CN104617163A - 一种太阳能电池片及其扩散工艺 - Google Patents
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 91
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 260
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 130
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 85
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 85
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种太阳能电池片及其扩散工艺,属于太阳能电池技术领域。它解决了现有技术中的一步扩散法的太阳能电池的转换效率普遍偏低等技术问题。本太阳能电池片,它包括呈板状的本体,本体的一侧为正极,本体的另一侧为负极,正极上均布有3条主栅和96条细栅,主栅与细栅垂直设置且它们电连接,每条主栅之间的间距为50—55毫米,主栅的宽度为1.2—1.5毫米,细栅间距为1.2—1.8毫米,细栅的宽度为0.03—0.04毫米,以及其扩散工艺。本发明具有封装损耗低、太阳能电池片转化率高的优点。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,涉及一种太阳能电池片及其扩散工艺。
背景技术
传统多晶太阳电池的生产工序主要为:制绒、扩散、湿法刻蚀、PE镀膜、烘干、印刷背场、烘干、印刷背极、印刷正极、烧结和测试分选。扩散工序直接影响着多晶太阳电池的开路电压,其主要影响因素为扩散表面掺杂浓度,表面掺杂浓度高会引起重掺杂效应。重掺杂效应会引起禁带宽度收缩,影响本征载流子浓度,影响有效掺杂浓度和降低少子寿命。在硅晶体中,由于重掺杂会引起能带结构的变化,在能带的边缘形成所谓的“带尾”。禁带宽度收缩必然会导致开路电压的损失,最终导致效率的降低。另外重掺杂会使前表面的有效掺杂浓度降低二个数量级,因此,减少了顶区表面处的开路电压,且在前表面区0.1微米左右的范围内,越靠近表面,有效掺杂浓度也越低,形成一个衰退电场。这种衰退电场阻止少子空穴往P-N结边界方向移动。这是重掺杂太阳电池中顶区表面产生“死层”的一种原因。“死层”处的复合速率非常高,会很大程度的降低载流子的寿命。为了获得最佳的电池性能,必须选择适当的扩散顶区掺杂浓度,使这一浓度不至于引起衰退电场。
在实际生产过程中,采用现有技术中的一步扩散法的太阳能电池的转换效率普遍偏低。
发明内容
本发明的第一个目的是针对现有的技术存在上述问题,提出了一种太阳能电池片,该太阳能电池片具有封装损耗低的特点。
本发明的第一个目的可通过下列技术方案来实现:一种太阳能电池片,它包括呈板状的本体,所述本体的一侧为正极,所述本体的另一侧为负极,所述正极上均布有3条主栅和96条细栅,所述主栅与细栅垂直设置且它们电连接,其特征在于,所述每条主栅之间的间距为50—55毫米,所述主栅的宽度为1.2—1.5毫米,所述细栅间距为1.2—1.8毫米,所述细栅的宽度为0.03—0.04毫米。
采用以上结构,采用3条主栅和96条细栅的密栅设计,使得成品开路电压比常规太阳能电池片高,同时,避免了由于扩散方阻提升而导致的串联电阻上升,且在封装组件时能降低封装损耗。
所述的主栅由若干段主栅段纵向排列均布设置。
所述每个主栅段的长度为8—10毫米。
所述细栅的长度为150—160毫米。
本发明的第二个目的是针对现有的技术存在上述问题,提出了一种太阳能电池片的扩散工艺,该扩散工艺具有太阳能电池片转化率高的特点。
本发明的第二个目的可通过下列技术方案来实现:一种太阳能电池片的扩散工艺,该工艺包括以下步骤:
A、低温沉积:将本体置入普通的扩散炉中,扩散炉中温度在760—800℃保持5—10分钟,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,所述大氮与氧气体积比为15:1,所述小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为10:100;
B、变温沉积:将扩散炉内的温度在6—9分钟内提升至815—825℃,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,所述大氮与氧气体积比为15:1,所述小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为12:100;
C、高温沉积:在815—825℃进行2—5分钟的保温,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,所述大氮与氧气体积比为15:1,所述小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为11:100;
D、升温:将10—12分钟内将扩散炉内的温度升至835℃,升温过程中向扩散炉内通入大氮;
E、高温推结:待扩散炉内在835℃温度时稳定后,在10—12分钟内向扩散炉内通入大氮和氧气的混合气体,所述氧气占上述混合气体体积的32%—36%;
F、冷却:在10—15分钟内将扩散炉内的温度降至790℃,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气的混合气体,所述氧气占上述混合气体体积的32%—36%。
所述扩散炉内的气体流量恒定。
所述扩散炉内的气体通入流量为8L/min—11L/min。
所述小氮流量为2L/min~2.5L/min,所述氧气的流量为0.5L/min~0.8L/min,所述大氮的流量为7L/min~7.7L/minL/min。
所述步骤A中所述小氮流量为2L/min,所述氧气的流量为0.6L/min,所述大氮的流量为7L/min。
所述步骤B中所述小氮流量为2.5L/min,所述氧气的流量为0.6L/min,所述大氮的流量为7L/min。
所述步骤C中所述小氮流量为2.2L/min,所述氧气的流量为0.6L/min,所述大氮的流量为7L/min。
所述本体的方块电阻为92—98Ω/□。
采用以上工艺,使得在不增加成本的情况下,可以提高太阳能电池片的转换效率。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
本发明采用3条主栅和96条细栅的密栅设计,使得成品开路电压比常规太阳能电池片高,同时,避免了由于扩散方阻提升而导致的串联电阻上升,且在封装组件时能降低封装损耗,封装损耗低;采用该扩散工艺,相比一次恒温沉积扩散可以在不增加成本的情况下使生产的太阳能电池片获得高的转换效率,太阳能电池片转化率高。
附图说明
图1是本太阳能电池片的平面结构示意图。
图2是本太阳能电池片的扩散工艺的步骤示意图。
