CN104681722B - 钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法 - Google Patents

钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104681722B
CN104681722B CN201510100147.2A CN201510100147A CN104681722B CN 104681722 B CN104681722 B CN 104681722B CN 201510100147 A CN201510100147 A CN 201510100147A CN 104681722 B CN104681722 B CN 104681722B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tio
nano
perovskite solar
solar cell
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510100147.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104681722A (zh
Inventor
王时茂
董伟伟
方晓东
陶汝华
邓赞红
邵景珍
张庆礼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Original Assignee
Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Institutes of Physical Science of CAS filed Critical Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority to CN201510100147.2A priority Critical patent/CN104681722B/zh
Publication of CN104681722A publication Critical patent/CN104681722A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104681722B publication Critical patent/CN104681722B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

本发明公开了一种钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，首先采用磁控溅射、真空热蒸发、脉冲激光沉积等物理镀膜技术在导电玻璃基底上依次制备TiO2致密层和Ti金属薄膜，然后采用溶液氧化方法将Ti金属薄膜氧化为准一维TiO2纳米结构阵列作为钙钛矿太阳电池的骨架层。在骨架层上制备钙钛矿型有机金属卤化物光吸收层、空穴传输层和对电极后可获得钙钛矿太阳电池。本方法制备的准一维TiO2纳米结构阵列骨架层可提高载流子传输速度，减小载流子复合几率等，提高钙钛矿太阳电池的载流子收集效率和光电转换效率，具有良好的应用前景。

