CN104808720B - 基于传感器优化主控芯片的方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于传感器优化主控芯片的方法，该方法包括步骤：基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围；当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。本发明还公开了一种基于传感器优化主控芯片的装置。本发明优化了主控芯片的性能，延迟了芯片的使用寿命。

Description

基于传感器优化主控芯片的方法和装置

技术领域

本发明涉及主控芯片的技术领域，尤其涉及一种基于传感器的优化主控芯片的方法和装置。

背景技术

随着芯片设计的集成程度越来越高，线程越来越小，温度对芯片的性能的影响越来越凸显。而且芯片工作时间越久，工作频率越高，其温度也就越高。传统的解决方法是在芯片的外部方案上采取一系列散热措施，使芯片的温度维持在一个相对稳定的状态。但是采用外部散热机制进行温度控制并不适合所有芯片，如Nand Flash主控芯片就不适合采用外部散热机制进行温度控制。

针对此类芯片，目前主要有两种处理方式，都是在芯片设计阶段进行干预，力争在芯片内部去处理散热的问题。对于芯片系统中受温度影响较大的模拟IP的信号进行差分处理，增加对应的差分电路去补偿温度带来的漂移。使用该种方法增大了芯片的面积，而且对芯片中的数字电路部分无法做出处理，一旦芯片的工作温度迅速超过一定的阈值，该方法也无法生效。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种基于传感器优化主控芯片的方法和装置，旨在解决当前主控芯片性能低下，使用寿命短的问题。

为实现上述目的，本发明提供的一种基于传感器优化主控芯片的方法，包括步骤：

基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；

将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围；

当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。

优选地，所述当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内的步骤包括：

当所述芯片内部的温度大于预设的温度范围的上限时，降低对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内；

当所述芯片内部的温度小于预设的温度范围的下限时，升高对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。

优选地，所述将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围的步骤包括：

将所述二进制码传递到第一寄存器中，访问所述第一寄存器，读取所述第一寄存器中的二进制码；

将所读取的二进制码与第二寄存器中预存的二进制码进行对比；

当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围；

当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。

优选地，所述基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码的步骤之前，还包括：

载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。

优选地，所述载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上的步骤之前，还包括：

预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种基于传感器优化主控芯片的装置，该装置包括：

转换模块，用于基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；

判断模块，用于将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围；

更新模块，用于当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。

优选地，所述更新模块包括降低单元和升高单元，

所述降低单元，用于当所述芯片内部的温度大于预设的温度范围的上限时，降低对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内；

所述升高单元，用于当所述芯片内部的温度小于预设的温度范围的下限时，升高对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。

优选地，所述判断模块包括读取单元、对比单元和判断单元，

所述读取单元，用于将所述二进制码传递到第一寄存器中，访问所述第一寄存器，读取所述第一寄存器中的二进制码；

所述对比单元，用于将所读取的二进制码与第二寄存器中预存的二进制码进行对比；

所述判断单元，用于当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围；

所述判断单元，还用于当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。

优选地，所述基于传感器优化主控芯片的装置还包括连接模块，用于载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。

优选地，所述基于传感器优化主控芯片的装置还包括设置模块，用于预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。

本发明通过温度传感器采集芯片内部的温度，当所采集到的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内，由此优化了主控芯片的性能，延长了芯片的使用寿命。

附图说明

图1为本发明基于传感器优化主控芯片的方法的第一实施例的流程示意图；

图2为图1中步骤S20一实施例的细化流程示意图；

图3为图1中步骤S30一实施例的细化流程示意图；

图4为本发明基于传感器优化主控芯片的方法的第二实施例的流程示意图；

图5为本发明基于传感器优化主控芯片的装置的第一实施例的功能模块示意图；

图6为图5中判断模块一实施例的细化功能模块示意图；

图7为图5中更新模块一实施例的细化功能模块示意图；

图8为本发明基于传感器优化主控芯片的装置的第二实施例的功能模块示意图；

图9为没有温度传感器的主控芯片的温度曲线图；

图10为载入温度传感器的主控芯片的温度曲线图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例的主要解决方案是：基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围；当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。通过温度传感器采集芯片内部的温度，当所采集到的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内，优化了主控芯片的性能，延长了芯片的使用寿命。

由于现有的对于Nand Flash主控芯片散热方法都是在芯片的设计阶段进行干预，力争在芯片内部去处理散热问题，使得芯片的面积过大，或牺牲了芯片的工作效能，不能保证各个模拟IP的相关参数保持稳定。

基于上述问题，本发明提供一种基于传感器优化主控芯片的方法。

参照图1，图1为本发明基于传感器优化主控芯片的方法的第一实施例的流程示意图。

在一实施例中，所述基于传感器优化主控芯片的方法包括：

步骤S10，基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；

在本实施例中，执行该方法的主体优选为Nand Flash主控芯片。当Nand Flash主控芯片工作在高速的数据交互阶段时，在一定的范围内，所述芯片的工作温度会随着时间的推移呈现一个正相关的函数，之后稳定在一个较高的温度值附近。在本实施例中，定义Nand Flash主控芯片的工作电压、工作电流和工作频率处于正常值的时候的温度区域为理想温度工作区，当所述芯片的工作电压、工作电流和工作频率处于非正常值的时候的温度区域为非理想温度工作区。Nand Flash主控芯片内部一般有两个工作电压供芯片正常工作，即VCC和VCCQ，它们用内部不同的模块供电。所述VCC的正常值包括但不限于3.3v(±5％)，所述VCCQ的正常值包括但不限于为1.8v(±5％)，如当所述VCC的正常值为3.3v(±5％)时，所述VCCQ的正常值还可以为3.3v(±5％)等；所述工作电流的正常值即工作时的工作电流小于10mA。

具体地，参考图9，图9为没有温度传感器的Nand Flash主控芯片的温度曲线图。

Nand Flash主控芯片中一般都包含数字电路和模拟电路，所述模拟电路又包含有几种，如OSC(oscillator振荡器)、LDO(Low Dropout Regulator低压差线性稳压器)、PAD等，每一个这样的模块称为模拟IP(intellectual property)，在IC设计行业，这个IP为一个独立的设计模块。所述PAD是指芯片的内部逻辑输出和外部的引脚，中间存在的一个模拟的模块，这个模块可以通过配置，实现调节驱动能力，上拉或者下拉电阻等功能。所述温度传感器为4bit输出的传感器，可以采集到-20摄氏度到125摄氏度之间芯片的工作温度，精度是-125-(-20)/16＝9.0625摄氏度。所述温度传感器采集到的是模拟信号，其内部有一个模数转换的装置，可以将所述温度传感器采集到的模拟信号转换为数字信号输出，即转换成二进制码输出。Nand Flash主控芯片中的温度传感器实时采集芯片内部的温度，所采集到的温度是一个模拟信号，通过4bit输出的温度传感器将所采集到温度的模拟信号转换为数字信号输出，如采集到Nand Flash主控芯片内的工作温度34摄氏度，则输出0101。

步骤S20，将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围；

具体地，参考图2，在一实施例中，所述将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围的过程可以包括：

步骤S21，将所述二进制码传递到第一寄存器中，访问所述第一寄存器，读取所述第一寄存器中的二进制码；

步骤S22，将所读取的二进制码与第二寄存器中预存的二进制码进行对比；

步骤S23，当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围；

步骤S24，当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。

Nand Flash主控芯片中的温度传感器将所采集到的温度值转换为二进制之后，会实时传递到Nand Flash主控芯片中的第一寄存器中，Nand Flash主控芯片中的MCU(Microcontroller Unit微控制单元)，又称单片微型计算机或者单片机，会定时地访问所述第一寄存器，去读取所述第一寄存器接收到的二进制码，将所读取的二进制码与所述第二寄存器中预存的二进制码进行对比，当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围；当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。所述第一寄存器为可以接受温度传感器输出的数字信号的寄存器，所述预设的温度范围即Nand Flash主控芯片正常工作时所在的理想温度工作区，如预设温度的范围为A-B，A为下限温度，B为上限温度。如当Nand Flash主控芯片中的第一寄存器接收的二进制码为0110，Nand Flash主控芯片中的MCU读取到0110，将0110与所述第二寄存器预存的二进制码进行对比，判断所读取的二进制码0110是否在A-B温度范围所对应的二进制码区间内，当0110在A-B温度范围所对应的二进制码区间内时，所述Nand Flash主控芯片内部的温度未偏离预设的温度范围；当0110不在A-B温度范围所对应的二进制码区间内时，所述Nand Flash主控芯片内部的温度偏离预设的温度范围。

步骤S30，当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。

具体地，参照图3，在一实施例中，所述当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内的过程可以包括：

步骤S31，当所述芯片内部的温度大于预设的温度范围的上限时，降低对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内；

步骤S32，当所述芯片内部的温度小于预设的温度范围的下限时，升高对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。

Nand Flash主控芯片中的OSC、LDO和PAD等模拟电路的配置是由相对应的寄存器控制的，即每个模拟IP都存在相对应的寄存器，这些寄存器统称为第三寄存器。当NandFlash主控芯片中的温度大于预设的温度范围的上限时，即大于B时，降低对应第三寄存器的数值，进而降低对应的模拟IP的电流和频率等参数；当Nand Flash主控芯片中的温度小于预设的温度范围的下限时，即小于A时，升高对应第三寄存器的数值，进而升高对应的模拟IP的电流和频率等参数。如当Nand Flash主控芯片中的导致所述芯片温度变化的是OSC模块，则调节OSC中的电压、电流和频率等，使Nand Flash主控芯片中的温度往正常的温度范围偏移，即往理想温度工作区域偏移。

如当Nand Flash主控芯片中的温度大于预设的温度范围的上限B时，即NandFlash主控芯片中的温度过高，所述芯片内部的电路的物理特性将会发生变化，特别是OSC，OSC是为芯片内部提供工作的时钟信号，如果Nand Flash主控芯片的温度过高，会导致所述芯片的工作频率不稳定，工作电流大于10mA等，所述芯片会出现时钟偏移现象，即当前NandFlash主控芯片中OSC提供的时钟信号与预设的时钟信号会出现相位差，这时更新OSC对应的第三寄存器的数值，如当Nand Flash主控芯片中的温度大于预设的温度范围的上限B时，得到所述OSC对应的第三寄存器的数值为1101，则将所述OSC对应的第三寄存器的数值降低为0111或其他在理想温度工作区域所对应的二进制码，这时，Nand Flash主控芯片会根据当时各个模拟IP的情况而自动选择将温度下降到那个温度区间内，即调节Nand Flash主控芯片中OSC对应的模拟IP中频率和电流等参数，使其工作频率趋于稳定，工作电流小于10mA等，使Nand Flash主控芯片的温度下降到理想温度工作区域内，即使Nand Flash主控芯片的温度向系统正常温度范围偏移。如导致所述Nand Flash主控芯片温度大于预设的温度范围的上限是由VCC模块和/或VCCQ模块引起的，如在本实施例中，所述VCC的正常值为3.3v(±5％)，所述VCCQ的正常值为1.8v(±5％)，当所述VCC模块的电压超过3.3v(±5％)和/或所述VCCQ模块的电压超过1.8v(±5％)时，降低所述VCC和/或VCCQ的电压值，使VCC和/或VCCQ的电压值达到正常范围，使Nand Flash主控芯片的温度向系统正常温度范围偏移，即往理想温度工作区域偏移。当Nand Flash主控芯片中特定寄存器中的温度小于预设的温度范围的下限A时，升高对应的第三寄存器的数值以调节对应的模拟IP的配置参数，使NandFlash主控芯片中温度上升到预设范围内。如当Nand Flash主控芯片中第一寄存器中的温度小于预设的温度范围A时，即Nand Flash主控芯片中的温度过低，所述芯片内部的电路的物理特性将会发生变化，特别是OSC，OSC是为芯片内部提供工作的时钟信号，如果NandFlash主控芯片的温度过低，会导致所述芯片的工作频率不稳定，所述芯片会出现时钟偏移现象，即当前Nand Flash主控芯片中OSC提供的时钟信号与预设的时钟信号会出现相位差，这时升高对应的第三寄存器的数值以调节对应的模拟IP的配置参数，如当前OSC对应的第三寄存器的数值为0001，则将所述OSC对应的第三寄存器的数值升高为0110或其他在理想温度工作区域所对应的二进制码，这时，Nand Flash主控芯片会根据当时各个模拟IP的情况而自动选择将温度下降到那个温度区间内，即调节Nand Flash主控芯片中OSC对应的模拟IP中频率和电流等，使其频率升高，使所述工作频率趋于稳定等，使Nand Flash主控芯片的温度上升到预设的温度范围内，即使Nand Flash主控芯片的温度向系统正常温度范围偏移，即往理想温度工作区域偏移。

