CN104630748B - 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 - Google Patents

等离子体处理装置以及等离子体处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法。该等离子体处理装置配置有连接于高频电源的主天线和相对于该主天线电绝缘的(浮置状态的)辅助天线。另外，在俯视观察主天线以及辅助天线时的各自的投影区域彼此不重合。具体而言，相对于主天线而言将辅助天线配置于旋转台的旋转方向下游侧。而且，借助流通于主天线的感应电流使辅助天线产生电磁场，并且使辅助天线谐振，从而不仅在主天线的下方侧的区域产生感应等离子体，在辅助天线的下方侧的区域也产生感应等离子体。

Description

等离子体处理装置以及等离子体处理方法
技术领域
本发明涉及对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
背景技术
作为对半导体晶圆等的基板(以下称作“晶圆”)进行等离子体处理的装置，已知有日本特开2013－45903所记载的半分批式的装置。具体而言，在日本特开2013－45903中，在旋转台上沿周向排列五张晶圆，并且以与利用旋转台进行移动(公转)的晶圆的轨道相对的方式配置有用于将气体等离子体化的天线。在这样的装置中，由于晶圆移动，因此例如在进行使用了氨(NH3)自由基的等离子体处理的情况下，存在如下要求：能够将该自由基的产生区域沿晶圆的移动方向形成得尽量长，希望在长时间内将自由基供给到晶圆。
在日本特开2011－119659、日本特开2003－22977中记载了具备天线的单片式的装置、带电容器的浮置线圈。即，在日本特开2011－119659中，在沿铅垂轴线卷绕的等离子体产生用的天线的上方侧配置浮置线圈，并且调整了连接于该浮置线圈的可变电容器的静电电容。通过调整该可变电容器的静电电容值，从而调整自等离子体产生用的天线传送到浮置线圈的能量的量，这样，在专利文献2中，在基座的径向上控制了基座附近的等离子体密度。然而，在日本特开2011－119659、日本特开2003－22977中，未记载有使晶圆公转的方式的装置、该装置中的等离子体的分布。
发明内容
本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种在对公转的基板进行等离子体处理时能够抑制装置的成本上升、并且能够实现俯视观察时的等离子体产生区域的高面积化的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
本发明的一个方式的等离子体处理装置用于对基板进行等离子体处理。该等离子体处理装置包括：
真空容器；
旋转台，其设于该真空容器内，用于使载置基板的基板载置区域公转；
处理气体供给部，其用于对上述基板供给处理气体；
主天线，其为线圈状，设为与上述基板的通过区域相对，用于被供给高频电力而激发处理气体，产生电感耦合等离子体；
辅助天线，其为线圈状，以电悬浮的状态置于能够相对于上述主天线进行电磁感应的位置，并且被设为在俯视观察时上述辅助天线的投影区域与上述主天线的投影区域的至少一部分不重叠，上述辅助天线用于激发上述处理气体而产生电感耦合等离子体；以及
电容器，其设于上述辅助天线的环内。
本发明的其他方式的等离子体处理方法对基板进行等离子体处理。在该等离子体处理方法中，
在真空容器内，在旋转台上的基板载置区域载置基板，利用旋转台使该基板公转，
向上述基板的表面供给处理气体，
通过对以与上述旋转台相对的方式配置的线圈状的主天线供给高频电力，激发处理气体而产生电感耦合等离子体，
利用线圈状的辅助天线与上述主天线之间的电磁感应使该辅助天线产生感应电流，激发上述处理气体而产生电感耦合等离子体，上述辅助天线以电悬浮的状态置于能够相对于上述主天线进行电磁感应的位置，并且被设为在俯视观察时上述辅助天线的投影区域与上述主天线的投影区域的至少一部分不重叠，并且该辅助天线相对于上述主天线置于电悬浮的状态，
利用设于上述辅助天线的环内的电容器使该辅助天线中的感应电流谐振。
附图说明
图1A以及图1B是表示本发明的等离子体处理装置的一个例子的示意图。
图2是表示本发明的等离子体处理装置的一个例子的纵剖视图。
图3是表示上述等离子体处理装置的横剖俯视图。
图4是表示上述等离子体处理装置的横剖俯视图。
图5是表示上述等离子体处理装置的纵剖视图。
图6是表示上述等离子体处理装置的天线的分解立体图。
图7是表示上述天线的俯视图。
图8是表示上述天线与晶圆之间的位置关系的俯视图。
图9是表示自下侧观察用于收纳上述天线的壳体的状况的立体图。
图10是示意性地表示等离子体在晶圆上通过的轨迹的俯视图。
图11是表示上述等离子体处理装置的其他例子的纵剖视图。
图12是表示上述等离子体处理装置的其他例子的纵剖视图。
图13是表示上述等离子体处理装置的其他例子的纵剖视图。
图14是表示上述等离子体处理装置的其他例子的纵剖视图。
图15是表示上述等离子体处理装置的其他例子的纵剖视图。
图16是表示本发明的实施例中的天线的配置布局的俯视图。
图17是表示拍摄了通过本发明的实施例获得的结果的照片的特性图。
图18是表示拍摄了通过本发明的实施例获得的结果的照片的特性图。
图19是表示拍摄了通过本发明的实施例获得的结果的照片的特性图。
图20是表示拍摄了通过本发明的实施例获得的结果的照片的特性图。
图21是示意性地表示通过本发明的辅助天线获得的电流值的特性图。
具体实施方式