Description

钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，具体是一种钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法。
背景技术
利用太阳能进行光伏发电是解决人类面临的能源短缺和环境污染两大问题的可行途径之一。因此，光伏技术得到了各国政府、科技界和产业界的高度重视，光伏技术和光伏产业正在快速发展。目前，较为成熟的硅基太阳电池已经被大规模地生产和推广，广泛地应用于航天、交通、照明等领域。然而，硅基太阳电池的制造工艺复杂、成本高，并且在制造过程中会对环境造成污染。染料敏化太阳电池自1991年由瑞士洛桑联邦理工学院M. Grätzel教授 [Nature, 353(1991): 737–740] 发明以来，以低廉的成本、简单的制备工艺以及相对较高的光电转换效率受到了广泛的关注。近年，在染料敏化太阳电池的研究过程中发展出来的以钙钛矿型有机金属卤化物（如CH3NH3PbI3、CH3NH3PbBr3等）为光吸收材料的钙钛矿太阳电池具有材料易于合成、光电转换效率较高等优点，迅速成为了新型薄膜太阳电池领域的研究热点。目前钙钛矿太阳电池的最高光电转换效率已达20.1%，接近了硅基太阳电池的光电转换效率，具有良好的应用前景，甚至有学者在《自然》杂志发表观点认为钙钛矿太阳电池已经临近商业化应用 [Nature, 513(2014): 470–470]。
目前常见的钙钛矿太阳电池主要有两种结构，分别是图1所示的具有介孔骨架层的钙钛矿太阳电池和图2所示的具有平面异质结薄膜结构的钙钛矿太阳电池。介孔骨架层钙钛矿太阳电池从下到上依次叠加着透明基底101、透明导电层102、TiO2致密层103、介孔骨架层104、钙钛矿型有机金属卤化物光吸收层105、空穴传输层106和对电极107。平面异质结薄膜钙钛矿太阳电池与介孔骨架层钙钛矿太阳电池的区别在于取消了介孔骨架层104，钙钛矿型有机金属卤化物光吸收层105与TiO2致密层103直接接触形成平面异质结薄膜结构。平面异质结薄膜钙钛矿太阳电池结构简单，电池效率较高，但是电池测试会出现明显的滞后现象，实验室中所获得的电池效率并未获得权威机构的认证，且载流子收集效率较低，小于50%；介孔骨架层钙钛矿太阳电池，因为载流子在钙钛矿型有机金属卤化物材料中有100nm左右的扩散长度，使得其载流子收集效率高达99%以上，目前已获得认证的光电转换效率高达20.1%，相对于平面异质结薄膜钙钛矿太阳电池具有明显优势。
但是，介孔骨架层钙钛矿太阳电池最常用的骨架层由TiO2纳米颗粒组成，载流子在吸光层与骨架层的界面以及在骨架层中传输时不可避免的会发生散射和复合，从而降低钙钛矿太阳电池的光电转换效率。采用TiO2纳米线、纳米棒、纳米管等一维纳米结构阵列薄膜作为骨架层，既可减小载流子复合的几率，保持高的载流子收集效率，又可为载流子提供连续直接的传输路径，提高载流子的传输速度，从而提高钙钛矿太阳电池的光电转换效率。
常见的用于薄膜太阳电池和钙钛矿太阳电池的准一维TiO2纳米结构阵列薄膜多是通过水热法在透明导电基底上合成的TiO2纳米棒阵列。TiO2纳米棒阵列中纳米棒长度不能精确控制，特别是在薄膜厚度较小（小于1微米）纳米棒较短的情况下，TiO2纳米棒的排列杂乱无章，不能形成规整有序的纳米棒阵列。而钙钛矿型有机金属卤化物材料吸光系数很高，钙钛矿太阳电池骨架层的合适厚度为250~500nm，因此传统水热合成方法不能制备出适合用作钙钛矿太阳电池骨架层的TiO2纳米棒阵列。
发明内容 本发明的目的是提供一种钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，以解决现有技术存在的问题。
为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案为：
钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）、透明导电基底的刻蚀与清洗：用锌粉和1~6mol/L的盐酸将透明导电基底按照钙钛矿太阳电池结构所需的图样进行刻蚀，随后经超声清洗、氮气吹干后备用；
（2）、TiO2致密层的制备：将步骤（1）中准备好的透明导电基底覆盖掩膜后置于物理镀膜设备腔内，并固定透明导电基底，采用物理镀膜技术，在透明导电基底上制备TiO2致密层，并采用膜厚仪将TiO2致密层的厚度控制在30~80nm；
（3）、Ti金属薄膜的制备：采用物理镀膜技术，以Ti靶或Ti粉为原料，在步骤（2）制备的TiO2致密层上沉积Ti金属薄膜，并采用膜厚仪将Ti金属薄膜的厚度控制在250~500nm；
（4）、反应溶液配制：取50~80mL质量浓度为20%~50%的H2O2溶液，加入辅助氧化物搅拌均匀；
（5）、准一维TiO2纳米结构阵列的制备：将通过步骤（1）~（3）制备好的依次沉积了TiO2致密层和Ti金属薄膜的透明导电基底置于步骤（4）配制的反应溶液中，在60~110℃温度下反应48~72小时，随后取出用去离子水冲洗后在氮气流中干燥，再在450~510℃退火30~90分钟，制得适用于钙钛矿太阳电池的准一维TiO2纳米结构阵列骨架层。
所述的钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：步骤（1）中采用的透明导电基底为ITO、FTO、AZO中的任意一种。
所述的钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：步骤（2）、步骤（3）中采用的物理镀膜技术为磁控溅射技术、真空热蒸发技术、脉冲激光沉积技术中的任意一种，且步骤（2）和步骤（3）采用相同的物理镀膜技术通过一次过程完成制备。
所述的钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：步骤（3）中，采用磁控溅射技术或脉冲激光沉积技术时，原料为Ti靶，采用真空热蒸发技术时，原料为Ti粉。
所述的钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中，辅助氧化物为10~30mg三聚氰胺和1~2mL浓硝酸，也可不添加辅助氧化物。
所述的钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：根据添加的辅助氧化物的不同，所制得的准一维TiO2纳米结构阵列为TiO2纳米线阵列、TiO2纳米棒阵列中的一种。
本发明的有益效果：
1、本发明实现了钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层的制备，准一维TiO2纳米结构阵列骨架层可以减小钙钛矿太阳电池中载流子的复合几率，提高载流子的传输速度，有助于提高钙钛矿太阳电池的光电转换效率。
2、本发明采用物理镀膜技术和H2O2直接氧化方法制备钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层，方法简单易行，可实现大面积钙钛矿太阳电池的制备。
附图说明
图1为介孔骨架层钙钛矿太阳电池结构示意图。
图2为平面异质结薄膜钙钛矿太阳电池结构示意图。
图3为准一维TiO2纳米结构整列骨架层钙钛矿太阳电池结构示意图。
图4为在透明导电基底上制备的TiO2致密层和Ti金属薄膜层示意图。
图5为准一维TiO2纳米结构阵列骨架层示意图。
具体实施方式
参见图3，一种准一维TiO2纳米结构阵列骨架层钙钛矿太阳电池，由透明基底101、透明导电层102、TiO2致密层103、准一维TiO2纳米结构阵列骨架层201、钙钛矿型有机金属卤化物光吸收层105、空穴传输层106和对电极107组成。所述的准一维TiO2纳米结构阵列骨架层201为TiO2纳米线阵列、TiO2纳米棒阵列中的任意一种；钙钛矿型有机金属卤化物光吸收层105为CH3NH3BXmY3−m（B = Pb, Sn; X, Y = I, Br, Cl; m =1, 2, 3）中的任意一种或多种；空穴传输层106为Spiro-OMeTAD{2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴}、PTAA（聚三芳胺）、P3HT（3-己基取代聚噻吩）中的任意一种；对电极107为40~100nm厚的Au薄膜、Ag薄膜中的任意一种
本发明的具体制备实例如下：
（1）、将FTO导电玻璃基底切割成20mm×15mm的矩形，沿基底长边方向取15mm长用胶带粘住保护起来，剩余的5mm×15mm区域铺上锌粉后滴加2mol/L的盐酸进行刻蚀，十分钟后，用去离子水将盐酸冲洗干净，撕下胶带，20mm×15mm的基底被刻蚀成了两部分，一部分是15mm×15mm的导电区域，另一部分是5mm×15mm的不导电区域。
（2）、将刻蚀后的透明导电基底在超声波清洗器中用丙酮、乙醇、去离子水分别超声清洗后，用氮气吹干。将基底导电面向下固定在掩膜上，掩膜为一15mm×13mm的矩形孔，将基底的不导电端遮住4mm长，导电端遮住3mm长。将掩膜和基底固定在磁控溅射真空腔内基片架上。
（3）、将TiO2靶和Ti靶分别固定在磁控溅射设备相应的靶位上，首先在透明导电基底上溅射TiO2薄膜，用膜厚仪监控溅射的TiO2薄膜的厚度，当薄膜厚度达到50nm时停止，获得TiO2致密层。接着在TiO2致密层上溅射Ti金属薄膜，用膜厚仪监控溅射的Ti金属薄膜的厚度，当薄膜厚度达到300nm时停止，获得如图4所示的结构，该结构从下到上依次叠加着透明导电基底、TiO2致密层103和Ti金属薄膜202。
（4）、配制反应溶液：取质量浓度为30%的H2O2溶液60mL，加入1mL浓硝酸和20mg三聚氰胺，搅拌均匀。
（5）、将制备好的依次沉积了TiO2致密层和Ti金属薄膜的透明导电基底置于步骤（4）中配制的反应溶液中，反应容器密封后保存在温度为80℃的环境中，反应48小时。取出后用去离子水冲洗后，在450℃的温度下退火60分钟，获得如图5所示的准一维TiO2纳米线阵列骨架层。
参见图3，在上述实施例中获得的准一维TiO2纳米线阵列骨架层上依次制备钙钛矿型有机金属卤化物光吸收层105、空穴传输层106和对电极107后，可获得准一维TiO2纳米线阵列骨架层钙钛矿太阳电池。

Claims (7)

1.钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）、透明导电基底的刻蚀与清洗：沿透明导电基底长边方向用胶带粘住保护起来，剩余的区域用锌粉和1~6mol/L的盐酸按照钙钛矿太阳电池结构所需的图样进行刻蚀，随后经超声清洗、氮气吹干后备用；
（2）、TiO2致密层的制备：将步骤（1）中准备好的透明导电基底覆盖掩膜后置于物理镀膜设备腔内，并固定透明导电基底，采用物理镀膜技术，在透明导电基底上制备TiO2致密层，并采用膜厚仪将TiO2致密层的厚度控制在30~80nm；
（3）、Ti金属薄膜的制备：采用物理镀膜技术，以Ti靶或Ti粉为原料，在步骤（2）制备的TiO2致密层上沉积Ti金属薄膜，并采用膜厚仪将Ti金属薄膜的厚度控制在250~500nm；
（4）、反应溶液配制：取50~80mL质量浓度为20%~50%的H2O2溶液，加入辅助氧化物搅拌均匀；
（5）、准一维TiO2纳米结构阵列的制备：将通过步骤（1）~（3）制备好的依次沉积了TiO2致密层和Ti金属薄膜的透明导电基底置于步骤（4）配制的反应溶液中，在60~110℃温度下反应48~72小时，随后取出用去离子水冲洗后在氮气流中干燥，再在450~510℃退火30~90分钟，制得适用于钙钛矿太阳电池的准一维TiO2纳米结构阵列骨架层。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：步骤（1）中采用的透明导电基底为ITO、FTO、AZO中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：步骤（2）、步骤（3）中采用的物理镀膜技术为磁控溅射技术、真空热蒸发技术、脉冲激光沉积技术中的任意一种，且步骤（2）和步骤（3）采用相同的物理镀膜技术通过一次过程完成制备。
4.根据权利要求3所述的钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：步骤（3）中，采用磁控溅射技术或脉冲激光沉积技术时，原料为Ti靶，采用真空热蒸发技术时，原料为Ti粉。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中，辅助氧化物为10~30mg三聚氰胺和1~2mL浓硝酸。
6.钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）、透明导电基底的刻蚀与清洗：沿透明导电基底长边方向用胶带粘住保护起来，剩余的区域用锌粉和1~6mol/L的盐酸按照钙钛矿太阳电池结构所需的图样进行刻蚀，随后经超声清洗、氮气吹干后备用；
（2）、TiO2致密层的制备：将步骤（1）中准备好的透明导电基底覆盖掩膜后置于物理镀膜设备腔内，并固定透明导电基底，采用物理镀膜技术，在透明导电基底上制备TiO2致密层，并采用膜厚仪将TiO2致密层的厚度控制在30~80nm；
（3）、Ti金属薄膜的制备：采用物理镀膜技术，以Ti靶或Ti粉为原料，在步骤（2）制备的TiO2致密层上沉积Ti金属薄膜，并采用膜厚仪将Ti金属薄膜的厚度控制在250~500nm；
（4）、反应溶液配制：取50~80mL质量浓度为20%~50%的H2O2溶液；
（5）、准一维TiO2纳米结构阵列的制备：将通过步骤（1）~（3）制备好的依次沉积了TiO2致密层和Ti金属薄膜的透明导电基底置于步骤（4）配制的反应溶液中，在60~110℃温度下反应48~72小时，随后取出用去离子水冲洗后在氮气流中干燥，再在450~510℃退火30~90分钟，制得适用于钙钛矿太阳电池的准一维TiO2纳米结构阵列骨架层。
7.根据权利要求1或6所述的钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法，其特征在于：所制得的准一维TiO2纳米结构阵列为TiO2纳米线阵列或TiO2纳米棒阵列。
CN201510100147.2A 2015-03-06 2015-03-06 钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法 Active CN104681722B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510100147.2A CN104681722B (zh) 2015-03-06 2015-03-06 钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510100147.2A CN104681722B (zh) 2015-03-06 2015-03-06 钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104681722A CN104681722A (zh) 2015-06-03
CN104681722B true CN104681722B (zh) 2018-08-14

Family

ID=53316519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510100147.2A Active CN104681722B (zh) 2015-03-06 2015-03-06 钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104681722B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106340389B (zh) * 2015-07-08 2018-08-24 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种带有甲铵铅碘吸附层的氧化锌纳米线阵列及其制备方法
CN105552236B (zh) * 2015-12-08 2018-07-10 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN105990534B (zh) * 2016-07-07 2018-02-06 河北工业大学 光电转换层结构的制备方法及应用该结构的光电器件
CN106848064B (zh) * 2017-01-19 2019-06-04 天津大学 基于二氧化钛-铜铟硫量子点核壳结构的高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN107482119A (zh) * 2017-06-29 2017-12-15 华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七七研究所） 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN114975792B (zh) * 2022-07-27 2022-11-15 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6891191B2 (en) * 2003-09-02 2005-05-10 Organic Vision Inc. Organic semiconductor devices and methods of fabrication
CN103490011A (zh) * 2013-09-30 2014-01-01 中国科学院物理研究所 钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法
CN103904147A (zh) * 2014-03-28 2014-07-02 中国科学院上海技术物理研究所 基于纳米氧化物电子传输层的钙钛矿电池

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6891191B2 (en) * 2003-09-02 2005-05-10 Organic Vision Inc. Organic semiconductor devices and methods of fabrication
CN103490011A (zh) * 2013-09-30 2014-01-01 中国科学院物理研究所 钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法
CN103904147A (zh) * 2014-03-28 2014-07-02 中国科学院上海技术物理研究所 基于纳米氧化物电子传输层的钙钛矿电池

Also Published As

Publication number Publication date
CN104681722A (zh) 2015-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104681722B (zh) 钙钛矿太阳电池准一维TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法
CN106449985B (zh) 一种具有石墨烯阻挡层的钙钛矿电池及制备方法
CN104134711B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
Yang et al. All-solution processed semi-transparent perovskite solar cells with silver nanowires electrode
CN106531888B (zh) 一种界面修饰材料
Ansari et al. Novel nanostructured electron transport compact layer for efficient and large-area perovskite solar cells using acidic treatment of titanium layer
CN105977386A (zh) 一种纳米金属氧化物空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN106571425A (zh) 一种基于ZnO‑钙钛矿结构的紫外‑可见可调光电探测器及其制备方法
CN110718634A (zh) 具有光栅阵列结构电子传输层的太阳能电池及其制备方法
CN109755394A (zh) 一种应用风刀涂布制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN105244445A (zh) 一种杂化异质结太阳能电池的制备方法
CN107134529A (zh) 一种以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN114715958A (zh) 一种氧化镍的喷雾热解方法及钙钛矿太阳能电池
CN105810832A (zh) 基于优异导电性能氧化物优化的钙钛矿太阳能电池
CN110611030A (zh) 具有阵列结构电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109103280A (zh) 全无机钙钛矿铁电纤维复合结构的太阳能电池及制备方法
CN111029470B (zh) 基于纳米草状介孔层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107994122A (zh) 锌掺杂氧化镍纳米颗粒空穴传输层正置钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN104638109A (zh) 一种有机太阳能电池的阴极界面材料及其制备方法
CN103715280B (zh) 一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法
Anscombe Solar cells that mimic plants
CN107394007B (zh) 一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法
CN113782677A (zh) 一种太阳能电池器件及其制造方法
CN105655489A (zh) 一种基于喷涂工艺制备大面积钙钛矿太阳能电池的方法
Bu Self-assembled, wrinkled zinc oxide for enhanced solar cell performances

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant