法，包括如下步骤：
S100，在装载盒顶部和底部分别插入第一晶圆和第二晶圆，接收到晶圆图参数调整命令信号后，控制升降台带动所述装载盒上升；
S200，晶圆检测传感器实时扫描所述装载盒，并产生脉冲信号；
S300，计算机控制所述脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块中相应的存储位置处；
S400，根据所述脉冲信号的所述上升沿对应的升降台位置参数/所述下降沿对应的升降台位置参数，计算并检验晶圆参数；
S500，根据所述晶圆参数，计算晶圆图参数，并将所述晶圆图参数存储至第二存储模块中；
其中，当所述晶圆检测传感器扫描到所述第一晶圆时，产生第一脉冲信号；
当所述晶圆检测传感器扫描到所述第二晶圆时，产生第二脉冲信号。
其中，所述步骤S300包括如下步骤：
S310，检测到所述脉冲信号的上升沿/下降沿后，触发操作；
S320，根据当前所述脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值，判断上一次所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值在所述第一存储模块中的存储位置；
S330，根据所述判断，将当前所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值存储至所述第一存储模块中另一存储位置，并修改当前所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值。
其中，所述步骤S400包括如下步骤：
S410，检测所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值是否相同；
S420，当所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值相同时，根据当前计数值，将所述第一脉冲信号的上升沿/下降沿、所述第二脉冲信号的上升沿/下降沿分别对应的所述升降台位置参数存储至相应寄存器中；
S430，根据公式：
晶圆间距=（所述第二脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数－所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数）／（晶圆总片数－1）
计算所述晶圆间距；
S440，检测所述晶圆间距；
S450，当所述晶圆间距大于第一预设值时，发出报警指令；
S450’，当所述晶圆间距小于或等于所述第一预设值时，根据公式：
晶圆厚度=所述第一脉冲信号的上升沿对应的所述升降台位置参数－所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数
计算所述晶圆厚度；
S460，检测所述晶圆厚度；
S470，当所述晶圆厚度小于或等于晶圆检测厚度最大值时，将所述晶圆厚度／2存入变量Wafer_half_thickness中；
S470’，当所述晶圆厚度大于所述晶圆检测厚度最大值时，记录错误代码；
其中，所述晶圆检测厚度最大值小于或等于所述晶圆间距／3。
较佳地，所述步骤S400还包括如下步骤：
S420’，当所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值不同时，发出报警指令。
其中，所述步骤S500包括如下步骤：
S510，根据公式：
第一片晶圆位置参数=所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数－所述变量Wafer_half_thickness+第一误差值
计算所述第一片晶圆位置参数；
S520，根据公式：
第一斜片检测位置参数=所述第一片晶圆位置参数+所述晶圆间距／2
计算所述第一斜片检测位置参数。
相应的，为实现上述晶圆图参数调整方法，本发明还提供了一种晶圆图参数调整系统，包括晶圆检测传感器和计算机，所述晶圆检测传感器与所述计算机连接，其中：
所述晶圆检测传感器，用于实时扫描所述装载盒，并产生脉冲信号；
所述计算机，包括信号接收模块、第一采集模块、第一存储模块、第一计算模块、第二计算模块和第二存储模块，其中：
所述信号接收模块，用于接收晶圆图参数调整命令信号；
所述第一采集模块，用于控制所述脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块中相应的存储位置处；
所述第一计算模块，用于根据所述脉冲信号的所述上升沿对应的升降台位置参数/所述下降沿对应的升降台位置参数，计算并检验晶圆参数；
所述第二计算模块，用于根据所述晶圆参数，计算晶圆图参数；
所述第二存储模块，用于存储所述晶圆图参数；
其中，当所述晶圆检测传感器扫描到位于所述装载盒顶部的第一晶圆时，产生第一脉冲信号；
当所述晶圆检测传感器扫描到位于所述装载盒底部的第二晶圆时，产生第二脉冲信号。
其中，所述第一采集模块包括触发单元、判断单元和控制单元，其中：
所述触发单元，用于当检测到所述脉冲信号的上升沿/下降沿时，触发操作；
