CN104805415B - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents

基板处理方法和基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104805415B
CN104805415B CN201510043626.5A CN201510043626A CN104805415B CN 104805415 B CN104805415 B CN 104805415B CN 201510043626 A CN201510043626 A CN 201510043626A CN 104805415 B CN104805415 B CN 104805415B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
processing gas
supply part
turntable
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510043626.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104805415A (zh
Inventor
羽根秀臣
梅原隆人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN104805415A publication Critical patent/CN104805415A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104805415B publication Critical patent/CN104805415B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器和旋转台，该旋转台以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部。在该基板处理方法中，将基板载置于所述基板载置部，向所述处理容器内供给处理气体而对所载置的所述基板进行处理。在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下向所述处理容器内至少供给水蒸气，并输出所述基板载置部上的所述基板。

Description

基板处理方法和基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
近年来，作为实施原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法等的成膜装置，正在推进所谓的旋转台式的成膜装置的研究开发。该成膜装置在真空容器内具有旋转台，该旋转台用于以能够旋转的方式载置多张作为被处理体的半导体晶圆(以下，称作晶圆)。而且，具有被划分于该旋转台的上方的反应气体A的供给区域、反应气体B的供给区域以及分离这些供给区域的分离区域。
当利用所述成膜装置反复进行基板处理工序时，来源于反应气体的反应生成物会累积地附着于处理容器的内壁、基板保持件等而形成累积膜(堆积膜)。若累积膜的膜厚超过规定的厚度，则在成膜时由累积膜产生的气体发生有时反应而在晶圆上附着不期望的物质。另外，会因累积膜的破裂或剥落而产生微粒，从而有时将晶圆等污染。
因此，在日本特开2008－283148号公报中记载有如下一种方法：当累积膜的膜厚超过规定的厚度之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器的内壁、基板保持件等的反应生成物去除。
然而，当累积膜的膜厚变大时，因附着于处理容器的内壁的累积膜的膜的剥落而产生微粒。特别是，与在晶圆上形成有氮化硅膜等氮化物系的膜的情况相比，在晶圆上形成有氧化硅膜等氧化物系的膜的情况下，容易产生微粒。因此，与氮化物系的膜的情况相比，需要频繁地实施清洁处理，从而缩短了能够分配给成膜处理的时间。其结果，存在如下问题：表示基板处理装置的预防性维护的周期的PM(Preventive Maintenance)周期变短，还使基板处理装置的停机时间增加。
发明内容
针对所述问题，本发明的一实施方式提供一种能够抑制产生微粒的基板处理方法。
采用本发明的一技术方案，提供一种基板处理方法，在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器和旋转台，该旋转台以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部。在该基板处理方法中，向所述基板载置部输入基板，向所述处理容器内供给处理气体而对所输入的所述基板进行处理。在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下，向所述处理容器内至少供给水蒸气，并输出所述基板载置部上的所述基板。
采用本发明的另一技术方案，提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部；输送臂，其能够将基板输入至该旋转台的所述基板载置部；第1处理气体供给部件，其用于向所述基板的表面供给第1处理气体；第2处理气体供给部件，其用于向所述基板的表面供给第2处理气体；以及分离气体供给部件。分离供给部件设于所述旋转台的旋转方向上的、所述第1处理气体供给部件与所述第2处理气体供给部件之间和所述第2处理气体供给部件与所述第1处理气体供给部件之间，该分离气体供给部件用于供给使所述第1处理气体和所述第2处理气体分离的分离气体。基板处理装置还包括：氧气供给部件，其用于向所述旋转台的表面供给氧气；氢气供给部件，其用于向所述旋转台的表面供给氢气；以及控制部。控制部用于至少对所述旋转台、所述输送臂、所述第1处理气体供给部件、所述第2处理气体供给部件、所述氧气供给部件以及所述氢气供给部件的工作进行控制。另外，所述控制部对如下工作进行控制：使用所述输送臂将基板输入到所述基板载置部；通过自所述第1处理气体供给部件和所述第2处理气体供给部件向所述处理容器内供给供给处理气体来对所输入的所述基板进行处理；在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下自所述氧气供给部件和所述氢气供给部件向所述处理容器内至少供给水蒸气；以及利用所述输送臂自所述基板载置部输出所述基板。
