CN104638039A - 一种硅异质结太阳能电池结构及其制造方法 - Google Patents

一种硅异质结太阳能电池结构及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种硅异质结太阳能电池结构及其制造方法。该结构包括n型晶体硅，其正面和背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理；p型氢化非晶硅层；n型氢化非晶硅层；第一TCO层，位于p型氢化非晶硅层的上方；第二TCO层，位于n型氢化非晶硅层的下方；非晶TCO层，形成于第二TCO层的一表面；银胶层，呈栅格状；以及缓冲薄膜层，溅镀形成于非晶TCO层的一表面。相比于现有技术，本发明在背面电极一侧于第二TCO层与缓冲薄膜层之间额外设置一非晶TCO层，利用该非晶TCO层与溅镀的Ag薄膜形成氧化银，从而使后溅镀上的Ag能够与非晶TCO层产生化学反应而生成氧-银键，进而提高模组串焊时的焊带拉力。

Description

一种硅异质结太阳能电池结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及光伏发电技术领域，尤其涉及一种硅异质结太阳能电池结构及其制造方法。
背景技术
近些年来，由于世界各地的原油存量逐年的减少，能源问题已成为全球注目的焦点。为了解决能源耗竭的危机，各种替代能源的发展与利用实为当务之急。随着环保意识抬头，加上太阳能具有零污染、取之不尽用之不竭的优点，太阳能发电技术(又可称为光伏发电技术)已成为相关领域中最受瞩目的焦点。因此，在日照充足的位置，例如建筑物屋顶、广场等等，愈来愈广泛地见到太阳能面板的装设。
太阳能面板是一种通过光伏效应(Photovoltaic Effect)将光线转化为电力的设施。一般来说，太阳能面板包括基板以及设置在基板上的多个太阳能电池片(solar cell)。在此，太阳能电池片又称为“太阳能芯片”或“光电池”，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到，瞬间就可输出电压并且在有回路的情况下就能够产生电流。
在现有技术中，为提高太阳能的转化效率，已研发出一种硅异质结(silicon heterojunction)太阳能电池，其以n型单晶硅作为衬底，并在该衬底的上下表面用氢化非晶硅材质进行钝化处理，之后将p型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型晶体硅进行硅异质结，之后在它们的正反两面镀上透明导电氧化层(transparent conductive oxide layer)，最后在正面电极刷上栅格状的银胶，并在背面电极溅镀镍钒合金(NiV)/银(Ag)薄膜。然而，该太阳能电池结构在背面电极部分至少存在以下问题：在单晶的透明导电氧化层表面与NiV/Ag的界面接触能力太差，导致Ribbon(金属焊带)焊接时容易出现剥离(peeling)等不良情形，且Ribbon在进行拉力测试时的拉力值小于1N/m2。
有鉴于此，如何设计一种新的太阳能电池结构，以解决现有技术中的上述缺陷或不足，提升透明导电氧化层表面与NiV/Ag的界面接触能力，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
发明内容
针对现有技术中的太阳能电池结构所存在的上述缺陷，本发明提供了一种新的硅异质结太阳能电池结构及其制造方法。
依据本发明的一个方面，提供一种硅异质结太阳能电池(siliconheterojunction solar cell)结构，包括：
一n型晶体硅(n-type crystal Si)，具有一正面和一背面，所述正面和所述背面均使用氢化非晶硅(a-Si:H)进行钝化处理；
一p型氢化非晶硅层，位于所述n型晶体硅的正面之上，且与所述n型晶体硅进行异质结；
一n型氢化非晶硅层，位于所述n型晶体硅的背面之下，且与所述n型晶体硅进行异质结；
一第一透明导电氧化(transparent conductive oxide，TCO)层，位于所述p型氢化非晶硅层的上方；
一第二透明导电氧化层，位于所述n型氢化非晶硅层的下方；
一非晶透明导电氧化(amorphous TCO)层，形成于所述第二透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面；
一银胶层，呈栅格状，形成于所述第一透明导电氧化层的上方；以及
一缓冲薄膜层，溅镀形成于所述非晶透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面。
在其中的一实施例，所述缓冲薄膜层为银(Ag)材质。
在其中的一实施例，所述硅异质结太阳能电池结构采用PVD(PhysicalVapor Deposition，物理气相沉积)方式溅镀形成所述缓冲薄膜层。