所述判断单元，用于根据当前所述脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值，判断上一次所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值在所述第一存储模块中的存储位置；
所述控制单元，用于根据所述判断，将当前所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值存储至所述第一存储模块中另一存储位置，并修改当前所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值。
其中，所述第一计算模块包括第一检测单元、第一控制单元、第一计算单元、第二检测单元、第二控制单元、第二计算单元、第三检测单元、第三控制单元和第四控制单元，其中：
所述第一检测单元，用于检测所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值是否相同；
所述第一控制单元，用于当所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值相同时，根据当前计数值，将所述第一脉冲信号的上升沿/下降沿、所述第二脉冲信号的上升沿/下降沿分别对应的所述升降台位置参数存储至相应寄存器中；
所述第一计算单元，用于根据公式：
晶圆间距=（所述第二脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数－所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数）／（晶圆总片数－1）
计算所述晶圆间距；
所述第二检测单元，用于检测所述晶圆间距；
所述第二控制单元，用于当所述晶圆间距大于第一预设值时，发出报警指令；
所述第二计算单元，用于当所述晶圆间距小于或等于所述第一预设值时，根据公式：
晶圆厚度=所述第一脉冲信号的上升沿对应的所述升降台位置参数－所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数
计算所述晶圆厚度；
所述第三检测单元，用于检测所述晶圆厚度；
所述第三控制单元，用于当所述晶圆厚度小于或等于晶圆检测厚度最大值时，将所述晶圆厚度／2存入变量Wafer_half_thickness中；
所述第四控制单元，用于当所述晶圆厚度大于所述晶圆检测厚度最大值时，记录错误代码；
其中，所述晶圆检测厚度最大值小于或等于所述晶圆间距／3。
其中，所述第一控制单元包括第一控制子单元，其中：
所述第一控制子单元，用于当所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值不同时，发出报警指令。
其中，所述第二计算模块包括第三计算单元和第四计算单元，其中：
所述第三计算单元，用于根据公式：
第一片晶圆位置参数=所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数－所述变量Wafer_half_thickness+第一误差值
计算所述第一片晶圆位置参数；
所述第四计算单元，用于根据公式：
第一斜片检测位置参数=所述第一片晶圆位置参数+所述晶圆间距／2
计算所述第一斜片检测位置参数。
本发明提供的一种晶圆图参数调整方法及系统，其中晶圆图参数调整方法通过晶圆检测传感器实时扫描装载盒，并产生一系列的脉冲信号，计算机根据晶圆检测传感器产生的脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数，计算晶圆参数；并根据晶圆参数，计算得到晶圆图参数，通过采用计算机进行脉冲信号的采集及晶圆图参数的计算，省去了多次的人工采集及计算，有效地提高了生产效率。
附图说明
图1为晶圆图参数调整方法流程图；
图2为晶圆图参数调整方法一具体实施例流程图；
图3为晶圆图参数调整方法一具体实施例示意图；
图4为晶圆图参数调整方法一具体实施例示意图；
图5为晶圆图参数调整方法另一具体实施例流程图；
图6为晶圆图参数调整系统一具体实施例示意图；
图7为晶圆图参数调整系统另一具体实施例示意图；
图8为晶圆图参数调整系统又一具体实施例示意图。
具体实施方式
为使本发明技术方案更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例对本发明做进一步详细说明。
参见图1，一种晶圆图参数调整方法，包括如下步骤：
S100，在装载盒顶部和底部分别插入第一晶圆和第二晶圆，接收到晶圆图参数调整命令信号后，控制升降台带动装载盒上升；
S200，晶圆检测传感器实时扫描装载盒，并产生脉冲信号；
S300，计算机控制脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块中相应的存储位置处；
S400，根据脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数，计算并检验晶圆参数；
S500，根据晶圆参数，计算晶圆图参数，并将晶圆图参数存储至第二存储模块中；
其中，当晶圆检测传感器扫描到第一晶圆时，产生第一脉冲信号；
当晶圆检测传感器扫描到第二晶圆时，产生第二脉冲信号。
本发明提供的晶圆图参数调整方法通过晶圆检测传感器实时扫描装载盒，产生一系列的脉冲信号，计算机控制脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块中相应的存储位置处；并根据第一脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数和第二脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数，计算晶圆参数，进而得到晶圆图参数；通过计算机进行采集及计算，省去了多次的人工采集及调整，有效地提高了生产效率。
在此，需要说明的是，该晶圆图参数调整方法还包括校正步骤，即通过晶圆图绘制操作得到晶圆图参数之后，电机控制升降台降低至初始位置后，进行第二次晶圆图绘制操作，在第二次晶圆图绘制操作过程中，检测装载盒中各晶圆位置变量取值，当第一晶圆位置变量和第二晶圆位置变量均为true，其余位置变量均为false时，表明校正成功，否则，发出报警；也就是说，设定“1”为存在晶圆，“0”为不存在晶圆，当检测到的第一晶圆位置变量取值和第二晶圆位置变量取值均为“1”，其余位置变量取值均为“0”时，表明校正成功，即通过本发明提供的晶圆图参数调整方法得到的晶圆图参数正确。
参见图2，作为一种本发明晶圆图参数调整方法的一具体实施例，步骤S300包括如下步骤：
S310，检测到脉冲信号的上升沿/下降沿后，触发操作；
S320，根据当前脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值，判断上一次脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值在第一存储模块中的存储位置；
S330，根据判断，将当前脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值存储至第一存储模块中另一存储位置，并修改当前脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值。
即通过对脉冲信号的上升沿/下降沿计数，每逢一个上升沿/下降沿时，根据当前上升沿计数值/下降沿计数值，判断上一次上升沿计数值/下降沿计数值在第一存储模块中的存储位置，并根据该判断结果，将当前上升沿计数值/下降沿计数值存储至第一存储模块中的另一存储位置，随后修改当前脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值；其具体操作参见图3至图4。
参见图3，随着升降台带动装载盒上升过程中，晶圆检测传感器实时扫描装载盒，并产生脉冲信号；计算机实时检测晶圆检测传感器产生的脉冲信号，当检测到一脉冲信号的上升沿时，将该脉冲信号的上升沿计数为0，并将该上升沿计数值存储至第一存储模块中一存储位置（Wafer0_Up）中；随着升降台带动装载盒继续上升，当计算机再次检测到另一上升沿时，将此时的上升沿计数为1，根据此时上升沿计数值，判断上一次上升沿计数值存储位置为Wafer0_Up，则根据该判断结果将此时上升沿计数值存储至第一存储模块中另一存储位置（Wafer1_Up）中，并将此时上升沿计数值修改为0；参见图4，对于下降沿计数及存储，同上所述：当计算机检测到一脉冲信号的下降沿时，将该脉冲信号的下降沿计数为0，并将该下降沿计数值存储至第一存储模块中又一存储位置（Wafer0_Down）中；随着升降台带动装载盒继续上升，当计算机再次检测到另一下降沿时，将此时的下降沿计数为1，根据此时下降沿计数值，判断上一次下降沿计数值存储位置为Wafer0_Down，则根据该判断结果将此时下降沿计数值存储至第一存储模块中再一存储位置（Wafer1_Down）中，并将此时下降沿计数值修改为0。
通过对脉冲信号采用四个变量进行计数，那么无论计算机检测到多少脉冲信号，最终只需要Wafer0_Up、Wafer1_Up、Wafer0_Down及Wafer1_Down这四个存储位置中的脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数，即可完成脉冲信号的采集。
参见图5，较佳地，步骤S400包括如下步骤：
S410，检测脉冲信号的上升沿计数值与脉冲信号的下降沿计数值是否相同；
S420，当脉冲信号的上升沿计数值与脉冲信号的下降沿计数值相同时，根据当前计数值，将第一脉冲信号的上升沿/下降沿、第二脉冲信号的上升沿/下降沿分别对应的升降台位置参数存储至相应寄存器中；
S430，根据公式：
晶圆间距=（第二脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数－第一脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数）／（晶圆总片数－1）
计算晶圆间距；
S440，检测晶圆间距；
S450，当晶圆间距大于第一预设值时，发出报警指令；
S450’，当晶圆间距小于或等于第一预设值时，根据公式：
晶圆厚度=第一脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数－第一脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数
计算晶圆厚度；