参照图1A～图9说明本发明的实施方式的等离子体处理装置的一个例子。如在图1A中示意性示出该装置的特征部分那样，该装置包括连接于高频电源89的主天线83、以及相对于该主天线83电绝缘的辅助天线(线圈)84。而且，如图1B所示，在辅助天线84与主天线83之间的电磁感应作用下，并非将高频电源89连接于辅助天线84，而是在这些天线83、84的下方侧的区域产生等离子体。接着，以下说明装置的具体的结构。另外，在图1A中，将天线83、84简化描绘。
如图2～图4所示，在已叙述的天线83、84的下方侧设有平面形状呈大体圆形的真空容器1。真空容器1具备顶板11以及容器主体12，并构成为经由连接于顶板11的上表面侧中央部的分离气体供给管51而供给氮(N2)气体作为分离气体。如图2所示，在旋转台2的下方侧，为了将该旋转台2上的晶圆W加热至成膜温度例如300℃而设有作为加热机构的加热器单元7。在图2中，在容器主体的周缘部设有密封构件例如O型环等的密封构件13。另外，在图2中，在真空容器1中设有加热器单元7的罩构件71a、覆盖加热器单元7的覆盖构件7a、吹扫气体供给管72、73。
在真空容器1的内部收纳有旋转台2，在该旋转台2的中心部安装有大致圆筒形状的芯部21。旋转台2构成为，利用连接于该芯部21的下表面的旋转轴22绕铅垂轴线、在该例子中顺时针地旋转自如。如图3～图4所示，为了使晶圆W落入而保持该晶圆W，在旋转台2上设有圆形的凹部24作为基板载置区域，该凹部24沿该旋转台2的旋转方向(周向)形成于多个位置例如五个位置。在图2中示出了使旋转轴22绕铅垂轴线旋转的驱动部(旋转机构)23和收容旋转轴22以及驱动部23的壳体20。
在分别与凹部24的通过区域相对的位置，分别沿真空容器1的周向彼此隔开间隔地呈放射状配置有例如由石英构成的四只喷嘴31、32、41、42。这些各喷嘴31、32、41、42分别以例如自真空容器1的外周壁朝向中心部区域10而与晶圆W相对、并水平延伸的方式安装。在该例子中，自后述的输送口15观察时，顺时针地依次排列有等离子体产生用气体喷嘴32、分离气体喷嘴41、处理气体喷嘴31以及分离气体喷嘴42。等离子体产生用气体喷嘴32成为处理气体供给部。另外，分离气体喷嘴41、42分别成为分离气体供给部。另外，图3表示拆卸了天线83、84以及壳体90以便看到等离子体产生用气体喷嘴32的状态，图4表示安装了这些天线83、84以及壳体90的状态。
各喷嘴31、32、41、42分别经由流量调整阀而分别连接于以下的各气体供给源(未图示)。即，处理气体喷嘴31连接于包含Si(硅)的处理气体例如DCS(二氯硅烷)气体等的供给源。等离子体产生用气体喷嘴32连接于例如氨气以及氮(N2)气中的至少一者的气体供给源、在该例子中连接于氨气的供给源。分离气体喷嘴41、42分别连接于作为分离气体的氮气的供给源。在这些气体喷嘴31、32、41、42的外周面分别形成有气体喷出孔33，该气体喷出孔33沿旋转台2的半径方向例如等间隔地配置多个位置。气体喷出孔33在气体喷嘴31、41、42中形成于下表面，在等离子体产生用气体喷嘴32中形成于旋转台2的旋转方向上游侧的侧面。在图3以及图4中，示出了覆盖处理气体喷嘴31的上方侧的喷嘴罩31a。
处理气体喷嘴31的下方区域成为用于使处理气体的成分吸附于晶圆W的吸附区域P1。另外，等离子体产生用气体喷嘴32的下方侧的区域(后述的壳体90的下方区域)成为用于使吸附于晶圆W的处理气体的成分与等离子体产生用气体的等离子体反应的反应区域(处理区域)P2。分离气体喷嘴41、42用于形成将各区域P1、P2分离的分离区域D。如图3以及图4所示，在分离区域D中的真空容器1的顶板11上设有大致扇形的凸状部4，分离气体喷嘴41、42收纳于该凸状部4内。
接下来，详细叙述用于自等离子体产生用气体产生感应等离子体的结构。如图1、图4以及图5所示，在等离子体产生用气体喷嘴32的上方侧配置有已叙述的主天线83以及辅助天线84，这些天线83、84分别通过将金属线绕铅垂轴线呈线圈状例如卷绕三圈而构成。主天线83相对于辅助天线84而言配置在旋转台2的旋转方向上游侧。首先，说明这些天线83、84中的主天线83。
如图7所示，俯视观察时，主天线83配置为自旋转台2的中央部侧至外周部侧地跨越旋转台2上的晶圆W的通过区域。在该例子中，主天线83卷绕成俯视观察时呈大致矩形(长方形)。即，主天线83中的靠旋转台2的旋转方向上游侧以及下游侧的部位和靠旋转台2的中心侧以及外缘侧的部位分别形成为直线状。
具体而言，若将主天线83中的靠上述旋转方向上游侧以及下游侧的部位分别称作“直线部分85”，则这些直线部分85分别以沿着旋转台2的半径方向、换言之沿着等离子体产生用气体喷嘴32的长度方向的方式形成。另外，若将主天线83中的靠上述中心侧以及外缘侧的部位分别称作“连接部分86”，则这些连接部分86分别以沿着旋转台2的切线方向的方式形成。而且，这些直线部分85以及连接部分86彼此在各自的端部位置借助呈大致直角弯曲的部位彼此串联连接，并且借助匹配器88连接于高频电源89。在该例子中，高频电源89的频率以及输出功率例如分别为13.56MHz以及5000W。
如图7所示，当俯视观察时，已叙述的两个直线部分85中的靠旋转台2的旋转方向上游侧的直线部分85配置在与等离子体产生用气体喷嘴32稍微向旋转台2的旋转方向下游侧分开的位置。另外，在图7以及图8中，用虚线描绘天线83、84，在图8中，用实线描绘晶圆W。
当自主天线83观察时，辅助天线84在旋转台2的旋转方向下游侧配置为靠近该主天线83，并相对于主天线83电绝缘。因此，将这些天线83、84配置成俯视观察时的投影区域彼此不会重合。另外，在俯视观察时，辅助天线84配置为包围比主天线83小一圈的矩形区域，并设于至旋转台2的旋转中心的距离和至旋转台2的外缘的距离大致一致的位置。
另外，对于辅助天线84，靠旋转台2的旋转方向上游侧以及下游侧的直线部分85也分别沿着等离子体产生用气体喷嘴32配置为直线状。辅助天线84的靠旋转台2的旋转中心侧以及外缘侧中的连接部分86分别沿着旋转台2的切线方向形成。因此，主天线83中的直线部分85和辅助天线84中的直线部分85彼此平行。
如图8所示，辅助天线84中的靠旋转台2的旋转方向上游侧的直线部分85和已叙述的主天线83中的靠旋转台2的旋转方向下游侧的直线部分85之间的分开距离h被设定为使主天线83中的高频电场到达辅助天线84的尺寸。上述分开尺寸h具体而言是2mm～30mm。
即，若向主天线83供给高频电力，则由于流经该主天线83的高频电流而绕主天线83所延伸的方向的轴线产生高频电场。而且，如已叙述那样，辅助天线84未连接有高频电源89，而是成为相对于主天线83电绝缘并悬浮的状态(浮置状态)。因此，在形成在主天线83的周围的高频电场的作用下，借助主天线83与辅助天线84之间的电磁感应在辅助天线84产生感应起电力，感应电流流动。
这里，对流经辅助天线84的感应电流的大小进行研究。即，谐振频率f(Hz)用以下的式子表示。
其中，f是向主天线83(辅助天线84)供给的高频电力的频率，L是辅助天线84的电感(H)，C是辅助天线84的电容值(F)。关于该式子，若将表示电容值C的式子变形，则得到
C＝1/(4π2×f2×L)
而且，若将频率f以及电感L例如分别设为13.56MHz以及2.62μH而代入上式，则在辅助天线84引起串联谐振的电容值C成为约52.6pF。即，在辅助天线84的电容值C为52.6pF的情况下，在自主天线83传递到辅助天线84的高频电场作用下在该辅助天线84中产生串联谐振，除了主天线83的下方侧的区域之外，在辅助天线84的下方侧的区域也产生等离子体。因此，在本发明中，以使辅助天线84产生谐振、进而能够调整该谐振的状态的方式构成了该辅助天线84。
具体而言，如图1以及图4～图6所示，在辅助天线84中，作为阻抗调整部设有由用于调整该辅助天线84的电容值C的可变电容器(可变容量电容器)等构成的电容调整部200。即，在辅助天线84的长度方向上的一端侧以及另一端侧，以配置于该辅助天线84的环内的方式连接有电容调整部200的两端子中的一者以及另一者。而且，如图2所示，电容调整部200连接有由马达等构成的驱动部201，通过驱动该驱动部201，能够调整电容调整部200(辅助天线84)的电容值。
对这样的电容调整部200、驱动部201的构成例进行说明，在电容调整部200中设有例如一对对置电极(未图示)，在这些对置电极中的一个电极上连接有从已叙述的驱动部201延伸的、未图示的升降轴(驱动轴)。这样，经由驱动部201使上述一个电极的、相对于另一个电极的分开距离变化，从而调整电容调整部200的电容值，换言之调整辅助天线84的电容值C。而且，在俯视观察时，在因辅助天线84的阻抗导致流经主天线83与辅助天线84的电流的朝向变成彼此相反的朝向时，如已叙述的图1(b)所示，确定该电流的朝向以使流经这些天线83、84的电流彼此相互重合(抵消)。通过来自后述的控制部120的控制信号进行该电容值C的调整(驱动部201的驱动)。电容调整部200的电容值的可变范围例如是50pF以下，辅助天线84整体的电容值C的可变范围为50～500pF。
以上说明的天线83、84被配置为自真空容器1的内部区域被气密地划分开。即，已叙述的等离子体产生用气体喷嘴32的上方侧的顶板11在俯视观察时开口成大致扇形，例如被由石英等构成的壳体90气密地封堵。如图5以及图6所示，该壳体90的上方侧周缘部在周向上呈凸缘状水平延伸，并且中央部形成为朝向真空容器1的内部区域凹陷，在该壳体90的内侧收纳有上述天线83、84。该壳体90利用固定构件91固定于顶板11。另外，对于固定构件91，在图2以外省略了描绘。
如图2以及图9所示，为了阻止氮气等向壳体90的下方区域进入，该壳体90的下表面的外缘部沿周向朝向下方侧(旋转台2侧)垂直地延伸而形成了壁部92。根据图4以及图9可知，该壁部92中的靠旋转台2的旋转方向上游侧的部位与靠旋转方向下游侧的部位自该旋转台2的中央呈放射状并且沿旋转台2的周向彼此分开地延伸。另外，如图5所示，壁部92中的靠旋转台2的外周侧的部位位于比该旋转台2的外周缘靠外侧的位置。而且，若将被该壁部92的内周面、壳体90的下表面以及旋转台2的上表面包围的区域称作“反应区域P2”，则在俯视观察时，该反应区域P2被壁部92划分成扇型状。在该反应区域P2的内部，已叙述的等离子体产生用气体喷嘴32在靠旋转台2的旋转方向上游侧的端部配置在上述壁部92的附近。
即，如图9所示，将壁部92的下端部配置为，供等离子体产生用气体喷嘴32插入的部位沿该等离子体产生用气体喷嘴32的外周面向上方侧弯曲，另一方面，剩余的部位沿周向成为靠近旋转台2的高度位置。如图5所示，已叙述的等离子体产生用气体喷嘴32的气体喷出孔33朝向包围反应区域P2的周围的壁部92中的、旋转台2的旋转方向上游侧的壁部92而横向地形成。
这里，如已叙述那样，晶圆W利用旋转台2公转，通过各喷嘴31、32的下方侧的区域P1、P2。因此，对于旋转台2上的晶圆W，通过各区域P1、P2时的速度(角速度)在旋转中心侧的端部和旋转台2的外周部侧的端部不同。具体而言，在晶圆W的直径尺寸为300mm(12英寸尺寸)的情况下，上述旋转中心侧的端部的速度为上述外周部侧的端部的速度的1/3。