具体地，参考图10，图10为载入温度传感器的Nand Flash主控芯片的温度曲线图。

本实施例通过温度传感器采集芯片内部的温度，当所采集到的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内，使芯片面积不至于过大，节省成本，优化了Nand Flash主控芯片内部的工作电压和工作电流的稳定性，同时也确保Nand Flash主控芯片内部的工作频率可控，使时钟偏移现象基本消失。

参照图4，图4为本发明基于传感器优化Nand Flash主控芯片的方法的第二实施例的流程示意图。基于上述方法的第一实施例，所述步骤S10之前，还包括：

步骤S01，载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。

在Nand Flash主控芯片载入一个温度传感器，优选地，所述温度传感器输出的信号可以4bit，也可以是其他的，根据需要进行选择。所述4bit输出的温度传感器的输出端(内部的信号通路)连接到Nand Flash主控芯片中的第一寄存器上。

进一步地，所述步骤S01之前，还包括：

步骤S001，预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。

预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。如当所需检测的温度范围为15摄氏度到125摄氏度，则将其分为16个温度区间，如15摄氏度到21摄氏度为第一个温度区间，对应的二进制码为0000；22摄氏度到38摄氏度为第二个温度区间，所对应的二进制码为0001；29摄氏度到35摄氏度为第三个温度区间，所对应的二进制码为0010；按照这种规律，每个温度区间间隔6摄氏度，相应的二进制码加1，一直到120摄氏度到125摄氏度，为最后一个温度区间，所对应的二进制码为1111。将Nand Flash主控芯片工作温度在50摄氏度到105摄氏度设置为预设的温度范围，即为理想的工作区域，即二进制码为0101、0110、0111、1000、1001、1010、1011和1100所对应的工作状态为理想的工作状态。

本实施例通过将温度传感器的输出端连接到第一寄存器上，通过温度传感器优化了Nand Flash主控芯片的性能，延迟了芯片的使用寿命。

本发明进一步提供一种基于传感器优化主控芯片的装置。

参照图5，图5为本发明基于传感器优化主控芯片的装置的第一实施例的功能模块示意图。

在一实施例中，所述装置包括：转换模块10、判断模块20及更新模块30。

所述转换模块10，用于基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；

在本实施例中，执行该方法的主体优选为Nand Flash主控芯片。当Nand Flash主控芯片工作在高速的数据交互阶段时，在一定的范围内，所述芯片的工作温度会随着时间的推移呈现一个正相关的函数，之后稳定在一个较高的温度值附近。在本实施例中，定义Nand Flash主控芯片的工作电压、工作电流和工作频率处于正常值的时候的温度区域为理想温度工作区，当所述芯片的工作电压、工作电流和工作频率处于非正常值的时候的温度区域为非理想温度工作区。Nand Flash主控芯片内部一般有两个工作电压供芯片正常工作，即VCC和VCCQ，它们用内部不同的模块供电。所述VCC的正常值包括但不限于3.3v(±5％)，所述VCCQ的正常值包括但不限于为1.8v(±5％)，如当所述VCC的正常值为3.3v(±5％)时，所述VCCQ的正常值还可以为3.3v(±5％)等；所述工作电流的正常值即工作时的工作电流小于10mA。

具体地，参考图9，图9为没有温度传感器的Nand Flash主控芯片的温度曲线图。

Nand Flash主控芯片中一般都包含数字电路和模拟电路，所述模拟电路又包含有几种，如OSC(oscillator振荡器)、LDO(Low Dropout Regulator低压差线性稳压器)、PAD等，每一个这样的模块称为模拟IP(intellectual property)，在IC设计行业，这个IP为一个独立的设计模块。所述PAD是指芯片的内部逻辑输出和外部的引脚，中间存在的一个模拟的模块，这个模块可以通过配置，实现调节驱动能力，上拉或者下拉电阻等功能。所述温度传感器为4bit输出的传感器，可以采集到-20摄氏度到125摄氏度之间芯片的工作温度，精度是-125-(-20)/16＝9.0625摄氏度。所述温度传感器采集到的是模拟信号，其内部有一个模数转换的装置，可以将所述温度传感器采集到的模拟信号转换为数字信号输出，即转换成二进制码输出。Nand Flash主控芯片中的温度传感器实时采集芯片内部的温度，所采集到的温度是一个模拟信号，通过4bit输出的温度传感器将所采集到温度的模拟信号转换为数字信号输出，如采集到Nand Flash主控芯片内的工作温度34摄氏度，则输出0101。

所述判断模块20，用于将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围；

具体地，参考6，图6为图5中判断模块一实施例的细化功能模块示意图；所述判断模块20包括读取单元21、对比单元22和判断单元23，

所述读取单元21，用于将所述二进制码传递到第一寄存器中，访问所述第一寄存器，读取所述第一寄存器中的二进制码；

所述对比单元22，用于将所读取的二进制码与第二寄存器中预存的二进制码进行对比；

所述判断单元23，用于当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围；

还用于当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。

Nand Flash主控芯片中的温度传感器将所采集到的温度值转换为二进制之后，会实时传递到Nand Flash主控芯片中的第一寄存器中，Nand Flash主控芯片中的MCU(Microcontroller Unit微控制单元)，又称单片微型计算机或者单片机，会定时地访问所述第一寄存器，去读取所述第一寄存器接收到的二进制码，将所读取的二进制码与所述第二寄存器中预存的二进制码进行对比，当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围；当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。所述第一寄存器为可以接受温度传感器输出的数字信号的寄存器，所述预设的温度范围即Nand Flash主控芯片正常工作时所在的理想温度工作区，如预设温度的范围为A-B，A为下限温度，B为上限温度。如当Nand Flash主控芯片中的第一寄存器接收的二进制码为0110，Nand Flash主控芯片中的MCU读取到0110，将0110与所述第二寄存器预存的二进制码进行对比，判断所读取的二进制码0110是否在A-B温度范围所对应的二进制码区间内，当0110在A-B温度范围所对应的二进制码区间内时，所述Nand Flash主控芯片内部的温度未偏离预设的温度范围；当0110不在A-B温度范围所对应的二进制码区间内时，所述Nand Flash主控芯片内部的温度偏离预设的温度范围。

所述更新模块30，用于当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。

具体地，参考7，图7为图5中更新模块一实施例的细化功能模块示意图；所述更新模块30包括降低单元31和升高单元32，

所述降低单元31，用于当所述芯片内部的温度大于预设的温度范围的上限时，降低对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内

所述升高单元32，用于当所述芯片内部的温度小于预设的温度范围的下限时，升高对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。

Nand Flash主控芯片中的OSC、LDO和PAD等模拟电路的配置是由相对应的寄存器控制的，即每个模拟IP都存在相对应的寄存器，这些寄存器统称为第三寄存器。当NandFlash主控芯片中的温度大于预设的温度范围的上限时，即大于B时，降低对应第三寄存器的数值，进而降低对应的模拟IP的电流和频率等参数；当Nand Flash主控芯片中的温度小于预设的温度范围的下限时，即小于A时，升高对应第三寄存器的数值，进而升高对应的模拟IP的电流和频率等参数。如当Nand Flash主控芯片中的导致所述芯片温度变化的是OSC模块，则调节OSC中的电压、电流和频率等，使Nand Flash主控芯片中的温度往正常的温度范围偏移，即往理想温度工作区域偏移。

如当Nand Flash主控芯片中的温度大于预设的温度范围的上限B时，即NandFlash主控芯片中的温度过高，所述芯片内部的电路的物理特性将会发生变化，特别是OSC，OSC是为芯片内部提供工作的时钟信号，如果Nand Flash主控芯片的温度过高，会导致所述芯片的工作频率不稳定，工作电流大于10mA等，所述芯片会出现时钟偏移现象，即当前NandFlash主控芯片中OSC提供的时钟信号与预设的时钟信号会出现相位差，这时更新OSC对应的第三寄存器的数值，如当Nand Flash主控芯片中的温度大于预设的温度范围的上限B时，得到所述OSC对应的第三寄存器的数值为1101，则将所述OSC对应的第三寄存器的数值降低为0111或其他在理想温度工作区域所对应的二进制码，这时，Nand Flash主控芯片会根据当时各个模拟IP的情况而自动选择将温度下降到那个温度区间内，即调节Nand Flash主控芯片中OSC对应的模拟IP中频率和电流等参数，使其工作频率趋于稳定，工作电流小于10mA等，使Nand Flash主控芯片的温度下降到理想温度工作区域内，即使Nand Flash主控芯片的温度向系统正常温度范围偏移。如导致所述Nand Flash主控芯片温度大于预设的温度范围的上限是由VCC模块和/或VCCQ模块引起的，如在本实施例中，所述VCC的正常值为3.3v(±5％)，所述VCCQ的正常值为1.8v(±5％)，当所述VCC模块的电压超过3.3v(±5％)和/或所述VCCQ模块的电压超过1.8v(±5％)时，降低所述VCC和/或VCCQ的电压值，使VCC和/或VCCQ的电压值达到正常范围，使Nand Flash主控芯片的温度向系统正常温度范围偏移，即往理想温度工作区域偏移。当Nand Flash主控芯片中特定寄存器中的温度小于预设的温度范围的下限A时，升高对应的第三寄存器的数值以调节对应的模拟IP的配置参数，使NandFlash主控芯片中温度上升到预设范围内。如当Nand Flash主控芯片中第一寄存器中的温度小于预设的温度范围A时，即Nand Flash主控芯片中的温度过低，所述芯片内部的电路的物理特性将会发生变化，特别是OSC，OSC是为芯片内部提供工作的时钟信号，如果NandFlash主控芯片的温度过低，会导致所述芯片的工作频率不稳定，所述芯片会出现时钟偏移现象，即当前Nand Flash主控芯片中OSC提供的时钟信号与预设的时钟信号会出现相位差，这时升高对应的第三寄存器的数值以调节对应的模拟IP的配置参数，如当前OSC对应的第三寄存器的数值为0001，则将所述OSC对应的第三寄存器的数值升高为0110或其他在理想温度工作区域所对应的二进制码，这时，Nand Flash主控芯片会根据当时各个模拟IP的情况而自动选择将温度下降到那个温度区间内，即调节Nand Flash主控芯片中OSC对应的模拟IP中频率和电流等，使其频率升高，使所述工作频率趋于稳定等，使Nand Flash主控芯片的温度上升到预设的温度范围内，即使Nand Flash主控芯片的温度向系统正常温度范围偏移，即往理想温度工作区域偏移。

具体地，参考图10，图10为载入温度传感器的Nand Flash主控芯片的温度曲线图。

本实施例通过温度传感器采集芯片内部的温度，当所采集到的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内，使芯片面积不至于过大，节省成本，优化了Nand Flash主控芯片内部的工作电压和工作电流的稳定性，同时也确保Nand Flash主控芯片内部的工作频率可控，使时钟偏移现象基本消失。

参照图8，图8本发明基于传感器优化主控芯片的装置的第二实施例的功能模块示意图。所述基于传感器优化主控芯片的装置还包括连接模块40和设置模块50。

所述连接模块40，用于载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。

在Nand Flash主控芯片载入一个温度传感器，优选地，所述温度传感器输出的信号可以4bit，也可以是其他的，根据需要进行选择。所述4bit输出的温度传感器的输出端(内部的信号通路)连接到Nand Flash主控芯片中的第一寄存器上。

所述设置模块50，用于预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。

预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。如当所需检测的温度范围为15摄氏度到125摄氏度，则将其分为16个温度区间，如15摄氏度到21摄氏度为第一个温度区间，对应的二进制码为0000；22摄氏度到38摄氏度为第二个温度区间，所对应的二进制码为0001；29摄氏度到35摄氏度为第三个温度区间，所对应的二进制码为0010；按照这种规律，每个温度区间间隔6摄氏度，相应的二进制码加1，一直到120摄氏度到125摄氏度，为最后一个温度区间，所对应的二进制码为1111。将Nand Flash主控芯片工作温度在50摄氏度到205摄氏度设置为预设的温度范围，即为理想的工作区域，即二进制码为0101、0110、0111、1000、1001、1010、1011和1100所对应的工作状态为理想的工作状态。

本实施例通过将温度传感器的输出端连接到第一寄存器上，通过温度传感器优化了Nand Flash主控芯片的性能，延迟了芯片的使用寿命。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种基于传感器优化主控芯片的方法，其特征在于，所述基于传感器优化主控芯片的方法包括以下步骤：

基于具备模数转换功能的温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码，其中，所述芯片为Nand Flash主控芯片；

将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围，其中，所述第一寄存器为接收所述温度传感器输出的数字信号的寄存器；

当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内，其中，所述芯片内部的每一模拟IP分别对应着一个第三寄存器；

所述当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内的步骤包括：

当所述芯片内部的温度大于预设的温度范围的上限时，降低对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内；

当所述芯片内部的温度小于预设的温度范围的下限时，升高对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。

2.如权利要求1所述的基于传感器优化主控芯片的方法，其特征在于，所述将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围的步骤包括：

将所述二进制码传递到第一寄存器中，访问所述第一寄存器，读取所述第一寄存器中的二进制码；

将所读取的二进制码与第二寄存器中预存的二进制码进行对比；

当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围；

当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。

3.如权利要求1或2所述的基于传感器优化主控芯片的方法，其特征在于，所述基于具备模数转换功能的温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码的步骤之前，还包括：

载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。

4.如权利要求3所述的基于传感器优化主控芯片的方法，其特征在于，所述载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上的步骤之前，还包括：

预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。

5.一种基于传感器优化主控芯片的装置，其特征在于，所述基于传感器优化主控芯片的装置包括：

转换模块，用于基于具备模数转换功能的温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码，其中，所述芯片为Nand Flash主控芯片；

判断模块，用于将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围，其中，所述第一寄存器为接收所述温度传感器输出的数字信号的寄存器；

更新模块，用于当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内，其中，所述芯片内部的每一模拟IP分别对应着一个第三寄存器；

所述更新模块包括降低单元和升高单元，

所述降低单元，用于当所述芯片内部的温度大于预设的温度范围 的上限时，降低对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内；

所述升高单元，用于当所述芯片内部的温度小于预设的温度范围的下限时，升高对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。

6.如权利要求5所述的基于传感器优化主控芯片的装置，其特征在于，所述判断模块包括读取单元、对比单元和判断单元，

所述读取单元，用于将所述二进制码传递到第一寄存器中，访问所述第一寄存器，读取所述第一寄存器中的二进制码；

所述对比单元，用于将所读取的二进制码与第二寄存器中预存的二进制码进行对比；

所述判断单元，用于当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围；

所述判断单元，还用于当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。

7.如权利要求5或6所述的基于传感器优化主控芯片的装置，其特征在于，所述基于传感器优化主控芯片的装置还包括连接模块，用于载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。

8.如权利要求7所述的基于传感器优化主控芯片的装置，其特征在于，所述基于传感器优化主控芯片的装置还包括设置模块，用于预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。