S460，检测晶圆厚度；
S470，当晶圆厚度小于或等于晶圆检测厚度最大值时，将晶圆厚度／2存入变量Wafer_half_thickness中；
S470’，当晶圆厚度大于晶圆检测厚度最大值时，记录错误代码；
其中，晶圆检测厚度最大值小于或等于晶圆间距／3。
完成脉冲信号的采集后，需要根据脉冲信号上升沿/下降沿对应的升降台位置参数，计算晶圆参数；在计算晶圆参数之前，首先检查采集到的脉冲信号是否正确，在保证采集到的脉冲信号正确的前提下，通过计算得到晶圆参数（即晶圆间距、晶圆厚度），并由晶圆间距及晶圆厚度，在进一步判断采集到的脉冲信号准确的同时，为下一步计算晶圆图参数（即第一晶圆位置、第一斜片检测位置）提供必要的数据；
其具体步骤为：首先，判断Wafer0_Up和Wafer0_Down中分别存储的上升沿计数值和下降沿计数值是否相同，以及Wafer1_Up和Wafer1_Down中分别存储的上升沿计数值和下降沿计数值是否相同；当Wafer0_Up和Wafer0_Down中分别存储的上升沿计数值和下降沿计数值相同，且Wafer1_Up和Wafer1_Down中分别存储的上升沿计数值和下降沿计数值相同时，根据计数值，将第一脉冲信号的上升沿/下降沿、第二脉冲信号的上升沿/下降沿分别对应的升降台位置参数存储至相应的寄存器中；具体为：当计数值为0时，第一脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数存储至第一寄存器（即First_wafer_Up）中，第一脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数存储至第二寄存器（即First_wafer_Down）中，第二脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数存储至第三寄存器（即Last_wafer_Up）中，第二脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数存储至第四寄存器（即Last_wafer_Down）中；当计数值为1时，则正好相反。随后，根据各寄存器中存储的参数计算晶圆参数（即晶圆间距、晶圆厚度）；根据公式：
晶圆间距=（第二脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数－第一脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数）／（晶圆总片数－1）
计算出晶圆间距后，对于一个工程应用，装载盒的体积是固定的，因此每一次所计算出的晶圆间距基本相差不大，如果偏差过大，则表明在扫描、采集及计算过程中有所偏差，因此发出报警信号，提示操作人员结束程序，检查设备；如果相差不大，则根据公式：
晶圆厚度=第一脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数－第一脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数
进一步计算晶圆厚度；由于安装的误差等原因，导致计算得到的晶圆厚度大于实际晶圆厚度值（如，一般来说，硅片的实际厚度为700μm），因此，当计算得到的晶圆厚度小于或等于晶圆检测厚度最大值时，均属于正常情况，将晶圆厚度／2存入变量Wafer_half_thickness中，为下一步计算晶圆图参数准备；如果计算得到的晶圆厚度大于晶圆检测厚度最大值，则发出报警，避免了继续进行计算得到错误参数的不良后果，同时节省了资源。
在此，需要说明的是，晶圆检测厚度最大值根据实际情况自行设定，一般其取值小于或等于晶圆间距／3即可。
值得说明的是，步骤S400还包括如下步骤：
S420’，当脉冲信号的上升沿计数值与脉冲信号的下降沿计数值不同时，发出报警指令。通过检测脉冲信号的上升沿计数值与脉冲信号的下降沿计数值是否相同，判断采集的脉冲信号是否正确，当脉冲信号的上升沿计数值与脉冲信号的下降沿计数值不同时，表明采集脉冲信号过程中出现错误，导致所采集的脉冲信号不符合要求，避免了根据采集的脉冲信号计算晶圆参数出现错误的不良后果，保证了程序的正常准确运行。
作为一种可实施方式，步骤S500包括如下步骤：
S510，根据公式：
第一片晶圆位置参数=第一脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数－变量Wafer_half_thickness+第一误差值
计算第一片晶圆位置参数；
S520，根据公式：
第一斜片检测位置参数=第一片晶圆位置参数+晶圆间距／2
计算第一斜片检测位置参数。
值得说明的是，第一误差值的取值根据实际情况进行设定，通常其取值小于或等于晶圆间距／10即可；同时，晶圆检测误差范围允许在变量Wafer_half_thickness，斜片检测误差允许范围为（晶圆间距－晶圆厚度）／2－第二误差值，其中，第二误差值的取值同样根据实际情况进行设定，一般其取值小于或等于晶圆间距／10即可。
需要说明的是，通过改变装载盒内晶圆的插入位置及数量，同样能够实现提高生产效率的目的。
相应的，本发明还提供了一种晶圆图参数调整系统，晶圆图参数调整系统原理与晶圆图参数调整方法原理相似，因此重复之处不在赘述。
参见图6，一种晶圆图参数调整系统，包括晶圆检测传感器610和计算机620，晶圆检测传感器610和计算机620连接，其中：
晶圆检测传感器610，用于实时扫描装载盒，并产生脉冲信号；
计算机620，包括信号接收模块621、第一采集模块622、第一存储模块623、第一计算模块624、第二计算模块625和第二存储模块626，其中：
信号接收模块621，用于接收晶圆图参数调整命令信号；
第一采集模块622，用于控制脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块623中相应的存储位置处；
第一计算模块624，用于根据脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数，计算并检验晶圆参数；
第二计算模块625，用于根据晶圆参数，计算晶圆图参数；
第二存储模块626，用于存储晶圆图参数；
其中，当晶圆检测传感器610扫描到位于装载盒顶部的第一晶圆时，产生第一脉冲信号；
当晶圆检测传感器610扫描到位于装载盒底部的第二晶圆时，产生第二脉冲信号。
参见图7，作为一种可实施方式，第一采集模块622包括触发单元6220、判断单元6221和控制单元6222，其中：
触发单元6220，用于检测到脉冲信号的上升沿/下降沿时，触发操作；
判断单元6221，用于根据当前脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值，判断上一次脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值在第一存储模块623中的存储位置；
控制单元6222，用于根据判断，将当前脉冲信号的上升沿变量/下降沿变量存储至第一存储模块621中另一存储位置，并修改当前脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值。
参见图8，作为本发明晶圆图参数调整系统一具体实施例，第一计算模块624包括第一检测单元6240、第一控制单元6241、第一计算单元6242、第二检测单元6243、第二控制单元6244、第二计算单元6245、第三检测单元6246、第三控制单元6247和第四控制单元6248，其中：
第一检测单元6240，用于检测脉冲信号的上升沿计数值与脉冲信号的下降沿计数值是否相同；
第一控制单元6241，用于当脉冲信号的上升沿计数值与脉冲信号的下降沿计数值相同时，根据当前计数值，将第一脉冲信号的上升沿/下降沿、第二脉冲信号的上升沿/下降沿分别对应的升降台位置参数存储至相应寄存器中；
第一计算单元6242，用于根据公式：
晶圆间距=（第二脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数－第一脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数）／（晶圆总片数－1）
计算晶圆间距；
第二检测单元6243，用于检测晶圆间距；
第二控制单元6244，用于当晶圆间距大于第一预设值时，发出报警指令；
第二计算单元6245，用于当晶圆间距小于或等于第一预设值时，根据公式：
晶圆厚度=第一脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数－第一脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数
计算晶圆厚度；
第三检测单元6246，用于检测晶圆厚度；
第三控制单元6247，用于当晶圆厚度小于或等于晶圆检测厚度最大值时，将晶圆厚度／2存入变量Wafer_half_thickness中；
第四控制单元6248，用于当晶圆厚度大于晶圆检测厚度最大值时，记录错误代码；
其中，晶圆检测厚度最大值小于或等于晶圆间距／3。
较佳地，第一控制单元6241包括第一控制子单元62410，其中：
第一控制子单元62410，用于当脉冲信号的上升沿计数值与脉冲信号的下降沿计数值不同时，发出报警指令。
参见图6，作为一种可实施方式，第二计算模块625包括第三计算单元6250和第四计算单元6251，其中：
第三计算单元6250，用于根据公式：
第一片晶圆位置参数=第一脉冲信号的下降沿对应的升降台位置参数－变量Wafer_half_thickness+第一误差值
计算第一片晶圆位置参数；
第四计算单元6251，用于根据公式：
第一斜片检测位置参数=第一片晶圆位置参数+晶圆间距／2
计算第一斜片检测位置参数。
需要说明的是，计算机还包括第一校正模块，其中，第一校正模块用于当计算得出晶圆图参数之后，控制升降台降低至初始位置，再次进行晶圆图绘制操作时，检测装载盒中各晶圆位置变量取值，当第一晶圆位置变量和第二晶圆位置变量均为true，其余位置变量均为false时，表明校正成功，否则，发出报警。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种晶圆图参数调整方法，其特征在于，包括如下步骤：
S100，在装载盒顶部和底部分别插入第一晶圆和第二晶圆，接收到晶圆图参数调整命令信号后，控制升降台带动所述装载盒上升；