图中,1、本体;2、主栅;3、细栅。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图,对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。
实施例一:
如图1所示,本太阳能电池片,它包括呈板状的本体1,本体1的一侧为正极,本体1的另一侧为负极,正极上均布有3条主栅2和96条细栅3,主栅2与细栅3垂直设置且它们电连接,每条主栅2之间的间距为50毫米,主栅2的宽度为1.2毫米,细栅3间距为1.2毫米,细栅3的宽度为0.03毫米。
如图1所示,主栅2由若干段主栅段纵向排列均布设置;每个主栅段的长度为8毫米;细栅3的长度为150毫米。
如图2所示,本太阳能电池片的扩散工艺,该工艺包括以下步骤:
A、低温沉积:将本体置入普通的扩散炉中,扩散炉中温度在760℃保持5分钟,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,大氮与氧气体积比为15:1,小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为10:100;步骤A中小氮流量为2L/min,氧气的流量为0.6L/min,大氮的流量为7L/min;
B、变温沉积:将扩散炉内的温度在6分钟内提升至815℃,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,大氮与氧气体积比为15:1,小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为12:100;步骤B中小氮流量为2.5L/min,氧气的流量为0.6L/min,大氮的流量为7L/min;
C、高温沉积:在815℃进行2分钟的保温,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,大氮与氧气体积比为15:1,小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为11:100;步骤C中小氮流量为2.2L/min,氧气的流量为0.6L/min,大氮的流量为7L/min;
D、升温:将10分钟内将扩散炉内的温度升至835℃,升温过程中向扩散炉内通入大氮;
E、高温推结:待扩散炉内在835℃温度时稳定后,在10分钟内向扩散炉内通入大氮和氧气的混合气体,氧气占混合气体体积的32%;
F、冷却:在10分钟内将扩散炉内的温度降至790℃,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气的混合气体,氧气占混合气体体积的32%。
扩散炉内的气体流量恒定;扩散炉内的气体通入流量为8L/min—11L/min;小氮流量为2L/min~2.5L/min,氧气的流量为0.5L/min~0.8L/min,大氮的流量为7L/min~7.7L/minL/min。
本体的方块电阻为92Ω/□。
下表为列出了本发明实施例一的太阳能电池片与常规太阳能电池片的电性能数据:
本发明采用多温度平台变温沉积高温推结工艺,并且印刷正极过程中的正极印刷图形采用3条主栅和96条细栅的密栅设计,使得成品开路电压比常规太阳能电池片高2mv,同时,避免了由于扩散方阻提升而导致的串联电阻上升,其太阳能电池片平均转换效率高于常规太阳能电池片,并且在封装组件时能降低由于短波吸收损失而导致的封装损耗。
实施例二:
如图1所示,本太阳能电池片,它包括呈板状的本体1,本体1的一侧为正极,本体1的另一侧为负极,正极上均布有3条主栅2和96条细栅3,主栅2与细栅3垂直设置且它们电连接,每条主栅2之间的间距为55毫米,主栅2的宽度为1.5毫米,细栅3间距为1.8毫米,细栅3的宽度为0.04毫米。
如图1所示,主栅2由若干段主栅段纵向排列均布设置;每个主栅段的长度为10毫米;细栅3的长度为160毫米。
如图2所示,本太阳能电池片的扩散工艺,该工艺包括以下步骤:
A、低温沉积:将本体置入普通的扩散炉中,扩散炉中温度在800℃保持10分钟,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,大氮与氧气体积比为15:1,小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为10:100;步骤A中小氮流量为2L/min,氧气的流量为0.6L/min,大氮的流量为7L/min;
B、变温沉积:将扩散炉内的温度在9分钟内提升至825℃,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,大氮与氧气体积比为15:1,小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为12:100;步骤B中小氮流量为2.5L/min,氧气的流量为0.6L/min,大氮的流量为7L/min;
C、高温沉积:在825℃进行5分钟的保温,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,大氮与氧气体积比为15:1,小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为11:100;步骤C中小氮流量为2.2L/min,氧气的流量为0.6L/min,大氮的流量为7L/min;
D、升温:将12分钟内将扩散炉内的温度升至835℃,升温过程中向扩散炉内通入大氮;
E、高温推结:待扩散炉内在835℃温度时稳定后,在12分钟内向扩散炉内通入大氮和氧气的混合气体,氧气占混合气体体积的36%;
F、冷却:在15分钟内将扩散炉内的温度降至790℃,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气的混合气体,氧气占混合气体体积的36%。
扩散炉内的气体流量恒定;扩散炉内的气体通入流量为8L/min—11L/min;小氮流量为2L/min~2.5L/min,氧气的流量为0.5L/min~0.8L/min,大氮的流量为7L/min~7.7L/minL/min。
本体的方块电阻为98Ω/□。
下表为列出了本发明实施例二的太阳能电池片与常规太阳能电池片的电性能数据:
实施例三:
如图1所示,本太阳能电池片,它包括呈板状的本体1,本体1的一侧为正极,本体1的另一侧为负极,正极上均布有3条主栅2和96条细栅3,主栅2与细栅3垂直设置且它们电连接,每条主栅2之间的间距为50—52毫米,主栅2的宽度为1.3毫米,细栅3间距为1.5毫米,细栅3的宽度为0.035毫米。
如图1所示,主栅2由若干段主栅段纵向排列均布设置;每个主栅段的长度为9毫米;细栅3的长度为155毫米。
如图2所示,本太阳能电池片的扩散工艺,该工艺包括以下步骤:
A、低温沉积:将本体置入普通的扩散炉中,扩散炉中温度在780℃保持7分钟,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,大氮与氧气体积比为15:1,小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为10:100;步骤A中小氮流量为2L/min,氧气的流量为0.6L/min,大氮的流量为7L/min;