采用本发明的又一技术方案，提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部；输送臂，其能够将基板输入至该旋转台的所述基板载置部。在该基板处理装置中设有：第1处理气体供给部件，其用于向所述基板的表面供给第1处理气体；以及第2处理气体供给部件，其用于向所述基板的表面供给第2处理气体。分离气体供给部件，其设于所述旋转台的旋转方向上的、所述第1处理气体供给部件与所述第2处理气体供给部件之间和所述第2处理气体供给部件与所述第1处理气体供给部件之间，该分离气体供给部件用于供给使所述第1处理气体和所述第2处理气体分离的分离气体。基板处理装置包括：贮水槽，其用于贮存水，该贮水槽以能够加热所述水的方式构成；导入管，其用于将所述贮水槽和所述基板处理装置连接起来且在该导入管上设有流量调整阀；以及控制部。控制部用于至少对所述旋转台、所述输送臂、所述第1处理气体供给部件、所述第2处理气体供给部件、以及所述贮水槽的加热的工作进行控制。所述控制部对如下工作进行控制：使用所述输送臂将基板载置于所述基板载置部；通过自所述第1处理气体供给部件和所述第2处理气体供给部件向所述处理容器内供给处理气体来对所输入的所述基板进行处理；在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下通过所述贮水槽的加热来向所述处理容器内至少供给水蒸气、以及利用所述输送臂自所述基板载置部输出所述基板。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的基板处理装置的一个例子的概略纵剖视图。
图2是本发明的一实施方式的基板处理装置的一个例子的概略俯视图。
图3是本发明的一实施方式的基板处理装置的另一个例子的概略俯视图。
图4是本发明的一实施方式的基板处理装置的沿着旋转台的同心圆剖切而得到的剖视图。
图5是本发明的一实施方式的基板处理方法的一个例子的流程图。
图6是用于说明本发明的一实施方式的基板处理方法的效果的一个例子的概略图。
具体实施方式
以下，参照附图，说明适合于实施本实施方式的基板处理方法的基板处理装置。
如所述那样，与在晶圆上形成有氮化硅膜等氮化物系的膜的情况相比，在晶圆上形成有氧化硅膜等氧化物系的膜的情况下，容易产生微粒。因此，在本实施方式中，说明基板处理装置的结构例和使用该基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置在真空容器内具有旋转台，该旋转台以能够旋转的方式载置有多张晶圆，该基板处理装置在所载置的晶圆上作为一个例子能够形成氧化硅膜等氧化膜，但本发明并不限定于该点。
基板处理装置的结构
图1是表示本实施方式的基板处理装置的一个例子的概略纵剖视图。另外，图2是表示本实施方式的基板处理装置的一个例子的概略俯视图。而且，在图2中，为了便于说明，省略画出顶板11。
如图1所示，本实施方式的基板处理装置包括：真空容器1(以后，称作处理容器1)，其俯视形状为大致圆形；和旋转台2，其设置在该处理容器1内，该旋转台2在处理容器1的中心处具有旋转中心并用于使晶圆W公转。
处理容器1包括：顶板(顶部)11，其设于与旋转台2的后述的凹部24相对的位置；和容器主体12。另外，在容器主体12的上表面的周缘部设有密封构件13，该密封构件13呈环状设置。并且，顶板11构成为能够相对于容器主体12进行装卸。俯视时的处理容器1的直径尺寸(内径尺寸)并没有限定，例如能够为1100mm左右。
在处理容器1内的上表面侧的中央部连接有用于供给分离气体的分离气体供给管51，以抑制互不相同的处理气体彼此在处理容器1内的中心部区域C中发生混合。
旋转台2通过其中心部被固定于大致圆筒状的芯部21，旋转台2构成为：旋转台2利用驱动部23相对于旋转轴22绕铅垂轴线、在图2所示的例子中向顺时针方向自由旋转，该旋转轴22与该芯部21的下表面连接且在铅垂方向上延伸。旋转台2的直径尺寸并没有限定，例如能够为1000mm左右。
旋转轴22和驱动部23收纳于壳体20，该壳体20的上表面侧的凸缘部分气密地安装于处理容器1的底面部14的下表面。另外，在该壳体20连接有吹扫气体供给管72，该吹扫气体供给管72用于向旋转台2的下方区域供给作为吹扫气体(分离气体)的氮气等。
处理容器1的底面部14中的靠芯部21的外周侧的部位以从下方侧接近旋转台2的方式形成为环状而构成突出部12a。
在旋转台2的表面部形成有用于载置直径尺寸是例如300mm的晶圆W的圆形状的凹部24作为基板载置区域。该凹部24沿着旋转台2的旋转方向设置在多处、例如五处。凹部24具有比晶圆W的直径稍大具体地说大1mm～4mm左右的内径。另外，凹部24的深度构成为：与晶圆W的厚度大致相等，或者比晶圆W的厚度大。因而，若将晶圆W收纳于凹部24，则晶圆W的表面与旋转台2的未载置有晶圆W的区域的表面成为相同的高度，或者晶圆W的表面比旋转台2的表面低。另外，即使在凹部24的深度比晶圆W的厚度深的情况下，若过深，则也会对成膜带来影响，因此优选凹部24的深度为晶圆W的厚度的3倍左右的深度。另外，在凹部24的底面形成有供例如后述的三根升降销贯穿的未图示的通孔，该升降销用于从下方侧顶起晶圆W以使晶圆W升降。
如图2所示，在与旋转台2的凹部24的通过区域相对的位置配置有由例如石英构成的多个喷嘴。在图2所示的例子中，构成为具有用于在晶圆W上形成氧化硅膜的、例如4个喷嘴31、32、41、42和用于抑制在处理容器1内产生微粒的、例如两个喷嘴35、36。此外，后面叙述理由，在图2所示的例子中，喷嘴32是兼用作喷嘴36的结构。