S200，晶圆检测传感器实时扫描所述装载盒，并产生脉冲信号；
S300，计算机控制所述脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块中相应的存储位置处；
S400，根据所述脉冲信号的所述上升沿对应的升降台位置参数/所述下降沿对应的升降台位置参数，计算并检验晶圆参数；
S500，根据所述晶圆参数，计算晶圆图参数，并将所述晶圆图参数存储至第二存储模块中；
其中，当所述晶圆检测传感器扫描到所述第一晶圆时，产生第一脉冲信号；
当所述晶圆检测传感器扫描到所述第二晶圆时，产生第二脉冲信号。
2.根据权利要求1所述的晶圆图参数调整方法，其特征在于，所述步骤S300包括如下步骤：
S310，检测到所述脉冲信号的上升沿/下降沿后，触发操作；
S320，根据当前所述脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值，判断上一次所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值在所述第一存储模块中的存储位置；
S330，根据所述判断，将当前所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值存储至所述第一存储模块中另一存储位置，并修改当前所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值。
3.根据权利要求2所述的晶圆图参数调整方法，其特征在于，所述步骤S400包括如下步骤：
S410，检测所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值是否相同；
S420，当所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值相同时，根据当前计数值，将所述第一脉冲信号的上升沿/下降沿、所述第二脉冲信号的上升沿/下降沿分别对应的所述升降台位置参数存储至相应寄存器中；
S430，根据公式：
晶圆间距=（所述第二脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数－所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数）／（晶圆总片数－1）
计算所述晶圆间距；
S440，检测所述晶圆间距；
S450，当所述晶圆间距大于第一预设值时，发出报警指令；
S450’，当所述晶圆间距小于或等于所述第一预设值时，根据公式：
晶圆厚度=所述第一脉冲信号的上升沿对应的所述升降台位置参数－所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数
计算所述晶圆厚度；
S460，检测所述晶圆厚度；
S470，当所述晶圆厚度小于或等于晶圆检测厚度最大值时，将所述晶圆厚度／2存入变量Wafer_half_thickness中；
S470’，当所述晶圆厚度大于所述晶圆检测厚度最大值时，记录错误代码；
其中，所述晶圆检测厚度最大值小于或等于所述晶圆间距／3。
4.根据权利要求3所述的晶圆图参数调整方法，其特征在于，所述步骤S400还包括如下步骤：
S420’，当所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值不同时，发出报警指令。
5.根据权利要求3或4所述的晶圆图参数调整方法，其特征在于，所述步骤S500包括如下步骤：
S510，根据公式：
第一片晶圆位置参数=所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数－所述变量Wafer_half_thickness+第一误差值
计算所述第一片晶圆位置参数；
S520，根据公式：
第一斜片检测位置参数=所述第一片晶圆位置参数+所述晶圆间距／2
计算所述第一斜片检测位置参数。
6.一种晶圆图参数调整系统，其特征在于，包括晶圆检测传感器和计算机，所述晶圆检测传感器与所述计算机连接，其中：
所述晶圆检测传感器，用于实时扫描所述装载盒，并产生脉冲信号；
所述计算机，包括信号接收模块、第一采集模块、第一存储模块、第一计算模块、第二计算模块和第二存储模块，其中：
所述信号接收模块，用于接收晶圆图参数调整命令信号；
所述第一采集模块，用于控制所述脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块中相应的存储位置处；
所述第一计算模块，用于根据所述脉冲信号的所述上升沿对应的升降台位置参数/所述下降沿对应的升降台位置参数，计算并检验晶圆参数；
所述第二计算模块，用于根据所述晶圆参数，计算晶圆图参数；
所述第二存储模块，用于存储所述晶圆图参数；
其中，当所述晶圆检测传感器扫描到位于所述装载盒顶部的第一晶圆时，产生第一脉冲信号；
当所述晶圆检测传感器扫描到位于所述装载盒底部的第二晶圆时，产生第二脉冲信号。
7.根据权利要求6所述的晶圆图参数调整系统，其特征在于，所述第一采集模块包括触发单元、判断单元和控制单元，其中：
所述触发单元，用于当检测到所述脉冲信号的上升沿/下降沿时，触发操作；
