CN104591074B - 一种基于三明治结构的柔性硅薄膜及其制备方法 - Google Patents
一种基于三明治结构的柔性硅薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104591074B CN104591074B CN201510031951.XA CN201510031951A CN104591074B CN 104591074 B CN104591074 B CN 104591074B CN 201510031951 A CN201510031951 A CN 201510031951A CN 104591074 B CN104591074 B CN 104591074B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- film
- silicon chip
- thickness
- protecting film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 102
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 100
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 51
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 18
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 11
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 8
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 15
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 230000003319 supportive effect Effects 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 210000001525 retina Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- -1 tetramethyl aqua ammonia Chemical compound 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于三明治结构的柔性硅薄膜，其以硅晶圆片为基础，通过背面刻蚀减薄硅片后双面涂覆聚合物膜形成“聚合物膜‑单晶硅膜‑聚合物膜”的柔性三明治结构薄膜，其制备方法包括以下具体步骤：硅晶圆片的准备；硅片正面沉积保护膜；硅片背面沉积保护膜及图形化；硅片背面的碱性溶液湿法刻蚀，期间形成有环状保护外框；硅单晶膜正面和背面分别涂覆聚合物膜及曝光烘胶，切除环状保护外框。本发明的三明治结构薄膜，外层的聚合物膜对中间的硅膜既起保护作用以避免制作到其上的电子器件受到外界环境的腐蚀，又能增加基于三明治结构的硅薄膜的柔性，提高器件性能；工艺过程中形成的环状保护外框增加了工艺操作的可行性。
Description
技术领域
本发明属于微电子机械系统（MEMS: micro-electro-mechanical systems）的制备技术领域，涉及一种三明治结构的柔性硅薄膜及其制备方法，是两层杨氏模量相对于硅材料小很多的有机聚合物膜中间夹一层单晶硅膜从而形成易于大幅度机械变形的三明治结构薄膜及其微加工制备方法，适用于柔性电子技术。
背景技术
MEMS是微电子技术与机械和光学等技术结合的产物，是IC工艺技术的拓展和延伸，实现了多种非硅材料的集成化制造，是微电子技术应用的新突破。MEMS技术是一种典型的多学科交叉的新兴技术，几乎涉及到自然及工程科学的所有领域，如电子技术、机械技术、物理学、化学、生物医学、材料科学等，在经济社会的多方面如国防、航空航天、医疗、信息通信、汽车等领域都具有应用前景，因而倍受人们的关注，并得到了迅速的发展。
柔性电子技术，即利用MEMS加工手段，将光学、电子器件制作于可大幅度机械变形而无损器件功能的柔性衬底上。由于在柔性图像阵列、太阳能电池、人体健康监测、人造皮肤、视网膜植入等方面的应用潜力，柔性电子技术引起了人们越来越多的研究兴趣。衬底的机械柔性是这一技术的关键属性。目前，多数柔性电子技术是将器件（乃至于有机半导体器件）通过转印或无源器件的直接图形化方法制作于有机聚合物材料衬底上，比如聚酰亚胺(polyimide)、聚对二甲笨(parylene)、硅树脂(silicone)等。然而，这类柔性电子技术信息处理速度慢；有机材料熔点低，不适用于传统的高性能电子器件的制备；一些高温材料也不能直接制备于其上，从而影响一些高性能传感器件的制备和利用。因而，在开发柔性电子技术的研究工作中，作为电子技术标准材料的硅重新引起人们的注意。硅的体材料虽然通常被认为是硬、脆的材料，但减薄至微米以至纳米量级的硅，其由于弯曲变形引起的表面应力可以大幅减小，从而可以轻易的实现机械变形而无断裂现象的发生，而且这样的薄膜仍保有单晶硅的特性，从而为得到高性能柔性电子器件、电路提供极有吸引力的柔性平台。张沧海等人(Chinese Physics Letters, Vol.30(8), 2013, pp.086201)利用背面刻蚀绝缘体上硅(SOI: Silicon on Insulator)晶圆片得到了柔性衬底，S.
