CN104715877A - 一种稀土永磁体及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种稀土永磁体及其制造方法。所述稀土永磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5，所述磁体扩散有镝、铽或钬中的至少一种元素。利用本发明提供的制造方法，实现了在不影响磁体耐蚀性的基础上，使磁体获得高的矫顽力和理想的退磁曲线方形度。

Description

一种稀土永磁体及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种稀土永磁体及其制造方法。

背景技术

烧结钕铁硼磁体由于其优异的磁性能，广泛应用于电子信息、汽车工业、医疗设备、能源交通等众多领域。其中很多应用要求磁体具有高的耐热性，不仅要求磁体有较高的最大磁能积(BH)_max，同时还要求有高的内禀矫顽力H_cj及退磁曲线方形度，以减少在使用过程中尤其是在相对高温的环境下使用时的失磁，从而确保磁体在上述环境中长期使用时仍具有高的磁性能。

近年来，对如何在不降低剩磁的前提下提高矫顽力并减少重稀土的使用量做了大量研究，已有多种通过向磁体表面及近表面的晶界处提供重稀土元素来提高矫顽力的方法被公开报道了。

中国专利申请200580001133.X公开了一种稀土永磁材料的制备方法，通过将稀土元素的氟化物、氧化物和氟氧化物的粉末热扩散至磁体内部，从而使磁体的剩磁和磁能积基本不降低，而矫顽力得到提高，且该方法使用的重稀土资源相对较少。然而，该方法要求基材磁体的厚度都不大于3mm。而应用于较大型电机的高矫顽力磁体材料厚度大部分都在5mm以上。

中国专利申请200980101615.0公开了一种烧结Nd-Fe-B磁体的制造方法，在基材磁体的表面堆积重稀土并进行热扩散，确保基材磁体中的稀土含量在12.7at％以上。由于与主相的化学计量组成相比，如果金属状态的稀土量过剩达到一定量以上，晶界扩散处理时会在晶界形成粗的熔融的Nd富相的通路，可以使镝(Dy)和铽(Tb)从表面附近向基材深处快速扩散。因此，这种方法在提高磁体矫顽力的同时能提高磁体的退磁曲线方形度。但过量的稀土容易导致磁体的耐蚀性下降，同时也增加磁体的生产成本。

经过磁场取向后压型、烧结的钕铁硼磁体被侵蚀后，对磁体上垂直于取向方向的表面和除垂直于取向方向的表面之外的其他表面的金相(见图1)进行比较可知，在液相温度以上时取向方向有更宽的富稀土相通道存在。对于采用扩散重稀土来提高矫顽力的方法而言，这种液相通道上的方向性差异影响着扩散速度和效果。

发明内容

鉴于磁体的上述特性，本发明提供一种稀土永磁体及其制造方法，实现了在不影响磁体耐蚀性的基础上，使磁体获得高的矫顽力和理想的退磁曲线方形度。

所述稀土永磁体，由合金R^1a-T¹-B和合金R^1b-T²-M¹-B制得。所述合金R^1a-T¹-B中含有原子百分比为8.0～15％的R^1a、原子百分比为5.1～7.5％的B和余量的T¹，其中R^1a是钕元素和选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种元素，B是硼元素，T¹是铁元素或铁和钴两种元素。所述合金R^1b-T²-M¹-B中含有原子百分比为10～25％的R^1b、原子百分比为5.1～7.5％的B、原子百分比为0～7％的M¹和余量的T²，其中R^1b是选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，M¹是选自铝、铜、锌、镓、铟、锗和锡中的至少一种元素，T²是铁元素、钴元素或铁和钴两种元素。所述磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5。镝、铽或钬中的至少一种元素，通过晶界扩散由所述磁体的表面扩散进入所述磁体的内部。

所述制造稀土永磁体的方法，包括以下步骤：

a、用合金R^1a-T¹-B和合金R^1b-T²-M¹-B制造毛坯磁体，

所述合金R^1a-T¹-B中含有原子百分比为8.0～15％的R^1a、原子百分比为5.1～7.5％的B和余量的T¹，其中R^1a是钕和选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，B是硼元素，T¹是铁元素或铁和钴两种元素，