B、变温沉积:将扩散炉内的温度在7分钟内提升至820℃,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,大氮与氧气体积比为15:1,小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为12:100;步骤B中小氮流量为2.5L/min,氧气的流量为0.6L/min,大氮的流量为7L/min;
C、高温沉积:在820℃进行3分钟的保温,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,大氮与氧气体积比为15:1,小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为11:100;步骤C中小氮流量为2.2L/min,氧气的流量为0.6L/min,大氮的流量为7L/min;
D、升温:将11分钟内将扩散炉内的温度升至835℃,升温过程中向扩散炉内通入大氮;
E、高温推结:待扩散炉内在835℃温度时稳定后,在11分钟内向扩散炉内通入大氮和氧气的混合气体,氧气占混合气体体积的34%;
F、冷却:在12分钟内将扩散炉内的温度降至790℃,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气的混合气体,氧气占混合气体体积的34%。
扩散炉内的气体流量恒定;扩散炉内的气体通入流量为8L/min—11L/min;小氮流量为2L/min~2.5L/min,氧气的流量为0.5L/min~0.8L/min,大氮的流量为7L/min~7.7L/minL/min。
本体的方块电阻为95Ω/□。
下表为列出了本发明实施例三的太阳能电池片与常规太阳能电池片的电性能数据:
由上面实施例得出,本发明方法使硅片的方块电阻控制在92-98Ω/□匹配3条主栅和96条细栅正极网版,相比一次恒温沉积扩散可以在不增加成本的情况下使生产的太阳能电池片获得高的转换效率。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
Claims (10)
1.一种太阳能电池片,它包括呈板状的本体,所述本体的一侧为正极,所述本体的另一侧为负极,所述正极上均布有3条主栅和96条细栅,所述主栅与细栅垂直设置且它们电连接,其特征在于,所述每条主栅之间的间距为50—55毫米,所述主栅的宽度为1.2—1.5毫米,所述细栅间距为1.2—1.8毫米,所述细栅的宽度为0.03—0.04毫米。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述的主栅由若干段主栅段纵向排列均布设置。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述每个主栅段的长度为8—10毫米。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池片,其特征在于,所述细栅的长度为150—160毫米。
5.一种太阳能电池片的扩散工艺,该工艺包括以下步骤:
A、低温沉积:将本体置入普通的扩散炉中,扩散炉中温度在760—800℃保持5—10分钟,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,所述大氮与氧气体积比为15:1,所述小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为10:100;
B、变温沉积:将扩散炉内的温度在6—9分钟内提升至815—825℃,在该时间范围内向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,所述大氮与氧气体积比为15:1,所述小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为12:100;
C、高温沉积:在815—825℃进行2—5分钟的保温,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气和小氮的混合气体,所述大氮与氧气体积比为15:1,所述小氮和大氮与氧气两者混合气体的体积比为11:100;
D、升温:将10—12分钟内将扩散炉内的温度升至835℃,升温过程中向扩散炉内通入大氮;
E、高温推结:待扩散炉内在835℃温度时稳定后,在10—12分钟内向扩散炉内通入大氮和氧气的混合气体,所述氧气占上述混合气体体积的32%—36%;
F、冷却:在10—15分钟内将扩散炉内的温度降至790℃,这个过程中向扩散炉内通入大氮、氧气的混合气体,所述氧气占上述混合气体体积的32%—36%。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池片的扩散工艺,其特征在于,所述扩散炉内的气体流量恒定。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池片的扩散工艺,其特征在于,所述扩散炉内的气体通入流量为8L/min—11L/min。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池片的扩散工艺,其特征在于,所述小氮流量为2L/min~2.5L/min,所述氧气的流量为0.5L/min~0.8L/min,所述大氮的流量为7L/min~7.7L/min。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池片的扩散工艺,其特征在于,所述步骤A中所述小氮流量为2L/min,所述氧气的流量为0.6L/min,所述大氮的流量为7L/min;所述步骤B中所述小氮流量为2.5L/min,所述氧气的流量为0.6L/min,所述大氮的流量为7L/min;所述步骤C中所述小氮流量为2.2L/min,所述氧气的流量为0.6L/min,所述大氮的流量为7L/min。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述本体的方块电阻为92—98Ω/□。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510014375.8A CN104617163B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 一种太阳能电池片及其扩散工艺 |
CN201610318096.5A CN106024599B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 太阳能电池片的扩散工艺 |
CN201610322851.7A CN105957904B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 改进的太阳能电池片的扩散工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510014375.8A CN104617163B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 一种太阳能电池片及其扩散工艺 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610322851.7A Division CN105957904B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 改进的太阳能电池片的扩散工艺 |
CN201610318096.5A Division CN106024599B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 太阳能电池片的扩散工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104617163A true CN104617163A (zh) | 2015-05-13 |
CN104617163B CN104617163B (zh) | 2016-06-15 |
Family
ID=53151520
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610318096.5A Active CN106024599B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 太阳能电池片的扩散工艺 |
CN201510014375.8A Active CN104617163B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 一种太阳能电池片及其扩散工艺 |
CN201610322851.7A Active CN105957904B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 改进的太阳能电池片的扩散工艺 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610318096.5A Active CN106024599B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 太阳能电池片的扩散工艺 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610322851.7A Active CN105957904B (zh) | 2015-01-12 | 2015-01-12 | 改进的太阳能电池片的扩散工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (3) | CN106024599B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106206267A (zh) * | 2016-07-26 | 2016-12-07 | 润峰电力有限公司 | 一种晶体硅片高方阻扩散方法 |
CN109545899A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-03-29 | 江苏中宇光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池片生产用氮封工艺 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107195706A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-09-22 | 浙江光隆能源科技股份有限公司 | 一种金刚线太阳能电池片的制绒工艺及扩散工艺 |
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JP4121928B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
US20110100453A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Clevenger Lawrence A | Electrically contactable grids manufacture |
CN102738257A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 | 一种低成本高效率太阳能电池的电极栅线结构 |
WO2012145864A1 (zh) * | 2011-04-29 | 2012-11-01 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 太阳电池、太阳电池组件及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102254991B (zh) * | 2011-06-30 | 2014-02-05 | 浚鑫科技股份有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片及其扩散方法 |
CN102383198B (zh) * | 2011-10-12 | 2014-01-15 | 润峰电力有限公司 | 一种晶硅电池的三步变温扩散工艺 |
CN102691107A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-09-26 | 上海超日(洛阳)太阳能有限公司 | 一种太阳能电池制备扩散工艺 |
-
2015
- 2015-01-12 CN CN201610318096.5A patent/CN106024599B/zh active Active
- 2015-01-12 CN CN201510014375.8A patent/CN104617163B/zh active Active
- 2015-01-12 CN CN201610322851.7A patent/CN105957904B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105957904A (zh) | 2016-09-21 |
CN106024599A (zh) | 2016-10-12 |
CN106024599B (zh) | 2018-12-04 |
CN104617163B (zh) | 2016-06-15 |
CN105957904B (zh) | 2017-11-28 |
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