CN104584234A - 太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括基板，在基板上的背电极层，在背电极层上的光吸收层，在光吸收层上的缓冲层，以及在缓冲层上的前电极层。所述缓冲层包括硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)和氢氧化锌(Zn(OH)2)中的至少一种。所述方法包括在基板上形成背电极层，在背电极层形成光吸收层，在光吸收层上形成第一缓冲层；以及在第一缓冲层上形成第二缓冲层，其中第一缓冲层或第二缓冲层包括硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)和氢氧化锌(Zn(OH)2)中的至少一种。

Description

太阳能电池及其制造方法
技术领域
本发明实施方案涉及一种太阳能电池及其制造方法。
背景技术
用于太阳光发电的太阳能电池的制造方法如下。首先，在制备基板之后，在基板上形成背电极层，并通过激光图案化该背电极层来形成复数个背电极。
其后，在背电极上相继形成光吸收层、缓冲层和高电阻缓冲层。已广泛采用了如下方案来光吸收层：通过同时或分别蒸镀铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)和硒(Se)形成Cu(In,Ga)Se2(CIGS)基光吸收层的方案，以及在已形成金属前体层之后实施硒化工艺的方案。光吸收层的能带隙在约1eV至1.8eV的范围内。
然后，通过溅射工艺在光吸收层上形成包括硫化镉(CdS)的缓冲层。缓冲层的能带隙可以在约2.2eV至2.4eV的范围内。之后，通过溅射工艺在缓冲层上形成包括氧化锌(ZnO)的高电阻缓冲层。所述的高电阻缓冲层的能带隙在约3.1eV至约3.3eV的范围内。
其后，可在光吸收层、缓冲层和高电阻缓冲层中形成孔图案。
然后，在高电阻缓冲层上层合透明导电材料，利用该透明导电材料填充孔图案。因此，在高电阻缓冲层上形成透明电极层，并且在孔图案内部形成连接线。构成透明电极层和连接线的材料可包括铝掺杂的氧化锌(AZO)。透明电极层的能带隙在约3.1eV至3.3eV的范围内。
然后，在透明电极层中形成孔图案，使得可以形成多个太阳能电池。透明电极与高电阻缓冲层分别对应于电池。透明电极和高电阻缓冲层可以以带或阵列的形式设置。
透明电极与背电极彼此不对准(misaligned)并通过连接线彼此电连接。因此，太阳能电池能够串联地彼此电连接。
如上所述，为将太阳光转换成电能，已制造和使用了各种太阳能电池设备。这些太阳能电池设备中之一公开在韩国未审查专利公开第10-2008-0088744号中。
同时，根据相关现有技术，当采用硫化镉(CdS)时，会发生与镉(Cd)相关的问题。因此，为了形成不含Cd的缓冲层，可使用硫化锌(ZnS)作为缓冲层。当采用ZnS时，前电极层直接沉积在ZnS缓冲层上，而不在ZnS缓冲层上形成高电阻缓冲层。
但是，由于ZnS缓冲层的电阻高于CdS缓冲层的电阻，因此限制了ZnS缓冲层的厚度。因此，当前电极沉积在ZnS缓冲层上时，会导致对缓冲层和/或光吸收层的上部的损坏。
因此，提出了对制造缓冲层的需求，该缓冲层能够解决当使用ZnS缓冲层时的上述问题，以及提出了包括该缓冲层的太阳能电池。
发明内容
技术问题
本发明实施方案提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池及其制造方法。
问题的解决方案
根据本发明实施方案，提供一种太阳能电池，其包括基板，在基板上的背电极层，在背电极层上的光吸收层，在光吸收层上的缓冲层，以及在缓冲层上的前电极层。所述缓冲层包括硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)和氢氧化锌(Zn(OH)2)中的至少一种。
根据本发明实施方案，提供一种制造太阳能电池的方法。该方法包括在基板上形成背电极层，在背电极层形成光吸收层，在光吸收层上形成第一缓冲层；以及在第一缓冲层上形成第二缓冲层。第一缓冲层或第二缓冲层包括硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)和氢氧化锌(Zn(OH)2)中的至少一种。
发明的有益效果
如上所述，在根据本发明实施方案的太阳能电池及其制造方法中，可通过一道工艺形成多个缓冲层。换言之，通过在沉积过程中调节溶液中包含的氨水的浓度，可以形成包含ZnS的第一缓冲层和包含ZnO的第二缓冲层。
根据相关现有技术，在包含ZnS的缓冲层的情况下，由于高电阻导致的厚度限制，在沉积缓冲层之后的后续工艺中会导致缓冲层和/或光吸收层的损坏。
然而，在根据本发明实施方案制造太阳能电池的方法中，通过调节沉积工艺中缓冲溶液的浓度，在沉积第一缓冲层的同时，将第二缓冲层沉积在第一缓冲层上。
因此，即使包含ZnS的第一缓冲层厚度小，由于第二缓冲层形成在第一缓冲层上以弥补第一缓冲层的薄的厚度，可减少在实施缓冲层激光工艺之后在后续工艺中导致的对缓冲层和/或光吸收层的损坏，使得太阳能电池的整体效率能够得以提高。
此外，由于可通过一道工艺同时形成至少两个缓冲层，可降低工艺成本，并可提高工艺效率。
附图说明
图1是示出了根据本发明实施方案的太阳能电池的平面图。
图2是示出了根据本发明实施方案的太阳能电池的截面图。
图3到图10是示出了根据本发明实施方案的制造太阳能电池的方法的截面图。
具体实施方式
在以下对本发明实施方案的描述中，应当理解的是，当层(膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、层(膜)、区域、焊盘或图案“上”或“下”时，其可以“直接地”或“间接地”在其它基板、层(膜)、区域、焊盘或图案上，或者也可以存在一个或更多个中间层。将参照附图来描述各个层的这样的位置。
为了描述清楚和方便，可调整附图中各个层(膜)、区域、图案或结构的厚度和尺寸。此外，层(膜)、区域、图案或结构的尺寸并不完全反映实际尺寸。
以下，将参照附图具体描述本发明实施方案。
以下将参照图1至图10说明根据本发明实施方案的太阳能电池。图1是示出了根据本发明实施方案的太阳能电池的平面图，图2是示出了根据本发明实施方案的太阳能电池的截面图。图3至图10是示出了制造根据本发明实施方案的太阳能电池的方法的截面图。
参照图1至图10，根据本发明实施方案的太阳能电池包括支承基板100、背电极层200、光吸收层300、缓冲层400和前电极层500。
支承基板100具有板形并支承背电极层200、光吸收层300、缓冲层400和前电极层500。
支承基板100可以包括绝缘体。支承基板100可以包括玻璃基板、塑料基板或金属基板。更具体地，支承基板100可以包括钠钙玻璃基板。可替代地，支承基板100可包括不锈钢、具有柔性性能的聚合物、或包含氧化铝的陶瓷基板。支承基板100可以是透明的。支承基板100可以是刚性或柔性的。
背电极层200设置在支承基板100上。背电极层200为导电层，背电极层200可以包括钼(Mo)、金(Au)、铝(Al)、铬(Cr)、钨(W)、和铜(Cu)中的一种。在其中，特别地，与其他元素相比，Mo与支承基板100之间的热膨胀系数之差更小，使得Mo表现出优越的粘附性能，因此防止了上述脱层现象。
此外，背电极层200可包括至少两层。在这种情况下，这些层可包括相同的金属或不同的金属。
在背电极层200中形成有第一通孔TH1。通孔TH1是露出支承基板100的顶表面的开口区域。当在平面图中观察时，通孔TH1可具有在第一方向上延伸的形状。
第一通孔TH1中的每一个均可具有在约80μm至约200μm范围内的宽度。
因此，背电极层200由第一通孔TH1分割成复数个背电极。换言之，背电极通过第一通孔TH1限定。
背电极通过第一通孔TH1彼此间隔开。背电极布置成带的形状。
可替代地，背电极可布置成阵列的形状。在这种情况下，当在平面图中观察时，第一通孔TH1可被设置成格子的形状。
光吸收层300设置在背电极层200上。此外，构成光吸收层300的材料填充进第一通孔TH1中。
光吸收层300可以包括第I-III-VI族化合物。例如，光吸收层300可具有Cu(In,Ga)Se2(CIGS)晶体结构、Cu(In)Se2晶体结构或Cu(Ga)Se2晶体结构。
光吸收层300可以具有在1eV至1.8eV的范围内的能带隙。
缓冲层400设置在光吸收层300上。缓冲层400可以包括硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)和/或氢氧化锌(Zn(OH)2)。换言之，缓冲层400可以包括ZnS、ZnO或Zn(OH)2，或者可以包括ZnS、ZnO和Zn(OH)2中的至少一种。
此外，缓冲层400包括第一缓冲层410和第二缓冲层420。具体地，第一缓冲层410设置在光吸收层300上，第二缓冲层420设置在第一缓冲层410上。第一缓冲层410和第二缓冲层420中的每一个均可以包括ZnS、ZnO和/或Zn(OH)2。
此外，硫(S)的浓度从背电极层200与光吸收层300之间的界面至光吸收层300与缓冲层400之间的界面逐渐减小。具体地，第一缓冲层410相比第二缓冲层420可包含更多ZnS。换言之，ZnS的浓度可从第一缓冲层410至第二缓冲层420逐渐减小。
此外，缓冲层410相比第二缓冲层420可包含更少的ZnO。换言之，ZnO的浓度可从第一缓冲层410至第二缓冲层420增加。
此外，ZnS、ZnO和Zn(OH)2可以在第一缓冲层410和第二缓冲层420之间的界面处混合。
缓冲层400可以具有30nm至100nm的厚度。具体地，第一缓冲层410或第二缓冲层420可具有50nm或更小的厚度。优选地，第一缓冲层410或第二缓冲层420可具有15nm至50nm的厚度。
换言之，根据本实施方案，缓冲层400包括包含ZnS的第一缓冲层410，和形成在第一缓冲层410上并包含ZnO的第二缓冲层420。
此外，基于ZnS缓冲层的电阻，第一缓冲层410和/或第二缓冲层420可具有50nm或更小的厚度。
因此，可从缓冲层的上部省略包含ZnO的高电阻缓冲层，并可减少由于缓冲层的薄厚度而导致的对发光层的损坏。
前电极层500设置在缓冲层400上。前电极层500为透明的且包含导电层。此外，前电极层500的电阻高于背电极层500的电阻。
前电极层500包括氧化物。例如，构成前电极层500的材料可包括铝掺杂的氧化锌(AZO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)。
前电极层500可具有N型半导体的特性。在此情况下，前电极层500与缓冲层400一起形成N型半导体，以与作为P型半导体层的光吸收层300形成PN结。前电极层500可具有约100nm至约500nm的厚度。
前电极层500可具有在约500nm至约1.5μm的范围内的厚度。此外，如果前电极层500包括铝掺杂的氧化锌，则可以以约2.5wt％至约3.5wt％的含量掺杂Al。
在缓冲层400和前电极层500中形成有第三通孔TH3。第三通孔TH3可穿过缓冲层400、高电阻缓冲层和前电极层500的部分或全部而形成。换言之，第三通孔TH3可露出背电极层200的顶表面。
第三通孔TH3相邻于第二通孔TH2形成。具体地，第三通孔TH3设置在第二通孔TH2的旁边。换言之，当在平面图中观察，第三通孔TH3平行于第二通孔TH2设置。第三通孔TH3可具有沿第一方向延伸的形状。
第三通孔TH3形成为穿过前电极层500。具体地，第三通孔TH3可以穿过光吸收层300和缓冲层400的部分或全部形成。
前电极层500由第三通孔TH3分割成复数个前电极。换言之，前电极通过第三通孔TH3限定。
各个前电极均具有与各个背电极的形状相对应的形状。换言之，前电极布置成带的形状。可替代地，前电极可以布置成阵列的形状。
此外，复数个太阳能电池C1、C2、…和Cn由第三通孔TH3限定。具体地，太阳能电池C1、C2、…和Cn由第二通孔TH2和第三通孔TH3限定。换言之，根据本发明实施方案的太阳能电池装置由第二通孔TH2第三通孔TH3分割成太阳能电池C1、C2、…和Cn。此外，太阳能电池C1、C2、…和Cn在与第一方向交叉的第二方向上彼此连接。换言之，电流可以沿第二方向流过太阳能电池C1、C2、…和Cn。
换言之，太阳能电池板10包括支承基板100和太阳能电池C1、C2、…和Cn。太阳能电池C1、C2、…和Cn设置在支承基板100上，并彼此间隔开。太阳能电池C1、C2、…和Cn通过连接部彼此串联连接。
连接部设置在第二通孔TH2内部。连接部从前电极层500向下延伸，使得连接部连接至背电极层200。例如，连接部从第一电池C1的前电极延伸使得该连接部连接至第二电池C2的背电极。
因此，连接部将相邻的太阳能电池彼此连接。更具体地，连接部将构成相邻太阳能电池的前电极与后电极相互连接。