所述合金R^1b-T²-M¹-B中含有原子百分比为10～25％的R^1b、原子百分比为5.1～7.5％的B、原子百分比为0～7％的M¹和余量的T²，其中R^1b是选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，M¹是选自铝、铜、锌、镓、铟、锗和锡中的至少一种元素，T²是铁元素、钴元素或铁和钴两种元素；

b、对所述毛坯磁体进行机加工并清洁其表面，得到基材磁体，所述基材磁体的尺寸满足：所述基材磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5；

c、在所述基材磁体的表面布置元素R，所述元素R是镝、铽或钬中的至少一种；

d、对布置有所述元素R的所述基材磁体进行热处理，使附着到所述基材磁体表面的所述元素R扩散进入所述基材磁体的内部；

e、将所述基材磁体加工形成成品磁体。

优选地，在所述步骤c中，通过在所述基材磁体的表面布置粉末来布置所述元素R，所述粉末包括以下粉末中的至少一种：所述元素R的氟化物粉末、氢化物粉末、硝酸盐粉末、硫酸盐粉末、元素R与元素M²的合金粉末，所述元素M²是铁、钴、铜、铝、锌、镓、铟、锗、锡中的至少一种，其中R的质量百分比不少于50％。

优选地，在所述步骤c中，通过在所述基材磁体表面上蒸镀含有所述元素R的金属，使其成膜来布置所述元素R。

优选地，在所述步骤b中，所述基材磁体的尺寸满足：当所述基材磁体最小线度方向的尺寸大于3mm时，所述基材磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5。

更优选地，在所述步骤b中，所述基材磁体的尺寸满足：当所述基材磁体最小线度方向的尺寸大于6mm时，所述基材磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5。

根据本发明的技术方案，在不影响磁体耐蚀性的基础上，确保基材磁体垂直于取向方向的表面的面积与除垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积比值在一定范围，然后进行重稀土元素的扩散。这样当基材磁体的最小线度方向尺寸比较大时，例如在3mm以上，依旧能获得高的矫顽力和理想的退磁曲线方形度。

附图说明

图1是现有技术的磁体被侵蚀后的金相显微照片，(a)是垂直于取向方向的表面，(b)是平行于取向方向的表面。

图2是本发明具体实施方式中基材磁体、实施例磁体和对比例磁体的退磁曲线。

图3是本发明具体实施方式中各实施例的工艺条件参数。

图4是分别在20℃和100℃下，实施例1磁体和对比例1磁体的磁性能测定结果。

图5是在20℃下，实施例2～6和对比例2的磁体磁性能的测定结果。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。

1、基材磁体的准备

首先，熔炼得到合金R^1a-T¹-B(下文称为合金A)和合金R^1b-T²-B-M¹(下文称为合金B)的铸锭或合金薄片。

在R^1a-T¹-B中，R^1a为包括Y和Sc在内的稀土元素中的至少一种，且R^1a至少含有Nd，R^1a的原子百分比为8.0％～15.0％，B是硼元素，其原子百分比为5.1～7.5％，余量为T¹，T¹为Fe或Fe和Co两种元素。

在R^1b-T²-B-M¹中，R^1b为包括Y和Sc在内的稀土元素中的至少一种，R^1b的原子百分比为10.0～25.0％，M¹为Al、Cu、Zn、Ga、In、Ge、Sn中的至少一种，M¹的原子百分比为0～7％，B的原子百分比为5.1～7.5％，余量为T²，T²为Fe、Co或Fe和Co两种元素。

接下来，按常规方法分别对合金A、B的铸锭或薄片进行机械破碎、氢破碎和气流磨或球磨。为了使磁体获得高的矫顽力和退磁曲线方形度，原始的磁体主相晶粒需要比较细小且均匀。因此，合金A粉末的粒径D50为3～6μm，合金B粉末的D50为1～5μm，且合金B粉末比合金A粉末更细。按比例混合合金A、B的粉末，其中合金A粉末的质量百分比在60～100％的范围内，其余为合金B粉末。

然后，将均匀混合后的粉末经磁场取向压制成型，通过等静压法压制成型后，进行常规真空烧结，真空度为10^-3～100Pa，烧结温度在1040～1100℃的范围内，烧结保温时间为0.5～15h。然后优选进行回火，并优选两级回火，真空度为10^-3～100Pa，第一级回火的温度为750～950℃，保温时间为0.5～8h，第二级回火的温度为450～650℃，保温时间为0.5～15h，得到毛坯磁体。