在其中的一实施例，所述非晶透明导电氧化层与溅镀的银产生氧化银，藉由氧化银中的氧-银(O-Ag)键来增加模组串焊时的焊带拉力。
在其中的一实施例，所述非晶透明导电氧化层为氧化锡、氧化铟或氧化锌。
在其中的一实施例，所述第一透明导电氧化层和所述第二透明导电层为氧化铟锡材质。
依据本发明的另一个方面，提供了一种硅异质结太阳能电池(siliconheterojunction solar cell)结构的制造方法，包括以下步骤：
形成一n型晶体硅(n-type crystal Si)，具有一正面和一背面，所述正面和所述背面均使用氢化非晶硅(a-Si:H)进行钝化处理；
形成一p型氢化非晶硅层于所述正面，以及形成一n型氢化非晶硅层于所述背面；
形成一第一透明导电氧化层于所述p型氢化非晶硅层的上方以及形成一第二透明导电氧化层于所述n型氢化非晶硅层的下方；
形成一非晶透明导电氧化层于所述第二透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面；
形成一栅格状的银胶层于所述第一透明导电氧化层的上方，以及溅镀形成一缓冲薄膜层于所述非晶透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面。
在其中的一实施例，所述缓冲薄膜层为银(Ag)材质。
在其中的一实施例，采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)方式溅镀形成所述缓冲薄膜层。
在其中的一实施例，所述非晶透明导电氧化层与溅镀的银产生氧化银，藉由氧化银中的氧-银键来增加模组串焊时的焊带拉力。
采用本发明的硅异质结太阳能电池结构及其制造方法，其n型晶体硅具有一正面和一背面，它的正面和背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理，p型氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层分别位于n型晶体硅的正面上方和背面下方，第一透明导电氧化层位于p型氢化非晶硅层的上方，第二透明导电氧化层位于n型氢化非晶硅层的下方，非晶透明导电氧化层形成于第二透明导电氧化层的远离n型晶体硅的一表面，呈栅格状的银胶层形成于第一透明导电氧化层的上方，缓冲薄膜层溅镀形成于非晶透明导电氧化层的远离n型晶体硅的一表面。相比于现有技术，本发明在背面电极一侧于第二透明导电氧化层与缓冲薄膜层之间额外设置一非晶透明导电氧化层，利用该非晶透明导电氧化层与溅镀的Ag薄膜形成氧化银，从而使后溅镀上的Ag能够与非晶透明导电氧化层产生化学反应而生成氧-银(O-Ag)键，进而提高模组串焊时的焊带拉力。此外，本发明的太阳能电池结构在增大剥离所需的外力同时，经试验测量表明，其并不会影响电池的能量转化效率。
附图说明
读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，
图1示出现有技术的一种硅异质结太阳能电池的结构示意图；
图2示出图1的太阳能电池的背面电极一侧，透明导电氧化层与缓冲银薄膜之间的界面接触示意图；
图3示出依据本发明的一实施方式的硅异质结太阳能电池的结构示意图；
图4A示出图3的太阳能电池结构的一种非晶透明导电氧化层与缓冲银薄膜发生化学反应从而形成氧-银化学键的示意图；
图4B示出图3的太阳能电池结构的另一种非晶透明导电氧化层与缓冲银薄膜发生化学反应以形成氧-银化学键的示意图；以及
图5示出依据本发明另一实施方式的硅异质结太阳能电池结构的制造方法的流程框图。
具体实施方式
为了使本申请所揭示的技术内容更加详尽与完备，可参照附图以及本发明的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本发明所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。
下面参照附图，对本发明各个方面的具体实施方式作进一步的详细描述。
图1示出现有技术的一种硅异质结太阳能电池的结构示意图。图2示出图1的太阳能电池的背面电极一侧，透明导电氧化层与缓冲银薄膜之间的界面接触示意图。
参照图1，现有的硅异质结太阳能电池(silicon heterojunction solar cell)结构包括一n型晶体硅(n-type crystal Si)100、一p型氢化非晶硅层(a-Si:H)102、一n型氢化非晶硅层104、一第一透明导电氧化层(transparentconductive oxide，TCO)106、一第二透明导电氧化层108、一格子状的银胶层110和一缓冲薄膜层112。其中，图中的虚线框表示n型晶体硅100的上表面进行钝化处理以及p型氢化非晶硅层的截面示意图。此外，还可在缓冲薄膜层112下方溅镀一镍钒合金层(NiV layer)116，金属焊带114位于镍钒合金层116的远离缓冲薄膜层112的一侧(如图2所示)。
