CN104617182A - 一种成品晶体硅太阳能电池片el断栅严重的补救方法 - Google Patents
一种成品晶体硅太阳能电池片el断栅严重的补救方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104617182A CN104617182A CN201310537820.XA CN201310537820A CN104617182A CN 104617182 A CN104617182 A CN 104617182A CN 201310537820 A CN201310537820 A CN 201310537820A CN 104617182 A CN104617182 A CN 104617182A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- serious
- grid
- cells
- positive electrode
- silicon solar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 claims description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000027950 fever generation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种成品晶体硅太阳能电池片EL断栅严重的补救方法,其特征在于,步骤如下:将断栅严重的电池片放在丝网印刷机台正电极印刷上料处;调整印刷偏移量(X、Y、T)使第2次印刷的正电极与第一次印刷的正电极完全重合;将2次印刷好的电池片正常流入烧结炉中进行烧结,然后进行分检测试或EL测试检验断栅情况。本发明的有益效果是经过采用上述技术方案将因EL严重断栅导致的低效片和外观不良片重新制作成外观正常、效率正常的电池片,解决了电池片厂家积压大量低效片和外观不良片这一棘手问题,提高了优质率,增加了企业经济效率。
Description
技术领域
本发明涉及晶硅太阳能电池片制作领域,具体地涉及一种成品晶体硅太阳能电池片EL断栅严重的补救方法。
背景技术
在目前的光伏行业形势下,获得更高光电转换效率和更高优质率、更低成本决定每个公司否能够在新一轮的行业洗牌中生存下来,高效太阳能电池片栅线越做越细,成本越来越低,EL断栅也随之而来 ,断栅严重的电池片的电流降低会影响到整个组件的电性能,功率降低。在并网电站中由于组件内容易产生热斑效应,局部发热过高,影响组件的寿命,严重的烧坏组件。目前,各大厂家EL严重断栅的电池片一般都是以低廉的价格处理掉,造成很大的资源浪费。
发明内容
本发明的目的是提供一种对因生产过程中EL断栅严重导致的无法正常发货的电池片成品进行补救的方法。
晶体硅太阳能电池片EL断栅严重的补救方法。
为了达到上述目的,本发明采用的技术方案是提供一种成品晶体硅太阳能电池片EL断栅严重的补救方法,其特征在于,步骤如下:
(1)将断栅严重的电池片放在丝网印刷机台正电极印刷上料处;
(2)调整印刷偏移量(X、Y、T)使第2次印刷的正电极与第一次印刷的正电极完全重合;
(3)将2次印刷好的电池片正常流入烧结炉中进行烧结,然后进行分检测试或EL测试检验断栅情况。
本发明的有益效果是经过采用上述技术方案将因EL严重断栅导致的低效片和外观不良片重新制作成外观正常、效率正常的电池片,解决了电池片厂家积压大量低效片和外观不良片这一棘手问题,提高了优质率,增加了企业经济效率。
附图说明
附图1 原多晶硅太阳能电池片EL严重断栅的图片
附图2 采用本发明提供的技术方案进行补救后的图片。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明提供的技术解决方案作进一步详细说明。
取100片EL断线严重的成品晶体硅太阳能电池,通过采用一种成品晶体硅太阳能电池片EL断栅严重的补救方法的步骤为例,进行如下步骤:
第一步:将断栅严重电池片进行分检测试电性能,标注文件名“GZDS”;
第二步:将断栅严重成品电池片放入正电极印刷上料台;
第三步:调整印刷参数,印刷偏移量X:100;Y:300;T:150 使第2次印刷的正电极与原先的正电极完全吻合;
第四步:将第二步的电池片流入烧结炉,烧结,然后分检测试并更改文件名“GZFM”,EL测试图片对比。
断栅严重电池片及通过本发明实施后,电性能对比情况如下表所示:
Uoc | Isc | Rs | Rsh | FF | NCell | Irev2 | Count | |
GZDS | 0.621 | 8.653 | 0.00398 | 38.534 | 76.64 | 16.91% | 0.346 | 100 |
GZFM | 0.620 | 8.689 | 0.00283 | 24.763 | 77.89 | 17.24% | 0.633 | 100 |
由上述实施例结果可以看出,本发明可以完全解决因断栅严重而导致的低效片,通过再次印刷一次正电极后电池片的光电转换效率能够达到产线正常水平效率,EL图片外观正常,等同于产线正常片。
Claims (1)
1.一种成品晶体硅太阳能电池片EL断栅严重的补救方法,其特征在于,步骤如下:
第一步:将断栅严重的电池片放在丝网印刷机台正电极印刷上料处;
第二步:调整印刷偏移量(X、Y、T)使第2次印刷的正电极与第一次印刷的正电极完全重合;
第三步:将2次印刷好的电池片正常流入烧结炉中进行烧结,然后进行分检测试或EL测试检验断栅情况。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310537820.XA CN104617182B (zh) | 2013-11-04 | 2013-11-04 | 一种成品晶体硅太阳能电池片el断栅严重的补救方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310537820.XA CN104617182B (zh) | 2013-11-04 | 2013-11-04 | 一种成品晶体硅太阳能电池片el断栅严重的补救方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104617182A true CN104617182A (zh) | 2015-05-13 |
CN104617182B CN104617182B (zh) | 2017-04-05 |
Family
