CN104753472B - 关于用于动态误差向量幅度校正的嵌入传感器的装置方法 - Google Patents

Abstract

关于用于动态误差向量幅度校正的嵌入传感器的装置和方法。在一些实施例中，功率放大器(PA)可以包括PA裸芯和实施在PA裸芯上的放大级。所述放大级可以包括放大晶体管的阵列，所述阵列被配置为接收和放大射频(RF)信号。所述PA还可以包括实施在PA裸芯上的传感器。所述传感器可以被相对于所述放大晶体管的阵列放置以允许感测代表至少一些所述放大晶体管的操作状态。所述传感器可以基本上与所述RF信号隔离。

Description

关于用于动态误差向量幅度校正的嵌入传感器的装置方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年12月31日提交的名称为“DEVICES AND METHODS RELATED TOEMBEDDED SENSORS FOR DYNAMIC ERROR VECTOR MAGNITUDE CORRECTIONS(关于用于动态误差向量幅度校正的嵌入传感器的装置和方法)”的美国61/922，745号临时申请的优先权，其公开内容通过引用而被明确地整体结合于此。

技术领域

本公开涉及用于在射频(RF)应用中校正动态误差向量幅度(DEVM)效应的装置和方法。

背景技术

在一些射频(RF)应用中，例如在无线局域网(WLAN)功率放大器(PA)应用中，通常所期望的是在脉冲导通和关断模式中操作PA以减少电流消耗。这样的操作可以导致可能降低动态误差向量幅度(DEVM)性能的热电效应。

发明内容

根据多个实施方式，本公开涉及功率放大器(PA)，其包括PA裸芯和实施在PA裸芯上的放大级，所述放大级包含放大晶体管的阵列。所述阵列被配置为接收和放大射频(RF)信号。所述PA还包括实施在PA裸芯上的传感器。所述传感器被相对于放大晶体管的阵列放置以允许感测代表至少一些放大晶体管的操作状态。所述传感器基本上与RF信号隔离。

在一些实施例中，所述传感器可以包括配置为与至少一些放大晶体管类似的感测晶体管。所述操作状态可以包括所述至少一些放大晶体管的操作温度。所述操作温度可以从与所述感测晶体管相关联的集电极电流获得。

在一些实施例中，所述PA还可以包括与所述放大级和所述感测晶体管通信的偏置电路。所述偏置电路可以被配置为向所述放大晶体管和所述感测晶体管提供偏置信号。所述偏置信号可以包括向所述放大晶体管的基极和所述感测晶体管的基极提供的基极偏置电压。所述基极偏置电压可以具有共同的值。

在一些实施例中，所述放大晶体管的阵列可以包括以并联配置布置的多个放大晶体管。所述多个放大晶体管可以被分组为第一组和第二组。所述传感器可以被实施在第一组放大晶体管和第二组放大晶体管之间。

在一些实施例中，所述放大级可以包括放大晶体管的多个阵列。在一些实施例中，所述放大级可以包括功率级(power stage)。在一些实施例中，所述传感器可以包括带隙基准器件(bandgap reference device)。在一些实施例中，所述传感器可以包括与绝对温度成比例(proportional to absolute temperature)(PTAT)的器件。

在多个教导中，本公开涉及用于制造功率放大器(PA)的方法。所述方法包括提供或形成半导体晶片，以及在半导体晶片上形成多个放大级，每个放大级包含配置为接收和放大射频(RF)信号的放大晶体管的阵列。所述方法还包括在半导体晶片上形成多个传感器，使得至少一个传感器被相对于放大晶体管的每个阵列放置以允许感测代表放大晶体管的操作状态，所述传感器基本上与RF信号隔离。

在一些实施例中，所述方法还可以包括切割半导体晶片以产生多个PA裸芯。

在一些实施方式中，本公开涉及射频(RF)模块，所述射频(RF)模块包括：配置为容纳多个部件的封装基板，以及安装在封装基板上的功率放大器(PA)裸芯。所述PA裸芯包括PA电路，所述PA电路具有包含配置为接收和放大射频(RF)信号的放大晶体管的阵列的放大级。所述PA裸芯还包括传感器，所述传感器被相对于所述放大晶体管的阵列放置以允许感测代表至少一些所述放大晶体管的操作状态，所述传感器基本上与RF信号隔离。