即，若将自旋转台2的旋转中心至上述旋转中心侧的晶圆W的端部的距离设为s，则该旋转中心侧的晶圆W的端部所通过的圆周的长度尺寸DI为(2×π×s)。另一方面，上述外周部侧的端部所通过圆周的长度尺寸DO为(2×π×(s+300))。而且，利用旋转台2的旋转，晶圆W在相同的时间内移动上述长度尺寸DI、DO。因此，若将旋转台2上的晶圆W的靠旋转中心侧的端部以及外周部侧的端部的各个速度设为VI以及VO，则这些速度VI、VO之比R(VI÷VO)为(s÷(s+300))。而且，在上述距离s为150mm的情况下，上述比R为1/3。
因此，在使用如氨气的等离子体那样与吸附在晶圆W上的DCS气体的成分之间的反应性没那么高的等离子体的情况下，若单纯在等离子体产生用气体喷嘴32的附近将氨气等离子体化，则薄膜(反应生成物)有可能在晶圆W的外周部侧比中心部侧变薄。
因此，在本发明中，为了对晶圆W进行均匀的等离子体处理而调整了壁部92的形状。具体而言，如图8所示，若将旋转台2上的晶圆W的靠旋转中心侧的端部所通过的反应区域P2的长度尺寸和上述晶圆W的靠旋转台2的外周部侧的端部所通过的反应区域P2的长度尺寸分别设为LI、LO，则这些长度尺寸LI、LO之比(LI÷LO)为1/3。即，与旋转台2上的晶圆W通过反应区域P2的速度相应地设定壁部92的形状(反应区域P2的尺寸)。而且，如后述那样，也出于在反应区域P2中充满氨气的等离子体的缘故，使得在晶圆W上于面内均匀地进行等离子体处理。
如图4～图7所示，在壳体90与天线83、84之间配置有法拉第屏蔽体95，该法拉第屏蔽体95用于阻止在天线83、84中产生的电磁场中的电场成分朝向下方，并且使电磁场中的磁场向下方通过。即，法拉第屏蔽体95形成为上表面侧开口的大致箱型，且为了隔绝电场而由作为导电性的板状体的金属板(导电板)构成并且接地。在该法拉第屏蔽体95的底面上，为了使磁场通过而设有通过在上述金属板上形成矩形的开口部而成的狭缝97。
各个狭缝97未同与该狭缝97相邻的其他狭缝97连通，换言之，构成法拉第屏蔽体95的金属板沿周向位于各个狭缝97的周围。狭缝97沿与天线83、84延伸的方向正交的方向形成，并在天线83、84的下方位置沿天线83、84的长度方向等间隔地配置于多个位置。而且，狭缝97未形成于与等离子体产生用气体喷嘴32的上方侧对应的位置，因此阻止了该等离子体产生用气体喷嘴32的内部中的氨气的等离子体化。
这里，如图6以及图7所示，狭缝97形成于天线83、84各自的直线部分85的下方位置，另一方面，未形成于在该直线部分85的两端部弯曲的部分的下方位置以及连接部分86的下方位置。即，若欲沿天线83、84的周向形成狭缝97，则在天线83、84弯曲的部分(R部分)，狭缝97也沿天线83、84弯曲地配置。然而，在上述弯曲的部分的与天线83、84的内侧对应的区域中，彼此相邻的狭缝97有可能彼此连通，在该情况下，隔绝电场的效果将会变小。另一方面，在上述弯曲的部分，若缩窄狭缝97的宽度尺寸以避免彼此相邻的狭缝97连通，则到达晶圆W侧的磁场成分的量也会比到达直线部分85的磁场成分的量减少。而且，若在与天线83、84的外侧对应的区域扩宽彼此相邻的狭缝97彼此之间的分开尺寸，则电场成分也与磁场成分一起到达晶圆W侧，有可能给该晶圆W带来充电损伤。
因此，在本发明中，为了使经由各个狭缝97自主天线83到达晶圆W侧的磁场成分的量一致，以跨越晶圆W所通过的位置的方式配置主天线83中的直线部分85，并且在该直线部分85的下方侧形成有狭缝97。而且，在自直线部分85的两端延伸出来的弯曲部分的下方侧未形成有狭缝97，譬如配置构成法拉第屏蔽体95的导电板，不仅电场成分被隔绝，磁场成分也被隔绝。因此，如后述那样，等离子体沿旋转台2的半径方向的产生量变得均匀。
因此，在观察某一任意的位置的狭缝97时，该狭缝97的开口宽度的尺寸在沿该狭缝97的长度方向上一致。而且，狭缝97的上述开口宽度被调整为与法拉第屏蔽体95中的其他全部的狭缝97一致。
为了获取这些法拉第屏蔽体95与天线83、84的绝缘，例如由石英构成的绝缘构件94介于以上说明的法拉第屏蔽体95与天线83、84之间，该绝缘构件94形成为上表面侧开口的大致箱型形状。另外，在图8中，为了示出天线83、84与晶圆W之间的位置关系而省略了法拉第屏蔽体95。另外，在图5以外，省略了绝缘构件94的描绘。
如图3、4所示，在旋转台2的外周侧的、比该旋转台2稍微靠下的位置配置有环状的侧环100，在该侧环100的上表面，以彼此沿周向分开的方式在两个位置形成有排气口61、62。若将这两个排气口61、62中的一者以及另一者分别称作第1排气口61以及第2排气口62，则第1排气口61在处理气体喷嘴31和比该处理气体喷嘴31靠旋转台的旋转方向下游侧的分离区域D之间形成于靠近该分离区域D侧的位置。第2排气口62在等离子体产生用气体喷嘴32和比该等离子体产生用气体喷嘴32靠旋转台的旋转方向下游侧的分离区域D之间形成于靠近该分离区域D侧的位置。因此，第2排气口62位于将旋转台2的旋转中心、以及壁部92中的靠反应区域P2侧的缘部与旋转台2的外周缘交叉的两个点连结起来的大致三角形的顶点附近。
第1排气口61用于排出处理气体以及分离气体，第2排气口62用于排出等离子体产生用气体以及分离气体。而且，在壳体90的外缘侧的侧环100的上表面形成有避开该壳体90而用于使气体流通入第2排气口62的槽状的气体流路101。如图2所示，这些第1排气口61以及第2排气口62分别利用设有蝶形阀等压力调整部65的排气管63而连接于作为真空排气机构的例如真空泵64。
如图2所示，在顶板11的下表面的中央部配置有自顶板向下方侧突出的突出部5，利用该突出部5防止了处理气体与等离子体产生用气体在中心部区域10中彼此混合。除了突出部5之外，为了抑制处理气体与等离子体产生用气体彼此混合而在旋转台2的中心附近设有迷宫式构造110。迷宫式构造110采用了在旋转台2的半径方向上交替配置有自旋转台2侧朝向顶板11侧沿周向铅垂延伸的壁部、以及自顶板11侧朝向旋转台2沿周向铅垂延伸的壁部的结构。