Mack等人(Applied Physics Letters, 88, 2006, pp.213101)在硅(111)片的正面刻蚀出沟槽后用各向异性腐蚀硅的方法得到了柔性的硅带，但这些与传统的硅(100)片相比，成本较高。Sally M Ahmed等人(IEEE 27th International
Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS), 2014, pp.548-551)利用硅(100)片在正面先深硅刻蚀形成刻蚀孔阵列后，再各向异性干法刻蚀得到了柔性硅膜，不过这种方法由于要在硅片上先做出刻蚀孔，占用了硅片的面积，影响了硅片表面的利用效率，阻碍了器件电路在硅片上的设计灵活性。
发明内容
本发明的目的是针对现有柔性衬底的不足而提供的一种三明治结构的柔性硅薄膜及其制备方法，该硅薄膜结构没有背景技术中的缺点，通过保护膜沉积、湿法刻蚀、聚合物的涂覆等工艺形成柔性三明治结构薄膜，既保持了硅单晶的特点，又增加硅薄膜抗外界环境腐蚀的能力，还大大简化了柔性衬底的制造工艺。
本发明的目的是这样实现的：
一种基于三明治结构的柔性硅薄膜，特点是该薄膜具有聚合物膜-保护膜-单晶硅膜-聚合物膜结构。
单晶硅膜选用各种晶向的硅片进行全硅片的背刻蚀得到，这增加了柔性三明治结构薄膜的应用范围。保护膜可用溅射的铬(Cr)、铜(Cu)或SiO2/Si3N4复合膜，单独的SiO2难以用于碱性溶液中长时间的刻蚀硅片的保护，单独的Si3N4膜有大的张应力，当硅片减薄到50μm以下时会引起硅片的破裂，且与硅的热失配系数大易造成硅片上Si3N4膜的断裂和剥落，故在硅片和Si3N4之间加入具有压应力的SiO2膜用于应力的缓冲，这需要SiO2/Si3N4复合层中的SiO2和Si3N4两者的厚度比为10:2到10:5，以降低复合保护膜的内应力。最外层的聚合物膜3和3’可以是SU-8胶、聚酰亚胺或聚对二甲苯(Parylene)。
一种用薄膜沉积、湿法刻蚀硅、涂覆聚合物工艺制备基于单晶硅膜的柔性三明治结构薄膜的方法，该方法包括以下具体步骤：
第一步 以单晶硅片作基础，其正面可以是已制备了电子器件的，用传统方法清洗和烘干硅片；
第二步 在经第一步处理的硅片上沉积保护膜，保护膜为Cr、Cu或SiO2/Si3N4复合层，厚度为100~1500nm；采用SiO2/Si3N4复合层时，先沉积SiO2、后沉积Si3N4，两者的厚度比为10:2到10:5，以降低复合保护膜的内应力；
第三步 在硅片的背面上重复第二步工艺；
第四步 将硅片背面的保护膜涂光刻胶并光刻图形化后，刻蚀掉背面保护膜的中间部分，形成环状边缘保护膜，然后去掉光刻胶；
第五步 将沉积有保护膜的硅片置于碱性溶液中进行湿法腐蚀，减薄至5~50μm；碱性溶液是KOH水溶液（质量浓度20~50%、温度50~100℃）或四甲基氢氧化氨（TMAH：tetramethyl
ammonium hydroxide）水溶液（质量浓度0.5~30%、温度50~100℃），溶液中可分别加入异丙醇(IPA: isopropanol)、(NH4)2S2O8以提高刻蚀面的平整性；或者略去第三、四步，将硅片用AMMT’s夹具夹持，背面朝外，用上述刻蚀剂刻蚀至硅片厚度为60~200μm时，去掉夹具继续刻蚀至5~50μm；两种方法都可以得到较厚的环形外框，以对减薄后的硅膜起支撑作用，方便后续的工艺操作；
第六步 先后在减薄后的硅片背面和正面涂覆聚合物膜，聚合物是SU-8胶、聚酰亚胺或聚对二甲苯(Parylene)，厚度1~80μm；
第七步 最后将硅片较厚的环形外框切割掉。
本发明有以下突出效果：
⑴ 以单晶硅膜为核心的三明治结构薄膜，外层的聚合物膜对中间的硅膜既起保护作用以避免制作到其上的电子器件受到外界环境的腐蚀，又能增加基于三明治结构的硅薄膜的柔性；
⑵ 以单晶硅片为基础减薄可以得到单晶薄膜硅，在其上制作得到的电子器件性能高；
⑶ 以单晶硅片为基础进行背面大面积的刻蚀减薄，不强调硅的各向异性刻蚀特性的应用，因而适用于多种晶面的硅片，增加了选择性，尤其是适用于（100）晶面的硅片，有利于降低成本和提高器件性能；
⑷ 以硅片为基础，有利于在其上面制作需要高温过程实现的高性能的器件；
⑸ 由于硅片表面可以预先制备电子器件，后续的柔性薄膜制备工艺过程因而可以与许多微电子工艺乃至MEMS工艺技术相兼容；
(6) 加工过程中形成的环状外框，增加了工艺操作的可行性。
附图说明
图1是清洗烘干后的衬底的示意图；
图2是图1的衬底上正面沉积有保护膜的示意图；
图3是图2的衬底上背面沉积有保护膜的示意图；
图4是图3的衬底上背面保护膜图形化后的示意图；
图5是图4的衬底上背面刻蚀减薄后的示意图；
图6是图5的衬底上背面涂覆聚合物膜的示意图；
图7是图6的衬底上正面涂覆聚合物膜的示意图；
图8是本发明柔性硅薄膜结构示意图。
具体实施方式
现通过实施例和附图详细说明本发明的技术方案。所有实施例均按照以上的发明内容所述方法的操作步骤进行操作。每个实施例仅罗列各自的关键的技术数据。
实施例1
三明治结构的柔性硅薄膜的制备：
第一步 以单晶硅片1作基础，用传统方法清洗和烘干硅片1；
第二步 在经第一步处理的硅片1上用等离子体增强化学气相淀积(PECVD: plasma enhanced chemical vapor deposition)方法沉积保护膜2，保护膜2为 SiO2/Si3N4合成层，厚度为1000nm，先沉积SiO2、后沉积Si3N4，两者的厚度比为10:3；
第三步 在硅片的背面上重复第二步工艺,得到保护膜2’；
第四步 将硅片背面的保护膜2’涂光刻胶并光刻图形化后，刻蚀掉背面保护膜2’的中间部分，形成环形边缘保护膜2’，然后去掉光刻胶；
第五步 将沉积有保护膜的硅片置于氢氧化钾(KOH)碱性溶液中进行湿法腐蚀，减薄至25μm，KOH水溶液（质量浓度30%、温度80℃），溶液中加入异丙醇(IPA: isopropanol)以提高刻蚀面的平整性；得到的较厚的环形外框对中部的硅膜起支撑作用；
第六步 在减薄后的硅片背面涂覆聚合物3，聚合物3为 SU-8胶，厚度20μm，曝光后烘胶至120℃，持续30分钟；
第七步 在硅片正面重复第六步的工艺，涂覆聚合物3’；
第八步 将硅片较厚的环形边缘切割掉。
实施例2
除以下不同，其他与实施例1相同。
第二步中，SiO2/Si3N4合成层，厚度为100nm，先沉积SiO2、后沉积Si3N4，两者的厚度比为5:1； 第五步中，硅片置于氢氧化甲(KOH)碱性溶液中进行湿法腐蚀，减薄至15μm，KOH水溶液（质量浓度30%、温度75℃）。
实施例3
第一步 以单晶硅片1作基础，用传统方法清洗和烘干硅片1；
第二步 在经第一步处理的硅片1上用等离子体增强化学气相淀积(PECVD: plasma enhanced chemical vapor deposition)方法沉积保护膜2，保护膜2为 SiO2/Si3N4合成层，厚度为1000nm，先沉积SiO2、后沉积Si3N4，两者的厚度比为10:3；
第三步 将硅片用AMMT’s夹具夹持，背面朝外，用上述刻蚀剂刻蚀至硅片厚度为100μm时，去掉夹具继续刻蚀至20μm；
第四步 在减薄后的硅片背面涂覆聚合物3，聚合物3为 SU-8胶，厚度20μm，曝光后烘胶至120℃，持续30分钟；
第五步 在硅片正面重复第四步的工艺，涂覆聚合物3’；
第六步 将硅片较厚的环形边缘切割掉。
尽管已经参照具体实施例详细地描述了本发明的精神，但是这些实施例仅用于示例目的且并不限制本发明。应该理解，在不背离本发明的范围和精神的前提下，本领域的技术人员可以改变或修改这些实施例。因而，在所附权利要求中可以发现上述那些实施例之外的多个实施例。
Claims (3)
1.一种基于三明治结构的柔性硅薄膜，其特征在于该薄膜以单晶硅片为基础，通过背面刻蚀减薄硅片后双面涂覆聚合物膜形成“聚合物膜-保护膜-单晶硅膜-聚合物膜”的柔性结构薄膜，所述单晶硅膜用各种晶向的硅片进行全硅片的背刻蚀得到，保护膜为铬、铜或SiO2/Si3N4复合膜，聚合物膜为SU-8胶、聚酰亚胺或聚对二甲苯；其中，硅片正面沉积保护膜；硅片背面沉积保护膜及图形化；硅片背面通过碱性溶液湿法刻蚀，期间形成有环状保护外框；单晶硅膜正面和背面分别涂覆聚合物膜，切除环状保护外框。
2.一种权利要求1所述柔性硅薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下具体步骤：
第一步 以单晶硅片作基础，用传统方法清洗和烘干硅片；
第二步 在经第一步处理的硅片上沉积保护膜，保护膜为Cr、Cu或SiO2/Si3N4复合层，厚度为100~1500nm；采用SiO2/Si3N4复合层时，先沉积SiO2、后沉积Si3N4，两者的厚度比为10:2~5；
第三步 在硅片背面上重复第二步工艺；
第四步 将硅片背面的保护膜涂光刻胶并光刻图形化后，刻蚀掉中间部分，形成环状边缘保护膜，然后去掉光刻胶；
第五步 将沉积有保护膜的硅片置于碱性溶液中进行湿法腐蚀，减薄至5~50μm；碱性溶液是KOH水溶液，质量浓度20~50%、温度50~100℃ 或四甲基氢氧化氨水溶液，质量浓度0.5~30%、温度50~100℃，溶液中分别加入异丙醇、(NH4)2S2O8以提高刻蚀面的平整性；
第六步 先后在减薄后的硅片背面和正面涂覆聚合物，聚合物是SU-8胶、聚酰亚胺或聚对二甲苯，厚度1~80μm；
第七步 最后将硅片环形外框切割掉。
3.一种权利要求1所述柔性硅薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下具体步骤：
第一步 以单晶硅片作基础，用传统方法清洗和烘干硅片；
第二步 在经第一步处理的硅片上沉积保护膜，保护膜为Cr、Cu或SiO2/Si3N4复合层，厚度为100~1500nm；采用SiO2/Si3N4复合层时，先沉积SiO2、后沉积Si3N4，两者的厚度比为10:2~5；
第三步 将硅片用AMMT’s夹具夹持，背面朝外，用刻蚀剂刻蚀至硅片厚度为60~200μm时，去掉夹具继续刻蚀至5~50μm；
第四步 先后在减薄后的硅片背面和正面涂覆聚合物，聚合物是SU-8胶、聚酰亚胺或聚对二甲苯，厚度1~80μm；
第五步 最后将硅片环形外框切割掉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510031951.XA CN104591074B (zh) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | 一种基于三明治结构的柔性硅薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510031951.XA CN104591074B (zh) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | 一种基于三明治结构的柔性硅薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104591074A CN104591074A (zh) | 2015-05-06 |
| CN104591074B true CN104591074B (zh) | 2017-01-04 |
Family
ID=53117202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510031951.XA Active CN104591074B (zh) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | 一种基于三明治结构的柔性硅薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104591074B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106422044B (zh) * | 2016-08-26 | 2019-07-05 | 华东师范大学 | 一种基于硅衬底的氧化铪空心微针及制备方法 |
| CN108444623A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-08-24 | 北京东方锐择科技有限公司 | 基于硅薄膜的高灵敏压力传感器及其制备方法 |
| CN109742235A (zh) * | 2019-01-09 | 2019-05-10 | 湘潭大学 | 一种柔性铁电场效应管及其制备方法 |
| CN110027270B (zh) * | 2019-05-30 | 2020-09-25 | 上海海事大学 | 一种三明治结构的高介电柔性复合薄膜及其制备方法 |
| CN110528073A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-03 | 大同新成新材料股份有限公司 | 一种单晶硅片的制备方法 |
| CN110690322B (zh) * | 2019-09-30 | 2021-09-24 | 南开大学 | 一种自支撑高增益柔性硅基光电探测器的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101154770A (zh) * | 2007-08-21 | 2008-04-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 与植入式器件柔性互连的方法 |
| CN102179000A (zh) * | 2011-03-09 | 2011-09-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于碳膜的柔性神经微电极及其制作方法 |
| CN104291264A (zh) * | 2014-10-17 | 2015-01-21 | 华中科技大学 | 一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100110563A (ko) * | 2009-04-03 | 2010-10-13 | 주식회사 서흥플라즈마 | 버퍼층을 갖는 연성 동박 적층판 및 그의 제조 방법 |
| KR101439306B1 (ko) * | 2013-02-13 | 2014-09-11 | 전자부품연구원 | 연성 실리콘 인터포저 및 이의 제작방법 |
-
2015
- 2015-01-22 CN CN201510031951.XA patent/CN104591074B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101154770A (zh) * | 2007-08-21 | 2008-04-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 与植入式器件柔性互连的方法 |
| CN102179000A (zh) * | 2011-03-09 | 2011-09-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于碳膜的柔性神经微电极及其制作方法 |