接着，对毛坯磁体进行切割、磨削、倒角等机加工处理，并用酸或碱液进行清洗以清洁毛坯磁体的表面，最后得到基材磁体。

假设基材磁体的总表面积为S，垂直于取向方向的表面的面积为S_c，其他表面的面积为S_r，S_r＝S-S_c。基材磁体的尺寸满足：S_c和S_r比值大于等于0.5，尤其是当基材磁体最小线度方向的尺寸超过3mm，尤其是超过6mm时，S_c和S_r比值大于等于0.5，这样可以确保重稀土元素扩散后磁体的退磁曲线方形度不会降低或降低很少。(最小线度方向是指磁体上尺寸最小的那个方向，比如长、宽、高分别是5、3、2的立方体，最小线度方向是指尺寸为2的那个方向，又比如直径和厚度分别为10和2的圆柱体，最小线度方向是指尺寸为2的那个方向。)

针对最小线度方向尺寸较大的磁体，如果S_c与S_r的比值太小，即垂直于取向方向的表面的面积相对小时，扩散物质更多地从非取向面渗入。由于磁体中富稀土相的各向异性分布，热处理时在这些非取向方向的液相通道的扩散效果比取向方向小，这样会影响扩散物扩散的均匀性和磁体的退磁曲线方形度。

2、在基材磁体表面布置重稀土元素R

重稀土元素R为Dy、Tb或Ho中的至少一种。

可以利用下述扩散物来布置元素R。扩散物为选自以下粉末中的至少一种：元素R的氟化物粉末、氢化物粉末、硝酸盐粉末、硫酸盐粉末、元素R与元素M²的合金粉末，元素M²为Fe、Co、Cu、Al、Zn、Ga、In、Ge、Sn中的至少一种，其中R的质量百分比不少于50％。

上述粉末的粒度不大于40μm。粉末颗粒越细，表面能越高，越容易被扩散和吸收。粉末颗粒如果太粗，会影响在磁体表面的附着均匀性，从而影响元素R扩散吸收的均匀程度，进而影响磁体的退磁曲线方形度。

将扩散物粉末混合加入水或醇中制备成溶液。所述醇优选乙醇。粉末在水或醇中的质量百分比为5～100％。溶液浓度如果太低，元素R的附着量可能不够而影响扩散量，从而影响矫顽力的提高。

通过浸渍、刷涂、喷涂或包覆的方式将扩散物布置到基材磁体的表面，然后进行必要的干燥处理。

元素R的布置，还可以利用含有元素R的金属，对基材磁体进行蒸镀成膜处理来完成。

3、热扩散处理

在10^-4～100Pa真空或惰性气体条件下，对布置有元素R的基材磁体进行热处理，温度高于500℃并低于磁体的烧结温度，时间为0.5～10h。惰性气体优选氩气，纯度不低于99.99％。通过热处理，布置在基材磁体表面的元素R通过磁体的液相晶界，充分扩散入磁体。

热处理过程在真空或惰性气体条件下进行，是为了防止磁体表面及表面的附着层在高温下与其他气体反应而使磁体劣化。

热处理时如果温度太低或时间太短，向磁体内部扩散的元素R可能不足，会影响矫顽力提高的效果，同时降低退磁曲线方形度。热处理时如果温度太高或时间太长，元素R由磁体表面扩散入磁体内部的同时由晶界向主相晶粒内部扩散，会导致剩磁和矫顽力都降低，甚至磁体的变形，且会造成能源的浪费。

4、回火

在热处理后，对磁体进行常规的回火处理，优选两级回火。第一级回火的温度为750～950℃，保温时间为0.5～8h，第二级回火的温度为450～650℃，保温时间0.5～15h，真空条件为10^-3～100Pa。

最后，形成成品磁体。

实施例1

合金A的成分(原子百分比)为：(Nd，Pr)₈(Fe，Co)₈₅B₇，合金B的成分(原子百分比)为(Nd，Dy，Y)₁₆(Fe，Co)_71.3B_5.7(Cu，Al)₇。

熔炼合金，得到合金A的薄片和合金B的铸锭块。将合金A和B分别进行机械粗破碎、氢破碎、气流磨，得到D50为5.5μm的合金A粉末，以及D50为2μm的合金B粉末。

混合合金A、B的粉末，使合金A粉末在混合粉末中的质量百分比为85％。然后经2.0T取向磁场取向压型，通过180MPa等静压压制形成生坯。在1065℃烧结生坯5h，得到毛坯磁体。

对毛坯磁体进行切割、磨削、去除氧化皮等处理。然后用碱液清洗表面，得到长20mm×宽20mm×高10mm的基材磁体，其中10mm方向为磁场取向方向，其S_c∶S_r为1.0。

在本实施例中，用于扩散的元素R为Tb，通过扩散物来布置元素R。所用扩散物是TbF₃和Tb-Fe的混合粉末，Tb在混合粉末中的质量百分比为66％。TbF₃和Tb-Fe粉末的平均粒度分别为5μm和20μm。将上述粉末混合物加入乙醇中配制成扩散溶液，粉末混合物在乙醇溶液中的质量分数为10％。将溶液搅拌均匀后刷涂在基材磁体的表面，然后在空气中对基材磁体进行干燥脱水。

将刷涂有扩散溶液的基材磁体放入真空热处理炉，在10^-4Pa的真空中进行600℃、6小时的热扩散处理，随后在10^-3Pa真空中进行480℃、5小时的回火处理。

最终得到成品磁体。

分别在20℃和100℃环境下测定磁体的磁性能，结果如图4所示。

对比例1

基材磁体的成分和制备方法与实施例1相同，尺寸为长10mm×宽10mm×高20mm，其中高20mm的方向为磁场取向方向，S_c∶S_r为0.25(小于0.5)。

元素R的布置、热扩散处理以及热扩散后的回火工艺与实施例1相同。

分别在20℃和100℃环境下测定基材磁体、实施例1磁体和对比例1磁体的磁性能，结果如图4所示。

基材磁体、实施例1磁体和对比例1磁体的退磁曲线如图2所示。

实施例2

合金A的成分(原子百分比)为：(Nd，Pr，Gd，Y)₁₅(Fe，Co)_79.9B_5.1，合金B的成分为：(Nd，Dy，Ho)₁₀Fe_75.5B_7.5(Cu，Al，Ga，In，Sn)₇。

熔炼合金，得到合金A和合金B的薄片。将合金A和合金B分别进行机械粗破碎、氢破碎、气流磨，得到D50为4.5μm的合金A粉末，以及D50为3.5μm的合金B粉末。

混合合金A、B粉末，使合金A粉末在混合粉末中的质量百分比为80％。然后经2.0T取向磁场取向压型，通过180MPa等静压压制形成生坯。在1060℃烧结生坯3h，得到毛坯磁体。

对毛坯磁体进行切割、磨削、去除氧化皮等处理。然后用碱液清洗表面，得到长6mm×宽6mm×高6mm的基材磁体，其中高6mm的方向为磁场取向方向，其S_c∶S_r为0.5。

在本实施例中，用于扩散的元素R为Dy和Ho，通过扩散物来布置元素R。所用扩散物是Dy(NO₃)₃和Ho-Al的混合粉末。Dy和Ho在混合粉末中总的质量分数为61％。Dy(NO₃)₃和Ho-Al粉末的平均粒度分别为7.5μm和25μm。将上述粉末混合物加入乙醇中配制成扩散溶液，粉末混合物在溶液中所占的质量分数为10％。

将基材磁体浸渍入含有扩散物的溶液中来布置扩散物，然后在空气中对基材磁体进行干燥脱水。

接下来，将布置有扩散物的基材磁体放入真空热处理炉，在10^-4Pa的真空中进行700℃、5小时的热扩散处理，随后在10^-3Pa真空中进行550℃、3小时的回火处理。

最终得到成品磁体。

在20℃环境下分别测定本实施例的基材磁体和扩散元素R之后的成品磁体的磁性能，结果如图5所示。

实施例3

基材磁体的成分和制备方法与实施例2相同。

切割得到的基材磁体尺寸为：长8mm×宽8mm×高6mm，其中高6mm的方向为磁场取向方向，其S_c∶S_r为0.67。

重稀土元素R的布置、热扩散以及回火的工艺与实施例2相同。

在20℃环境下分别测定本实施例的基材磁体和扩散元素R之后的成品磁体的磁性能，结果如图5所示。

对比例2

基材磁体的成分和制备方法与实施例2相同，尺寸为长6mm×宽6mm×高8mm，其中高8mm的方向为磁场取向方向，S_c∶S_r为0.38(小于0.5)。

重稀土元素R的布置、热扩散以及回火的工艺与实施例2相同。

在20℃下分别测定本对比例的基材磁体和扩散元素R之后的成品磁体的磁性能，结果如图5所示。

实施例4

合金A的成分(原子百分比)为：(Nd，La，Lu)₈(Fe，Co)_85.8B_6.2，合金B的成分(原子百分比)为：(Nd，Pr，Dy)₂₂Fe_68.5B_6.5(Cu，Al)₃。