如图3～图4所示，在真空容器1的侧壁上形成有用于在未图示的外部的输送臂与旋转台2之间进行晶圆W的交接的输送口15，该输送口15构成为利用闸阀G气密地开闭自如。另外，在与该输送口15相对的位置处的旋转台2的下方侧设有用于经由旋转台2的贯穿口将晶圆W自背面侧抬起的升降销(均未图示)。
另外，如图2所示，在该成膜装置设有用于对装置整体的动进行控制的、由计算机构成的控制部120，在该控制部120的存储器内储存有用于进行后述的成膜处理的程序。针对每个对晶圆W进行处理的制程，在该存储器储存有电容调整部200的电容值。即，与真空容器1内的压力、所使用的气体种类、供给到主天线83的高频功率量等的制程相应地，通过实验等预先求出电容调整部200的最佳的电容值，与各制程对应地将上述最佳的电容值存储于存储器。上述程序被编有步骤组，以便执行后述的装置的动作，上述程序自硬盘、CD、光磁盘、存储卡、软盘等作为存储介质的存储部121安装于控制部120内。
接下来，对上述实施方式的作用进行说明。首先，打开闸阀G，使旋转台2间歇地旋转，并且利用未图示的输送臂经由输送口15在旋转台2上载置例如五张晶圆W。接着，关闭闸阀G，利用真空泵64使真空容器1内成为抽空(日文：引き切り)的状态，并且使旋转台2以例如2rpm～240rpm顺时针旋转。然后，利用加热器单元7将晶圆W加热到例如300℃的程度。
接着，自处理气体喷嘴31喷出DCS气体，并且，自等离子体产生用气体喷嘴32喷出氨气以使反应区域P2中的压力相比于真空容器1内的其他区域成为正压。另外，自分离气体喷嘴41、42喷出分离气体，也自分离气体供给管51以及吹扫气体供给管72、73喷出氮气。然后，利用压力调整部65将真空容器1内调整成预先设定的处理压力。另外，对主天线83供给供功率量例如为500W的高频电力，并且对于辅助天线84的电容调整部200设定成使主天线83与辅助天线84谐振的电容值C。
在主天线83中，利用自高频电源89供给的高频电力产生电磁场，该电磁场中的电场成分被法拉第屏蔽体95隔绝而仅使磁场成分到达真空容器1。另一方面，由于辅助天线84靠近主天线83而配置，因此如已叙述的图1所示，该主天线83的电磁场到达辅助天线84。然后，在辅助天线84中，在自主天线83传递的电磁场的作用下感应电流流动，同样地产生电磁场。在辅助天线84中，由于如已叙述那样设定了电容调整部200的电容值，因此引起感应电流的串联谐振，与不引起这种串联谐振的情况相比，电流值增大。然后，在辅助天线84产生的电磁场被法拉第屏蔽体95隔绝了电场成分，而磁场成分到达真空容器1内。
在吸附区域P1中，晶圆W的表面吸附DCS气体的成分而生成吸附层。此时，在晶圆W通过吸附区域P1时，在旋转台2的外周部侧的移动速度比在中央部侧的移动速度快。因此，吸附层的膜厚要在上述外周部侧变得比在上述中央部侧薄。然而，由于迅速地引起DCS气体的成分的吸附，因此若晶圆W通过吸附区域P1，则吸附层在晶圆W的面内均匀地形成。
在反应区域P2中，由于如已叙述那样设定了第2排气口62的位置，因此自等离子体产生用气体喷嘴32喷出的氨气在与旋转台2的旋转方向上游侧的壁部92碰撞之后，如图10所示那样朝向该第2排气口62呈直线地流通。然后，如图10所示，氨气在朝向第2排气口62的中途的路径上，在主天线83的下方侧，在磁场的作用下被迅速地等离子体化，成为氨自由基(等离子体)。由于如已叙述那样使狭缝97的开口宽度沿旋转台2的半径方向一致，因此该等离子体的产生量(浓度)沿该半径方向一致。这样，等离子体朝向第2排气口62流通。
然后，若氨自由基因与晶圆W的碰撞等而非活性化而恢复成氨气，则在辅助天线84的下方侧再次进行等离子体化。因此，也因将反应区域P2中设定为相比于真空容器1内的其他区域成为正压，故氨气的等离子体充满该反应区域P2中。
另外，由于如已叙述那样设定了反应区域P2的尺寸，因此若自旋转台2上的晶圆W观察，供给等离子体的时间在旋转台2的半径方向上一致。因此，若晶圆W通过反应区域P2，则该晶圆W上的吸附层在面内被均匀地氮化从而形成反应层(氮化硅膜)。这样，利用旋转台2的旋转使各晶圆W交替通过吸附区域P1以及反应区域P2，从而反应层呈多层层叠而形成薄膜。
在进行以上的一系列工序期间，由于在壳体90的外周侧的侧环100形成有气体流路101，因此各气体以避开壳体90的方式通过该气体流路101而被排出。另外，由于在壳体90的下端侧周缘部设有壁部92，因此抑制了氮气向该壳体90内的进入。
而且，由于向吸附区域P1与反应区域P2之间供给有氮气，因此排出各气体以避免处理气体与等离子体产生用气体(等离子体)彼此混合。另外，由于向旋转台2的下方侧供给有吹扫气体，因此欲向旋转台2的下方侧扩散的气体被上述吹扫气体向排气口61、62侧反推。而且，由于向中心部区域10供给有分离气体，因此在该中心部区域10中可抑制处理气体与等离子体产生用气体、等离子体之间的混合。
根据上述的实施方式，在对旋转台2上公转的晶圆W进行等离子体处理时，配置有连接于高频电源89的主天线83、以及相对于该主天线83电绝缘的辅助天线84。另外，避免使在俯视观察主天线83以及辅助天线84时的各自的投影区域彼此重合。而且，借助流经主天线83的高频电流使得辅助天线84也产生电磁场，从而不仅在主天线83的下方侧的区域产生感应等离子体，在辅助天线84的下方侧的区域也产生感应等离子体。因此，无需设置用于对辅助天线84供给高频电力的电源，因此能够抑制装置的成本上升、并且实现俯视观察时的等离子体产生区域(反应区域P2)的高面积化。即，在本发明中，与自共同的高频电源89向主天线83以及辅助天线84供电的结构相比，能够与无需对辅助天线84与高频电源89进行布线，相应地简化布线的引绕，因此能够简化装置结构(低成本化)。
