CN104808433B - 相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法 - Google Patents

相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，包括：在对通孔执行光学临近修正之前结合上下层金属线判断相邻两个通孔间的电位关系，并且在相邻两个通孔是同电位关系的情况下将所述相邻两个通孔合并以形成合并通孔；随后再对通孔进行光学临近修正。其中，在所述相邻两个通孔与同一个下层金属线并且所述相邻两个通孔分别与两个不同上层金属线相连的情况下，判断所述相邻两个通孔是同电位关系。

Description

相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种相邻两个同电位通孔的OPC修正(Optical Proximity Correction，光学临近修正)方法。
背景技术
通孔用于连接上下层金属线，现有光刻工艺条件下，通孔的光刻工艺窗口常常比金属线的光刻工艺窗口小很多。通孔的光刻工艺窗口已经成为影响产品良率的重要因素。OPC常规的通孔修正一般是先将所有的通孔进行整体放大，再用OPC模型对整体放大后的通孔进行修正。
随着集成电路技术节点越来越小，通孔的整体放大尺寸很难控制。通孔的整体放大不足，孤立通孔的光刻工艺窗口会非常小。通孔的整体放大过大，虽然孤立通孔的光刻工艺窗口会增大，但是不同电位通孔合并的风险也增大；受干法刻蚀、湿法刻蚀、化学机械研磨等工艺的影响，通孔与上层金属线的接触面积比通孔与下层金属线的接触面积大得多，相邻上层金属线发生短路的风险也会增大。因此，常规的OPC修正方法很难确定整体放大的尺寸，对于一些比较典型的通孔，比如相邻两个同电位通孔可以采用特殊的方法进行预处理。
中国专利(公开号：101430500)公开了一种形成辅助通孔的OPC修正方法，通过在两层金属线之间的孤立通孔附近一定范围内寻找其他通孔、金属线，在附近一定范围没有通孔、金属线的孤立通孔附近形成辅助通孔，然后将该辅助通孔向四周扩展一个尺寸增加值，再将该辅助通孔向原始通孔方向扩展与原始通孔相接，并与其下层金属线重叠,最后在改进的金属线和通孔布图上进行常规的OPC修正。但是该发明仍然未能解决相邻两个同电位通孔光刻工艺窗口小的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，其能够结合上下层金属线判断两个通孔间的电位关系；其中，如果相邻两个通孔是同电位关系，且两个通孔与同一个下层金属线和不同上层金属线相连，则把两个通孔合并，增大两个同电位通孔的光刻工艺窗口。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，包括：在对通孔执行光学临近修正之前结合上下层金属线判断相邻两个通孔间的电位关系，并且在相邻两个通孔是同电位关系的情况下将所述相邻两个通孔合并以形成合并通孔；随后再对通孔进行光学临近修正。
优选地，在相邻两个通孔不是同电位关系的情况下，不将所述相邻两个通孔合并。
优选地，在所述相邻两个通孔与同一个下层金属线并且所述相邻两个通孔分别与两个不同上层金属线相连的情况下，判断所述相邻两个通孔是同电位关系。
优选地，所述两个不同上层金属线是相邻的两个上层金属线。
优选地，所述上层金属线和所述下层金属线是与通孔层连接的相邻两层金属线。
优选地，所述相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法用于提高光刻工艺中的同电位通孔的光刻工艺窗口。
优选地，所述相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法用于提高电路的响应频率。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了相邻两个同电位通孔满足同电位关系的示例的俯视图。
图2示意性地示出了相邻两个同电位通孔满足同电位关系的示例的截面图。
图3示意性地示出了相邻两个同电位通孔进行同电位通孔相连的示例的俯视图。
图4示意性地示出了相邻两个同电位通孔进行同电位通孔相连的示例的截面图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
利用光学临近修正在对通孔进行修正时，首先结合上下层金属线判断两个通孔间的电位关系。下图中L2代表下层金属线，L11、L12和L13分别代表第一上层金属线、第二上层金属线和第三上层金属线，L01和L02代表第一通孔和第二通孔。
优选地，所述上层金属线和所述下层金属线是与通孔层连接的相邻两层金属线。
如果两个通孔(第一通孔L01和第二通孔L02)与同一个下层金属线L2和不同上层金属线(例如，图1和图2所示的彼此相邻的第二上层金属线L12和第三上层金属线L13)相连，即相邻的两个通孔满足同电位关系，如图1和图2所示。
满足同电位关系的两个通孔本身就电位相同，所以两个同电位通孔连接不会造成电路的短路，而且两个同电位通孔连在一起，会降低电路中的电阻，提高电路的响应频率。因此，如果相邻两个通孔是同电位关系，且两个通孔与同一个下层金属线和不同上层金属线相连，则把两个通孔合并以形成合并通孔L012，图3示出了两个通孔连在一起后的俯视图，如图4示出了两个通孔连在一起后的侧视图。
而且，在相邻两个通孔不是同电位关系的情况下，不将所述相邻两个通孔合并。
在进行上述处理之后再对预处理过的通孔进行常规的OPC修正。
由此，本发明提出结合上下层金属线判断两个通孔间的电位关系，如果相邻两个通孔是同电位关系，且两个通孔与同一个下层金属线和不同上层金属线相连，则把两个通孔合并，由此本发明可以最大限度增大两个同电位通孔的光刻工艺窗口。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (7)

1.一种相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，其特征在于包括：在对通孔执行光学临近修正之前根据所述相邻两个通孔与同一个下层金属线且分别与两个不同上层金属线相连来判断所述相邻两个通孔是同电位关系，并且在相邻两个通孔是同电位关系的情况下将所述相邻两个通孔合并以形成合并通孔；随后再对通孔进行光学临近修正。
2.根据权利要求1所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，其特征在于，其中在相邻两个通孔不是同电位关系的情况下，不将所述相邻两个通孔合并。
3.根据权利要求1所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，其特征在于，所述两个不同上层金属线是相邻的两个上层金属线。
4.根据权利要求1或2所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，其特征在于，所述上层金属线和所述下层金属线是与通孔层连接的相邻两层金属线。
5.根据权利要求1或2所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，其特征在于，所述相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法用于提高光刻工艺中的同电位通孔的光刻工艺窗口。
6.根据权利要求1或2所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，其特征在于，所述相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法用于提高电路的响应频率。
7.根据权利要求1或2所述的相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，其特征在于，所述相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法用于制造集成电路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111025841B (zh) * 2019-12-30 2023-07-25 上海集成电路研发中心有限公司 一种优化金属线光学邻近修正工艺窗口的方法
CN111564409A (zh) * 2020-05-18 2020-08-21 南京诚芯集成电路技术研究院有限公司 一种先进节点后段金属通孔的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101140920A (zh) * 2006-09-06 2008-03-12 上海华虹Nec电子有限公司 用于实现上下层金属互联的电路结构
CN101419634A (zh) * 2007-10-24 2009-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法
CN103869599A (zh) * 2014-03-24 2014-06-18 上海华力微电子有限公司 针对通孔的光学临近修正方法
CN104090467A (zh) * 2014-07-11 2014-10-08 上海华力微电子有限公司 Opc修正方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008076505A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Nec Electronics Corp マスク設計方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法、ならびにマスク設計システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101140920A (zh) * 2006-09-06 2008-03-12 上海华虹Nec电子有限公司 用于实现上下层金属互联的电路结构
CN101419634A (zh) * 2007-10-24 2009-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法
CN103869599A (zh) * 2014-03-24 2014-06-18 上海华力微电子有限公司 针对通孔的光学临近修正方法
CN104090467A (zh) * 2014-07-11 2014-10-08 上海华力微电子有限公司 Opc修正方法

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