在一些实施例中，所述PA电路可以被配置为放大用于无线局域网(WLAN)的RF信号。在一些实施例中，所述传感器可以被配置为跟踪放大级的操作温度。

在一些实施例中，所述RF模块还可以包括与放大级通信的偏置电路。所述偏置电路可以被配置为向放大晶体管提供偏置信号。所述偏置电路还可以被配置为基于感测的代表操作温度的信号补偿至少一些偏置信号。所述偏置信号的补偿可以被配置为补偿与PA电路相关联的动态误差向量幅度(DEVM)效应。

在一些实施例中，偏置电路的至少一部分可以实施在PA裸芯上。

在多个教导中，本公开涉及无线装置，所述无线装置包括：被配置为产生射频(RF)信号的发射器电路、以及与所述发射器通信的功率放大器(PA)电路。所述PA电路被配置为放大RF信号，并且所述PA电路包括具有被配置为接收和放大所述RF信号的放大晶体管的阵列的放大级。所述PA电路还包括传感器，该传感器被相对于放大晶体管的阵列放置以允许感测代表至少一些所述放大晶体管的操作状态，所述传感器基本上与RF信号隔离。所述无线装置还包括与PA电路通信的天线。所述天线被配置发射放大的RF信号。

在一些实施例中，所述天线可以是无线局域网(WLAN)天线。

为概括本公开的目的，本发明的某些方面、优点和新颖特征都已在这里描述。应理解的是，不一定所有这些优点可以根据本发明的任何特定实施例实现。因此，可以以实现或优化这里所教导的一个优点或一组优点，而不一定实现这里可能教导或建议的其它优点的方式实现或实施本发明。

附图说明

图1示出了具有这里所描述的一个或多个特征的嵌入传感器的半导体裸芯。

图2示出了图1的传感器可以是在两个放大级之间的嵌入感测晶体管的示例。

图3示出了图1的传感器可以是在两个放大电路之间的嵌入感测晶体管的示例，所述两个放大电路被配置为独立操作或以并联方式操作。

图4示出了图2和3的嵌入感测晶体管配置可以在动态误差向量幅度(DEVM)补偿应用中实施的示例配置。

图5示出了在一些实施例中，图4的DEVM补偿电路的一些或全部可以实施在偏置电路中。

图6示出了示例功率放大器(PA)配置，其中可以实施具有如这里所述的一个或多个特征的嵌入感测晶体管。

图7示出了具有以并联配置布置的四个单元的功率级的示例，其中单元可以类似于图6的示例。

图8示出了在没有感测晶体管的益处的情况中，在功率级的不同的操作温度处的作为电源电压的函数的示例静态电流曲线。

图9示出了在有具有这里所述的一个或多个特征的感测晶体管的益处的情况中，在功率级的不同的操作温度处的作为电源电压的函数的示例静态电流曲线。

图10示出了在没有感测晶体管的益处的情况中，当功率级的放大晶体管在不同的温度处导通时的示例集电极电流的轮廓曲线(profile)。

图11示出了在有具有这里所述的一个或多个特征的感测晶体管的益处的情况中，当功率级的放大晶体管在不同的温度处导通时的示例集电极电流的轮廓曲线。

图12示出了在一些实施例中，具有这里所述的一个或多个特征的PA裸芯可以实施在(RF)模块中。

图13描述了具有这里所述的一个或多个有益特征的示例无线装置。

具体实施方式

这里所提供的标题(如果有)仅是为了方便，而不一定影响所要求保护的发明的范围或含义。

图1示出了具有功率放大器(PA)电路102的诸如半导体裸芯的半导体基板100。这样的PA电路可以被配置为通过输入(RFin)接收射频(RF)信号并且通过输出(RFout)产生放大的RF信号。被集体地描述为通过端口106提供的偏置和供应(supply)信号可以促进PA电路102的操作。

图1示出了半导体裸芯100可以包括实施在其上的嵌入传感器104。在一些实施例中，传感器可以由被集体地描述为通过端口108提供的信号而操作。在这里更加详细地描述这样的传感器的示例。如这里还描述的，这样的传感器可以被用来补偿与PA电路102的操作相关联的动态误差向量幅度(DEVM)效应。在一些实施例中，这样的传感器可以被配置为跟踪PA电路的诸如操作温度的操作状态，并且基于这样的跟踪的温度实施DEVM补偿。

以前述方式实现的DEVM补偿可以提供多个有益特征。例如，至少对一阶(firstorder)，可以与例如电源功率(supply power)、占空比(Toff)、温度和/或布局无关地实现DEVM补偿。在一些实施例中，如这里所描述的传感器可以被配置为大体上与RF信号隔离。相应地，可以在不影响在高RF功率处的正常增益扩展特性(normal gain expansioncharacteristics)的情况下实现DEVM补偿。

图2示出了图1的传感器104可以是嵌入感测晶体管的示例。感测晶体管104可以类似于沿RF路径(例如，在RFin和RFout之间)实施的一个或多个放大晶体管102a、102b。感测晶体管104可以类似于放大晶体管102a、102b操作；但是，感测晶体管104可以基本上与RF路径隔离。相应地，感测晶体管104可以被用于感测与放大晶体管102a、102b相关联的一个或多个操作状态，而不被RF功率影响。

在图2的示例中，放大晶体管102a、102b被集体地描述为由通过各个端口106a、106b提供的信号操作。感测晶体管104被集体地描述为由通过端口108提供的信号操作。

在图2的示例中，放大晶体管102a、102b被描述为被布置在输入(RFin)和输出(RFout)之间的多个级中。应理解的是，放大晶体管还可以以其它方式被布置和利用。例如，图3示出了第一组的一个或多个晶体管102a可以接收、放大和输出RF信号的配置。类似地，第二组的一个或多个晶体管102b可以接收、放大和输出RF信号。在一些实施例中，第一组102a和第二组102b可以相互独立地放大RF信号。在一些实施例中，第一组102a和第二组102b可以以并联的方式布置并且集体地放大RF信号。

图4示出了图2和3的嵌入感测晶体管配置可以在DEVM补偿应用中实施的示例配置。在示例配置150中，一组一个或多个放大晶体管102被示出为被实施在裸芯100上，以允许输入RF信号(RFin)的放大。放大的RF信号被描述为被输出为RFout。相同的裸芯100被示出为还包括不与RF信号耦接的感测晶体管104。

图4示出了在一些实施例中，配置150可以包括DEVM补偿控制环路152，所述环路152包括与DEVM补偿电路154通信的感测晶体管104。感测晶体管104和放大晶体管102通常共有的操作参数可以被感测晶体管104感测并且传递到DEVM补偿电路154上(例如，通过路径156)。DEVM补偿电路154可以基于这样感测到的信号产生一个或多个控制信号；并且一个或多个控制信号可以提供给放大晶体管102和感测晶体管104之一或两者(例如，通过路径158)。在(除了没有RF信号之外)通常与放大晶体管102相同或者类似地操作感测晶体管104的配置中，来自DEVM补偿电路154的控制信号可以被提供给放大晶体管102和感测晶体管104两者。

在图4所示的示例中，DEVM补偿环路可以被配置为闭合的反馈环路。在其它实施例中，可以实施其它类型的补偿控制。在一些实施例中，DEVM控制电路154的一些或者全部可以被实施在或者可以不被实施在放大晶体管102和感测晶体管103被实施在的同一裸芯100上。

图5示出了在一些实施例中，图4的DEVM补偿电路154的一些或全部可以被实施在偏置电路174中。在示例配置170中，偏置电路174被描述为向放大晶体管102的基极提供(例如，通过路径178)偏置电压。相同的偏置电压可以通过标示为基极_感测(Base_sense)的节点被提供到感测晶体管104的基极。在一些实施例中，基极_感测节点可以以将感测晶体管104与输入RF信号(RFin)基本上隔离的方式耦接到感测晶体管104的基极。

在一些实施例中，可以基于与所述感测晶体管104相关联的集电极电流调节提供给放大晶体管102和感测晶体管104的基极偏置电压。感测晶体管104的这样的集电极电流可以由偏置电路174通过路径176感测。相应地，可以实施反馈控制环路172，其中使用感测到的感测晶体管104的集电极电流调节基极偏置电压以补偿与放大晶体管102相关联的DEVM效应。

图6示出了可以实施嵌入感测晶体管104的示例PA配置200。PA配置200可以是RF放大器的功率级的一部分。在示出的示例中，八个放大晶体管器件102被示出为以并联配置连接并且被布置为两组202、206，其中第一组202具有四个晶体管器件102并且第二组206具有另外四个晶体管器件102。在一些实施例中，组(202、206)中的至少一组可以包括一个或多个备用晶体管器件。

尽管在采用四加四布置的八个放大晶体管的上下文中描述，应理解的是，可以实施其它数量的放大晶体管。此外，这样的放大晶体管可以被分组为比2个的示例更多或更少的组，并且这样的组中可以具有或者不具有相同数量的放大晶体管。

在图6的示例中，感测晶体管104被示出为被实施在第一组202和第二组206之间。在这样的布置中的感测晶体管104的物理位置可以允许感测晶体管104测量通常(generally)代表放大晶体管102的操作状态(例如，温度)。

在图6的示例中，用于八个放大晶体管102的基极偏置信号被示出为通过用于第一组202的连接210以及用于第二组206的连接230提供。这样的连接210、230可以通过基极节点接收公共的基极偏置信号。

在图6的示例中，可以通过连接214(用于第一组202)、连接234(用于第二组206)以及连接224(用于感测晶体管104)提供用于八个放大晶体管102和感测晶体管104的发射极镇流。发射极镇流电阻器216(用于第一组202)、236(用于第二组206)以及226(用于感测晶体管104)可以将它们各自的连接耦接到发射极节点。在一些实施例中，用于八个放大晶体管102的发射极镇流电阻器可以具有基本上相同的值。用于感测晶体管104的发射极镇流电阻器可以具有或者不具有与用于放大晶体管102的发射极镇流电阻器相同的值。在一些实施例中，也可以以类似的方式实施基极镇流。

在图6的示例中，用于八个放大晶体管102的集电极信号被示出为被从公共的集电极节点提供。

在一些实施例中，感测晶体管104的基极可以耦接到基极节点以接收与提供给放大晶体管102的基极信号相同的基极信号。感测晶体管104的集电极可以耦接到偏置电路(图6中未示出)以允许偏置电路监控例如与所述感测晶体管104相关联的集电极电流并产生用于放大晶体管102的合适的DEVM补偿信号。在一些实施例中，可以实施嵌入电阻器240以允许例如跟踪基极电阻。这样的感测的电阻可以被独立地使用或者与感测的集电极电流一起被使用以产生DEVM补偿信号。

在前述图6的示例中，增加感测晶体管104可能增加放大晶体管102的单元200的长度。例如，对于1KOhm的基板，单元200的长度可能由于集电极间隔而增加大约30μm或50μm。对于50Ohm的基板，单元200的长度的增加可以较小。

在一些实施例中，多个单元(诸如图6的示例单元200)可以被布置为形成PA的功率级。图7示出了具有以并联配置布置的四个单元(200a、200b、200c、200d)的功率级250的示例。四个单元(200a、200b、200c、200d)的每一个可以类似于参考图6所述的示例。应理解的是，功率级可以包括更多或者更少数量的单元。

在图7的四个单元示例的上下文中，八个放大晶体管(图6中的102)的每一个可以占据例如大约48μm²。相应地，与每个单元(图6中的200)相关联的八个放大晶体管可以占据大约8×48μm²＝384μm²，并且与功率级250相关联的放大晶体管可以占据大约4×384μm²＝1,536μm²。在每个单元中增加一个或多个感测晶体管可能与这里所述的长度的增加成比例地增加整体的面积。

在图7的示例中，四个单元(200a、200b、200c、200d)的每一个被描述为包含感测晶体管。在一些实施例中，不是所有的单元都需要具有它们各自的感测晶体管。例如，在选择的单元中的一个感测晶体管可以提供用于整个功率级的感测功能。如果功率级足够大，其中可能希望包括多于一个感测位置，则可以在所选择的位置实施多于一个感测晶体管，并且来自这样的感测晶体管的感测的信息可以被分开使用、一起使用或者以其某种组合使用。

在一些实施例中，诸如单元中的晶体管的数量、晶体管尺寸以及单元的数量的设计因素可以基于例如功率级正在处理的功率的级别(level)(例如，所要求或所期望的线性功率的量)。通常地，所期望的是对更高功率的配置具有更大的阵列尺寸。应理解的是，尽管这里在功率级的上下文中描述各种示例，本公开的一个或多个特征也可以实施在其它PA级中。此外，尽管在PA应用的上下文中描述，本公开的一个或多个特征也可以在涉及期望感测操作状态的晶体管阵列的其它应用中实施。

在一些实施例中，图1的传感器104可以包括这里所述的一个或多个晶体管。传感器104还可以包括诸如带隙基准器件(device)、与绝对温度成比例的(PTAT)基准器件或其某种组合的器件。这样的器件可以根据所期望的温度补偿而基于这里所述的感测晶体管、结合这里所述的感测晶体管而使用、或者独立于这里所述的感测晶体管而使用。

图8-11示出了通过使用具有这里所述的一个或多个特征的感测晶体管而可以获得的性能改善的示例。图8示出了在没有感测晶体管的益处的情况中，在功率级的不同的操作温度处的作为电源电压的函数的静态电流曲线。图9示出了在具有感测晶体管(例如，图7的配置250)的情况中的功率级的静态电流曲线。人们可以容易地看到在具有感测晶体管的情况下，静态电流的值通常较低。此外，图9中降低的静态电流大体上与电源电压的所示范围无关。

图10示出了在没有感测晶体管的益处的情况中，当功率级的放大晶体管在不同的温度处导通时的集电极电流的轮廓曲线。图11示出了在具有感测晶体管的益处的情况中，当功率级的放大晶体管在不同的温度处导通时的集电极电流的轮廓曲线。人们可以容易地看到对于具有感测晶体管的益处的功率级，更快地达到稳定状态。

图12示出了在一些实施例中，具有这里所述的一个或多个特征的PA裸芯100可以实施在RF模块300中。如这里所述，这样的PA裸芯可以包括一个或多个级，并且诸如感测晶体管的一个或多个感测装置104可以实施在这样的级(例如，功率级)之一中、多个级之间或者其任何组合中。

PA电路可以被配置为通过输入节点(IN)和输入匹配网络302接收RF信号。放大的RF信号可以通过输出匹配网络306被传送并且通过OUT节点输出。可以通过例如电源功率(由节点310集体地描述出)促进PA电路的操作。

实施在裸芯100上的PA电路可以由偏置电路174偏置。在一些实施例中，这样的偏置电路可以耦接到传感器并且被配置为响应于从传感器104获得的感测的信号而提供反馈。在一些实施例中，这样的反馈可以被配置为在PA电路的动态操作期间补偿EVM效应。可以例如通过电源功率、参考电流等(由节点312集体地描述出)促进偏置电路的操作。

在一些实施例中，PA电路可以实施在裸芯100上，并且偏置电路174可以实施在另一半导体裸芯上。在一些实施例中，偏置电路174的一些或全部也可以实施在与PA电路相同的裸芯上。这样的配置被描述为302。

为了说明的目的，将理解的是，裸芯100可以包括例如硅(Si)、砷化镓(GaAs)和硅锗(SiGe)。也可以使用其它类型的半导体裸芯。还将理解的是，这里所描述的放大晶体管和感测晶体管可以包括诸如异质结双极型晶体管(HBT)的双极结型晶体管(BJT)。其它类型的晶体管可以被用于放大晶体管和感测晶体管。

在一些实施方式中，具有一个或多个这里所描述的特征的装置和/或电路可以被包含在诸如无线装置的RF装置中。可以直接在无线装置中、以如这里所描述的模块化的形式、或者以其某种结合实施这样的装置和/或电路。在一些实施例中，这样的无线装置可以包括例如被配置为提供无线服务的基站、蜂窝电话、智能电话、具有或不具有电话功能的手持无线装置、无线平板等。

图13示意性地描述了具有一个或多个这里所述的有益特征的示例无线装置400。在这里描述的各种配置的上下文中，具有功能的被描述为300的一个或多个PA模块可以被包括在无线装置400中。例如，用于WLAN/GPS操作的前端模块(FEM)452可以包括PA模块300。这样的PA可以被配置为放大WLAN信号以通过天线456发射。这样的WLAN信号可以由基带子系统408产生并且通过WLAN/蓝牙片上系统(SOC)460路由到FEM 452。可以通过天线458促进蓝牙信号的发射和接收。在示出的示例中，可以通过与GPS天线454和GPS接收器450通信的FEM452促进GPS功能。

在另一示例中，描述为300的RF PA模块可以包括如这里所述的一个或多个特征。这样的RF PA模块300可以包括一个或多个频带，并且每个频带可以包括一个或多个放大级(被集体地表示为110a、110b、110c或110d)。至少一个这样的放大级可以与这里所述的DEVM补偿电路154通信并且受益于这里所述的DEVM补偿电路154。如这里还描述的，DEVM补偿电路154可以耦接到诸如实施在一个或多个放大级(例如，功率级)处的感测晶体管的传感器104。这样的传感器可以提供代表一个或多个放大级的操作状态的信号；并且这样的感测的信号可以被DEVM补偿电路154使用。

在示例无线装置400中，具有多个PA的RF PA模块300可以向开关414(通过双工器412)提供放大的RF信号，并且开关414可以向天线416路由放大的RF信号。PA模块300可以从收发器410接收未放大的RF信号，所述收发器410可以以已知的方式配置和操作。

收发器410还可以被配置为处理接收的信号。这样的接收的信号可以从天线416通过双工器412被路由到LNA(未示出)。

收发器410被示出为与基带子系统408交互，所述基带子系统408被配置为提供适合于用户的数据和/或语音信号与适合于收发器410的RF信号之间的转换。收发器410还被示出为连接到电力管理部件406，所述电力管理部件406被配置为管理用于无线装置400的操作的电力。这样的电力管理部件还可以控制基带子系统408以及其它部件的操作。

基带子系统408被示出为连接到用户接口402以便利于提供给用户和从用户接收的语音和/或数据的各种输入和输出。基带子系统408还可以连接到存储器404，该存储器404被配置为存储数据和/或指令，以促进无线装置的操作，和/或为用户提供信息的存储。

多个其它无线装置配置可以利用这里描述的一个或多个特征。例如，无线装置不需要是多频带装置。在另一示例中，无线装置可以包括诸如分集天线的附加天线以及诸如Wi-Fi、蓝牙以及GPS的附加连接特征。

除非上下文清楚地另外要求，贯穿整个说明书和权利要求，词语“包括”和“包含”等应以包含性的含义来解释，而非排他性或穷举性的含义；也就是说，以“包括但不限于”的含义来解释。如这里通常使用的，词语“耦接”指代可以直接连接或通过一个或多个中间元件连接的两个或多个元件。此外，当在本申请中使用时，词语“这里”、“在上面”、“在下面”和类似意思的词语应指代本申请整体，而非本申请的任何特定部分。当上下文允许时，上面的具体实施方式中的、使用单数或复数的词语也可以分别包括复数或单数。在提到两个或多个项的列表时的词语“或”，该词语覆盖对该词语的全部下列解释：列表中的任何项，列表中的全部项以及列表中的项的任何组合。

对本发明的实施例的上面的详细描述意图不是穷举性的或将本发明限制为上面公开的精确形式。如相关领域技术人员将理解的，虽然为了说明的目的在上面描述了本发明的具体实施例和示例，在本发明的范围内各种等效修改是可能的。例如，虽然以给定顺序呈现过程或块，替换实施例可以执行具有不同顺序的步骤的例程，或采用具有不同顺序的块的系统，并且可以删除、移动、添加、细分、组合和/或修改一些过程或块。可以以多种不同方式实现这些过程或块中的每一个。此外，虽然过程或块有时被示出为串行执行，可替换地，这些过程或块可以并行执行，或可以在不同时间执行。

这里提供的本发明的教导可以应用于其他系统，而不一定是上面描述的系统。可以组合上面描述的各种实施例的元件和动作以提供进一步的实施例。

虽然已描述了本发明的某些实施例，但是这些实施例仅作为示例呈现，并且意图不是限制本公开的范围。实际上，这里描述的新方法和系统可以以各种其他形式实施；此外，可以做出这里描述的方法和系统的形式上的各种省略、替代和改变，而不背离本公开的精神。所附权利要求及其等效物意图覆盖将落入本公开的范围和精神内的这种形式或修改。

Claims (23)

1.一种功率放大器，包括：

功率放大器裸芯；

放大级，被实施在所述功率放大器裸芯上，所述放大级包含被配置为接收和放大射频信号的放大晶体管的阵列；

传感器，被实施在所述功率放大器裸芯上，所述传感器被相对于所述放大晶体管的阵列放置以允许感测代表所述放大晶体管的操作状态，所述传感器基本上与所述射频信号隔离；以及

与所述放大级和所述传感器通信的偏置电路，所述偏置电路被配置为向所述放大晶体管和所述传感器提供具有共同的值的基极偏置信号，以及被配置为补偿与所述放大晶体管的操作相关联的动态误差向量幅度效应。

2.如权利要求1所述的功率放大器，其中，所述传感器包含被配置为与所述放大晶体管类似地操作的感测晶体管。

3.如权利要求2所述的功率放大器，其中，所述操作状态包括所述放大晶体管的操作温度。

4.如权利要求3所述的功率放大器，其中，所述操作温度从与所述感测晶体管相关联的集电极电流获得。

5.如权利要求2所述的功率放大器，其中，所述基极偏置信号被提供给所述放大晶体管的基极和所述感测晶体管的基极。

6.如权利要求1所述的功率放大器，其中，所述放大晶体管的阵列包含以并联配置布置的多个放大晶体管。

7.如权利要求6所述的功率放大器，其中，所述多个放大晶体管被分组为第一组和第二组。

8.如权利要求7所述的功率放大器，其中，所述传感器被实施在第一组放大晶体管和第二组放大晶体管之间。

9.如权利要求1所述的功率放大器，其中，所述放大级包含放大晶体管的多个阵列。

10.如权利要求1所述的功率放大器，其中，所述放大级包含功率级。

11.如权利要求1所述的功率放大器，其中，所述传感器包含带隙基准器件。

12.如权利要求1所述的功率放大器，其中，所述传感器包含与绝对温度成比例的器件。

13.一种用于制造功率放大器的方法，所述方法包括：

提供或形成半导体晶片；

在半导体晶片上形成多个放大级，每个放大级包含被配置为接收和放大射频信号的放大晶体管的阵列；

在半导体晶片上形成多个传感器，使得至少一个传感器被相对于放大晶体管的每个阵列放置以允许感测代表所述放大晶体管的操作状态，所述传感器基本上与所述射频信号隔离；以及

耦合偏置电路至所述多个放大级和所述多个传感器，所述偏置电路被配置为向所述多个放大级和所述多个传感器提供具有共同的值的基极偏置信号，以及被配置为补偿与所述放大晶体管的操作相关联的动态误差向量幅度效应。

14.如权利要求13所述的方法，还包括切割半导体晶片以产生多个功率放大器裸芯。

15.一种射频模块，包括：

封装基板，配置为容纳多个部件；以及

功率放大器裸芯，安装在所述封装基板上，所述功率放大器裸芯包含功率放大器电路，所述功率放大器电路具有包含配置为接收和放大射频信号的放大晶体管的阵列的放大级，所述功率放大器裸芯还包含传感器，所述传感器被相对于所述放大晶体管的阵列放置以允许感测代表所述放大晶体管的操作状态，所述传感器基本上与所述射频信号隔离，所述放大级和所述传感器被耦合至偏置电路，所述偏置电路被配置为向所述放大级和所述传感器提供具有共同的值的基极偏置信号，以及被配置为补偿与所述放大晶体管的操作相关联的动态误差向量幅度效应。

16.如权利要求15所述的射频模块，其中，所述功率放大器电路被配置为放大用于无线局域网的射频信号。

17.如权利要求15所述的射频模块，其中，所述传感器被配置为跟踪所述放大级的操作温度。

18.如权利要求17所述的射频模块，还包括所述偏置电路。

19.如权利要求18所述的射频模块，其中，所述偏置电路还被配置为基于感测的代表所述操作温度的信号补偿至少一些所述偏置信号。

20.如权利要求19所述的射频模块，其中，所述偏置信号的补偿被配置为补偿所述动态误差向量幅度效应。

21.如权利要求17所述的射频模块，其中所述偏置电路的至少一部分被实施在所述功率放大器裸芯上。

22.一种无线装置，包括：

发射器电路，配置为产生射频信号；

功率放大器电路，与所述发射器电路通信，所述功率放大器电路被配置为放大所述射频信号，所述功率放大器电路包含具有被配置为接收和放大所述射频信号的放大晶体管的阵列的放大级，所述功率放大器电路还包含传感器，所述传感器被相对于所述放大晶体管的阵列放置以允许感测代表所述放大晶体管的操作状态，所述传感器基本上与所述射频信号隔离，并且所述功率放大器电路还包含与所述放大级和所述传感器通信的偏置电路，所述偏置电路被配置为向所述放大晶体管和所述传感器提供具有共同的值的基极偏置信号；以及

天线，与所述功率放大器电路通信，所述天线被配置为发射所述放大的射频信号。

23.如权利要求22所述的无线装置，其中，所述天线是无线局域网天线。