这些各个喷嘴31、32、35、36、41、42配置在旋转台2与顶板11之间。另外，这些各个喷嘴31、32、35、36、41、42例如以从真空容器1的外周壁朝向中心部区域C并与晶圆W相对地水平延伸的方式安装。此外，各喷嘴31、32、35、36、41、42经由流量调整阀与未图示的各个气体供给源相连接。
对于成膜用的喷嘴31、32、41、42，在图2所示的例子中，自后述的输送口15沿顺时针方向(旋转台2的旋转方向)按照分离气体喷嘴41、第1处理气体喷嘴31、分离气体喷嘴42以及第2处理气体喷嘴32的顺序配置有分离气体喷嘴41、第1处理气体喷嘴31、分离气体喷嘴42以及第2处理气体喷嘴32。
另外，用于抑制微粒的第3处理气体喷嘴35、第4处理气体喷嘴36配置于第2处理气体喷嘴32的附近。在图2所示的例子中，第2处理气体喷嘴32具有兼用作第4处理气体喷嘴36的结构，第3处理气体喷嘴35配置在比第2处理气体喷嘴32靠旋转台2的旋转方向上游侧的位置。
第1处理气体喷嘴31构成第1处理气体供给部。作为第1处理气体，在要例如在晶圆W上形成硅氧化膜的情况下，能够使用3DMAS[三(二甲基氨基)硅烷]气体、DIPAS[二异丙基氨基硅烷]、BTBAS[双叔丁基氨基硅烷]、DCS[二氯硅烷]、以及HCD[六氯乙硅烷]等含硅气体。
第2处理气体喷嘴32构成第2处理气体供给部。第2处理气体喷嘴通常配置于第2处理区域P2内的靠旋转方向上游侧的位置。作为第2处理气体，在要例如在晶圆W上形成硅氧化膜的情况下，能够使用氧气(O2)、臭氧气体(O3)等含氧气体。此外，如后述那样，微粒产生用的喷嘴36是用于供给例如氧气的喷嘴。因此，第2处理气体喷嘴32也可以是兼用作微粒产生用的第4处理气体喷嘴36的结构(参照图2)。
分离气体喷嘴41、42构成用于防止第1处理气体和第2处理气体发生混合的分离气体供给部。作为分离气体，能够使用例如N2气体、稀有气体等非活性气体。
第3处理气体喷嘴35和第4处理气体喷嘴36分别构成第3处理气体供给部和第4处理气体供给部。作为第3处理气体，能够使用氢气(H2)，作为第4处理气体，能够使用氧气(O2)、臭氧(O3)。此外，在后述的本实施方式的基板处理方法中，通过使第3处理气体和第4处理气体反应来向处理容器1内导入水蒸气。此外，第3处理气体喷嘴35和第4处理气体喷嘴36优选互相接近地配置。如所述那样，在图2所示的例子中，第4处理气体喷嘴36是兼用作第2处理气体喷嘴32的结构。因此，第3处理气体喷嘴35也配置于第2处理区域P2内的靠旋转方向上游侧的位置。
参照图3说明使用图2所示的第3处理气体喷嘴35和第4处理气体喷嘴36来向处理容器1内导入水蒸气的实施方式的变形例。图3是表示本实施方式的基板处理装置的另一个例子的概略俯视图。
在图3所示的基板处理装置中，没有配置第3处理气体喷嘴35和第4处理气体喷嘴36，取而代之的是配置贮水槽37、导入管38以及流量调整阀39，这点与图2所示的基板处理装置不同。
贮水槽37是用于贮存向处理容器1内导入的作为水蒸气源的水的槽，通过未图示的加热装置来使贮存于贮水槽37的水气化成水蒸气并经由导入管38被导入到处理容器1。另外，导入管38是用于将贮水槽37和处理容器1连接起来的管，在导入管38上形成有用于向处理容器1导入水蒸气的、未图示的喷出口。另外，在导入管38上设有流量调整阀39。
在图3所示的实施方式的基板处理装置中，与图2所示的基板处理装置同样地，也能够将水蒸气导入到处理容器1内。
在喷嘴31、32、35，36、41、42的下表面侧(与旋转台2相对的一侧)，沿着旋转台2的半径方向在多个部位分别例如以等间隔形成有用于喷出所述各气体的气体喷出孔31a。各喷嘴31、32、35、36、41、42各自的下端缘与旋转台2的上表面间的分开距离配置为例如1mm～5mm左右。
第1处理气体喷嘴31的下方区域成为用于使第1处理气体吸附于晶圆W的第1处理区域P1，第2处理用气体喷嘴34的下方区域成为用于对吸附有第1处理气体的晶圆W供给氧气而在该晶圆W上形成氧化硅膜的第2处理区域P2。分离气体喷嘴41、42用于形成使第1处理区域P1与第2处理区域P2分离的分离区域D。
图4是表示本实施方式的基板处理装置的沿着旋转台的同心圆剖切而得到的剖视图。此外，图4是从分离区域D经由第1处理区域P1直到分离区域D的、沿着旋转台的旋转方向剖切而得到的剖视图。
处理容器1的顶板11的位于分离区域D的部分设有大致扇形的凸状部4。凸状部4安装于顶板11的背面，在处理容器1内形成有凸状部4的下表面即平坦且较低的顶面44(第1顶面)和位于该顶面44的周向两侧的、比顶面44高的顶面45(第2顶面)。
如图2所示，形成顶面44的凸状部4具有顶部被切断为圆弧状的扇型的俯视形状。另外，在凸状部4的周向中央形成有以沿半径方向延伸的方式形成的槽部43，分离气体喷嘴41、42收纳于该槽部43内。此外，凸状部4的周缘部(处理容器1的外缘侧的部位)以与旋转台2的外端面相对且与容器主体12略微分开的方式弯曲成L字型，以阻止各处理气体彼此的混合。
在第1处理气体喷嘴31的上方侧设有喷嘴罩230，以使第1处理气体沿着晶圆W流通且使分离气体避开晶圆W的附近而在处理容器1的顶板11侧流通。如图4所示，该喷嘴罩230包括：大致箱形的罩体231，其为了收纳第1处理气体喷嘴31而下表面侧开口；以及作为板状体的整流板232，其分别与该罩体231的下表面侧开口端的靠旋转台2的旋转方向上游侧和下游侧的部位相连接。此外，罩体231的靠旋转台2的旋转中心侧的侧壁面以与第1处理气体喷嘴31的顶端部相对的方式朝向旋转台2伸出。另外，罩体231的靠旋转台2的外缘侧的侧壁面为了不与第1处理气体喷嘴31发生干涉而形成有缺口。
在旋转台2的外周侧，在比旋转台2略微靠下的位置如图2所示那样配置有作为罩体的侧环100。在侧环100的上表面以互相在周向上分开的方式例如在两处形成有排气口61、62。换言之，在处理容器1的底板面形成有两个排气口，在侧环100的与这些排气口对应的位置处形成有排气口61、62。
在本说明书中，将排气口61、62中的一个称为第1排气口61、将另一个称为第2排气口62。在此，第1排气口61形成在第1处理气体喷嘴31与相对于该第1处理气体喷嘴31而言位于旋转台2的旋转方向下游侧的位置的分离区域D之间的、偏向分离区域D侧的位置。另外，第2排气口62形成在第2处理气体喷嘴32与比该第2处理气体喷嘴32靠旋转台2的旋转方向下游侧的分离区域D之间的、偏向分离区域D侧的位置。
第1排气口61用于排出第1处理气体、分离气体，第2排气口62用于排出第2处理气体、分离气体。这些第1排气口61和第2排气口62分别利用夹设有蝶阀等压力调整部65的排气管63而与作为真空排气机构的例如真空泵64相连接。
如图1所示，也可以是，在顶板11的下表面的中央部设有突出部5，该突出部5与凸状部4的在中心部区域C侧的部位连续且在整个周向上形成为大致环状，并且，突出部5的下表面与凸状部4的下表面(顶面44)形成为相同的高度。在比该突出部5靠旋转台2的旋转中心侧的芯部21的上方侧，配置有用于抑制各种气体在中心部区域C中发生互相混合的迷宫式结构部110。通过在芯部21的上方侧形成迷宫式结构，能够发挥气体的流路的作用来防止气体彼此发生混合。
更具体而言，迷宫式结构部110具有以下结构：在整个周向上分别形成有从旋转台2侧朝向顶板11侧垂直地延伸的壁部和从顶板11侧朝向旋转台2垂直地延伸的壁部，并且，这些壁部在旋转台2的半径方向上交替配置。在迷宫式结构部110中，例如从第1处理气体喷嘴31喷出后欲朝向中心部区域C行进的第1处理气体需要越过迷宫结构部110。因此，流速随着朝向中心部区域C去而变慢，从而变得难以扩散。结果，在处理气体到达中心部区域C之前，利用向该中心部区域C供给的分离气体将处理气体挤回到处理区域P1侧。另外，对于欲朝向中心部区域C行进的其他气体，也同样由于迷宫式结构部110而变得难以到达中心部区域C。因此，能够防止处理气体彼此在中心部区域C中发生互相混合。
另一方面，从分离气体供给管51向该中心部区域C供给的氮气欲在周向上迅猛地进行扩散，但是，由于设有迷宫式结构部110，因此在越过迷宫式结构部110时流速受到抑制。在该情况下，氮气还欲进入到例如旋转台2与突起部92之间的极为狭窄的区域中，但是，由于流速受到了迷宫式结构部110的抑制，因此氮气流向例如输送臂10的进退区域等相对广阔的区域。
如图1所示，在旋转台2与处理容器1的底面部14之间的空间内设有作为加热机构的加热单元7。该加热单元7构成为能够隔着旋转台2将旋转台2上的晶圆W加热至例如室温～760℃左右。此外，如图1中所示，在加热单元7的侧方侧设有外侧罩构件71a，并且，还设有覆盖该加热单元7的上方侧的覆盖构件。另外，在处理容器1的底面部14，在整个周向上的多个部位设有在加热单元7的下方侧对加热单元7的配置空间进行吹扫的吹扫气体供给管73。
如图2所示，在处理容器1的侧壁上形成有输送口15，该输送口15用于在输送臂10与旋转台2之间进行晶圆W的交接，该输送口15构成为利用闸阀G气密地开闭自由。并且，在顶板11的上方的位于输送臂10相对于处理容器1进退的区域的部分设有用于检测晶圆W的周缘部的摄像单元10a。该摄像单元10a用于通过拍摄晶圆W的周缘部来检测例如在输送臂10上有无晶圆W、载置于旋转台2上的晶圆W的位置偏移、输送臂10上的晶圆W的位置偏移。摄像单元10a构成为具有与晶圆W的直径尺寸对应的程度的广阔的视场。
在面对该输送口15的位置，在旋转台2的凹部24与输送臂10之间交接晶圆W。因此，在旋转台2的下方侧的与交接位置对应的部位设有用于贯穿凹部24而从背面举起晶圆W的未图示的升降销和升降机构。
另外，在本实施方式的基板处理装置中，设有用于控制整个装置的动作的由计算机构成的控制部120。在该控制部120的存储器内存储有用于进行后述的基板处理的程序。该程序为了执行装置的各种动作而编入有步骤组，该程序自硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等作为存储介质的存储部121安装到控制部120内。
基板处理方法
接下来，参照图5说明使用本实施方式的基板处理装置的、即使在累积膜的累积膜厚变大的情况下也能够抑制产生微粒的基板处理方法。
在图5中示出本实施方式的基板处理方法的一个例子的流程图。
本实施方式提供一种基板处理方法，在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器和旋转台，该旋转台以能够旋转的方式设于所述处理容器内并具有基板载置部，其中，该基板处理方法包括如下工序：向所述基板载置部输入基板的工序(S200)；向所述处理容器内供给处理气体而对输入后的所述基板进行处理的工序(S210)；在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下，向所述处理容器内至少供给水蒸气的工序(S220)；以及输出所述处理容器内的所述基板的工序(S230)。
具体说明本实施方式的各个工序。
输入基板的工序S200
在输入晶圆W等基板时，首先，打开输送口15的闸阀G。然后，一边使旋转台2间歇地旋转，一边利用输送臂10将晶圆W载置到自旋转台2上升到旋转台2的上方的未图示的支承销上。然后，使支承销下降，由此将晶圆W载置到旋转台2上。
对基板进行处理的工序S210
接着，关闭闸阀G，一边使旋转台2旋转，一边利用加热单元7将晶圆W加热至规定的温度。接着，在从第1处理气体喷嘴31以规定的流量供给第1处理气体(例如，3DMAS气体)的状态下，还从第2处理气体喷嘴32供给第2处理气体(例如，臭氧气体或氧气)。然后，利用真空泵64和压力调整部65将处理容器1内调整至规定的压力。
利用旋转台2的旋转，在第1处理区域P1中，第1处理气体吸附在晶圆W的表面。接着，在第2处理区域P2中，吸附在晶圆W上的第1处理气体被第2处理气体氧化。由此，形成1层或多层作为薄膜成分的氧化膜的分子层，从而形成反应生成物。
此外，在本实施方式的基板处理装置的处理区域P1、P2之间的、旋转台2的周向两侧配置有分离区域D。因此，在分离区域D中，既能阻止第1处理气体与第2处理气体间的混合，又能朝向排气口61、62排出各气体。
供给水蒸气的工序S220
