CN104615518A - 一种结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明特别涉及一种结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法。该结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，将rank margin测试和温度、Vdd的四角测试结合在一起，在拉偏温度和Vdd电压的情况下进行rank margin test的测试。经过对比验证，该结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，通过增加温度和Vdd拉偏四角测试的rank margin测试可以多覆盖掉70%的漏出问题；该方法不仅能模拟实际应用中，环境温度和电压的恶劣的情况下，rank margin方面是否存在问题，还能更大量的发现在内存支持方面power、SI、layout等的问题。
Description
技术领域
本发明涉及计算机测试技术领域，特别涉及一种结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法。
背景技术
目前，内存rank margin测试是在常温及正常电压下的一种的内存测试方案，整个测试方案内嵌在特定的BIOS中，将BIOS中的Rank Margin Tool选项enable，平台就自动进入Rank Margin test模式，测试结果由串口输出。Rank margin测试是信号完整性方面的最简洁和直观的测试方法，可以检测出主板对内存设计部分的margin。但是从实测结果来看，很少出现超过spec的情况。判断的标准较为松散，对设计来说太易通过，从效果上来看也经常漏出一些设计的bug。
下面分别对于rank marin test和温度，Vdd电压四角测试做详细的描述：
1、rank marin 测试
rank margin在常温及正常电压下的一种的内存测试方案，整个测试方案内嵌在BIOS中；将BIOS中的Rank Margin Tool选项enable，平台就自动进入Rank Margin测试模式，测试结果由COM口输出。
其测试方式类似于ATE上的shmoo测试：逐步调节Vref电压值，同时逐步调节DQ-DQS Skew，在每个点上对内存进行读写，看是否会出错。但目前看来Rank Margin测试而且从其实际测试情况来看，在每个点上应该只是进行一个很简单的pattern的读写测试。
Rank Margin测试的是内存在读写数据上的margin情况，由于我们在其他系统测试方案上无法实现对DQ-DQS skew的调节，所以Rank Margin测试有其独到之处。
2、温度、Vdd电压电压四角测试
Corner测试是一种极端应用环境测试，因为客户不可能只在室温下使用，客户的平台也不一定就稳定工作在1.35V。
从理论上和实际上都可以看到，HTLV即高温低压是测试效果最明显的。因为我们知道，在高温下，电容变小，内存颗粒各cell中储存的电荷更容易因leakage而流失掉；另外，因为热胀冷缩（对于DRAM这种精密集成电路，热胀冷缩是不能被忽视的），高温下颗粒内部可能容易出现一些short的情况。而在低电压下，颗粒的驱动能力即slew rate被降低，容易出现信号的setup time和hold time不足的情况。
至于低温测试，同样因为热胀冷缩，低温下颗粒内部可能容易出现open的情况，所以低温测试也有其必要性。
从理论上来讲，Corner测试的有效性是HTLV>HTHT=LTLV>LTHV。实际的测试情况会因具体颗粒而异，但从历史数据来看，基本上也是HT>LT，LV>HV。
对于普通DDR3 DRAM颗粒，JEDEC规范为：VDD = 1.35V±0.0675V，即1.2825V~1.4175V；工作温度为0℃~85℃。实际测试中，我们可以将VDD电压分别拉低和拉高到1.28V和1.42V；在环境温度的设定上，考虑到测试平台尤其是服务器平台承受温度的能力，低温一般设置为0℃，高温设置为50℃，这也是业界比较通用的温度值。
为了能够有效的解决以上问题，避免测试效果bug，完善判断标准，本发明设计开发了一种结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法。
发明内容
本发明为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种简单有效的结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法。
本发明是通过如下技术方案实现的：
一种结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，其特征在于：将rank margin测试和温度和Vdd的四角测试结合在一起，在拉偏温度和Vdd电压的情况下进行rank margin test的测试。
该结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，包括以下步骤：
（1）刷新带有RMT功能的BIOS；
（2）调节Vdd电压到相应1.28V数值；
（3）将测试机台放入高低温箱，调节温箱温度到50摄氏度，开机收取RMT测试的结果，重复收取3次；
（4）看三次结果是否有超过spec的情况发生，只要超过一次，即不通过；
（5）将Vdd和高温箱温度重新调节，测试其他角的情况。
所述Vdd电压通过硬件调节和BIOS调节两种方式调节。两种方式调节后，用万用表点到相应的测试点量测实际的电压是否调节到要求的电压。
本发明的有益效果是：经过对比验证，该结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，通过增加温度和Vdd拉偏四角测试的rank margin测试可以多覆盖掉70%的漏出问题；该方法不仅能模拟实际应用中，环境温度和电压的恶劣的情况下，rank margin方面是否存在问题，还能更大量的发现在内存支持方面power、SI、layout等的问题。
具体实施方式
该结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，将rank margin测试和温度和Vdd的四角测试结合在一起，在拉偏温度和Vdd电压的情况下进行rank margin test的测试。
该结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，包括以下步骤：
（1）刷新带有RMT功能的BIOS；
（2）调节Vdd电压到相应1.28V数值；
所述Vdd电压通过硬件调节和BIOS调节两种方式调节。两种方式调节后，用万用表点到相应的测试点量测实际的电压是否调节到要求的电压；
（3）将测试机台放入高低温箱，调节温箱温度到50摄氏度，开机收取RMT测试的结果，重复收取3次；
（4）看三次结果是否有超过spec的情况发生，只要超过一次，即不通过；
（5）将Vdd和高温箱温度重新调节，测试其他角的情况。
测试结果判断：
该结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，输出的结果有两种方式看是否超过spec：
1）将输出的结果的txt文本找到测试的数值，每个数值与Intel spec比对。不能超过spec的要求。
2）从IBL网站下发专门的rank margin test的结果对比软件，注意不同CPU的软件是不同的版本，将测试输出的txt结果拖入到打开的软件中，自动生成下面的表格，超过SPEC的地方会用黄色表示出来。
Claims (3)
1.一种结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，其特征在于：将rank margin测试和温度、Vdd的四角测试结合在一起，在拉偏温度和Vdd电压的情况下进行rank margin test的测试。
2.根据权利要求1所述的结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）刷新带有RMT功能的BIOS；
（2）调节Vdd电压到相应1.28V数值；
（3）将测试机台放入高低温箱，调节温箱温度到50摄氏度，开机收取RMT测试的结果，重复收取3次；
（4）看三次结果是否有超过spec的情况发生，只要超过一次，即不通过；
（5）将Vdd和高温箱温度重新调节，测试其他角的情况。
3.根据权利要求2所述的结合温度、电压变量的内存rank margin测试方法，其特征在于：所述Vdd电压通过硬件调节和BIOS调节两种方式调节。
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