| CN104291264A (zh) * | 2014-10-17 | 2015-01-21 | 华中科技大学 | 一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104591074A (zh) | 2015-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104591074B (zh) | 一种基于三明治结构的柔性硅薄膜及其制备方法 | |
| CN105026905B (zh) | 容性mems传感器装置 | |
| EP1804287A3 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| TW200540102A (en) | Single crystal silicon sensor with additional layer and method of producing the same | |
| CN105259733B (zh) | 一种用于曲面图形化的柔性掩膜板制备方法 | |
| Xu | Post-CMOS and post-MEMS compatible flexible skin technologies: A review | |
| CN104655261A (zh) | 一种电容式超声传感器及其制作方法 | |
| Tasdemir et al. | A deep etching mechanism for trench-bridging silicon nanowires | |
| CN109573941A (zh) | 一种cmos-mems集成芯片的规模化制造方法 | |
| CN104576482A (zh) | 晶片与晶片之间的对准方法 | |
| US10083850B2 (en) | Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier | |
| CN100399005C (zh) | 基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 | |
| JP4271751B2 (ja) | 電子装置および電子装置のためのメンブレンを形成する方法 | |
| US20210140767A1 (en) | Inertial devices with wafer-level integration of higher density proof masses and method of manufacturing | |
| CN104003350B (zh) | 一种体硅谐振式压力传感器的圆片级真空封装方法 | |
| Abidin et al. | Fabrication of pyramidal cavity structure with micron-sized tip using anisotropic KOH etching of silicon (100) | |
| CN100396593C (zh) | 单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法 | |
| Maflin Shaby et al. | Analysis and optimization of sensitivity of a MEMS peizoresistive pressure sensor | |
| Zhang et al. | Sandwich structure based on back-side etching silicon (100) wafers for flexible electronic technology | |
| Dan et al. | Fabrication of piezoelectric acoustic transducers built on cantilever-like diaphragm | |
| Zhang et al. | Polymer-sandwich ultra-thin silicon (100) platform for flexible electronics | |
| TW200631067A (en) | Three dimensional structure formed by using an adhesive silicon wafer process | |
| KR102250895B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| CN217426717U (zh) | 一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜 | |
| CN105084298B (zh) | 一种半导体器件的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |