CN104656334B - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供一种阵列基板及显示装置，涉及电子技术领域，一定程度减小了显示装置产生的色偏问题。该方案包括：第一像素单元与红色色阻对应，第一像素单元中包括第一TFT的源极与漏极之间形成的第一TFT沟道；第二像素单元与绿色色阻对应，第二像素单元中包括第二TFT的源极与漏极之间形成的第二TFT沟道；第三像素单元与蓝色色阻对应，第三像素单元中包括第三TFT的源极与漏极之间形成的第三TFT沟道；其中，第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于第二TFT沟道的宽度与长度的比值；或者，第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于第一TFT沟道的宽度与长度的比值。该方案用于阵列基板及显示装置。

Description

一种阵列基板及显示装置
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)主要由TFT阵列基板和彩膜基板构成，其中，由TFT阵列基板和彩膜基板对盒后的液晶显示器上设有R(红色)像素、G(绿色)像素和B(蓝色)像素，其中，如图1所示，即R像素的VT曲线(即驱动电压-光透过率变化曲线)为a；G像素的VT曲线为b；B像素的VT曲线为c。
可以看出，曲线a与曲线b基本重合，尤其的，在同一驱动电压下，曲线a、曲线b几乎同时达到波峰，而曲线c的波峰却位于曲线a的波峰和曲线b的波峰的右侧，也就是说，在同一驱动电压下，B像素的光透过率，与R像素和G像素的光透过率差距较大，如此，导致液晶显示面板在进行显示时，在同一驱动电压下，由于RGB三个像素的光透过率不同，导致液晶显示器产生色偏现象，影响液晶显示器的成像质量。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及显示装置，一定程度改善了显示装置产生色偏现象的问题，提高了显示装置的成像质量。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，本发明的实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括由交叉设置的栅线和数据线划分出的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元，
所述第一像素单元与红色色阻对应，所述第一像素单元中包括第一TFT的源极与漏极之间形成的第一TFT沟道；
所述第二像素单元与绿色色阻对应，所述第二像素单元中包括第二TFT的源极与漏极之间形成的第二TFT沟道；
所述第三像素单元与蓝色色阻对应，所述第三像素单元中包括第三TFT的源极与漏极之间形成的第三TFT沟道；
其中，所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值；或者，所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值。
结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，
所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值；并且，
所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值。
结合第一方面，在第一方面的第二种可能的实现方式中，
所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值；并且，
所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值。
结合第一方面以及第一方面的第一至第二种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，
所述第一像素单元，还包括至少两条第一条状电极，所述第一条状电极之间具有第一刻缝；
所述第二像素单元，还包括至少两条第二条状电极，所述第二条状电极之间具有第二刻缝；
所述第三像素单元，还包括至少两条第三条状电极，所述第三条状电极之间具有第三刻缝；
其中，所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值，或者，所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第二刻缝宽度与所述第二条状电极宽度的比值。
结合第一方面以及第一方面的第一至第二种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，
所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值，并且，
所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第二刻缝宽度与所述第二条状电极宽度的比值。
结合第一方面以及第一方面的第一至第二种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，