所述判断单元，用于根据当前所述脉冲信号的上升沿计数值/下降沿计数值，判断上一次所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值在所述第一存储模块中的存储位置；
所述控制单元，用于根据所述判断，将当前所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值存储至所述第一存储模块中另一存储位置，并修改当前所述脉冲信号的所述上升沿计数值/所述下降沿计数值。
8.根据权利要求6所述的晶圆图参数调整系统，其特征在于，所述第一计算模块包括第一检测单元、第一控制单元、第一计算单元、第二检测单元、第二控制单元、第二计算单元、第三检测单元、第三控制单元和第四控制单元，其中：
所述第一检测单元，用于检测所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值是否相同；
所述第一控制单元，用于当所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值相同时，根据当前计数值，将所述第一脉冲信号的上升沿/下降沿、所述第二脉冲信号的上升沿/下降沿分别对应的所述升降台位置参数存储至相应寄存器中；
所述第一计算单元，用于根据公式：
晶圆间距=（所述第二脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数－所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数）／（晶圆总片数－1）
计算所述晶圆间距；
所述第二检测单元，用于检测所述晶圆间距；
所述第二控制单元，用于当所述晶圆间距大于第一预设值时，发出报警指令；
所述第二计算单元，用于当所述晶圆间距小于或等于所述第一预设值时，根据公式：
晶圆厚度=所述第一脉冲信号的上升沿对应的所述升降台位置参数－所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数
计算所述晶圆厚度；
所述第三检测单元，用于检测所述晶圆厚度；
所述第三控制单元，用于当所述晶圆厚度小于或等于晶圆检测厚度最大值时，将所述晶圆厚度／2存入变量Wafer_half_thickness中；
所述第四控制单元，用于当所述晶圆厚度大于所述晶圆检测厚度最大值时，记录错误代码；
其中，所述晶圆检测厚度最大值小于或等于所述晶圆间距／3。
9.根据权利要求8所述的晶圆图参数调整系统，其特征在于，所述第一控制单元包括第一控制子单元，其中：
所述第一控制子单元，用于当所述脉冲信号的所述上升沿计数值与所述脉冲信号的所述下降沿计数值不同时，发出报警指令。
10.根据权利要求8或9所述的晶圆图参数调整系统，其特征在于，所述第二计算模块包括第三计算单元和第四计算单元，其中：
所述第三计算单元，用于根据公式：
第一片晶圆位置参数=所述第一脉冲信号的下降沿对应的所述升降台位置参数－所述变量Wafer_half_thickness+第一误差值
计算所述第一片晶圆位置参数；
所述第四计算单元，用于根据公式：
第一斜片检测位置参数=所述第一片晶圆位置参数+所述晶圆间距／2
计算所述第一斜片检测位置参数。
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| CN201410031191.8A CN104810301B (zh) | 2014-01-23 | 2014-01-23 | 晶圆图参数调整方法及系统 |
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|---|---|---|---|---|
| CN107123444A (zh) * | 2017-04-10 | 2017-09-01 | 上海华力微电子有限公司 | 一种嵌入式存储器自适应工作参数调整方法 |
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| KR20080024375A (ko) * | 2006-09-13 | 2008-03-18 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 슬롯번호를 유지하는 장치와 방법 및 이에 이용되는웨이퍼 인덱서 |
| CN101276774A (zh) * | 2007-03-28 | 2008-10-01 | 沈阳芯源先进半导体技术有限公司 | 晶片自动定位控制装置及其控制方法 |
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2014
- 2014-01-23 CN CN201410031191.8A patent/CN104810301B/zh active Active
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| CN107123444B (zh) * | 2017-04-10 | 2020-04-03 | 上海华力微电子有限公司 | 一种嵌入式存储器自适应工作参数调整方法 |
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