n型晶体硅100具有一正面和一背面。n型晶体硅100的正面使用氢化非晶硅(a-Si:H)进行钝化处理，且n型晶体硅100的背面也使用氢化非晶硅(a-Si:H)进行钝化处理。p型氢化非晶硅层102位于n型晶体硅100的正面之上，且与n型晶体硅100进行异质结(silicon heterojunction)。n型氢化非晶硅层104位于n型晶体硅100的背面之下，且与n型晶体硅100进行异质结。第一透明导电氧化层106位于p型氢化非晶硅层102的上方，例如，该透明导电氧化层为氧化铟锡(ITO)材质。第二透明导电氧化层108位于n型氢化非晶硅层104的下方。此外，银胶层110形成于第一透明导电氧化层106的上方。缓冲薄膜层112溅镀形成于第二透明导电氧化层108的下方。
参照图2，如前文所述，上述太阳能电池结构的单晶透明导电氧化层108表面与缓冲薄膜层(诸如，Ag材质)112的界面接触能力太差，导致金属焊带(Ribbon)114焊接时容易出现剥离等不良情形，且金属焊带114在进行拉力测试时的拉力值小于1N/m2。
为了克服现有技术中的上述缺陷，本发明揭露了一种新的太阳能电池结构。图3示出依据本发明的一实施方式的硅异质结太阳能电池的结构示意图。
参照图3，本发明与现有技术的主要区别是在于，其在太阳能电池结构增设了一非晶透明导电氧化(amorphous TCO)层，如图3中的网格部分所示。例如，该非晶透明导电氧化层可以是氧化锡(SnO2)、氧化铟(In2O3)或氧化锌(ZnO)。该非晶透明导电氧化层200形成于第二透明导电氧化层108与缓冲薄膜层112之间，即，非晶透明导电氧化层200形成于第二透明导电氧化层108的远离n型晶体硅100的表面。
在一具体实施例，该硅异质结太阳能电池结构采用PVD(Physical VaporDeposition，物理气相沉积)方式溅镀形成缓冲薄膜层112。此外，第一透明导电氧化层106和第二透明导电层108均为氧化铟锡材质。
由上述可知，相比于现有技术，本发明在背面电极一侧于第二透明导电氧化层108与缓冲薄膜层112之间额外设置非晶透明导电氧化层200，利用该非晶透明导电氧化层200与溅镀的Ag薄膜112形成氧化银，从而使后溅镀上的Ag能够与非晶透明导电氧化层产生化学反应而生成氧-银(O-Ag)键，进而提高模组串焊时的焊带拉力。此外，经试验测量表明，未采用非晶透明导电氧化层200的太阳能电池结构其转化效率分别为21.71％、20.21％和21.43％；而采用非晶透明导电氧化层200的太阳能电池结构其转化效率分别为21.10％、21.03％和21.85％，因此，本发明在增大剥离所需的外力同时，并不会影响电池的转化效率。
图4A示出图3的太阳能电池结构的一种非晶透明导电氧化层与缓冲银薄膜发生化学反应从而形成氧-银化学键的示意图。
参照图4A，在该实施例中，非晶透明导电氧化层为氧化铟(In2O3)材质。当溅镀上的Ag薄膜与非晶透明导电氧化层产生化学反应后，可生成氧-银(O-Ag)化学键，进而可提高模组串焊时的焊带拉力。
图4B示出图3的太阳能电池结构的另一种非晶透明导电氧化层与缓冲银薄膜发生化学反应以形成氧-银化学键的示意图。
参照图4B，在该实施例中，非晶透明导电氧化层为氧化锡(SnO2)材质。类似地，当溅镀上的Ag薄膜与非晶透明导电氧化层产生化学反应后，也可生成氧-银(O-Ag)化学键，进而可提高模组串焊时的焊带拉力。
图5示出依据本发明另一实施方式的硅异质结太阳能电池结构的制造方法的流程框图。
参照图5并结合图3，在该制造方法中，首先执行步骤S101，形成n型晶体硅100，其正面和背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理。然后执行步骤S103，形成p型氢化非晶硅层102于n型晶体硅100的正面，以及形成n型氢化非晶硅层104于n型晶体硅100的背面。接着在步骤S105中，形成第一透明导电氧化层106于p型氢化非晶硅层102的上方以及形成第二透明导电氧化层108于n型氢化非晶硅层104的下方。然后在步骤S107中，形成非晶透明导电氧化层200于第二透明导电氧化层108的远离n型晶体硅100的表面。最后执行步骤S109，形成一栅格状的银胶层110于第一透明导电氧化层106的上方，以及溅镀形成一缓冲薄膜层112于非晶透明导电氧化层200的远离n型晶体硅100的一表面。
采用本发明的硅异质结太阳能电池结构及其制造方法，其n型晶体硅具有一正面和一背面，它的正面和背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理，p型氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层分别位于n型晶体硅的正面上方和背面下方，第一透明导电氧化层位于p型氢化非晶硅层的上方，第二透明导电氧化层位于n型氢化非晶硅层的下方，非晶透明导电氧化层形成于第二透明导电氧化层的远离n型晶体硅的一表面，呈栅格状的银胶层形成于第一透明导电氧化层的上方，缓冲薄膜层溅镀形成于非晶透明导电氧化层的远离n型晶体硅的一表面。相比于现有技术，本发明在背面电极一侧于第二透明导电氧化层与缓冲薄膜层之间额外设置一非晶透明导电氧化层，利用该非晶透明导电氧化层与溅镀的Ag薄膜形成氧化银，从而使后溅镀上的Ag能够与非晶透明导电氧化层产生化学反应而生成氧-银(O-Ag)键，进而提高模组串焊时的焊带拉力。此外，本发明的太阳能电池结构在增大剥离所需的外力同时，经试验测量表明，其并不会影响电池的能量转化效率。
上文中，参照附图描述了本发明的具体实施方式。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的具体实施方式作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。

Claims (10)

1.一种硅异质结太阳能电池结构，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池结构包括：
一n型晶体硅，具有一正面和一背面，所述正面和所述背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理；
一p型氢化非晶硅层，位于所述n型晶体硅的正面之上，且与所述n型晶体硅进行异质结；
一n型氢化非晶硅层，位于所述n型晶体硅的背面之下，且与所述n型晶体硅进行异质结；
一第一透明导电氧化层，位于所述p型氢化非晶硅层的上方；
一第二透明导电氧化层，位于所述n型氢化非晶硅层的下方；
一非晶透明导电氧化层，形成于所述第二透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面；
一银胶层，呈栅格状，形成于所述第一透明导电氧化层的上方；以及
一缓冲薄膜层，溅镀形成于所述非晶透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面。
2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池结构，其特征在于，所述缓冲薄膜层为银材质。
3.根据权利要求2所述的硅异质结太阳能电池结构，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池结构采用PVD方式溅镀形成所述缓冲薄膜层。
4.根据权利要求2所述的硅异质结太阳能电池结构，其特征在于，所述非晶透明导电氧化层与溅镀的银产生氧化银，藉由氧化银中的氧-银键来增加模组串焊时的焊带拉力。
5.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池结构，其特征在于，所述非晶透明导电氧化层为氧化锡、氧化铟或氧化锌。
6.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池结构，其特征在于，所述第一透明导电氧化层和所述第二透明导电层为氧化铟锡材质。
7.一种硅异质结太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池结构的制造方法包括以下步骤：
形成一n型晶体硅，具有一正面和一背面，所述正面和所述背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理；
形成一p型氢化非晶硅层于所述正面，以及形成一n型氢化非晶硅层于所述背面；
形成一第一透明导电氧化层于所述p型氢化非晶硅层的上方以及形成一第二透明导电氧化层于所述n型氢化非晶硅层的下方；
形成一非晶透明导电氧化层于所述第二透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面；
形成一栅格状的银胶层于所述第一透明导电氧化层的上方，以及溅镀形成一缓冲薄膜层于所述非晶透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面。
8.根据权利要求7所述的硅异质结太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述缓冲薄膜层为银材质。
9.根据权利要求7所述的硅异质结太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，采用PVD的方式溅镀形成所述缓冲薄膜层。
10.根据权利要求7所述的硅异质结太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述非晶透明导电氧化层与溅镀的银产生氧化银，藉由氧化银中的氧-银键来增加模组串焊时的焊带拉力。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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