CN104681694A - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
一种发光装置,包含:载体,包含一凹槽结构;第一光电元件,包含:蓝光发光二极体管芯,设置于上述凹槽结构的周围;及第一波长转换体,覆盖于上述蓝光发光二极体管芯上,且未覆盖上述凹槽结构;以及第二光电元件,设置于上述凹槽结构之中,上述蓝光发光二极体管芯与上述第二光电元件的温度系数不同;其中,上述第一光电元件及上述第二光电元件分别产生一第一光线及一第二光线,上述第一光线与上述第二光线混合成一混合光。第二光电元件设置于此凹槽结构之中。凹槽结构在第一光电元件与第二光电元件间形成光线行进的障碍,如此可以降低第一光电元件的光线被第二光电元件吸收的机率,进而提升发光装置整体的发光效率。
Description
本发明申请是于2011年3月8日提交的申请号为201110055589.1的名为“多维度发光装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光装置,尤其是涉及一种半导体照明装置。
背景技术
随着技术发展日新月异,发光二极管的应用范围已遍及显示装置、交通号志、照明装置、医疗装置以及各种电子产品。
使用发光二极管产生白光的方式可有下列几种方式:一、混合蓝色、红色及绿色发光二极管所分别产生的蓝光、红光及绿光以产生白光。二、利用紫外光发光二极管(UV LED)激发荧光粉以产白光。三、利用蓝色发光二极管激发黄色荧光粉,通过互补色形成白光。
但上述各种方式分别存在其问题点,市场上仍期待技术的推陈出新。
发明内容
本发明提供了一种发光装置,包含:载体,包含一凹槽结构;第一光电元件,包含:蓝光发光二极体管芯,设置于上述凹槽结构的周围;及第一波长转换体,覆盖于上述蓝光发光二极体管芯上,且未覆盖上述凹槽结构;以及第二光电元件,设置于上述凹槽结构之中,上述蓝光发光二极体管芯与上述第二光电元件的温度系数不同;其中,上述第一光电元件及上述第二光电元件分别产生一第一光线及一第二光线,上述第一光线与上述第二光线混合成一混合光。
通过将第二光电元件设置于此凹槽结构之中。凹槽结构在第一光电元件与第二光电元件间形成光线行进的障碍,如此可以降低第一光电元件的光线被第二光电元件吸收的机率,进而提升发光装置整体的发光效率。
附图说明
图1A为本发明第一实施例的立体示意图;
图1B为本发明第一实施例的基材区域分布图;
图2为本发明第一实施例的另一实施态样立体示意图;
图3为本发明第二实施例的立体示意图:
图4为本发明第二实施例的另一实施态样立体示意图;
图5A为本发明第三实施例的立体示意图;
图5B为本发明第三实施例的蓝光发光二极管阵列区域分布图;
图6A为本发明第四实施例的立体示意图;
图6B为本发明第四实施例的载体区域分布图;
图6C例示本发明一实施例的剖视图;
图6D例示本发明一实施例的剖视图;以及
图6E例示本发明一实施例的剖视图。
主要元件符号说明
1:标准化供电系统 10:多维度发光装置
10a:多条导线 10b:电极
12:载体 12a:第一区域
12b:第二区域 14:第一光电元件
14a:蓝光发光二极管阵列 14b:第一波长转换体
16:第二光电元件 18:散热结构
2:标准化供电系统 20:多维度发光装置
22:载体 24:第一光电元件
24a:蓝光发光二极管阵列 24b:第一波长转换体
26:第二光电元件 26a:蓝光发光二极管阵列
26b:第二波长转换体 3:标准化供电系统
30:多维度发光装置 30a:导线
30b:电极 32:载体
34:第一光电元件 34a:蓝光发光二极管阵列
34b:第一波长转换体 36:第二光电元件
4:标准化供电系统 40:多维度发光装置
42:第一光电元件 42a:蓝光发光二极管阵列
42b:第一波长转换体 44:第二光电元件
44a:蓝光发光二极管阵列 44b:绿色波长转换体
50:多维度发光装置 52:载体
54:蓝光发光二极管阵列 54a:中心区域
54b:周边区域 56:第一波长转换体