连接部与前电极层500一体地形成。换言之，构成连接部的材料与构成前电极层500的材料相同。
以下，将参照图3至图10描述根据本发明实施方案的太阳能电池的制造方法。图3至图10是说明根据本发明实施方案的太阳能电池的制造方法的截面图。
参照图3，在支承基板100上形成背电极层200。背电极层200可通过物理气相沉积(PVD)或镀覆方案形成。
此后，参照图4，通过图案化背电极层200来形成第一通孔TH1。因此，在支承基板100上形成复数个背电极。通过激光来将背电极层200图案化。
各个第一通孔TH1可露出支承基板100的顶表面，并具有约80μm至约200μm的宽度，但本实施方案不限于此。
此外，可在支承基板100和背电极层200之间插入附加层，例如防扩散层。在此情况下，第一通孔使TH1该附加层的顶表面露出。
此后，参照图5，光吸收层300形成在背电极层500上。光吸收层300可以通过溅射工艺或蒸镀方案形成。
例如，为了形成光吸收层300，广泛实施了如下方案：通过同时或分别蒸镀Cu、In、Ga和Se形成Cu(In,Ga)Se2(CIGS)基的光吸收层300的方案，以及在形成金属前体膜之后实施硒化工艺的方案。
关于在形成金属前体层之后的硒化工艺的细节，是采用Cu靶、In靶或者Ga靶通过溅射工艺在背电极上形成金属前体。
此后，对金属前体层进行硒化处理以形成Cu(In,Ga)Se2(CIGS)基的光吸收层300。
此外，采用Cu靶、In靶和Ga靶的溅射工艺和硒化工艺可同时实施。
可替代地，可通过采用仅Cu靶和In靶、或仅Cu靶和Ga靶的溅射工艺，以及硒化工艺，来形成CIS或CGS的光吸收层300。
接下来，参照图6和图7，在光吸收层300上形成缓冲层400。缓冲层400的形成步骤包括在光吸收层上形成第一缓冲层的步骤和在第一缓冲层上形成第二缓冲层的步骤。
包括第一缓冲层410和第二缓冲层420的缓冲层400可通过化学浴沉积方案来形成。
化学浴沉积方案是一种薄膜沉积方案，其为将基板浸入含有期望沉积的材料的溶液中，并通过向基板加热和加压将沉积材料沉积在基板上。
根据本实施例制造太阳能电池的方法，使用化学浴沉积方案，通过调节溶液浓度，相继沉积第一缓冲层410和第二缓冲层420。具体地，可通过调节溶液中所含的氢氧化铵(NH4OH)的浓度来沉积第一缓冲层410和第二缓冲层420。
为了在光吸收层300上形成缓冲层400，具有背电极层200及光吸收层300的支承基板100可被浸入溶解了缓冲层沉积材料的溶液中。
该溶液可包括pH为9或更高的碱性溶液。溶液可包括各种缓冲层沉积材料。
具体地，溶液可包含Zn盐溶液作为Zn的供应源。Zn盐可包括硫酸锌(ZnSO4)、氯化锌(ZnCl2)、乙酸锌(Zn(CH3COO)2)或硝酸锌(Zn(NO3))。该溶液可能包括硫脲(CH4N2S)作为硫(S)的供应源。此外，溶液包括氢氧化铵(NH4OH)溶液，即，氨水作为络合剂化合物与pH调节剂。
氨水活化在支承基板100上ZnS的沉积。换言之，氨水活化了在缓冲层400上的ZnS的沉积，所述缓冲层400形成于设置在支承基板100上的光吸收层300上。也就是说，在光吸收层300上沉积的缓冲层400中包含的硫化锌的含量可通过氨水的浓度来调节。
在形成第一缓冲层410的步骤中，使用硫酸锌(ZnSO4)溶液和硫脲(CH4N2S)作为供应锌的源和供应硫的源，使用氨水作为络合剂与pH调节剂。在这种情况下，氨水的浓度可在1M至4M的范围内。
可向反应溶液中加入合适量的水合肼溶液来促进锌离子的产生。换言之，为了生长ZnS薄膜，将试剂溶液以ZnS溶液、氨水、水合肼溶液和硫脲溶液的顺序加入其中有适量去离子水的反应容器中。具有光吸收层300的支承基板100的温度可通过使用安装在反应容器内的加热器在约50℃至约90℃的范围内调节。
通过形成第一缓冲层410的步骤，第一缓冲层410可包括ZnS、ZnO和Zn(OH)2。特别地，在第一缓冲层410中可含有高含量的ZnS，并且ZnS、ZnO和Zn(OH)2可以在第一缓冲层410和第二缓冲层420之间的界面处混合。
以与形成第一缓冲层410的步骤相同的方式实施形成第一缓冲层410上的第二缓冲层420的步骤，不同之处在于氨水的浓度。换言之，在形成第二缓冲层420的步骤中，氨水的浓度可在5M至7M的范围内。在第二缓冲层的情况中，加入过量氨水，使得可以含有高含量的Zn(OH)2。由于Zn(OH)2对带隙产生影响会降低效率，因此通过在100℃至300℃的温度下实施热处理使Zn(OH)2离子化成ZnO。
在形成第一缓冲层410和第二缓冲层420步骤之间氨水的浓度之差可以在3M到6M范围内。
通过形成第二缓冲层420的步骤，第二缓冲层420可包括ZnS、ZnO和Zn(OH)2。特别地，在第二缓冲层420中可含有高含量的ZnS，并且ZnS、ZnO和Zn(OH)2可以在第一缓冲层410和第二缓冲层420之间的界面处混合。
通过形成第一缓冲层410的步骤，第一缓冲层410和第二缓冲层420可包括ZnS、ZnO和Zn(OH)2。特别地，ZnS的含量可以从第一缓冲层410至第二缓冲层420逐渐减小。此外，ZnO的含量可以从第一缓冲层410至第二缓冲层420逐渐增加。
形成第一缓冲层410的工艺和形成第二缓冲层420的工艺可以连续实施。换言之，在沉积第一缓冲层410的工艺的同时，可通过调节溶液中氨水浓度来沉积第二缓冲层420。
缓冲层400可具有30nm至100nm的厚度。具体地，第一缓冲层410或第二缓冲层420具有50nm或更小的厚度。优选地，第一缓冲层410或第二缓冲层420具有15nm至50nm的厚度。
根据本发明实施方案的制造太阳能电池的方法，可以通过一道工艺形成复数个缓冲层。换言之，通过沉积过程中调节溶液中所包含的氨水的浓度，可以形成包含ZnS的第一缓冲层和含有ZnO的第二缓冲层。
根据相关现有技术，在包含ZnS的缓冲层的情况下，由于高电阻导致对厚度的限制，在沉积缓冲层之后的后续工艺中可以导致对缓冲层和/或光吸收层的损坏。
但是，在根据本发明实施方案的制造太阳能电池的方法中，通过调节沉积工艺中缓冲溶液的浓度，在沉积第一缓冲层的同时，将第二缓冲层沉积在第一缓冲层上。
因此，即使包含ZnS的第一缓冲层厚度小，由于第二缓冲层形成在第一缓冲层上以弥补第一缓冲层的薄的厚度，可减少在实施缓冲层激光工艺之后在后续工艺中导致的对缓冲层和/或光吸收层的损坏，使得太阳能电池的整体效率能够得以提高。
此外，由于可通过一道工艺同时形成至少两个缓冲层，可降低工艺成本，并可提高工艺效率。
其后，参照图8，通过部分移除光吸收层300和缓冲层400形成第二通孔TH2。
第二通孔TH2可通过例如针(tip)的机械设备或激光设备来形成。
例如，光吸收层300和缓冲层400可通过具有宽度为约40μm至约180μm的针来图案化。此外，第二通孔TH2可通过波长为约200nm至约600nm的激光来形成。
在该情况下，第二通孔TH2可以具有约100μm至约200μm的宽度。此外，第二通孔TH2使背电极层200的顶表面的一部分露出。
其后，参照图9，可在缓冲层400上形成前电极层500。例如，前电极层500可通过使用ZnO靶的射频溅射方案、使用Zn靶的反应溅射方案、或MOCVD方案来沉积。
其后，参照图10，通过部分移除光吸收层300、缓冲层400和前电极层500来形成第三通孔TH3。因此，图案化前电极层500以限定复数个前电极以及第一电池C1至第三电池C3。各个第三通孔TH3均具有约80μm至约200μm的宽度。
该说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任何引用是指关于该实施方案所描述的具体特征、结构或特征包含在本发明的至少一个实施方案中。说明书中各处中这类措辞的出现不一定全都指代相同的实施方案。此外，当关于任意实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为将这些特征、结构或特性与实施方案的其它特征、结构或特性结合也在本领域技术人员的范围内。
虽然已经参照大量示意性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，本领域技术人员可以在本公开内容的原理的精神和范围内设计出大量其它的修改方案和实施方案。更具体地，可以在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内对主题组合设置的部件和/或设置进行各种变化和修改。除了部件和/或设置方面的变化和修改，替选用途对于本领域技术人员来说也是明显的。

Claims (17)

1.一种太阳能电池，包括:
