CN103618032B - 一种高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种高开路电压的多晶太阳能电池片的制备方法。扩散过程采用变温沉积高温推结工艺,并且印刷正极过程中的正极印刷图形采用90根细栅的密栅设计。变温沉积就是将温度升高至860℃,在升温过程中对硅片进行10min的变温沉积,通入大N2、O2和小N2的混合气体,小N2比例以体积百分计为7%;高温推结是在860℃维持温度稳定,停止通小N2,通入大N2、O2进行杂质再分布,控制时间再17min,O2比例以体积百分计为15%。本发明方法使硅片的方块电阻控制在90-95Ω/□,相比一次恒温沉积扩散可以在不增加成本的情况下使生产的多晶太阳能电池获得高的开路电压。
Description
技术领域
本发明属于多晶硅太阳能电池技术领域,特别是涉及一种高开路电压的多晶太阳能电池片的制备方法。
背景技术
传统多晶太阳能电池的生产工序主要为:制绒、扩散、湿法刻蚀、PE镀膜、烘干、印刷背场、烘干、印刷背极、印刷正极、烧结和测试分选。扩散工序直接影响着多晶太阳能电池的开路电压,其主要影响因素为扩散浓度,多晶太阳能电池要求一定的扩散浓度以确保因载流子横向传输所经过的电阻造成的损失较小。由于掺杂浓度高会极大地降低少数载流子的寿命,而结太深又会增加少数载流子在扩散到PN结地过程中的复合损失。当扩散方块电阻值低于90Ω/□时,太阳电池表面会不可避免地存在一个区域,在该区域中由于光被吸收所产生地载流子会因为寿命太短而在扩散到PN结之前就被复合,从而对电池效率没有贡献,该特殊区域被成为“死层”。
由于“死层”里的复合速率非常高,在表面和“死层”里所产生的光生载流子对短路电流和复合电流均没有贡献,因此为了提高开路电压,需要高的方块电阻。
常规多晶太阳能电池扩散一般采用一步扩散法,方阻在70-80Ω/□,正极印刷图形栅线在80-85根,多晶太阳能电池开路电压在0.627-0.628V。
发明内容
本发明为克服上述现有技术存在的不足,提出了一种高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法,使硅片的方块电阻控制在90-95Ω/□。
本发明解决技术问题所采取的技术方案是,一种高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法,包括制绒、扩散、湿法刻蚀、PE镀膜、烘干、印刷背场、烘干、印刷背极、印刷正极、烧结和测试分选过程,其特征在于,所述扩散过程采用变温沉积高温推结工艺,并且所述的印刷正极过程中的正极印刷图形采用90根细栅的密栅设计。
优选地,所述变温沉积高温推结工艺是采用液态POCl3磷源,在对硅片进行预氧后,先在较低温度下进行有源扩散化,再进行变温有源扩散,然后在更高的温度进行有氧沉积,具体步骤如下:
⑴预氧化:对硅片在800℃进行13min的预氧化,O2比例以体积百分计为10%;
⑵低温沉积:在800℃对硅片进行10-20min的低温沉积,通入大N2、O2和小N2的混合气体,小N2比例以体积百分计为7%;
⑶变温沉积:将温度升高至860℃,在升温过程中对硅片进行10min的变温沉积,通入大N2、O2和小N2的混合气体,小N2比例以体积百分计为7%;
⑷高温推结:在860℃维持温度稳定,停止通小N2,通入大N2、O2进行杂质再分布,控制时间再17min,O2比例以体积百分计为15%;
⑸冷却:将温度由860℃降至800℃,时间10min,停止通小N2、O2,仅通大N2。
优选地,所述正极印刷图形由3根分段主栅和90根细栅组成。
更优选地,所述3根分段主栅的间距为52mm;所述分段主栅的宽度为1.4mm,分为8段,其中中间6段每段长度为8mm,边缘2段每段长度为13mm;所述90根细栅的间距为1.719mm;所述细栅的宽度为0.035mm,其中周边4根细栅长度为151mm,其余细栅长度为153mm。
更优选地,所述分段主栅边缘2段从第7根细栅开始收尖头,尖头宽度为0.5mm。
本发明中,所述的大N2用于保持炉管的压力,以防止外界气体进入,同时起混合反应气体的作用;所述的小N2主要用来携带POCl3磷源,参与沉积反应。
本发明采用变温沉积高温推结扩散工艺,并且印刷正极过程中的正极印刷图形采用90根细栅的密栅设计,使得成品开路电压比常规多晶太阳能电池高2mv。同时避免了由于扩散方阻提升而导致的串联电阻上升,其电池片平均转换效率不低于常规多晶太阳能电池,并且在封装组件时能降低由于短波吸收损失而导致的封装损耗。下表为列出了本发明制备方法生产的高开路电压电池与常规太阳能电池的电性能数据。
本发明方法使硅片的方块电阻控制在90-95Ω/□,相比一次恒温沉积扩散可以在不增加成本的情况下使生产的多晶太阳能电池获得高的开路电压。
附图说明
图1为本发明一种具体实施方式扩散工艺示意图。
图2为本发明一种具体实施方式电池片正面正极印刷图形示意图。
具体实施方式
一种高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法,制绒、扩散、湿法刻蚀、PE镀膜、烘干、印刷背场、烘干、印刷背极、印刷正极、烧结和测试分选。扩散过程采用变温沉积高温推结工艺,并且所述的印刷正极过程中的正极印刷图形采用90根细栅的密栅设计。其它过程与常规方法相同。
扩散过程具体步骤如下:
⑴预氧化:对硅片在800℃进行13min的预氧化,O2比例以体积百分计为10%;
⑵低温沉积:在800℃对硅片进行10-20min的低温沉积,通入大N2、O2和小N2的混合气体,小N2比例以体积百分计为7%;
⑶变温沉积:将温度升高至860℃,在升温过程中对硅片进行10min的变温沉积,通入大N2、O2和小N2的混合气体,小N2比例以体积百分计为7%;
⑷高温推结:在860℃维持温度稳定,停止通小N2,通入大N2、O2进行杂质再分布,控制时间再17min,O2比例以体积百分计为15%;
⑸冷却:将温度由860℃降至800℃,时间10min,停止通小N2、O2,仅通大N2。
正极印刷图形由3根分段主栅和90根细栅组成。3根分段主栅的间距为52mm;所述分段主栅的宽度为1.4mm,分为8段,其中中间6段每段长度为8mm,边缘2段每段长度为13mm并且从第7根细栅开始收尖头,尖头宽度为0.5mm;所述90根细栅的间距为1.719mm;所述细栅的宽度为0.035mm,其中周边4根细栅长度为151mm,其余细栅长度为153mm。
Claims (4)
1. 一种高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法,包括制绒、扩散、湿法刻蚀、PE镀膜、烘干、印刷背场、烘干、印刷背极、印刷正极、烧结和测试分选过程,所述扩散过程采用变温沉积高温推结工艺,并且所述的印刷正极的印刷图形采用90根细栅的密栅设计;其特征在于:所述变温沉积高温推结工艺是采用液态POCl3磷源,在对硅片进行预氧后,先在较低温度下进行有源扩散化,再进行变温有源扩散,然后在更高的温度进行有氧沉积,具体步骤如下:
⑴预氧化:对硅片在800℃进行13min的预氧化,O2比例以体积百分计为10%;
⑵低温沉积:在800℃对硅片进行10-20min的低温沉积,通入大N2、O2和小N2的混合气体,小N2比例以体积百分计为7%;
⑶变温沉积:将温度升高至860℃,在升温过程中对硅片进行10min的变温沉积,通入大N2、O2和小N2的混合气体,小N2比例以体积百分计为7%;
⑷高温推结:在860℃维持温度稳定,停止通小N2,通入大N2、O2进行杂质再分布,控制时间再17min,O2比例以体积百分计为15%;
⑸冷却:将温度由860℃降至800℃,时间10min,停止通小N2、O2,仅通大N2。
2.根据权利要求1所述的高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述正极印刷图形由3根分段主栅和90根细栅组成。
3.根据权利要求2所述的高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述3根分段主栅的间距为52mm;所述分段主栅的宽度为1.4mm,分为8段,其中中间6段每段长度为8mm,边缘2段每段长度为13mm;所述90根细栅的间距为1.719mm;所述细栅的宽度为0.035mm,其中周边4根细栅长度为151mm,其余细栅长度为153mm。
4.根据权利要求3所述的高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述分段主栅边缘2段从第7根细栅开始收尖头,尖头宽度为0.5mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310624308.9A CN103618032B (zh) | 2013-11-30 | 2013-11-30 | 一种高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310624308.9A CN103618032B (zh) | 2013-11-30 | 2013-11-30 | 一种高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103618032A CN103618032A (zh) | 2014-03-05 |
CN103618032B true CN103618032B (zh) | 2015-10-21 |
Family
ID=50168736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310624308.9A Active CN103618032B (zh) | 2013-11-30 | 2013-11-30 | 一种高开路电压多晶太阳能电池片的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103618032B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105762066B (zh) * | 2015-01-12 | 2018-08-14 | 浙江光隆能源科技股份有限公司 | 多晶太阳电池的扩散工艺 |
CN105118896A (zh) * | 2015-09-17 | 2015-12-02 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 升温推结扩散工艺 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102383198A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-03-21 | 润峰电力有限公司 | 一种晶硅电池的三步变温扩散工艺 |
CN102820383A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-12 | 江阴鑫辉太阳能有限公司 | 多晶硅太阳能电池扩散方法 |
CN103317835A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-09-25 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 晶硅电池正面电极网版 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101139458B1 (ko) * | 2009-06-18 | 2012-04-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-11-30 CN CN201310624308.9A patent/CN103618032B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102383198A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-03-21 | 润峰电力有限公司 | 一种晶硅电池的三步变温扩散工艺 |
CN102820383A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-12 | 江阴鑫辉太阳能有限公司 | 多晶硅太阳能电池扩散方法 |
CN103317835A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-09-25 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 晶硅电池正面电极网版 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103618032A (zh) | 2014-03-05 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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