58:第二波长转换体 6:标准化供电系统
60:多维度发光装置 60a:多条导线
60b:电极 62:载体
62a:第一区域 62b:第二区域
64:第一光电元件 64a:蓝光发光二极管阵列
64b:第一波长转换体 66:第二光电元件
68:散热结构 69:遮光板
70:凹槽结构 71:反射层
72:透光材料 73:罩体结构
74:隔热结构
具体实施方式
以下将通过实施例来解释本发明的多维度发光装置的各种变化,有关本发明的特征与实施方式,兹配合附图说明如下。需说明者,本发明的实施例并非用以限制本发明需在如实施例所述的环境、应用或方式下方能实施。且各实施例间除显有冲突外当可彼此参照,任意组合以形成本发明的其他实施例。
此外,附图仅为简化的示意图,其所显示的元件、数量、形状、或其他特征并非用以限制具体的实施方式,在此合先叙明。
首先,请先参考图1A,其为本发明第一实施例的多维度发光装置10的立体示意图。多维度发光装置10可电连接至一标准化供电系统1,如市电系统、网络系统、电话系统、工业用电系统。多维度发光装置10包含数条导线10a、两个电极10b、一载体12、一第一光电元件14、四个第二光电元件16以及四个散热结构18。
如图1B所示,载体12可划分为一第一区域12a及四个第二区域12b,此四个第二区域12b以第一区域12a为中心而向外环绕分布,其多维度分布型态如随机分布、镜面对称、旋转对称、辐射对称等。
第一光电元件14包含上下叠置的一蓝光发光二极管阵列14a以及一第一波长转换体14b,蓝光发光二极管阵列14a包含数个蓝光发光二极管管芯(图未示出),此些蓝光发光二极管管芯以一多维度形态分布,如:Z字分布、交叉分布、ㄇ字型分布等,且为串联、并联或串并联混合。由此多维度形态分布可以使发光二极管阵列14a可承受大于单一管芯的操作电压、电流并可直接与标准化供电系统1相连接、或搭配第二光电元件16再与标准化供电系统1相连接。具体而言,一或多个发光二极管阵列14a串联后再选择性地(亦即可选择连接或不连接)串联、并联、或串并联第二光电元件16、电阻、电容、电感等其他电子元件后,即可以与标准化供电系统1直接相连,例如,标准化供电系统1可提供X伏特的电压,一个发光二极管阵列14a可承受的电压等于或接近X/N(N属于任意正整数),串接N个发光二极管阵列14a即可直接承受X伏特的电压。
蓝光发光二极管阵列14a通过适当连接材料(图未示出)安置于载体12的第一区域12a上。第一波长转换体14b覆盖设置于蓝光发光二极管阵列14a之上,较佳地,第一波长转换体14b选用一种黄色波长转换体,例如黄色荧光粉、黄色染料、黄色滤光器等。黄色荧光粉如YAG、TAG、氮化物荧光粉、硅酸盐类荧光粉等。
在本实施例中,图1A的四个第二光电元件16中至少其一包含一红光发光二极管阵列(亦即包含数个红光发光二极管管芯)或一红光发光二极管管芯,并以适当连接材料(图未示出)安置于载体12的第二区域12b之上。较佳地,蓝光发光二极管阵列14a与红光发光二极管阵列应相隔一适当距离,以避免红光发光二极管阵列吸收蓝光发光二极管阵列14a的光线、或受到蓝光发光二极管阵列14a的发热影响而使效能劣化。此距离如大于0.5mm、1mm、2.0mm、3.0mm、4.0mm、5.0mm、1.0cm、2.0cm、3.0cm、4.0cm、或5.0cm以上。此外,红光发光二极管阵列或管芯的操作电压可以小于、等于、接近、或大于蓝光发光二极管阵列14a的操作电压。
标准化供电系统1可通过导线(图未示出)分别与多维度发光装置10的电极10b电连接。如图1A所示,电极10b、第一光电元件14及第二光电元件16以多条导线10a电连接,标准化供电系统1使第一光电元件14及各个第二光电元件16分别产生一第一光线及一第二光线以混合成一混合光。此混合光可相当于1500K~2500K的烛光、2500K~3500K的白炽灯、4500K~5000K的氙气灯、5500K~5600K的闪光灯。其中3300K以下常称为暖白光;3300K~5300K常称为冷白光;5300K以上常称为冷色光。通过应用本发明的各实施例的设计原理可以产生多样化色温的混合光。
与蓝光发光二极管相较,红光发光二极管发光效率随温度上升而衰减的状况较为显著。因此,如图1A\图1B所示,其为降低红光发光二极管阵列或管芯的温度,依据本发明另一实施例的第二光电元件16的红光发光二极管阵列或管芯下方更设置散热结构18。散热结构18如鳍片、风扇、热管、液体冷却装置、高热导系数材料块材、多孔材料、或上述选择的组合等。
为使混合光呈现均匀的光色及/或高演色性,第一光电元件14与第二光电元件16可适应各个元件的电学特性(例:能源效率、功率因子)、光学特性(例:光场、光强度、冷热系数(hot/cold factor))及/或几何形状进行适当的配置。本发明的一实施例的第一光电元件14与第二光电元件16的全部发光面积以2:1至5:1的比例配置于载体12上,惟单一第一光电元件14与单一第二光电元件16间的发光面积比并不限于此。本发明的另一实施例使第一光电元件14与第二光电元件16的全部发光功率比值介于2至5之间,惟单一第一光电元件14与单一第二光电元件16间的发光功率比并不限于此。此外,若元件所发出的光线、热度、磁场、电场可能造成另一元件的特性劣化,则元件间的距离或配置图案以能够降低或消除此特性劣化尤佳。此特性劣化如高能光为低能阶材料吸收、冷热系数大的材料易于温升下发光效率降低、逆向磁场阻碍电子电动结合等。例如,本发明一实施例的多维度发光装置10的相邻元件相距一距离或彼此倾斜一角度使得元件的光场不会(或仅有少部分)重叠,以呈现出均匀的光色分布。
在一实施例中,第一光电元件14及第二光电元件16与标准化供电系统1以串联模式电性接合,使得蓝光发光二极管阵列14a及红光发光二极管阵列或管芯可在高电压及低电流下操作(相对于非发光二极管阵列),达到低损耗的能量传输与转换,同时简化标准化供电系统1与多维度发光装置间的电路。本发明的元件间也可采并联或串并联混合方式,故不以上述说明态样为限。
在一实施例中,载体12的材料选用上可以为一单晶体、一多晶体或一非晶体结构的载体,例如玻璃、蓝宝石、碳化硅(SiC)、磷镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)、硒硫化镅锌(AmSSe)及氮化铝所构成的群组中选出。
另外,在第一光电元件14中,蓝光发光二极管阵列14a中可选用氮化镓(gallium nitride,GaN)系列的管芯来发出发光波长介于400nm~530nm(甚或介于455nm~465nm)的蓝光,第一波长转换体14b较佳可选用黄色荧光粉,例如含有钇与铝的钇铝石榴石(yttrium aluminum garnet,YAG)荧光粉。在其他实施态样中,也可采用其他种类的黄色荧光粉(如TAG、氮化物荧光粉、硅酸盐类荧光粉等)、荧光板、半导体材料或染料。在第二光电元件16中,红光发光二极管阵列可选用磷化铝镓铟(AlInGaP)系列管芯来发出发光波段介于600nm~750nm(或620nm~625nm)的红光。散热结构选用铜(copper,Cu)、铝(aluminum,Al)、陶瓷材料(ceramic material)或硅(silicon,Si)等高热导系数的材料。上述所列举的材料仅为一例示,本发明并不以此为限。通过调整蓝光发光二极管阵列14a的数量或发光强度、波长转换体厚度或材料密度、及/或蓝光与红光的比例,可以形成多种色温的色光。
请参考图2,其为依据本发明另一实施例的多维度发光装置。多维度发光装置20电连接至一标准化供电系统2。多维度发光装置20包含一载体22、一第一光电元件24以及四个第二光电元件26。第一光电元件24包含蓝光发光二极管阵列24a及第一波长转换体24b。第二光电元件26包含一蓝光发光二极管阵列26a及一第二波长转换体26b。第一波长转换体24b包含至少一种黄色波长转换体,且第二波长转换体26b包含至少一种红色波长转换体。
此外,本实施例中第一波长转换体24b及第二波长转换体26b可分开设置于相对应的元件上、或者可重叠于元件之上。由于第一光电元件24及第二光电元件26均采用蓝光发光二极管阵列,故不会有光线被另一元件吸收的疑虑,因此各光电元件的蓝光发光二极管阵列间,彼此距离可以尽可能地接近,用于减小封装体的使用面积。需说明的是,本实施态样与前述说明相同的元件与相关操作机制在此不另赘述。
请参考图3,其为依据本发明的一实施例的多维度发光装置30的立体示意图。
本实施例的多维度发光装置30同样电连接至一标准化供电系统3。多维度发光装置30包含多条导线30a、两个电极30b、一载体32、一第一光电元件34以及四个第二光电元件36。与前述实施例相同或相似的元件在此不另赘述。
详言之,本实施例的第一光电元件34采用蓝光发光二极管阵列34a激发具红色荧光粉的第一波长转换体34b,第二光电元件36采用由多颗绿光发光二极管管芯的一绿光发光二极管阵列,在其他实施态样中也可仅使用单一绿光发光二极管管芯。
标准化供电系统3与多维度发光装置30电连接,用于提供标准化电压及/或电流。第一光电元件34及第二光电元件36分别产生一第一光线及一第二光线,第一光线与第二光线混合成一混合光并投射出。此混合光中可包含蓝光、红光、及绿光。适当调整此三色的比例可以搭配出各种色光,例如,可以得到灯泡色光(暖白光)、冷白光、或其他可以利用混合三原色得到的色光。此外,若大多数或全部的蓝光被消费于产生红光,则混合光中蓝光的比值将接近于0、或小于5%、或小于1。
请参考图4,其为依据本发明另一实施例的多维度发光装置40的示意图,多维度发光装置40电连接至一标准化供电系统4。本实施中,第一光电元件42采用蓝光发光二极管阵列42a激发具红色荧光粉的第一波长转换体42b,第二光电元件44采用蓝光发光二极管阵列44a,激发上方的绿色波长转换体44b形成第二光线,以与第一光电元件42的第一光线混合成一混合光。在此种配置下,适当调整混合光中蓝光、红光、及绿光比例可以得各种变化的可见光。但是,若蓝光被完全或几乎耗尽用以产生红光与绿光,则混合光中将几乎察觉不到蓝光。
本实施中第一荧光层42b及第二荧光层44b可分开设置于相对应的元件上、或者可重叠于元件之上。由于第一光电元件42及第二光电元件44均采用蓝光发光二极管阵列,不会有光线被另一元件吸收的疑虑,故各光电元件的蓝光发光二极管阵列间,彼此距离能尽可能地接近,以缩小封装体的使用的面积。需说明的是,本实施态样与前述说明相同的元件与相关操作机制在此不另赘述。
需另说明的是,在上述实施例中,若第一区域与第二区域均采用蓝光发光二极管阵列,由于蓝光发光二极管对其他长波长范围的光线吸收率低,是故第一区域与第二区域间可相隔一较小间距,例如上述的两种实施态样。然而,设若第一区域与第二区域间采用不同色光的发光二极管阵列,例如蓝光及红光发光二极管阵列,抑或蓝光及绿光发光二极管阵列,由于红光及绿光发光二极管对其他波长范围的光线吸收率高,是故则需采用一较大间距。需另说明的是,上述应用于第二区域的发光二极管阵列也可采用单一管芯。
请参考图5A,其为依据本发明又一实施例的多维度发光装置50的立体示意图。多维度发光装置50电连接至一标准化供电系统(图未示出),多维度发光装置50包含一载体52、一蓝光发光二极管阵列54、一第一波长转换体56及四个第二波长转换体58。
蓝光发光二极管阵列54设置于载体52上,包含多个蓝光发光二极管管芯(图未示出),此些蓝光发光二极管管芯为串联、并联、或串并联混合的多维度形态电连接。如图5B所示,蓝光发光二极管阵列54具有一中心区域54a及四个周边区域54b,此些周边区域54b分布于中心区域54a的外围。是故如图5A所示,第一波长转换体56覆盖于中心区域54a上,四个第二波长转换体58分别覆盖于四个周边区域54b上。
在本实施例中,载体52、蓝光发光二极管阵列54、第一波长转换体52a以及第二波长转换体54a的材料选用及操作实施,敬请参考前述说明,在此不另赘述。
标准化供电系统与蓝光发光二极管阵列54串联电连接,标准化供电系统使蓝光发光二极管阵列54的中心区域54a及周边区域54b分别产生一第一光线及一第二光线,第一光线与第二光线混合成一混合光投射出。
如图6A所示,其为依据本发明的再一实施例的多维度发光装置60的立体示意图。多维度发光装置60电连接至一标准化供电系统6,多维度发光装置60包含多条导线60a、二个电极60b、一载体62、四个第一光电元件64、一个第二光电元件66以及一个散热结构68。如图6B所示,载体62具有四个第一区域62a及一第二区域62b,此些第一区域分布于第二区域62b的外围。
参考图6A及图6B,各个第一光电元件64均包含一蓝光发光二极管阵列64a(本实施例中,蓝光发光二极管管芯也可用于全部或部分取代所有的蓝光发光二极管阵列)以及一第一波长转换体64b,其中蓝光发光二极管阵列64a包含多个蓝光发光二极管管芯(图未示出),此些蓝光发光二极管管芯以多维度方式(如:Z字分布、交叉分布、ㄇ字型分布等)串联、并联、或串并联连接,用于使发光二极管阵列64a可以承受高于一个半导体发光磊晶结构的顺向电压及/或操作电流。四个蓝光发光二极管阵列64a通过固定材料(图未示出)设置于载体62的四个第一区域62a上。第一波长转换体64b覆盖设置于蓝光发光二极管阵列64a之上。第一波长转换体64b的发射光如黄色、红色、或绿色。
如图6A所示,本实施例的第二光电元件66包含一红光发光二极管阵列(也可采用单一红光发光二极管管芯),设置于载体62的第二区域62b之上。蓝光发光二极管阵列64a与红光发光二极管阵列具有一适当间隔,用于避免红光发光二极管阵列吸收蓝光发光二极管阵列64a的光源。此外,若蓝光发光二极管阵列、红光发光二极管阵列或其二者设置于一个阻碍彼此间的光线传递的凹槽结构之中、或具有较大的边缘以扩大与相邻发光二极管阵列间的距离、或有遮光结构设置于红蓝发光二极管阵列之间,例如遮光板69也可以避免红光发光二极管阵列吸收蓝光发光二极管阵列64a的光线。
标准化供电系统可通过导线(图未示出)分别与多维度发光装置60的电极60b电连接。如图6A所示,电极60b、第一光电元件64及第二光电元件66以多条导线60a相串联,第一光电元件64及第二光电元件66分别产生一第一光线及一第二光线并混合成一混合光。较佳者,此混合光的色温的范围约介于2500K至3800K;更佳者,可为具有3000K的色温者,或者此混合光属于暖白光(warm white)。
由于红光发光二极管发光效率随温度上升而衰减的状况较为显著。因此,如图6A所示,为冷却红光发光二极管阵列,解决发光功率因温度升高而衰减的问题点,红光发光二极管阵列下方设置散热结构68,亦即散热结构位于第二光电元件66与载体62之间。散热结构68如鳍片、风扇、热管、液体冷却装置、高热导系数材料、多孔材料等。此外,散热结构68更可以选择性地使得第二光电元件66的位置高于一蓝光发光二极管阵列64a,如此,当覆盖一光学透镜于多维度发光装置60之上时,位于靠近光学透镜的光学轴线位置的第二光电元件66可以达到较设置于多维度发光装置60外围位置(如图1A~图4的实施例)更佳的光摘出。而第一波长转换体64b中若含有可以对光线造成散射的颗粒(如荧光粉、散射粒子等),即使将第一光电元件64设置于多维度发光装置60的外围位置,也可以通过这些散射颗粒帮助第一光电元件64的光线向外射出。
为使混合光呈现均匀的光色及/或演色性,第一光电元件64与第二光电元件66的发光面积较佳以2:1至5:1的比例配置于载体62上(相关附图仅用以说明,是故并未绘示实际比例);选择性地,在一实施例中,第一光电元件64的蓝光发光功率与第二光电元件66的红光发光功率比值介于2至5之间。
在一实施例中,第一光电元件64及第二光电元件66与标准化供电系统以串联模式电性接合,使得蓝光发光二极管阵列64a及红光发光二极管阵列可在高电压及低电流操作下,达到低能量损耗操作(相对于非发光二极管阵列),同时简化标准化供电系统与多维度发光装置间的电路。本发明的元件间也可采并联或串并联混合方式,故不以上述说明态样为限。
图6C例示依据本发明另一实施例的多维度发光装置60。如前所述,若第二光电元件66的组成材料会吸收来自第一光电元件64的光线,多维度发光装置60的发光效率将因此降低。在本实施例中,载体62具有一凹槽结构70,第二光电元件66设置于此凹槽结构70之中。凹槽结构70在第一光电元件64与第二光电元件66间形成光线行进的障碍,如此可以降低第一光电元件64的光线被第二光电元件66吸收的机率,进而提升多维度发光装置60整体的发光效率。凹槽结构70可为一单向开放的槽孔或多向开放的槽孔,例如:盲孔或沟道。
此外,凹槽结构70中更可以设置一反射层71。此反射层71可以反射第二光电元件66射向反射层的光线以提高其离开凹槽结构70的机率。换言之,第二光电元件66的光线较不易被局限于凹槽结构70之中。再者,凹槽结构70上更可以填入一透光材料72以覆盖第二光电元件66。此透光材料72对于第二光电元件66所发出的光线呈现透明,并且可以保护第二光电元件66免于受到外力、湿气、温度等的影响。透光材料72若形塑成一特定外型,也可以作为一光学透镜。此光学透镜如凸透镜、凹透镜、Fresnel透镜等。
如图6D所示,在另一实施例中,第一光电元件64及第二光电元件66之上还可以设置一罩体结构73。罩体结构73可以保护其内的元件。且第一光电元件64及第二光电元件66所发出的光线可在罩体结构73内进行混光。罩体结构73由透光材料构成,其内也可以包含散光、光转换等结构,相关说明请参照本案申请人的中国台湾申请案第099141373号,其并援引为本案的一部分。
如图6E所示,第一光电元件64及第二光电元件66之间尚可以形成一隔热结构74。第一光电元件64及第二光电元件66的温度系数(TemperatureCoefficient)通常存有差异,例如,如前所述,相较于蓝光发光二极管,红光发光二极管发光效率随温度上升而衰减的状况较为显著。此隔热结构74可以避免光电元件之间的温度交互影响,特别是高温元件将热传递至低温元件。隔热结构74可以环绕其中一个或数个同类元件,例如,隔热结构74可以环绕一个或数个第一光电元件64、或一个或数个第二光电元件66。隔热结构74可以设置于载体62中使第一光电元件64及第二光电元件66彼此热分离,如第6E所示。然而,隔热结构74也可以设置于光电元件之下以避免向下传递热量或由下方接收热量,例如,隔热结构74可以设置于反射层71与载体62之间、或光电元件与载体62之间。
上述的实施例仅用来例举本发明的实施态样,以及阐释本发明的技术特征,并非用来限制本发明的范畴。任何熟悉此技术者可轻易完成的改变或均等性的安排均属于本发明所主张的范围,本发明的权利范围应以权利要求为准。
Claims (10)
1.一种发光装置,包含:
载体,包含一凹槽结构;
第一光电元件,包含:
蓝光发光二极体管芯,设置于上述凹槽结构的周围;及
第一波长转换体,覆盖于上述蓝光发光二极体管芯上,且未覆盖上述凹槽结构;以及
第二光电元件,设置于上述凹槽结构之中,上述蓝光发光二极体管芯与上述第二光电元件的温度系数不同;
其中,上述第一光电元件及上述第二光电元件分别产生一第一光线及一第二光线,上述第一光线与上述第二光线混合成一混合光。
2.如权利要求1所述的发光装置,其中上述凹槽结构包含单向开放的槽孔或多向开放的槽孔。
3.如权利要求1所述的发光装置,其中上述凹槽结构包含一反射层。
4.如权利要求1所述的发光装置,其中上述凹槽结构包含一透光材料覆盖第二光电元件。
5.如权利要求1所述的发光装置,更包含一罩体结构,覆盖上述第一光电元件及上述第二光电元件。
6.如权利要求1所述的发光装置,更包含一隔热结构。
7.如权利要求1所述的发光装置,其中上述第一波长转换体包含一种黄色波长转换体。
8.如权利要求1所述的发光装置,其中上述第二光电元件至少包含一或多颗红光发光二极体管芯。
9.如权利要求1所述的发光装置,其中上述第二光电元件包含一或多颗绿光发光二极体管芯。
10.如权利要求1所述的发光装置,其中上述混合光具有2500K至3800K的色温。
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