ID=53151538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310537820.XA Active CN104617182B (zh) | 2013-11-04 | 2013-11-04 | 一种成品晶体硅太阳能电池片el断栅严重的补救方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104617182B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105870218A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-08-17 | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 | 一种太阳能电池片断栅修补方法及装置 |
CN106004137A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-10-12 | 宁夏银星能源光伏发电设备制造有限公司 | 基于el检测控制丝网印刷质量和生产过程的方法 |
CN110444635A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-12 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种太阳能电池的断栅修复方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1651989A (zh) * | 2004-02-04 | 2005-08-10 | 中强光电股份有限公司 | 导光板的制造方法与装置 |
CN102074617B (zh) * | 2010-12-02 | 2012-07-04 | 上海超日(洛阳)太阳能有限公司 | 一种丝网印刷返工硅片的处理方法 |
-
2013
- 2013-11-04 CN CN201310537820.XA patent/CN104617182B/zh active Active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105870218A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-08-17 | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 | 一种太阳能电池片断栅修补方法及装置 |
CN105870218B (zh) * | 2016-05-24 | 2017-06-20 | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 | 一种太阳能电池片断栅修补方法及装置 |
CN106004137A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-10-12 | 宁夏银星能源光伏发电设备制造有限公司 | 基于el检测控制丝网印刷质量和生产过程的方法 |
CN106004137B (zh) * | 2016-05-31 | 2018-05-15 | 宁夏银星能源光伏发电设备制造有限公司 | 基于el检测控制丝网印刷质量和生产过程的方法 |
CN110444635A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-12 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种太阳能电池的断栅修复方法 |
CN110444635B (zh) * | 2019-08-09 | 2021-12-31 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种太阳能电池的断栅修复方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104617182B (zh) | 2017-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2763190B1 (en) | Heat treatment process of solar cells | |
CN106004137B (zh) | 基于el检测控制丝网印刷质量和生产过程的方法 | |
CN102723380A (zh) | 一种背接触太阳能电池组件 | |
CN104835874B (zh) | 一种半电池片光伏组件的制造方法 | |
CN103094381A (zh) | 一种太阳能电池组件 | |
CN102496644A (zh) | 一种晶硅光伏组件 | |
CN104617182A (zh) | 一种成品晶体硅太阳能电池片el断栅严重的补救方法 | |
CN104900761A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池生产工艺 | |
US20110174372A1 (en) | Solar cell and electrode structure thereof | |
Stodolny et al. | PID-and UVID-free n-type solar cells and modules | |
CN108257898A (zh) | 修补破损的石墨舟叶片的方法 | |
CN105552144B (zh) | 一种晶硅太阳能电池的正面电极 | |
CN103943698A (zh) | 具有并排式主栅线的光伏组件 | |
CN202712197U (zh) | 一种背接触太阳能电池组件 | |
CN104966746A (zh) | 一种太阳能电池组件 | |
CN110429149A (zh) | 一种hjt电池片和hjt组件制备方法 | |
CN104681669A (zh) | 一种光电转换层压件的制备方法及其电性能测试方法 | |
CN206956197U (zh) | 一种太阳能电池片自动上挂的机械定位装置 | |
CN102522450A (zh) | 缺陷修复方法和系统 | |
CN102785037B (zh) | 一种多晶光伏组件及其焊接方法 | |
CN202307917U (zh) | N型衬底硅太阳能电池 | |
CN203466209U (zh) | 烧结炉输出口改进结构 | |
CN201041809Y (zh) | 二极管支架 | |
CN112271144B (zh) | 一种太阳能电池耐湿热可靠性的测试方法 | |
Yamaguchi et al. | Potential-induced degradation behavior of n-type single-crystalline silicon photovoltaic modules with a rear-side emitter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |