CN104810051A - 适应性刷新装置与方法 - Google Patents

Abstract

一种适应性刷新装置与方法，适用于快闪存储器阵列，其中快闪存储器阵列包括第一阵列区域，第一监测行位于第一阵列区域存储器阵列的一侧，第一阵列区域包括选择区块以及第一非选择区块，第一监测行具有预先写入第一逻辑位准的多个第一监测单元，该适应性刷新装置包括：检测单元、控制单元以及刷新单元。检测单元检测第一监测单元之一者是否由第一逻辑位准转换为第二逻辑位准。当检测单元发现第一监测单元之一者为第二逻辑位准时，控制单元设定第一刷新标签。刷新单元根据第一刷新标签，将为第二逻辑位准的第一监测单元写入第一逻辑位准并刷新第一非选择区块，且于刷新完成后清除第一刷新标签。本发明相较于现有技术，可减少部分抹除所需的时间。

Description

适应性刷新装置与方法

技术领域

本发明是有关于一种快闪存储器刷新方法，特别是有关于一种快闪存储器的适应性刷新装置与方法。

背景技术

快闪存储器为非易失性存储器中一种特殊的型式，其逻辑数据存储于存储器单元中。通常快闪存储器将存储器单元以行列放置，其中每一列代表数据的位线(bit line)。快闪存储器利用施加电压至存储器单元以设定其临限电压，而临限电压的位准代表存储器单元中所存储的数据。通过对选取的存储器单元的栅极施加不同电压可以验证存储器单元于写入、抹除、过度抹除(over-erased)后的临限电压位准。当施加于栅极的电压足以超过临限电压时，晶体管导通且产生电流；相反的，当施加于栅极的电压无法超越临限电压时，晶体管保持于不导通的状态且不产生电流。典型的快闪存储器设计中，导通状态代表逻辑“1”(高逻辑位准)，而不导通状态代表逻辑“0”(低逻辑位准)。

快闪存储器具有有限的抹除/写入次数，随着抹除以及写入的次数增加，快闪存储器会逐步的老化。一般而言，快闪存储器阵列在写入数据之前都会以区块(block orsector)为单位进行抹除，因此在此的有限次数指的是抹除/写入次数。该领域具有通常知识者应当了解，只要对非选择区块施加适当的反相偏压，即可对快闪存储器阵列进行部分抹除(partial erase)，但对于非选择区块的存储单元造成的抹除干扰(erase disturb)仍不可避免，为避免抹除干扰造成的数据散失，故须对非选择区块进行刷新(refresh)以保证所存储的数据正确。然而，随着快闪存储器的老化，写入或抹除存储器单元至想要的临限电压则需要较长的写入或抹除时间。最终，快闪存储器单元无法在短时间内完成写入/抹除动作，甚至正常地保存数据。

由于在部分抹除快闪存储器阵列的选择区块时，会对选择区块以外的非选择区块造成抹除干扰，为了确保非选择区块的数据的正确性，因此在进行部分抹除之后，需要针对非选择区块进行刷新的动作，也就是，对存储于非选择区块的数据进行读取并将读取出来的数据以正常写入的程序重新写入至非选择区块。然而，通常进行刷新时的动作时皆是针对所有非选择区块所进行，如此一来将使得操作时间拉长，且刷新的过程中也会对周边行列的存储器单元造成写入干扰而改变其临界电压。因此，有必要针对快闪存储器的刷新动作进行最佳化。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种适应性刷新装置与方法，以解决上述的问题。

有鉴于此，本发明提出一种适应性刷新装置，适用于一快闪存储器阵列，其中上述快闪存储器阵列包括一第一阵列区域，一第一监测行位于上述第一阵列区域的一侧，上述第一阵列区域包括一选择区块以及多个第一非选择区块，上述第一监测行具有多个第一监测单元，其中上述第一监测单元预先写入一第一逻辑位准，该装置包括：一检测单元，检测上述第一监测单元之一者是否由上述第一逻辑位准转换为一第二逻辑位准；一控制单元，当上述检测单元发现上述第一监测单元之一者为上述第二逻辑位准时，设定一第一刷新标签；以及一刷新单元，根据上述第一刷新标签，将为上述第二逻辑位准的上述第一监测单元写入上述第一逻辑位准并刷新上述第一非选择区块，且于刷新完成后清除上述第一刷新标签。