熔炼合金，得到合金A和合金B的薄片。将合金A和B分别进行机械粗破碎、氢破碎、气流磨或球磨，得到D50为6.0μm的合金A粉末，以及D50为1.0μm的合金B粉末。

混合合金A、B粉末，使合金A在混合粉末中的质量百分比为60％。然后经2.0T取向磁场取向压型，通过180MPa等静压压制形成生坯。在1040℃烧结生坯15h。接下来，进行回火处理，第一级回火温度为950℃，保温时间为0.5小时，第二级回火温度为450℃，保温时间为15小时。最后得到毛坯磁体。

对毛坯磁体进行切割、磨削、去除氧化皮等处理。然后用碱液清洗表面，得到长5mm×宽5mm×高2mm的基材磁体，其中高2mm的方向为磁场取向方向，其S_c∶S_r为1.25。

在本实施例中，用于扩散的元素R为Dy，通过扩散物来布置元素R。所用扩散物是Dy-Cu的合金粉末。Dy在合金粉末中的质量分数为56％。Dy-Cu合金粉末的平均粒度分别为0.3μm。将上述粉末包覆到基材磁体的表面。

将布置有扩散物的基材磁体放入真空热处理炉，在100Pa的高纯氩中进行500℃、10小时的热扩散处理，随后在10^-3Pa真空中进行880℃保温2小时和600℃保温5小时的回火处理。

最终得到成品磁体。

在20℃环境下分别测定本实施例的基材磁体和扩散元素R之后的成品磁体的磁性能，结果如图5所示。

实施例5

合金A的成分(原子百分比)为：(Nd，Pr，Dy，Tb)₁₄Fe_79.2B_6.8。

熔炼合金，得到合金A的薄片。将合金A进行机械粗破碎、氢破碎、气流磨，得到D50为3.5μm的合金A粉末。然后经2.0T取向磁场取向压型，通过180MPa等静压压制形成生坯。在1100℃烧结生坯0.5h。接下来，进行回火，第一级回火温度为890℃，保温2.5小时，第二级回火温度是500℃，保温时间是4小时。最后，得到毛坯磁体。

对毛坯磁体进行切割、磨削、去除氧化皮等处理。然后用碱液清洗表面，得到Φ12mm×4mm的基材磁体，其中高度4mm的方向为磁场取向方向，其S_c∶S_r为1.5。

在本实施例中，用于扩散的元素R为Tb，通过扩散物来布置元素R。所用扩散物是Tb₂(SO₄)₃粉末。Tb在粉末中的质量分数为52％。Tb₂(SO₄)₃的平均粒度分别为15μm。将上述粉末混合物加入乙醇中配制成扩散溶液，粉末在溶液中所占的质量分数为25％。将扩散物的溶液均匀喷涂至基材磁体的表面。

将布置有扩散物的基材磁体放入真空热处理炉，在2×10^-3Pa的真空中进行850℃、2.5小时的热扩散处理，随后在6×10^-2Pa真空中进行950℃保温0.5小时和650℃保温4小时的回火处理。

最终得到成品磁体。

在20℃环境下分别测定本实施例的基材磁体和扩散元素R之后的成品磁体的磁性能，结果如图5所示。

实施例6

基材磁体的成分和制备方式与实施例5相同，样品的形状、尺寸也切割成与实施例5的相同。

在本实施例中，用于扩散的元素R为Dy。所用扩散物是金属Dy。将金属块状Dy布置在基材磁体的周围，在7×10^-4Pa的真空中加热至820℃，保温0.5小时，使得Dy金属成为蒸气，并在基材磁体的表面上成膜。然后，在2×10^-3Pa的真空中进行850℃、保温2.5小时的热扩散处理，随后在6×10^-2Pa的真空中进行950℃、保温0.5小时和650℃、保温4小时的两级回火处理。

最终得到成品磁体。

在20℃环境下分别测定本实施例的基材磁体和扩散元素R之后的成品磁体的磁性能，结果如图5所示。

图3示出了以上各实施例的一些工艺参数，图4和图5示出了各实施例和对比例的基材磁体和成品磁体的磁性能。

根据图2、图4和图5所示的结果可知，在确保稀土永磁体上垂直于取向方向的表面的面积S_c与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积S_r之比大于等于0.5时，在磁体扩散重稀土时会得到更好的扩散效果，尤其是方形度降低更少。

以上结合具体实施方式和实施例对本发明的技术方案进行了详细的说明，但本发明并不受限于此。在实现本发明目的的前提下，本领域技术人员可以对本发明的技术方案做出各种改变和变形。

Claims (6)

1.一种稀土永磁体，由合金R^1a-T¹-B和合金R^1b-T²-M¹-B制得，

所述合金R^1a-T¹-B中含有原子百分比为8.0～15％的R^1a、原子百分比为5.1～7.5％的B和余量的T¹，其中R^1a是钕元素和选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，B是硼元素，T¹是铁元素或铁和钴两种元素，

所述合金R^1b-T²-M¹-B中含有原子百分比为10～25％的R^1b、原子百分比为5.1～7.5％的B、原子百分比为0～7％的M¹和余量的T²，其中R^1b是选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，M¹是选自铝、铜、锌、镓、铟、锗和锡中的至少一种元素，T²是铁元素、钴元素或铁和钴两种元素，

所述磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5，

镝、铽或钬中的至少一种元素，通过晶界扩散由所述磁体的表面扩散进入所述磁体的内部。

2.一种制造稀土永磁体的方法，包括以下步骤：

a、用合金R^1a-T¹-B和合金R^1b-T²-M¹-B制造毛坯磁体，

所述合金R^1a-T¹-B中含有原子百分比为8.0～15％的R^1a、原子百分比为5.1～7.5％的B和余量的T¹，其中R^1a是钕和选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，B是硼元素，T¹是铁元素或铁和钴两种元素，

所述合金R^1b-T²-M¹-B中含有原子百分比为10～25％的R^1b、原子百分比为5.1～7.5％的B、原子百分比为0～7％的M¹和余量的T²，其中R^1b是选自包括钇和钪在内的稀土元素中的至少一种，所述M¹是选自铝、铜、锌、镓、铟、锗和锡中的至少一种元素，所述T²是铁元素、钴元素或铁和钴两种元素；

b、对所述毛坯磁体进行机加工并清洁其表面，得到基材磁体，所述基材磁体的尺寸满足：所述基材磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5；

c、在所述基材磁体的表面布置元素R，所述元素R是镝、铽或钬中的至少一种；

d、热处理布置有所述元素R的所述基材磁体，使附着到所述基材磁体表面的所述元素R扩散进入所述基材磁体的内部；

e、加工所述基材磁体形成成品磁体。

3.根据权利要求2所述的制造稀土永磁体的方法，其特征在于，在所述步骤c中，通过在所述基材磁体的表面布置粉末来布置所述元素R，所述粉末包括以下粉末中的至少一种：所述元素R的氟化物粉末、氢化物粉末、硝酸盐粉末、硫酸盐粉末、所述元素R与元素M²的合金粉末，所述元素M²是铁、钴、铜、铝、锌、镓、铟、锗、锡中的至少一种，其中所述R的质量百分比不少于50％。

4.根据权利要求2所述的制造稀土永磁体的方法，其特征在于，在所述步骤c中，通过在所述基材磁体表面上蒸镀含有所述元素R的金属，使其成膜来布置所述元素R。

5.根据权利要求2所述的制造稀土永磁体的方法，其特征在于，在所述步骤b中，所述基材磁体的尺寸满足：当所述基材磁体最小线度方向的尺寸大于3mm时，所述基材磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5。

6.根据权利要求2所述的制造稀土永磁体的方法，其特征在于，在所述步骤b中，所述基材磁体的尺寸满足：当所述基材磁体最小线度方向的尺寸大于6mm时，所述基材磁体上垂直于取向方向的表面的面积与除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面积之比大于等于0.5。