接着，停止供给第1处理气体和第2处理气体。此外，在本实施方式的供给水蒸气的工序S220中，能够使晶圆W的温度、处理容器1内的压力、旋转台2的旋转速度与在对基板进行处理的工序S210中的值为相同水平。然而，所述参数也可以构成为从在对基板进行处理的工序S210中的值发生变更。
然后，自第3处理气体喷嘴35供给第3处理气体(氢气)，自第4处理气体喷嘴36供给第4处理气体(氧气)。
由此，使所供给的氢气和氧气发生反应，从而向处理容器1内导入水蒸气。由此，能够减轻因对基板进行处理的工序S210而在处理容器1的内壁上堆积的累积膜(堆积膜)的应力。因此，即使在累积膜的膜厚变大的情况下，也能够抑制因累积膜的破裂、剥落等而产生的微粒。
在供给水蒸气的工序中的、氢气的流量并没有限定，能够设在例如0.5slm～4.0slm的范围内。另外，氧气的流量并没有限定，能够设在例如0.5slm～4.0slm的范围内。
在供给水蒸气的工序中的、晶圆W的温度并没有限定，能够设在例如450℃～760℃的范围内。
另外，在供给水蒸气的工序中的、处理容器1内的压力并没有限定，能够设为例如6.7Torr(893Pa)。
并且，作为在供给水蒸气的工序中的、旋转台2的旋转速度，其并没有限定，能够设在例如30rpm～240rpm的范围内。
并且，作为在供给水蒸气的工序中的、氢气和氧气的供给时间，其并没有限定，能够设在例如2秒～30秒的范围内，优选在5秒～10秒的范围内。在供给水蒸气的时间小于2秒的情况下，有时会使减轻累积膜的应力的效果降低。另一方面，在供给水蒸气的时间超过30秒的情况下，有时会对形成在晶圆W上的薄膜的膜质造成影响，另外，还会使生产率变差。
此外，作为以上叙述那样供给水蒸气的工序的变形例，也可以向贮存于贮水槽37的水施加热量而使其气化，并将水蒸气导入到处理容器1内。在该情况下，利用未图示的加热装置来对贮存于贮水槽37的水进行加热而使其气化，并利用流量调整阀39以规定的流量自形成于导入管38的喷出口将水蒸气导入到处理容器1内。
输出基板的工序S230
在输出晶圆W时，首先，停止供给氢气和氧气。然后，对处理容器1内进行减压而排出氢气(和氧气)，在减压状态下打开闸阀G。然后，利用未图示的支承销使载置在旋转台2上的晶圆W上升，在输出支承销上的晶圆W的同时，将接下来的处理用的晶圆W载置在支承销上。
在本实施方式的具有供给水蒸气的工序S220的基板处理方法中，能够减轻累积膜的应力，从而能够抑制因累积膜的破裂或剥落等而产生的微粒。因此，不必在累积膜的累积膜厚变大之前(例如在累积膜厚超过3μm之前)实施清洁处理，从而能够加长可分配给成膜处理的时间。
另外，本实施方式的供给水蒸气的工序S220能够在基板处理的运转内实施。因此，能够在将实施了成膜处理后的晶圆W输出的同时，输入接下来的晶圆W(参照S200)。其结果，与在基板处理的运转期间实施相同的工艺的情况相比，能够缩短与一次输送工艺相对应的时间。
其结果，本实施方式的基板处理方法是使基板处理装置的PM周期较长且使基板处理装置的停机时间较短的方法。
接下来，举出具体的实施方式来更详细说明本发明。
第1实施方式
说明对本实施方式的基板处理方法中的、特别是供给水蒸气的工序(S220)的效果进行确认的实施方式。
首先，作为比较实施方式，向在内壁上堆积有规定的累积膜厚的累积膜的基板处理装置输入硅晶圆W，以规定的处理条件实施了硅氧化膜的成膜处理。然后，输出成膜后的硅晶圆W并输入接下来的硅晶圆W，并以相同的处理条件实施了硅氧化膜的成膜处理。
如上所述，将硅晶圆W的输入、成膜处理和输出作为1次周期(1次运转)而反复进行了93次(合计94次运转)该运转。然后，利用测定求出了每次运转后的累积膜的累积膜厚和规定的运转后的微粒产生数量。
接下来，在输出该比较实施方式的最后的硅晶圆W时，输入接下来的硅晶圆W并以与比较实施方式相同的处理条件实施了硅氧化膜的成膜处理，并实施了供给水蒸气的工序。然后，将供给水蒸气的工序之后的硅晶圆W输出，并输入接下来的硅晶圆W，以相同的处理条件实施了硅氧化膜的成膜处理。
如上所述，将硅晶圆W的输入、成膜处理和输出作为1次周期(1次运转)而反复进行了67次(合计68次运转，加上比较实施方式后的运转次数：162次运转)该运转。然后，与比较实施方式同样地，利用测定求出了每次运转后的累积膜的累积膜厚和规定的运转后的微粒产生数量。
此外，供给水蒸气的工序的处理条件如下：
处理温度：620℃，
处理容器1内的压力：6.7Torr，
旋转台2的转速：120rpm，
气体流量H2/O2：0.8slm/1.2slm，
气体的供给时间：10秒。
在图6中示出用于说明本实施方式的基板处理方法的效果的一个例子的概略图。图6的横轴表示运转次数，纵轴表示累积膜厚(曲线图)和微粒数量(条形图)。此外，对于微粒数量，仅测定并示出了规定的运转后的微粒数量。
如图6所示，在最初的比较实施方式中，随着运转次数增多而使累积膜厚变大，随之所产生的微粒数量也增多。这是因为，随着累积膜厚变大，越容易因累积膜的破裂、剥落等产生微粒。
另一方面，在本实施方式的基板处理方法中，与比较实施方式相比，虽然累积膜厚变大，但微粒数量较少。另外，即使在累积膜厚变大的情况下，也没有发现微粒数量有增加的倾向。可认为，其原因在于，在本实施方式的基板处理方法中，由于实施了供给水蒸气的工序(S220)，因此减轻了累积膜的应力，从而抑制了累积膜的破裂、剥落。
从半导体装置的生产率的观点考虑，优选加长分配给成膜处理的时间，具体而言，要求一种在累积膜的膜厚至少至10μm左右之前不必进行清洁处理的基板处理装置。然而，在能够实施本实施方式的基板处理方法的基板处理装置中，即使在累积膜的膜厚变大的情况下，也能够抑制产生微粒。
采用本发明的实施方式，能够提供一种能够抑制产生微粒的基板处理方法。
本申请基于2014年1月28日向日本国专利厅提出申请的日本特许出愿2014－13739号主张优先权，在此引用日本特许出愿2014－13739号的全部内容。

Claims (7)

1.一种基板处理方法，在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器和旋转台，该旋转台以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部，其中，
该基板处理方法包括如下工序：
载置工序，在该载置工序中，将基板载置于所述基板载置部；
处理工序，在该处理工序中，向所述处理容器内供给处理气体而对所载置的所述基板进行处理；
供给水蒸气工序，在该供给水蒸气工序中，在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下，向所述处理容器内至少供给水蒸气；以及
输出工序，在该输出工序中，输出所述基板载置部上的所述基板，
其中，反复进行规定的次数的如下工序：所述载置工序、所述处理工序、所述供给水蒸气工序、以及所述输出工序，
其中，所述载置工序和所述输出工序是使用输送臂来实施的，
在所述输出工序中所述输送臂输出所述基板时，通过在该基板被输出后的所述基板载置部上载置接下来的所述基板，从而实施所述输出工序之后的所述载置工序。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括以下工序：在所述处理容器内堆积的累积膜的膜厚超过10μm之后，对所述处理容器内进行清洁。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
所述累积膜是氧化物膜。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述供给水蒸气工序是通过向保持在规定的温度的所述处理容器内供给氢气和氧气而实施的。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述供给水蒸气工序具有：
气化工序，在该气化工序中，使保持在贮水槽内的水气化；
将由所述气化工序获得的水蒸气供给到所述处理容器内的工序。
6.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
处理容器；
旋转台，其以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部；
输送臂，其能够输送基板；
第1处理气体供给部件，其用于向所述旋转台的表面供给第1处理气体；
第2处理气体供给部件，其用于向所述旋转台的表面供给第2处理气体；
分离气体供给部件，其设于所述旋转台的旋转方向上的、所述第1处理气体供给部件与所述第2处理气体供给部件之间和所述第2处理气体供给部件与所述第1处理气体供给部件之间，该分离气体供给部件用于供给使所述第1处理气体和所述第2处理气体分离的分离气体；
氧气供给部件，其用于向所述旋转台的表面供给氧气；
氢气供给部件，其用于向所述旋转台的表面供给氢气；以及
控制部，其用于至少对所述旋转台、所述输送臂、所述第1处理气体供给部件、所述第2处理气体供给部件、所述氧气供给部件以及所述氢气供给部件的工作进行控制，
所述控制部对如下工作进行控制，并反复进行规定次数：
使用所述输送臂将基板载置于所述基板载置部；
通过自所述第1处理气体供给部件和所述第2处理气体供给部件向所述处理容器内供给这些处理气体来对所载置的所述基板进行处理；
在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下自所述氧气供给部件和所述氢气供给部件向所述处理容器内至少供给水蒸气；以及
利用所述输送臂自所述基板载置部输出所述基板，
其中，在利用所述输送臂自所述基板载置部输出所述基板时，在该基板被输出后的所述基板载置部上载置接下来的所述基板。
7.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
处理容器；
旋转台，其以能够旋转的方式设于所述处理容器内且具有基板载置部；
输送臂，其能够输送基板；
第1处理气体供给部件，其用于向所述基板的表面供给第1处理气体；
第2处理气体供给部件，其用于向所述基板的表面供给第2处理气体；
分离气体供给部件，其设于所述旋转台的旋转方向上的、所述第1处理气体供给部件与所述第2处理气体供给部件之间和所述第2处理气体供给部件与所述第1处理气体供给部件之间，该分离气体供给部件用于供给使所述第1处理气体和所述第2处理气体分离的分离气体；
贮水槽，其用于贮存水，该贮水槽以能够加热所述水的方式构成；
导入管，其用于将所述贮水槽和所述基板处理装置连接起来且在该导入管上设有流量调整阀；以及
控制部，其用于至少对所述旋转台、所述输送臂、所述第1处理气体供给部件、所述第2处理气体供给部件、所述贮水槽的加热以及所述流量调整阀的工作进行控制，
所述控制部对如下工作进行控制，并反复进行规定次数：
使用所述输送臂将基板载置于所述基板载置部；
通过自所述第1处理气体供给部件和所述第2处理气体供给部件向所述处理容器内供给这些处理气体来对所载置的所述基板进行处理；
在将所述基板载置于所述基板载置部的状态下通过加热所述贮水槽和经由所述流量调整阀来向所述处理容器内至少供给水蒸气；以及
利用所述输送臂自所述基板载置部输出所述基板，
其中，在利用所述输送臂自所述基板载置部输出所述基板时，在该基板被输出后的所述基板载置部上载置接下来的所述基板。
CN201510043626.5A 2014-01-28 2015-01-28 基板处理方法和基板处理装置 Active CN104805415B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-013739 2014-01-28
JP2014013739A JP6204213B2 (ja) 2014-01-28 2014-01-28 基板処理方法及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104805415A CN104805415A (zh) 2015-07-29
CN104805415B true CN104805415B (zh) 2018-06-05

Family

ID=53679675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510043626.5A Active CN104805415B (zh) 2014-01-28 2015-01-28 基板处理方法和基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9388496B2 (zh)
JP (1) JP6204213B2 (zh)
KR (1) KR101848123B1 (zh)
CN (1) CN104805415B (zh)
TW (1) TWI613312B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9416448B2 (en) * 2008-08-29 2016-08-16 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium for film deposition method
JP5107185B2 (ja) 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US9297072B2 (en) 2008-12-01 2016-03-29 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus
JP6115244B2 (ja) * 2013-03-28 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6262115B2 (ja) 2014-02-10 2018-01-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2017024456A (ja) 2015-07-16 2017-02-02 矢崎総業株式会社 バックアップバッテリシステム
JP6548586B2 (ja) 2016-02-03 2019-07-24 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP6733516B2 (ja) 2016-11-21 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
TWI700750B (zh) * 2017-01-24 2020-08-01 美商應用材料股份有限公司 用於介電薄膜的選擇性沉積之方法及設備
JP6714562B2 (ja) * 2017-09-20 2020-06-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6902060B2 (ja) * 2019-02-13 2021-07-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム
JP7355615B2 (ja) * 2019-11-25 2023-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP7102478B2 (ja) * 2020-09-24 2022-07-19 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1294630C (zh) * 2001-05-09 2007-01-10 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的热处理装置及方法
CN101665923A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 东京毅力科创株式会社 成膜装置、基板处理装置及成膜方法
CN102002685A (zh) * 2009-09-01 2011-04-06 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
CN102162089A (zh) * 2010-02-15 2011-08-24 东京毅力科创株式会社 成膜方法、成膜装置及成膜装置的使用方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2636817B2 (ja) * 1995-10-27 1997-07-30 株式会社日立製作所 枚葉式薄膜形成法および薄膜形成装置
JP2002501743A (ja) * 1998-01-30 2002-01-22 ジェネセンス テクノロジーズ インコーポレイテッド チオレドキシン遺伝子またはチオレドキシンレダクターゼ遺伝子に相補的なオリゴヌクレオチド配列ならびに細胞増殖を調節するためのその使用方法
JP2001274154A (ja) * 2000-01-18 2001-10-05 Applied Materials Inc 成膜方法、成膜装置、半導体装置及びその製造方法
JP4342895B2 (ja) * 2003-10-06 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
KR20080071988A (ko) * 2005-11-23 2008-08-05 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 기판으로부터의 물질 제거 공정
US7789961B2 (en) * 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
JP2008283148A (ja) 2007-05-14 2008-11-20 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
WO2009131902A2 (en) * 2008-04-23 2009-10-29 Intermolecular, Inc. Yttrium and titanium high-k dielectric films
EP2141739A3 (en) * 2008-06-30 2011-01-12 Intevac, Inc. System and method for substrate transport
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5131240B2 (ja) * 2009-04-09 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5585076B2 (ja) * 2009-12-24 2014-09-10 栗田工業株式会社 洗浄方法
US8278735B2 (en) * 2010-09-09 2012-10-02 Intermolecular, Inc. Yttrium and titanium high-k dielectric films
JP2014007309A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置
US8871108B2 (en) * 2013-01-22 2014-10-28 Tel Fsi, Inc. Process for removing carbon material from substrates

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1294630C (zh) * 2001-05-09 2007-01-10 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的热处理装置及方法
CN101665923A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 东京毅力科创株式会社 成膜装置、基板处理装置及成膜方法
CN102002685A (zh) * 2009-09-01 2011-04-06 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
CN102162089A (zh) * 2010-02-15 2011-08-24 东京毅力科创株式会社 成膜方法、成膜装置及成膜装置的使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6204213B2 (ja) 2017-09-27
KR101848123B1 (ko) 2018-04-11
KR20150089942A (ko) 2015-08-05
CN104805415A (zh) 2015-07-29
TWI613312B (zh) 2018-02-01
TW201542859A (zh) 2015-11-16
JP2015141995A (ja) 2015-08-03
US20150214029A1 (en) 2015-07-30
US9388496B2 (en) 2016-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104805415B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
US11970771B2 (en) Vaporizer, substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
TWI725000B (zh) 電漿輔助原子層沉積中之射頻補償用方法及設備
CN102953047B (zh) 成膜装置
KR102400746B1 (ko) 성막 장치, 성막 장치의 클리닝 방법 및 기억 매체
TW200414317A (en) CVD method of forming silicon nitride film on target substrate
US7771535B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
US20190309420A1 (en) Substrate Processing Apparatus and Substrate Processing Method
KR101554334B1 (ko) 샤워헤드 어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치 및 박막증착방법
KR100574569B1 (ko) 박막 증착방법 및 분리된 퍼지가스 분사구를 구비하는박막 증착장치
US10535501B2 (en) Film forming apparatus, film forming method and non-transitory storage medium
JP2004165668A (ja) ハフニウム化合物を利用した薄膜蒸着方法
JP2015220340A (ja) 成膜装置
CN107731669B (zh) 用于间隙特征中的ald沉积轮廓调整的添加剂
KR101548347B1 (ko) 반도체 제조에 사용되는 원자층 증착 방법
TWI669747B (zh) 基板處理裝置及其基板處理方法
TW201935567A (zh) 立式熱處理裝置
JP6820793B2 (ja) 基板処理装置、排気管のコーティング方法及び基板処理方法
CN106906454A (zh) 成膜装置
KR102513234B1 (ko) 서셉터의 클리닝 방법
CN114277357A (zh) 气化系统、基板处理装置以及半导体装置的制造方法
JP2013225571A (ja) 気相成長装置
KR100422398B1 (ko) 박막 증착 장비
CN110718446A (zh) 改善氮化硅薄膜制程缺陷和膜厚稳定性的方法及设备
JP2016122778A (ja) パージ方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant