CN104793673A - 应用于hsic接口全芯片集成的ldo电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于HSIC接口全芯片集成的LDO电路,包括:一误差放大器,一匹配NMOS晶体管,一栅极滤波电容,一匹配电流源,一功率NMOS晶体管,一输出级滤波电容,一NMOS晶体管;其中,所述误差放大器,匹配NMOS晶体管,栅极滤波电容,匹配电流源构成LDO电路的低频控制环路;所述功率NMOS晶体管作为LDO电路的输出级,所述NMOS晶体管为高速响应管,作为LDO电路的负载。本发明能够节省外接电容元件,方便PCB板的布线;且响应速度快。
Description
技术领域
本发明涉及一种LDO(low dropout regulator低压差线性稳压器)电路,特别是涉及一种应用于HSIC接口全芯片集成的LDO电路。
背景技术
HSIC(high speed inter-chip USB高速芯片间接口)是2007年推出的一种应用于芯片间高速互联的接口协议。HSIC是在USB2.0的基础上提出来的。HSIC利用2线源同步的240M DDR(双倍速率)信号来提供高速480Mbps(兆位/秒)的USB(通用串行总线)传输。HSIC可广泛应用于板级的芯片级互联,替换I2C(两线式串行总线),SPI(串行外围设备接口)等低速接口,实现芯片间的高速互联。HSIC和USB相比,HSIC的输出接口为1.2VLVCMOS(低电压互补金属氧化物半导体)电平。对于0.18μm工艺,芯片的CORE(内核)供电电压为1.8V,IO(输入输出)供电电压为3.3V,对于0.25μm级以上工艺,供电电压甚至更高,因此,为了集成HSIC接口,芯片需要LDO来提供从高供电电压到1.2V的电压转换。
HSIC接口基于USB2.0协议,数据传输速率为480Mbps,总线为半双工模式。在发送端工作时,其工作电流根据发送数据的不同,在7mA~13mA之间。HSIC的数据传输是基于包的形式,一个数据包的长度不一,从几百ns到几个μs不定。发送数据包的时间间隔也不定,最短只有几十ns,最长可到几十μs。
针对HSIC的特点(突发模式,无固定长度和时间间隔),给HSIC供电的LDO的一种实现方式是外加μF级的滤波电容,通过μF级的滤波电容来滤除高频的电流波动,稳定电压。这种实现方式可以得到稳定的1.2V电压,其缺点是需要外接一个滤波电容,增加了芯片的管脚和外接元件。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种应用于HSIC接口全芯片集成的LDO电路,能够节省外接电容元件,方便PCB(印刷电路板)板的布线;且响应速度快。
为解决上述技术问题,本发明的应用于HSIC接口全芯片集成的LDO电路,包括:
一误差放大器,一匹配NMOS晶体管,一栅极滤波电容,一匹配电流源,一功率NMOS晶体管,一输出级滤波电容,一NMOS晶体管;其中,所述误差放大器,匹配NMOS晶体管,栅极滤波电容,匹配电流源构成LDO电路的低频控制环路;所述功率NMOS晶体管作为LDO电路的输出级,所述NMOS晶体管为高速响应管,作为LDO电路的负载;
所述误差放大器的正向输入端输入参考电压,其反向输入端与所述匹配NMOS晶体管的源极和电流源的输入端相连接,其输出端与所述功率NMOS晶体管的栅极、匹配NMOS晶体管的栅极和栅极滤波电容的正极相连接;
所述匹配NMOS晶体管的漏极和电源电压端相连接,所述电流源的输出端接地,所述栅极滤波电容的负极接地;
所述功率NMOS晶体管的漏极和电源电压端相连接,其源极作为LDO电路的输出端,为HSIC接口的发送端提供稳定的1.2V电源电压;
所述输出级滤波电容的正极与功率NMOS晶体管的源极相连接,其负极接地;
所述NMOS晶体管的漏极与功率NMOS晶体管的源极相连接,其源极接地,其栅极输入控制信号。
本发明的LDO电路由于采用全集成滤波电容,节省了外接电容元件,方便PCB板的布线。该LDO电路采用NMOS晶体管作为输出级,响应速度快;同时针对HSIC发送电路的特点,增加了提高响应速度的NMOS晶体管;该LDO电路能为HSIC接口的发送电路提供稳定的1.2V电源电压,完全可以满足HSIC接口的要求。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1是所述应用于HSIC接口全芯片集成的LDO电路一实施例原理图;
图2是相关信号的时序图。
具体实施方式
针对HSIC接口的应用要求,本发明提出了一种全芯片集成的LDO电路。参见图1所示,所述应用于HSIC接口全芯片集成的LDO电路,在下面的实施例中,采用全集成滤波电容,包括:一误差放大器OP1,一匹配NMOS晶体管M1,一栅极滤波电容C1,一匹配电流源IREP,一功率NMOS晶体管M0,输出级滤波电容C0,一NMOS晶体管M2;其中,误差放大器OP1,匹配NMOS晶体管M1,栅极滤波电容C1,匹配电流源IREP构成LDO电路的低频控制环路;功率NMOS晶体管M0作为LDO电路的输出级,NMOS晶体管M2为高速响应管,作为LDO电路的负载。
所述误差放大器OP1为一运算放大器,其正向输入端输入参考电压VREF_V12,其反向输入端与匹配NMOS管M1的源极和电流源IREP的输入端相连接,其输出端与功率NMOS晶体管M0的栅极、匹配NMOS晶体管M1的栅极和栅极滤波电容C1的正极相连接。
所述匹配NMOS晶体管M1的漏极和电源电压端VDD33相连接,所述电流源IREP的输出端接地。所述栅极滤波电容C1的负极接地。
所述功率NMOS晶体管M0的漏极和电源电压端VDD33相连接,其源极作为LDO电路的输出端输出电压VDD12,为HSIC接口的发送电路提供稳定的1.2V电源电压。
所述输出级滤波电容电容C0的正极与功率NMOS晶体管M0的源极相连接,其负极接地。
所述NMOS晶体管M2的漏极与功率NMOS晶体管M0的源极相连接,其源极接地,其栅极输入控制信号EN_PRE。
所述应用于HSIC接口的LDO电路,针对HSIC接口的发送端为突发模式的特点,选用开环的NMOS晶体管作为输出级,输出级的带宽为gm/Cout,其中gm为NMOS管的跨导,Cout为输出级的滤波电容(即C0)。通过增大NMOS晶体管的尺寸,可以增大输出级的带宽,满足HSIC接口的高速要求。闭环的LDO电路结构虽然可以提供静态误差很低的输出电压,但是一般闭环结构的带宽很低,无法满足HSIC接口的突发模式的要求。LDO电路的静态精度由NMOS晶体管栅极电压VG的低频控制环路来控制。NMOS晶体管M1和M0的比例为1:N,所述误差放大器OP1使NMOS晶体管M1的源极电压和参考电压VREF_V12相等。当LDO电路的电压输出为1.2V时,所述功率NMOS晶体管M0能提供的电流为N倍的电流源IREP的电流。通过选择N和电流源IREP的电流值,可以保证在HSIC接口的整个工作范围内,输出电压VDD12的电压偏差不会大于10%。
因为在HSIC接口的发送端不工作的时候,LDO电路的负载电流很小,所述功率NMOS晶体管M0工作在亚阈值区,这时输出电压VDD12的值大约在1.4V左右;这时候所述功率NMOS晶体管M0的跨导gm很小,输出级的带宽很低,在HSIC接口的发送端刚开启的时候,LDO电路输出端的输出电流增大,输出电压VDD12从1.4V开始下降到1.2V左右,这段时间可能为好几个USB2.0bit(比特)的时间,导致HSIC接口输出的前几个bit的高电平高于HSIC协议的要求。为了解决这个问题,LDO电路中增加了NMOS晶体管M2。NMOS晶体管M2和HSIC接口并联在LDO电路的输出端。NMOS晶体管M2的栅极控制信号是EN_PRE,是和HSIC的发送端EN(使能)相关的信号。相关的波形如图2所示,EN为HSIC接口发送端输出的使能信号,在EN=1时,HSIC接口的发送端工作,向外发送数据,当EN=0的时候,HSIC接口的发送端关闭,为高阻态。DATA是HSIC接口发送的数据。如图2中波形所示,若EN在T1的时候为高,则在T0的时候EN_PRE为高,将NMOS晶体管M2打开,在T1的时候,EN_PRE为低,将NMOS晶体管M2关闭。在T0至T1之间,NMOS晶体管M2导通,将输出电压VDD12拉低,在T1时刻,在HSIC接口的发送端开始发送数据的时候,输出电压VDD12已经到了1.2V左右。适当选择NMOS晶体管M2的尺寸和T1-T0的时间间隔,可以保证HSIC接口的发送数据的高电平满足HSIC协议的要求。
以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明,但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下,本领域的技术人员还可做出许多变形和改进,这些也应视为本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种应用于HSIC接口全芯片集成的LDO电路,其特征在于,包括:一误差放大器,一匹配NMOS晶体管,一栅极滤波电容,一匹配电流源,一功率NMOS晶体管,一输出级滤波电容,一NMOS晶体管;其中,所述误差放大器,匹配NMOS晶体管,栅极滤波电容,匹配电流源构成LDO电路的低频控制环路;所述功率NMOS晶体管作为LDO电路的输出级,所述NMOS晶体管为高速响应管,作为LDO电路的负载;
所述误差放大器的正向输入端输入参考电压,其反向输入端与所述匹配NMOS晶体管的源极和电流源的输入端相连接,其输出端与所述功率NMOS晶体管的栅极、匹配NMOS晶体管的栅极和栅极滤波电容的正极相连接;
所述匹配NMOS晶体管的漏极和电源电压端相连接,所述电流源的输出端接地,所述栅极滤波电容的负极接地;
所述功率NMOS晶体管的漏极和电源电压端相连接,其源极作为LDO电路的输出端,为HSIC接口的发送端提供稳定的1.2V电源电压;
所述输出级滤波电容的正极与功率NMOS晶体管的源极相连接,其负极接地;
所述NMOS晶体管的漏极与功率NMOS晶体管的源极相连接,其源极接地,其栅极输入控制信号。
2.根据权利要求1所述的LDO电路,其特征在于:所述NMOS晶体管栅极的控制信号是与HSIC接口的发送端输出的使能信号相关的信号。
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