根据本发明的一实施例，其中上述快闪存储器阵列还包括一第二阵列区域以及一第二监测行，上述第二阵列区域包括多个第二非选择区块，上述第二监测行位于上述第二阵列区域的一侧，上述第二监测行具有多个第二监测单元，其中上述第二监测单元预先写入上述第一逻辑位准，其中上述检测单元还检测上述第二监测单元之一者是否改变成上述第二逻辑位准，当上述检测单元发现上述第二监测单元之一者改变成上述第二逻辑位准时，上述控制单元设定一第二刷新标签，上述刷新单元根据上述第二刷新标签将为上述第二逻辑位准的上述第二监测单元写入上述第一逻辑位准并刷新上述第二非选择区块，且于刷新结束清除上述第二刷新标签。

根据本发明的一实施例，其中当控制单元同时设定上述第一刷新标签及上述第二刷新标签时，上述刷新单元仅根据上述第一刷新标签以及上述第二刷新标签之一者动作，并于上述控制单元记录下个周期根据上述第一刷新标签以及上述第二刷新标签的另一者动作。

根据本发明的一实施例，其中当抹除上述快闪式存储器阵列时，上述控制单元通知上述刷新单元将上述第一监测单元以及上述第二监测单元重新写入上述第一逻辑位准。

根据本发明的一实施例，其中上述第一逻辑位准为一低逻辑位准，上述第二逻辑位准为一高逻辑位准。

本发明另提出一种适应性刷新方法，适用于一快闪存储器阵列，其中上述快闪存储器阵列包括一第一阵列区域，一第一监测行位于上述第一阵列区域的一侧且具有多个第一监测单元，上述第一阵列区域包括一选择区块以及一第一非选择区块，其中上述第一监测单元预先写入一第一逻辑位准，该方法包括：检测上述第一监测单元之一者是否改变成一第二逻辑位准；当上述第一监测单元之一者改变成上述第二逻辑位准时，设定一第一刷新标签；根据上述第一刷新标签，写入上述第一逻辑位准至为上述第二逻辑位准的上述第一监测单元，并刷新上述第一非选择区块；以及清除上述第一刷新标签。

根据本发明的一实施例，其中上述快闪存储器阵列还包括一第二阵列区域以及一第二监测行，上述第二阵列区域包括多个第二非选择区块，上述第二监测行位于上述第二阵列区域的一侧，上述第二监测行具有多个第二监测单元，其中上述第二监测单元预先写入上述第一逻辑位准，适应性刷新方法还包括：检测上述第二监测单元之一者是否改变成上述第二逻辑位准；当上述第二监测单元之一者改变成上述第二逻辑位准时，设定一第二刷新标签；根据上述第二刷新标签，写入上述第一逻辑位准至为上述第二逻辑位准的上述第二监测单元，并刷新上述第二非选择区块；以及清除上述第二刷新标签。

根据本发明的一实施例，其中当需同时刷新上述第一非选择区块以及上述第二非选择区块时，仅刷新上述第一非选择区块以及上述第二非选择区块之一者，并于下个周期刷新上述第一非选择区块以及上述第二非选择区块的另一者。

根据本发明的一实施例，其中当抹除上述快闪式存储器阵列时，将上述第一监测单元以及上述第二监测单元重新写入上述第一逻辑位准。

根据本发明的一实施例，其中上述第一逻辑位准为一低逻辑位准，上述第二逻辑位准为一高逻辑位准。

本发明提供的适应性刷新装置以及适应性刷新方法，是通过监测行监测非选择区块所受到的抹除干扰情形，以决定是否需执行刷新的步骤，相较于现有技术于每次进行部分抹除动作时皆须进行非选择区块的刷新，可减少部分抹除所需的时间。此外，本发明还可通过分别监测快闪存储器阵列的多个阵列区域的干扰情形(如第一监测行监测第一阵列区域、第二监测行监测第二阵列区域)，并对不同阵列区域分别执行刷新的步骤，因此可减少每次需刷新的非选择区块，并进一步提升部分抹除的速度。