基板；
在所述基板上的背电极层；
在所述背电极层上的光吸收层；
在所述光吸收层上的缓冲层；以及
在所述缓冲层上的前电极层，
其中所述缓冲层包含硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)和氢氧化锌(Zn(OH)2)中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中硫(S)的浓度从所述背电极层与所述光吸收层之间的界面向所述光吸收层与所述缓冲层之间的界面逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述缓冲层包括：
第一缓冲层；以及
在所述第一缓冲层上的第二缓冲层；以及
其中所述第一缓冲层和所述第二缓冲层包含所述硫化锌(ZnS)、所述氧化锌(ZnO)和所述氢氧化锌(Zn(OH)2)中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中所述硫化锌(ZnS)的浓度从所述第一缓冲层向所述第二缓冲层逐渐减小。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间的界面包括所述硫化锌(ZnS)、所述氧化锌(ZnO)和所述氢氧化锌(Zn(OH)2)。
6.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中所述氧化锌(ZnO)的浓度从所述第一缓冲层向所述第二缓冲层逐渐增加。
7.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中所述第一缓冲层或所述第二缓冲层具有约50nm或更小的厚度。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中所述第一缓冲层或所述第二缓冲层具有在约15nm至约50nm范围内的厚度。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述缓冲层具有在约30nm至约100nm的范围内的厚度。
10.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：
在基板上形成背电极层；
在所述背电极层上形成光吸收层；
在所述光吸收层上形成第一缓冲层；以及
在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层，
其中所述第一缓冲层或所述第二缓冲层包含硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)和氢氧化锌(Zn(OH)2)中的至少一种。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一缓冲层和所述第二缓冲层通过使用碱性溶液的化学浴沉积(CBD)方案形成。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述碱性溶液包含锌盐、配位化合物、和硫脲(CH4N2S)。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述配位化合物包括氢氧化铵(NH4OH)，以及
其中在形成所述第一缓冲层时使用的所述碱性溶液的所述氢氧化铵(NH4OH)的浓度不同于在形成所述第二缓冲层时使用的所述碱性溶液的所述氢氧化铵(NH4OH)的浓度。
14.根据权利要求13所述的方法，其中在形成所述第一缓冲层时使用的所述碱性溶液的所述氢氧化铵(NH4OH)的浓度低于在形成第二缓冲层时使用的所述碱性溶液的所述氢氧化铵(NH4OH)的浓度。
15.根据权利要求10所述的方法，其中硫(S)的浓度从所述背电极层与所述光吸收层之间的界面向所述光吸收层与所述缓冲层之间的界面逐渐减小。
16.根据权利要求10所述的方法，其中所述硫化锌(ZnS)的浓度从所述第一缓冲层向所述第二缓冲层逐渐减小。
17.根据权利要求10所述的方法，其中所述氧化锌(ZnO)的浓度从所述第一缓冲层向所述第二缓冲层逐渐增加。
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