而且，根据后述的实施例也可得知，能够与电容调整部200中的电容值相应地调整在主天线83的下方区域与辅助天线84的下方区域产生的等离子体的浓度。因此，仅通过在主天线83设有一个高频电源89，就能够调整这些天线83、84中的等离子体产生量，因此能够构成等离子体处理的自由度较高的装置。换言之，即使不针对这些天线83、84的每一个独立地设置高频电源89，也能够调整旋转台2的周向上的等离子体浓度。
另外，在壳体90的下表面侧周缘部沿周向形成壁部92，并且针对被该壁部92包围的区域即反应区域P2调整了氨气的排出量，以使其与真空容器1的其他区域相比成为正压。而且，在反应区域P2中的靠旋转台2的旋转方向上游侧的部分配置等离子体产生用气体喷嘴32，并且将该等离子体产生用气体喷嘴32的喷出孔33形成为与上述旋转方向上游侧中的壁部92相对。因此，能够阻止氮气进入反应区域P2，因此能够在该反应区域P2中较宽地确保晶圆W与等离子体接触的接触区域。
而且，调整了反应区域P2的布局，以便利用旋转台2的旋转速度消除在内周侧与外周侧之间产生的速度差。因此，如已叙述那样，等离子体的量沿旋转台2的半径方向变得均匀，进而使等离子体与晶圆W接触的接触时间变得均匀，因此能够在晶圆W的面内进行均匀的等离子体处理。即，如已经详细叙述那样，由于DCS气体迅速地吸附于晶圆W，因此即使不将吸附区域P1形成得那么宽，吸附层也可均匀地形成于晶圆W的面内。另一方面，在使该吸附层反应时，氨气的等离子体的反应性没那么高。因此，通过使等离子体的浓度以及等离子体与晶圆W接触的接触时间变得均匀，能够使反应生成物的膜厚在晶圆W的面内变得均匀。
另外，由于使用天线83、84沿旋转台2的旋转方向产生等离子体，因此如已叙述那样，能够使等离子体沿该旋转方向宽广地滞留。因此，能够抑制装置的成本上升，并且能够如以上说明那样进行均匀性较高的处理。
而且，由于未在等离子体产生用气体喷嘴32的上方侧形成有狭缝97，因此能够抑制在该等离子体产生用气体喷嘴32的内部或外壁附着反应生成物等附着物。
图11示出了如下例子：在主天线83与辅助天线84之间产生电磁感应，此时，辅助天线84中的靠旋转台2的旋转方向上游侧的直线部分85配置在当俯视观察时与主天线83中的靠旋转台2的旋转方向下游侧的直线部分85重合的位置。即，在辅助天线84中的靠旋转台2的旋转方向上游侧沿上下方向层叠的三条直线部分85的每一个与在主天线83中的靠旋转台2的旋转方向下游侧沿上下方向层叠的三条直线部分85的每一个沿上下方向彼此不同地交替配置。
因此，若将主天线83以及辅助天线84在俯视观察时的投影区域分别称作主投影区域以及辅助投影区域，则在图11中，主投影区域与辅助投影区域局部重叠，并且主投影区域的靠旋转台2的旋转方向上游侧的部位突出。另外，辅助投影区域与主投影区域局部重叠，并且辅助投影区域的靠旋转台2的旋转方向下游侧的部位突出。在辅助天线84中的向旋转台2的旋转方向下游侧与主天线83分开的部位朝向下侧弯曲并靠近绝缘构件94。主天线83与辅助天线84之间的分开尺寸h在该例子中也被设定在已叙述的范围内。另外，在图11中省略了绝缘构件94的描绘。
图12示出了辅助天线84位于比图11的例子更靠旋转台2的旋转方向上游侧的位置的例子。即，辅助天线84中的靠旋转台2的旋转方向上游侧的直线部分85位于主天线83中的两个直线部分85、85之间。而且，也将上述分开尺寸h设定在与已叙述的例相同的范围内。在该例子中，主投影区域以及辅助投影区域也分别相对于辅助投影区域以及主投影区域突出至少一部分。即，在本发明中，将主投影区域以及辅助投影区域的每一个配置为不包含于另一个投影区域中，从而与仅设有主天线83的情况相比，能够实现等离子体产生区域的高面积化。
图13示出了辅助天线84位于靠旋转台2的外缘的位置的例子。通过采用这种布局，与旋转台2的中心侧的区域相比能够提高上述靠外缘的区域的等离子体的浓度，因此能够调整旋转台2的半径方向上的等离子体的浓度。图14示出了将主天线83与辅助天线84沿旋转台2的半径方向排列的例子。在该例子中，主天线83以及辅助天线84分别配置于旋转台2的旋转中心侧以及外缘侧。通过如图14那样配置各天线83、84，与仅使用主天线83的情况相比，能够扩宽在旋转台2的半径方向上产生等离子体的区域。另外，图15示出了在俯视观察时分别将天线83、84形成为椭圆状的例子。在图15中，也将上述分开尺寸h设定在已叙述的范围内。另外，在图13～图15中，简化地描绘了天线83、84等。
作为使用以上说明的装置而成膜的成膜种类，也可以取代氮化硅膜而形成氧化硅(SiO2)膜、氮化钛(TiN)膜等。在氧化硅膜的情况下，作为等离子体产生用气体例如使用了氧(O2)气以及臭氧(O3)气体中的至少一者。在氮化钛膜的情况下，作为吸附气体以及等离子体产生用气体，分别使用了包含钛的有机类的气体以及氨气。另外，除了氧化硅膜、氮化钛膜以外，也可以将本发明应用于由氮化物、氧化物或氢化物构成的反应生成物的成膜。作为在分别将氮化物、氧化物以及氢化物成膜的情况下使用的等离子体产生用气体，可分别列举氨气、氧气以及氢(H2)气等。
另外，也可以在自吸附区域P1观察时旋转台2的旋转方向下游侧、且自反应区域P2观察时旋转台2的旋转方向上游侧的位置配置由以上说明的等离子体产生用气体喷嘴32、壳体90以及天线83、84构成的结构，在该位置进行其他的等离子体处理。此时，上述其它的等离子体处理使用氩(Ar)气作为等离子体产生用气体，从而对在晶圆W上生成的反应生成物进行等离子体改性处理。另外，在进行这种等离子体改性处理的情况下，也可以在每当层叠多层反应生成物时进行该等离子体改性处理。即，也可以在每当旋转台2旋转数圈时进行等离子体改性处理。
这里，根据关于已叙述的谐振频率的式子也可知，在辅助天线84中引起串联谐振时，也可以取代辅助天线84的电容值C(电容调整部200的电容值)，或与该电容值C一起对辅助天线84的电感L、高频电源89的频率f进行调整。具体而言，也可以是，在将辅助天线84的长度方向上的一端侧连接于另一端侧而构成环状的线圈时，在上述另一端侧的附近位置形成多处将上述一端侧连接于该另一端侧的连接点，通过选择该连接点而调整电感L(辅助天线84的长度尺寸)。另外，也可以使用输出频率f能够变更的结构作为高频电源89。因此，本发明中的“阻抗调整部”指的是能够改变电容值的可变容量电容器、能够改变电感值的可变电感以及能够改变频率的振荡装置中的至少一者。另外，也可以不设置电容调整部200，而将辅助天线84的电容值C预先调整成相对于主天线83谐振的值。此时，设于辅助天线84的环内的电容器指的是该辅助天线84的电容成分。
(实施例)
接着，说明为了确认在天线83、84的下方侧产生等离子体的情况而进行的实验。如图16所示，在实验用的腔室的内部配置俯视观察时形成为大致长方形的主天线83、以及在靠近该主天线83的位置形成为大致四边形状的辅助天线84而进行该实验。在该例子中，为了构成为能够调整主天线83的电容值，在主天线83的长度方向上的一端侧与高频电源89之间也配置电容调整部201，并且在主天线83的另一端侧与地线之间也配置电容调整部202。另外，在辅助天线84中如已叙述那样配置有电容调整部200。
而且，如以下的表的实验例1～4那样对电容调整部200的靠辅助天线84侧的电容值进行各种变更，并且测量了流经各天线83、84的电流值。然后，在各个实验例1～4的条件下使腔室内产生等离子体，并拍摄了等离子体的发光状态。另外，对于该实验，使用了氩(Ar)气与氧(O2)气的混合气体作为等离子体产生用的气体。
(表1)
结果，如图17～图20所示，等离子体的发光分布对应于电容调整部200的电容值地变化，随着朝向图17→图18→图19→图20去，等离子体的产生区域(在各图17～图20中看起来呈白色的部分)自主天线83的下方侧向辅助天线84的下方侧移动。具体而言，在图17中，等离子体主要产生于主天线83的下方位置。在图18中，等离子体以沿着主天线83以及辅助天线84的外缘的方式跨这些天线83、84地形成。在图19中，等离子体较强地产生于天线83、84相对的位置，并随着自该位置朝向主天线83侧以及辅助天线84侧去而减弱。另外，在图20中，等离子体主要产生于辅助天线84的下方位置。
然后，如在已叙述的表中一并标注那样，使流经主天线83以及辅助天线84的电流值也与图17～图20中的等离子体的发光状态对应地变化。即，随着朝向图17→图18→图19→图20去，主天线83中的电流值变小，另一方面，辅助天线84中的电流值增加。根据以上的实验结果，如已经详细叙述那样，能够将主天线83的下方侧的等离子体譬如以跨越辅助天线84的下方侧的方式扩宽(图18、图19)。另外，例如在开始成膜处理时，在希望迅速地产生等离子体的情况下，能够在主天线83的下方侧局部地产生较强的等离子体(图17)。
图21表示了将以上说明的电容调整部200的电容值和流经辅助天线84的高频电流的值之间的相关关系示意性地示出的曲线，横轴是上述电容值，纵轴是上述高频电流的值。该曲线成为向上凸的二次曲线，在成为辅助天线84相对于主天线83引起串联谐振的电容值时，流经辅助天线84的电流值达到最大。为了如已叙述那样在天线83、84之间较宽地产生等离子体，优选的是以使流经辅助天线84的电流值尽量大的方式设定电容调整部200的电容值。具体而言，优选的是将上述电容值设定为可获得在天线83、84之间引起串联谐振的电流值的85％以上的电流值。
本发明配置有在对在旋转台上公转的基板进行等离子体处理时供给高频电力的主天线、以及相对于该主天线电绝缘的辅助天线。另外，以在俯视观察这些主天线以及辅助天线时的各自的投影区域的至少局部不与另一个投影区域重合的方式配置了主天线以及辅助天线。而且，借助主天线与辅助天线之间的电磁感应除了使主天线产生感应等离子体之外也使辅助天线产生感应等离子体。因此，无需对辅助天线设置独立于主天线的其他高频电源，因此能够抑制装置的成本上升，并且能够实现俯视观察时的等离子体产生区域的高面积化。
本申请要求基于2013年11月14日向日本专利局提出申请的日本专利申请2013－236013号的优先权，在这里引用日本专利申请2013－236013号的全部内容。

Claims (11)

1.一种等离子体处理装置，其用于对基板进行等离子体处理，其中，该等离子体处理装置包括：
真空容器；
旋转台，其设于该真空容器内，用于使载置基板的基板载置区域公转；
处理气体供给部，其用于对上述基板供给处理气体；
主天线，其为线圈状，设为与上述基板的通过区域相对，用于被供给高频电力而激发处理气体，产生电感耦合等离子体；
辅助天线，其为线圈状，以电悬浮的状态置于能够相对于上述主天线进行电磁感应的位置，并且被设为在俯视观察时上述辅助天线的投影区域与上述主天线的投影区域的至少一部分不重叠，上述辅助天线用于激发上述处理气体而产生电感耦合等离子体；以及
电容器，其设于上述辅助天线的环内。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
在上述辅助天线的环内设有能够调整阻抗的阻抗调整部。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，
上述阻抗调整部是能够改变电容值的可变容量电容器。
4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，
上述阻抗调整部进行调整，以使在改变该阻抗调整部的阻抗而使流经辅助天线的电流变化时获得的该电流的最大值的85％以上的电流流经辅助天线。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
上述处理气体是用于将基板的表面氮化或者氧化的气体。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，
将基板的表面氮化的气体是包含氨气以及氮气中的至少一者的气体。
7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，
将基板的表面氧化的气体是包含氧气以及臭氧气中的至少一者的气体。
8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
上述主天线以跨越上述基板的通过区域的方式自上述旋转台的中心侧朝向外缘侧延伸，
上述辅助天线相对于上述主天线而言配置于上述旋转台的旋转方向下游侧。
9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
上述主天线中的靠上述辅助天线侧的缘部和上述辅助天线中的靠上述主天线侧的缘部被设为在俯视观察时彼此分开。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其中，
上述主天线中的靠上述辅助天线侧的缘部和上述辅助天线中的靠上述主天线侧的缘部之间的分开尺寸是2mm～30mm。
11.一种等离子体处理方法，对基板进行等离子体处理，其中，在该等离子体处理方法中，
在真空容器内，在旋转台上的基板载置区域载置基板，利用旋转台使该基板公转，
向上述基板的表面供给处理气体，
通过对以与上述旋转台相对的方式配置的线圈状的主天线供给高频电力，激发处理气体而产生电感耦合等离子体，
利用线圈状的辅助天线与上述主天线之间的电磁感应使该辅助天线产生感应电流，激发上述处理气体而产生电感耦合等离子体，上述辅助天线以电悬浮的状态置于能够相对于上述主天线进行电磁感应的位置，并且被设为在俯视观察时上述辅助天线的投影区域与上述主天线的投影区域的至少一部分不重叠，并且该辅助天线相对于上述主天线置于电悬浮的状态，
利用设于上述辅助天线的环内的电容器使该辅助天线中的感应电流谐振。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017107963A (ja) * 2015-12-09 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び成膜方法
JP6584355B2 (ja) * 2016-03-29 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6890497B2 (ja) * 2017-02-01 2021-06-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101979597B1 (ko) * 2017-09-21 2019-05-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1251293C (zh) * 1999-11-15 2006-04-12 兰姆研究有限公司 用于加工系统的材料和气体化学组成
CN101460002A (zh) * 2002-07-22 2009-06-17 兰姆研究有限公司 用于产生均匀的处理速率的方法和设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4948458A (en) * 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
JP3462865B2 (ja) * 2001-07-10 2003-11-05 三菱重工業株式会社 給電アンテナ及び半導体製造装置
WO2008016836A2 (en) * 2006-07-29 2008-02-07 Lotus Applied Technology, Llc Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
JP5757710B2 (ja) * 2009-10-27 2015-07-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9313872B2 (en) * 2009-10-27 2016-04-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP5644719B2 (ja) * 2011-08-24 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及びプラズマ発生装置
JP5712874B2 (ja) * 2011-09-05 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1251293C (zh) * 1999-11-15 2006-04-12 兰姆研究有限公司 用于加工系统的材料和气体化学组成
CN101460002A (zh) * 2002-07-22 2009-06-17 兰姆研究有限公司 用于产生均匀的处理速率的方法和设备

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