附图说明

图1为根据本发明的一实施例所述的快闪存储器部分抹除动作的流程图；

图2为显示根据本发明的一实施例所述的快闪存储器阵列200的示意图；

图3为显示根据本发明的一实施例所述的适应性刷新装置300的方块图；

图4为显示根据本发明的一实施例所述的适应性刷新方法的流程图；

图5为显示根据本发明的一实施例所述的适应性刷新电路500的电路图。

符号说明：

200～快闪存储器阵列；

210～选择区块；

220～第一阵列区域；

221～第一监测行；

222～第一非选择区块；

230～第二阵列区域；

231～第二监测行；

232～第二非选择区块；

300～适应性刷新装置；

301～检测单元；

302～控制单元；

303～刷新单元；

500～适应性刷新电路；

501～存储器单元；

502～感测放大器；

503～参考位准；

504～第一开关；

505～暂存器；

506～第二开关；

507～第一反相器；

508～高压开关；

509～写入开关；

510～偏压驱动电路；

511～第二反相器；

512～第三开关；

513～第三反相器；

514～脉冲产生器；

515～与门；

516～D型触发器；

SA～数据；

DATA～存储数据；

EN～写入使能信号；

MONTI～监测信号；

HV～高电压；

RFREAD～刷新读取使能信号；

RFMONIT～刷新监测使能信号；

REWRITE～刷新写入使能信号；

S11～S14、S41～S48～步骤；

TAG～刷新标签。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特例举一较佳实施例，并配合附图，来作详细说明如下：

以下将介绍根据本发明所述的较佳实施例。必须要说明的是，本发明提供了许多可应用的发明概念，在此所揭露的特定实施例，仅是用于说明达成与运用本发明的特定方式，而不可用以局限本发明的范围。

图1为根据本发明的一实施例所述的快闪存储器部分抹除动作的流程图。快闪存储器阵列可分为选择区块以及非选择区块，其中针对选择区块的存储器单元进行抹除(erase)，而非选择区块的存储器单元则不进行抹除的动作。

如图1所示，快闪存储器的部分抹除动作包括预先写入(步骤S11)、部分抹除(步骤S12)、后续写入(步骤S13)以及刷新(步骤S14)。通常为了使得抹除后临限电压的分布较为紧密，在部分抹除的过程中所有选择区块的存储器单元首先会通过预先写入(步骤S11)的动作以确保所有的存储器单元皆具有均匀的高临限电压。换句话说，预先写入(步骤S11)是将所有选择区块先写入数据“0”。然后，部分抹除(步骤S12)选择区块的存储器单元，即将预先写入数据“0”的存储器单元抹除至数据“1”的状态。

由于在抹除的过程中，部分存储器单元可能会有过度抹除(over-erased)的现象而造成漏电，因此后续写入(步骤S13)是将过度抹除的存储器单元恢复至存储“1”的正常状态。然而，由于进行部分抹除(步骤S12)时，会对非选择区块的存储器单元造成抹除干扰，因此需对其进行刷新(步骤S14)以将其所存储的数据读取出来并再次写入。

根据本发明的一实施例，为了防止原先已是“0”状态的存储器单元由于刷新(步骤S14)时的反复写入造成其临界电压提升太多而影响下次抹除过程，因此刷新时，再次写入是以弱写入(weak-program)进行，其中弱写入是使用较一般写入偏压低的电压值进行，且弱写入的进行时间亦较一般写入短。例如，存储器单元进行一般写入动作时，栅极偏压为8V而位线偏压为5V；进行弱写入动作时，栅极偏压为6-7V而位线偏压为5V。以下将针对本发明所提出的适应性刷新方法予以详细说明。

图2为显示根据本发明的一实施例所述的快闪存储器阵列200的示意图。如图2所示，快闪存储器阵列200可包括第一阵列区域220以及第二阵列区域230。快闪存储器阵列200的外侧还包括第一监测行221以及第二监测行231，其中，第一监测行221以及第二监测行231各包含多个存储器单元(为简化说明，以下以监测单元代表)。根据本发明的一实施例，第一阵列区域220包括选择区块210以及第一非选择区块222，第二阵列区域230包括第二非选择区块232，其中选择区块代表执行抹除动作的区块，而非选择区块代表不执行抹除动作的区块。根据本发明的一实施例，第一监测行221以及第二监测行231是用以监测第一非选择区块222与第二非选择区块232所受抹除干扰的情形，并且，第一监测行221以及第二监测行231的监测单元皆预先写入(pre-grogram)数据“0”。

根据本发明的一实施例，当第一监测行221的任一监测单元所存储的数据由数据“0”转变为数据“1”时，代表第一非选择区块222所受的抹除干扰已经累积到一定程度，因此将该监测单元重新弱写入数据“0”后，刷新第一阵列区域220中除了选择区块210的第一非选择区块222。根据本发明的另一实施例，当第二监测行231的任一监测单元所存储的数据由数据“0”转变为数据“1”时，代表第二非选择区块232所受的抹除干扰已经累积到一定程度，则将该监测单元重新弱写入数据“0”后，刷新第二阵列区域230的第二非选择区块232。根据本发明另一实施例，快闪存储器阵列200可仅具有一监测行，当监测行的任一监测单元所存储的数据发生变化时，将该由数据“0”转变为数据“1”的监测单元重新弱写入数据“0”后，刷新快闪存储器阵列200的第一非选择区块222以及第二非选择区块232。若无发现监测单元所存储的数据发生变化时，则不刷新第一非选择区块222以及第二非选择区块232。

图3为显示根据本发明的一实施例所述的适应性刷新装置300的方块图。如图3所示，适应性刷新装置300耦接至图2的快闪存储器阵列200，快闪存储器阵列200包括选择区块210、第一非选择区块222、第二非选择区块232、第一监测行221以及第二监测行231，而适应性刷新装置300包括检测单元301、控制单元302以及刷新单元303。根据本发明的一实施例，第一监测行221以及第二监测行231预先写入数据“0”。

检测单元301用以检测快闪存储器阵列200的第一监测行221以及第二监测行231上，是否有任一监测单元受干扰由数据“0”转变为数据“1”，若有，检测单元301则通知控制单元302设定刷新标签，刷新单元303根据刷新标签重新弱写入受干扰的监测单元为数据“0”并刷新对应的第一非选择区块222或第二非选择区块232，且于刷新完成后清除该刷新标签。根据本发明另一实施例，当检测单元301检测到第一监测行221上任一监测单元由数据“0”转变为数据“1”时，通知控制单元302设定第一刷新标签，刷新单元303根据第一刷新标签将第一监测行221上转变为数据“1”的监测单元弱写入数据“0”并刷新第一非选择区块222，且于刷新完成后清除第一刷新标签。根据本发明又一实施例，当检测单元301检测到第二监测行231上任一监测单元由数据“0”转变为数据“1”时，通知控制单元302设定第二刷新标签，刷新单元303根据第二刷新标签将第二监测行231上转变为数据“1”的监测单元弱写入数据“0”并刷新第二非选择区块232，且于刷新完成后清除第二刷新标签。

根据本发明的一实施例，当检测单元301检测到第一监测行221以及第二监测行231上皆有监测单元由数据“0”转变为数据“1”时，控制单元302除了同时设定第一刷新标签以及第二刷新标签外，还控制刷新单元303仅重新弱写入第一监测行221中受干扰的监测单元为数据“0”并刷新第一非选择区块222或仅重新弱写入第二监测行231中受干扰的监测单元为数据“0”并刷新第二非选择区块232，并于下一次抹除流程时再执行未执行的另一组动作，以节省单一抹除流程中所花费的时间。

根据本发明的另一实施例，当快闪存储器阵列200仅具有一监测行时，检测单元301检测到监测行上任一监测单元由数据“0”转变为数据“1”时，通知控制单元302设定刷新标签，刷新单元303根据刷新标签将转变为数据“1”的监测单元写入数据“0”并刷新非选择区块(除了执行抹除动作的选择区块外的所有非选择区块)，且于刷新完成后清除刷新标签。根据本发明的一实施例，若监测行上监测单元皆维持数据“0”，则不刷新对应的非选择区块。

根据本发明的一实施例，当整个快闪存储器阵列200一起抹除时，由于快闪存储器阵列200中的每一个存储器单元相互的干扰因全体抹除后而归零，此时可将监测行的所有监测单元重新弱写入数据“0”，将其所存储的干扰一并归零。

图4为显示根据本发明的一实施例所述的适应性刷新方法的流程图。为求清楚说明本发明的方法流程，图4的流程图将搭配图2予以详述。首先，检测图2的第一监测行221的任一监测单元是否由数据“0”改变为数据“1”(步骤S41)；当第一监测行221的任一监测单元改变为数据“1”时，设定第一刷新标签(步骤S42)；检测图2的第二监测行231的任一监测单元是否由数据“0”改变为数据“1”(步骤S43)；当第二监测行231的任一监测单元改变为数据“1”时，设定第二刷新标签(步骤S44)；根据第一刷新标签，将改变为数据“1”的监测单元写入数据“0”，并刷新第一阵列区域220的第一非选择区块222(步骤S45)；清除第一刷新标签(步骤S46)；根据第二刷新标签，将改变为数据“1”的监测单元写入数据“0”，并刷新第二阵列区域230的第二非选择区块232(步骤S47)；清除第二刷新标签(步骤S48)。

根据本发明的一实施例，当检测到第一监测行221以及第二监测行231上皆有监测单元由数据“0”转变为数据“1”时，除了同时设定第一刷新标签以及第二刷新标签外，还仅刷新第一非选择区块222以及第二非选择区块232之一者，并且于控制单元302记录下次应刷新第一非选择区块222以及第二非选择区块232的另一者，以节省单次抹除流程中所花费的时间。下一次抹除流程时则再根据控制单元302的记录，刷新第一非选择区块222以及第二非选择区块232的另一者。

根据本发明的一实施例，当抹除全部快闪存储器阵列200时，可一并将第一监测行221以及第二监测行231的监测单元一并重新弱写入数据“0”。

图5为显示根据本发明的一实施例所述的适应性刷新电路500的电路图。当进行一般存储器单元的刷新动作时，存储器单元501经过感测放大器(sense amplifier)502与参考位准503相比较，得到存储于存储器单元501的数据SD。当进行刷新读取时，刷新读取使能信号RFREAD导通第一开关504而使数据SD通过并存储于暂存器505。当进行刷新写入时，刷新写入使能信号RFWRITE导通第二开关506，若存储于暂存器505的存储数据DATA为数据“0”时，则通过第一反相器507而导通高压开关508，使得高压开关508传送写入高电压HV至写入开关509，而使偏压驱动电路510将存储于暂存器505的存储数据DATA的数据“0”重新写入存储器单元501，其中当执行刷新动作时写入使能信号EN为高逻辑位准，输入数据为存储数据DATA的反相位准。

图5的适应性刷新电路500同样也能完成监测单元的检测以及刷新的动作。当存储器单元501换成监测行上的监测单元时，感测放大器502比较监测单元所存储的数据以及参考位准503而输出数据SD，刷新监测使能信号RFMONIT导通第三开关512后，数据SD经过第二反相器511而存储于暂存器505。由于监测单元预设存储数据“0”，当存储于暂存器505的存储数据DATA为数据“0”时，代表监测单元所存储的数据已由数据“0”改变为数据“1”，故须进行刷新将数据“0”重新弱写入至该监测单元。

因此，当进行刷新写入时，刷新写入使能信号RFWRITE导通第二开关506后，若存储于暂存器505的存储数据DATA为数据“0”时，亦即监测单元的读取数据为“1”时，则通过第一反相器507而导通高压开关508，使得高压开关508传送写入高电压HV至写入开关509，而使偏压驱动电路510将存储于暂存器505的存储数据DATA的数据“0”重新弱写入监测单元，其中当执行刷新动作时写入使能信号EN为高逻辑位准。

此外，当检测监测行上的监测单元时，若存储于暂存器505上的存储数据DATA为数据“0”时，存储数据DATA经由第三反相器513与由监测信号MONIT所控制的脉冲产生器514通过与门515而输入D型触发器516而设定刷新标签TAG，此时，写入使能信号EN根据刷新标签而设定为高逻辑位准，对应的非选择区块根据刷新标签TAG而执行刷新动作，并于刷新动作完成后利用归零信号RESET将刷新标签TAG恢复。

在上述实施例所述的适应性刷新装置以及适应性刷新方法中，是通过监测行监测非选择区块所受到的抹除干扰情形，以决定是否需执行刷新的步骤，相较于现有技术于每次进行部分抹除动作时皆须进行非选择区块的刷新，可减少部分抹除所需的时间。此外，本发明还可通过分别监测快闪存储器阵列的多个阵列区域的干扰情形(如第一监测行监测第一阵列区域、第二监测行监测第二阵列区域)，并对不同阵列区域分别执行刷新的步骤，因此可减少每次需刷新的非选择区块，并进一步提升部分抹除的速度。

虽然本发明已以数个较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。例如，上述实施例虽是以二阵列区域及二监测行进行说明，快闪存储器阵列亦可包含多个阵列区域及多个监测行。任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意的更动与润饰。因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定者为准。

Claims (10)

1.一种适应性刷新装置，适用于一快闪存储器阵列，其特征在于，上述快闪存储器阵列包括一第一阵列区域，一第一监测行位于上述第一阵列区域的一侧，上述第一阵列区域包括一选择区块以及多个第一非选择区块，上述第一监测行具有多个第一监测单元，其中上述第一监测单元预先写入一第一逻辑位准，所述适应性刷新装置包括：

一检测单元，检测上述第一监测单元之一者是否由上述第一逻辑位准转换为一第二逻辑位准；

一控制单元，当上述检测单元发现上述第一监测单元之一者为上述第二逻辑位准时，设定一第一刷新标签；以及

一刷新单元，根据上述第一刷新标签，将为上述第二逻辑位准的上述第一监测单元写入上述第一逻辑位准并刷新上述第一非选择区块，且于刷新完成后清除上述第一刷新标签。

2.如权利要求1所述的适应性刷新装置，其特征在于，上述快闪存储器阵列还包括一第二阵列区域以及一第二监测行，上述第二阵列区域包括多个第二非选择区块，上述第二监测行位于上述第二阵列区域的一侧，上述第二监测行具有多个第二监测单元，其中上述第二监测单元预先写入上述第一逻辑位准，其中：

上述检测单元还检测上述第二监测单元之一者是否改变成上述第二逻辑位准，当上述检测单元发现上述第二监测单元之一者改变成上述第二逻辑位准时，上述控制单元设定一第二刷新标签，上述刷新单元根据上述第二刷新标签将为上述第二逻辑位准的上述第二监测单元写入上述第一逻辑位准并刷新上述第二非选择区块，且于刷新结束清除上述第二刷新标签。

3.如权利要求2所述的适应性刷新装置，其特征在于，当控制单元同时设定上述第一刷新标签及上述第二刷新标签时，上述刷新单元仅根据上述第一刷新标签以及上述第二刷新标签之一者动作，并于上述控制单元记录下个周期根据上述第一刷新标签以及上述第二刷新标签的另一者动作。

4.如权利要求2所述的适应性刷新装置，其特征在于，当抹除上述快闪存储器阵列时，上述控制单元通知上述刷新单元将上述第一监测单元以及上述第二监测单元重新写入上述第一逻辑位准。

5.如权利要求1所述的适应性刷新装置，其特征在于，上述第一逻辑位准为一低逻辑位准，上述第二逻辑位准为一高逻辑位准。

6.一种适应性刷新方法，适用于一快闪存储器阵列，其特征在于，上述快闪存储器阵列包括一第一阵列区域，一第一监测行位于上述第一阵列区域的一侧且具有多个第一监测单元，上述第一阵列区域包括一选择区块以及一第一非选择区块，其中上述第一监测单元预先写入一第一逻辑位准，所述适应性刷新方法包括：

检测上述第一监测单元之一者是否改变成一第二逻辑位准；

当上述第一监测单元之一者改变成上述第二逻辑位准时，设定一第一刷新标签；

根据上述第一刷新标签，写入上述第一逻辑位准至为上述第二逻辑位准的上述第一监测单元，并刷新上述第一非选择区块；以及

清除上述第一刷新标签。

7.如权利要求6所述的适应性刷新方法，其特征在于，上述快闪存储器阵列还包括一第二阵列区域以及一第二监测行，上述第二阵列区域包括多个第二非选择区块，上述第二监测行位于上述第二阵列区域的一侧，上述第二监测行具有多个第二监测单元，其中上述第二监测单元预先写入上述第一逻辑位准，该适应性刷新方法还包括：

检测上述第二监测单元之一者是否改变成上述第二逻辑位准；

当上述第二监测单元之一者改变成上述第二逻辑位准时，设定一第二刷新标签；

根据上述第二刷新标签，写入上述第一逻辑位准至为上述第二逻辑位准的上述第二监测单元，并刷新上述第二非选择区块；以及

清除上述第二刷新标签。

8.如权利要求7所述的适应性刷新方法，其特征在于，当需同时刷新上述第一非选择区块以及上述第二非选择区块时，仅刷新上述第一非选择区块以及上述第二非选择区块之一者，并于下个周期刷新上述第一非选择区块以及上述第二非选择区块的另一者。

9.如权利要求7所述的适应性刷新方法，其特征在于，当抹除上述快闪存储器阵列时，将上述第一监测单元以及上述第二监测单元重新写入上述第一逻辑位准。

10.如权利要求6所述的适应性刷新方法，其特征在于，上述第一逻辑位准为一低逻辑位准，上述第二逻辑位准为一高逻辑位准。