所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值，并且，
所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值大于所述第二刻缝宽度与所述第二条状电极宽度的比值。
结合第一方面以及第一方面的第一至第二种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，
所述第一TFT沟道的宽度、所述第二TFT沟道的宽度以及所述第三TFT沟道的宽度范围均为5μm至35μm；
所述第一TFT沟道的长度、所述第二TFT沟道的长度以及所述第三TFT沟道的长度范围均为2μm至8μm；
结合第一方面的第三至第五种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的实现方式中，
所述第一条状电极宽度、所述第二条状电极宽度以及所述第三条状电极宽度范围均为2μm至8μm；
所述第一刻缝宽度、所述第二刻缝宽度以及所述第三刻缝宽度范围均为1μm至5μm。
结合第一方面以及第一方面的第一至第五种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第八种可能的实现方式中，所述阵列基板还包括第四像素单元，
所述阵列基板还包括第四像素单元，
所述第四像素单元与白色色阻对应，所述第四像素单元中包括第四TFT的源极与漏极之间形成的第四TFT沟道；
其中，所述第四TFT沟道的宽度与长度的比值，均大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值、所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值，以及所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值。
所述第四像素单元，还包括至少两条第四条状电极、所述第四条状电极之间的第四刻缝；
所述第四刻缝宽度与所述第四条状电极宽度的比值，均大于所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值、所述第二刻缝宽度与所述第二条状电极宽度的比值、所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值。
第二方面，本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面以及第一方面的第一至第八种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式中所述的阵列基板。
本发明的实施例提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板中的第一像素单元与红色色阻对应，所述第一像素单元中包括第一TFT的源极与漏极之间形成的第一TFT沟道；第二像素单元与绿色色阻对应，所述第二像素单元中包括第二TFT的源极与漏极之间形成的第二TFT沟道；第三像素单元与蓝色色阻对应，所述第三像素单元中包括第三TFT的源极与漏极之间形成的第三TFT沟道；其中，所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值；或者，所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值，这样一来，在相同的驱动电压下，由于增加了与蓝色色阻对应的第三TFT沟道的宽度与长度的比值(即第三TFT沟道的宽长比)，使得第三TFT内的存储电容的充放电速率增加，加速液晶分子在第三像素单元的偏转，进而提高蓝色色阻对应的第三像素单元在该驱动电压下的光透过率，以保证RGB三个像素在相同的驱动电压下，尽可能的达到相近的光透过率，进而减少色偏现象，提高了显示装置的成像质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中RGB三个像素的驱动电压-光透过率变化曲线；
图2为本发明实施例提供的一阵列基板的示意图一；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板中的TFT的示意图；
图4为RGB三种色阻的光透过率柱状图；
图5为本发明实施例中RGB三个像素的驱动电压-光透过率变化曲线；
图6为本发明实施例提供的一阵列基板的示意图二；
图7为本发明实施例提供的一阵列基板的示意图三。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
另外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本发明的实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括由交叉设置的栅线11和数据线12划分出的第一像素单元21、第二像素单元22和第三像素单元23。
其中，第一像素单元21与红色色阻对应，第一像素单元21中包括第一TFT31的源极与漏极之间形成的第一TFT沟道41；第二像素单元22与绿色色阻对应，第二像素单元22中包括第二TFT32的源极与漏极之间形成的第二TFT沟道42；第三像素单元23与蓝色色阻对应，第三像素单元23中包括第三TFT33的源极与漏极之间形成的第三TFT沟道43；
具体的，如图3所示，为任意TFT(例如图2中的第一TFT31、第二TFT32或第三TFT33)中薄膜晶体管的结构示意图，包括栅极101、源极102和漏极103。其中，被限制在源极102和漏极103之间的区域称为TFT沟道(例如图2中的第一TFT沟道41、第二TFT沟道42或第三TFT沟道43)，TFT沟道的宽度W即为源极102和漏极103相对面的长度，TFT沟道的长度L即为源极102和漏极103的相对距离，因此，TFT沟道的宽长比即为TFT沟道的宽度W与TFT沟道的长度L的比值。需要说明的是，图2中的TFT仅作为示例进行说明，本申请中的TFT结构不限于此。
在本发明的实施例中，第三TFT沟道43的宽度与长度的比值(即W3/L3)大于第二TFT沟道42的宽度与长度的比值(即W2/L2)；或者，第三TFT沟道43的宽度与长度的比值大于第一TFT沟道41的宽度与长度的比值(即W1/L1)，即W3/L3＞W2/L2，或者，W3/L3＞W1/L1。
具体的，阵列基板的工作原理为：通过栅线11和数据线12控制每个TFT中薄膜晶体管的开闭，向对应的像素单元中写入图像信号，分别驱动第一像素单元21、第二像素单元22以及第三像素单元23中的液晶分子，最终实现显示。其中，第一像素单元21、第二像素单元22以及第三像素单元23分别对应彩膜基板中的R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)三种不同颜色的色阻，而不同颜色的色阻在相同条件下的光透过率是不同的，如图4所示，在相同的色阻阻值下，蓝色色阻的透过率低于红色色组和绿色色阻，因此，如图1所示，在同一驱动电压下，第一像素单元21、第二像素单元22以及第三像素单元23中的RGB三个像素无法同时获得最大光透过率，进而导致显示器产生色偏。
而在本发明的实施例中，设置W3/L3＞W2/L2，或者，W3/L3＞W1/L1，这样一来，由于开态电流的计算公式为：其中，Ion为开态电流，μ为载流子迁移率，C为TFT栅极电容，W为TFT沟道的宽度，L为TFT沟道的长度，Vg为TFT栅极正向电压，Vt为TFT阈值电压。从式中可以看出，在其他参数不变的情况下，开态电流随着TFT沟道的宽长比即W/L的增大而增大。
可以看出，本发明的实施例通过设置蓝色色阻对应的第三TFT沟道43的宽长比W3/L3大于W2/L2，或者W3/L3大于W1/L1，增加了第三像素单元23中的开态电流，使得第三TFT33内的存储电容的充放电速率增加，加速液晶分子在第三像素单元23的偏转，进而提高第三像素单元23中的蓝色像素在该驱动电压下的光透过率，这样，如图5所示，当RGB三个像素在相同的驱动电压下，B像素的VT曲线c’与R像素的曲线a、G像素曲线b基本重合，保证RGB三个像素同时获得最大光透过率，减少色偏现象。
当然，设置W3/L3＞W2/L2，或者，W3/L3＞W1/L1的方法可以有多种，例如，如图2所示，可以在设置相同的TFT沟道的宽度时(即W1＝W2＝W3)，减小第三TFT沟道43的长度L3，使得L3＜L2，或者，L3＜L1。
又或者，在设置相同的TFT沟道的长度时(即L1＝L2＝L3)，增加第三TFT沟道43的宽度W3，使得W3＞W2，或者，W3＞W1。
进一步地，本发明实施例中阵列基板上的第一像素单元21、第二像素单元22和第三像素单元23中，均可包含有像素电极(与像素单元中的TFT的漏极相连)，当然还可以进一步包含公共电极(与公共电极线相连，用于与像素电极形成驱动液晶的电场)。无论是像素电极、还是公共电极都可以包含至少两条条状电极。
具体到本实施例中，如图6所示，以条状电极为像素电极举例，在本发明提供的阵列基板中，第一像素单元21还包括至少两条第一条状电极202，以及第一条状电极202之间设有的第一刻缝201；第二像素单元22还包括至少两条第二条状电极212，以及第二条状电极212之间设有的第二刻缝211；第三像素单元23还包括至少两条第三条状电极222，以及第三条状电极222之间设有的第三刻缝221。
需要说明的是，第一条状电极202、第二条状电极212以及第三条状电极222还可以为公共电极，本发明对此不作限制。
其中，第三刻缝宽度D3与第三条状电极宽度S3的比值(即D3/S3)大于第一刻缝宽度D1与第一条状电极宽度S1的比值(即D1/S1)，或者，第三刻缝宽度D3与第三条状电极宽度S3的比值(即D3/S3)大于第二刻缝宽度D2与第二条状电极宽度S2的比值(即D2/S2)。
仍如图5所示，当增大D3/S3时，可以使得第三像素单元23中B像素的VT曲线向左平移得到曲线c’，使得曲线a、曲线b和曲线c’接近重合，也就是说，曲线a、曲线b和曲线c’在同一驱动电压下基本同时达到波峰(即在同一驱动电压下，RGB三个像素同时获得最大光透过率)。
因此，本发明提供的阵列基板，通过设置D3/S3＞D2/S2，可以缩小B像素获得最大光透过率时所对应的驱动电压，与G像素获得最大光透过率时所对应的驱动电压之间差值的绝对值，或者，通过设置D3/S3＞D1/S1，缩小B像素获得最大光透过率时所对应的驱动电压，与R像素获得最大光透过率时所对应的驱动电压之间差值的绝对值，如此，在同一驱动电压下，R像素、G像素和B像素同时达到最大的光透过率，从而可以减少或消除液晶显示面板的色偏，并且不增加阵列基板的复杂程度，简化了工艺，提高了生产良率。
当然，设置D3/S3＞D2/S2，或者，D3/S3＞D1/S1的方法可以有多种，例如，在设置相同的条状电极宽度时(即S1＝S2＝S3)，增大第三刻缝宽度D3，使得D3＞D2，或者，D3＞D1。
又或者，在设置相同的刻缝宽度时(即D1＝D2＝D3)，减小第三条状电极宽度S3，使得S3＜S2，或者，S3＜S1。
另外，需要说明的是，图6和图7中所示出的第一条状电极202、第二条状电极212和第三条状电极222的位置仅作为示例进行示例性说明，具体的，第一条状电极202、第二条状电极212和第三条状电极222可以互相平行，其中，第一条状电极202、第二条状电极212和第三条状电极222均与数据线12平行，或者，第一条状电极202、第二条状电极212和第三条状电极222均与栅线11平行，又或者，第一条状电极202、第二条状电极212和第三条状电极222所在的延长线均与栅线11和数据线12相交。
可选的，本发明实施例提供的阵列基板上，可以设置第三TFT沟道43的宽度与长度的比值大于第二TFT沟道42的宽度与长度的比值；并且，第三TFT沟道43的宽度与长度的比值大于第一TFT沟道41的宽度与长度的比值，即W3/L3＞W2/L2，并且，W3/L3＞W1/L1。
由于第三像素单元23对应的蓝色色阻的光透过率既小于第一像素单元21对应的红色色阻的光透过率，也小于第二像素单元22对应的绿色色阻的光透过率，因此，通过设置W3/L3＞W2/L2，并且，W3/L3＞W1/L1，使得蓝色像素的光透过率大于红色像素的光透过率的同时，蓝色像素的光透过率也大于绿色像素的光透过率，从而进一步保证在同一驱动电压下，RGB三个像素同时获得最大光透过率。
相应的，可以设置第三刻缝宽度D3与第三条状电极宽度S3的比值大于第一刻缝宽度D1与第一条状电极宽度S1的比值，并且，第三刻缝宽度D3与第三条状电极宽度S3的比值大于第二刻缝宽度D2与第二条状电极宽度S2的比值，即D3/S3＞D1/S1，并且，D3/S3＞D2/S2。
优选的，由于第三像素单元23对应的蓝色色阻的光透过率小于第一像素单元21对应的红色色阻的光透过率，而第一像素单元21对应的红色色阻的光透过率又小于第二像素单元22对应的绿色色阻的光透过率，因此，可以设置第三TFT沟道43的宽度与长度的比值大于第一TFT沟道41的宽度与长度的比值；并且，第一TFT沟道41的宽度与长度的比值大于第二TFT沟道42的宽度与长度的比值，即W3/L3＞W2/L2＞W1/L1，使得蓝色像素的光透过率大于红色像素的光透过率的，而且红色像素的光透过率大于绿色像素的光透过率，以保证在同一驱动电压下，RGB三个像素同时获得最大光透过率。
相应的，可以设置第三刻缝宽度D3与第三条状电极宽度S3的比值大于第一刻缝宽度D1与第一条状电极宽度S1的比值，并且，第一刻缝宽度D1与第一条状电极宽度S1的比值大于第二刻缝宽度D2与第二条状电极宽度S2的比值，即D3/S3＞D1/S1＞D2/S2。
示例性的，上述第一TFT沟道41的宽度、第二TFT沟道42的宽度以及第三TFT沟道43的宽度范围均为5μm至35μm；第一TFT沟道41的长度、第二TFT沟道42的长度以及第三TFT沟道43的长度范围均为2μm至8μm。
上述第一条状电极宽度、第二条状电极宽度以及第三条状电极宽度范围均为2μm至8μm；第一刻缝宽度、第二刻缝宽度以及第三刻缝宽度范围均为1μm至5μm。
例如，设置第三TFT沟道43的宽长比W3/L3为14um/5um，第一TFT沟道41的宽长比W1/L1为12um/5um，第二TFT沟道42的宽长比W2/L2为10um/5um，可以看出，由于W3/L3＞W2/L2＞W1/L1，使得第三TFT33内的存储电容的充放电速率增加，加速液晶分子在第三像素单元23的偏转，进而提高第三像素单元23中蓝色像素在该驱动电压下的光透过率，这样，如图5所示，当RGB三个像素在相同的驱动电压下，B像素的VT曲线c’与R像素的曲线a、G像素曲线b基本重合，保证RGB三个像素同时获得最大光透过率，减少色偏现象。
进一步地，如图7所示，本发明实施例提供的阵列基板中，还可以包括第四像素单元24，所述第四像素单元24与白色色阻对应，所述第四像素单元24中还包括至少两条第四条状电极232，第四条状电极232之间具有的第四刻缝231、以及第四TFT34的源极与漏极之间形成的第四TFT沟道44；
由于第四像素单元24对应的白色像素，在与RGB三个像素一起实现显示的过程中可用于增加显示画面的亮度，因此，可以设置第四像素单元24中第四TFT沟道44的宽度与长度的比值(即W4/L4)为任意值，第四刻缝宽度与第四条状电极宽度的比值(即D4/S4)为任意值。例如，设置第四TFT沟道44的宽度范围为5μm至35μm；第四TFT沟道44的长度范围为2μm至8μm；第四条状电极宽度范围为2μm至8μm；第四刻缝宽度范围为1μm至5μm。
优选的，可以设置所述第四TFT沟道44的宽度与长度的比值(即W4/L4)，均大于所述第一TFT沟道41的宽度与长度的比值(即W1/L1)、所述第二TFT沟道42的宽度与长度的比值(即W2/L2)，以及所述第三TFT沟道43的宽度与长度的比值(即W2/L2)。
相应的，可以设置第四刻缝宽度与第四条状电极宽度的比值(即D4/S4)，均大于第一刻缝宽度的比值与第一条状电极宽度(即D1/S1)、第二刻缝宽度与第二条状电极宽度的比值(即D2/S2)、第三刻缝宽度与第三条状电极宽度的比值(即D3/S3)。
本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。其中，所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明的实施例提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板中的第一像素单元与红色色阻对应，所述第一像素单元中包括第一TFT的源极与漏极之间形成的第一TFT沟道；第二像素单元与绿色色阻对应，所述第二像素单元中包括第二TFT的源极与漏极之间形成的第二TFT沟道；第三像素单元与蓝色色阻对应，所述第三像素单元中包括第三TFT的源极与漏极之间形成的第三TFT沟道；其中，所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值；或者，所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值，这样一来，在相同的驱动电压下，由于增加了与蓝色色阻对应的第三TFT沟道的宽度与长度的比值(即第三TFT沟道的宽长比)，使得第三TFT内的存储电容的充放电速率增加，加速液晶分子在第三像素单元的偏转，进而提高蓝色色阻对应的第三像素单元在该驱动电压下的光透过率，以保证RGB三个像素在相同的驱动电压下，尽可能的达到相近的光透过率，进而减少色偏现象，提高了显示装置的成像质量。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括由交叉设置的栅线和数据线划分出的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元，
所述第一像素单元与红色色阻对应，所述第一像素单元中包括第一TFT的源极与漏极之间形成的第一TFT沟道；
所述第二像素单元与绿色色阻对应，所述第二像素单元中包括第二TFT的源极与漏极之间形成的第二TFT沟道；
所述第三像素单元与蓝色色阻对应，所述第三像素单元中包括第三TFT的源极与漏极之间形成的第三TFT沟道；
其中，所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值；并且，所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值；
所述第一像素单元，还包括至少两条第一条状电极，所述第一条状电极之间具有第一刻缝；所述第二像素单元，还包括至少两条第二条状电极，所述第二条状电极之间具有第二刻缝；所述第三像素单元，还包括至少两条第三条状电极，所述第三条状电极之间具有第三刻缝；
其中，所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值，并且，所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值大于所述第二刻缝宽度与所述第二条状电极宽度的比值；
所述第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元中TFT沟道的宽度与长度的比值、对应条状电极刻缝宽度的比值分别作用于对应像素单元的开态电流和驱动电压，使得第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元在同一驱动电压下同时获得最大光透过率。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一TFT沟道的宽度、所述第二TFT沟道的宽度以及所述第三TFT沟道的宽度范围均为5μm至35μm；
所述第一TFT沟道的长度、所述第二TFT沟道的长度以及所述第三TFT沟道的长度范围均为2μm至8μm。
3.根据权利要求1中所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一条状电极宽度、所述第二条状电极宽度以及所述第三条状电极宽度范围均为2μm至8μm；
所述第一刻缝宽度、所述第二刻缝宽度以及所述第三刻缝宽度范围均为1μm至5μm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第四像素单元，
所述第四像素单元与白色色阻对应，所述第四像素单元中包括第四TFT的源极与漏极之间形成的第四TFT沟道；
其中，所述第四TFT沟道的宽度与长度的比值，均大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值、所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值，以及所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述第四像素单元，还包括至少两条第四条状电极、所述第四条状电极之间的第四刻缝；
所述第四刻缝宽度与所述第四条状电极宽度的比值，均大于所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值、所述第二刻缝宽度与所述第二条状电极宽度的比值、所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值。
6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。
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