CN104576958B - 有机发光装置 - Google Patents

有机发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104576958B
CN104576958B CN201410535169.7A CN201410535169A CN104576958B CN 104576958 B CN104576958 B CN 104576958B CN 201410535169 A CN201410535169 A CN 201410535169A CN 104576958 B CN104576958 B CN 104576958B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
pixel
sub
light emitting
emitting apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410535169.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104576958A (zh
Inventor
郑宝罗
尹锡奎
金东赞
金元钟
金应道
徐东揆
林多慧
黄圭焕
宋英宇
李钟赫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN104576958A publication Critical patent/CN104576958A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104576958B publication Critical patent/CN104576958B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请公开了一种有机发光装置，其包含基板上的第一子像素、第二子像素和第三子像素；分别在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的多个第一电极；第二电极，其为第一子像素和第二子像素的次共用层并且面向第一子像素和第二子像素的第一电极；和在第三子像素中的第三电极，其面向第三子像素的第一电极。

Description

有机发光装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年10月11日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请第10-2013-0121507号的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
根据本公开的实施方式的一个或多个方面涉及有机发光装置。
背景技术
有机发光装置(OLED)为自发光装置，具有诸如宽视角、优异的对比度、快响应、高亮度、优异的驱动电压特性的优点，并且可提供彩色图像。
有机发光装置可具有以第一电极、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和第二电极这样的顺序依次在基板上的结构。从第一电极注入的空穴经过HTL移至EML，同时从第二电极注入的电子经过ETL移至EML。空穴和电子在EML中再结合而产生激子。当激子从激发态过渡至基态时，就发出光。
发明内容
根据本公开的实施方式的一个或多个方面涉及具有低的递增暗点的发生率的高效有机发光装置(OLED)。
其他方面将在以下说明书中部分阐明，且在一定程度上根据说明书会是显而易见的，或者可通过实施本文提供的实施方式而理解。
根据本公开的一个或多个实施方式，有机发光装置包括：
基板上的第一子像素、第二子像素和第三子像素；
分别在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的多个第一电极；
第二电极，所述第二电极为所述第一子像素和所述第二子像素的次共用层并且面向所述第一子像素和所述第二子像素的第一电极；
在所述第三子像素中的第三电极，所述第三电极面向所述第三子像素的第一电极；和
有机层，所述有机层包括在所述第一子像素的第一电极和第二电极之间并且构造为发射第一颜色的光的第一发射单元，在所述第二子像素的第一电极和第二电极之间并且构造为发射第二颜色的光的第二发射单元，以及在所述第三子像素的第一电极和第三电极之间并且构造为发射第三颜色的光的第三发射单元，
其中所述第三颜色的光为蓝色光，并且所述第一颜色的光、所述第二颜色的光和所述第三颜色的光的混合光为白色光，并且
i)所述第二电极基本不含镁(Mg)并且所述第三电极包含镁；或者ii)所述第二电极和所述第三电极都包含符合式1的镁(Mg)：
式1
Con2(Mg)<Con3(Mg)
其中，在式1中：
Con2(Mg)为以百分比计的所述第二电极中的镁(Mg)的体积与所述第二电极的体积的比，并且
Con3(Mg)为以百分比计的所述第三电极中的镁(Mg)的体积与所述第三电极的体积的比。
所述第二电极和所述第三电极均可包含符合式2的银(Ag)：
式2
Con2(Ag)>Con3(Ag)
其中，在式2中：
Con2(Ag)为以百分比计的所述第二电极中的银(Ag)的体积与所述第二电极的体积的比，并且
Con3(Ag)为以百分比计的所述第三电极中的银(Ag)的体积与所述第三电极的体积的比。
所述第二电极和所述第三电极可进一步各自独立地包含第一金属，并且所述第一金属包括选自银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、锌(Zn)、铝(Al)和铟(In)中的至少一种。
所述第二电极和所述第三电极可进一步各自独立地包含具有约4.0eV或更小功函的第一材料，并且所述第一材料包括选自镱(Yb)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、镭(Ra)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、钌(Ru)和钐(Sm)中的至少一种。
所述第二电极和所述第三电极可进一步各自独立地包含第二材料作为电子注入材料，并且所述第二材料包括选自碱金属和碱土金属的氧化物、氟化物、喹啉(quinolate)化合物以及乙酰乙酸盐化合物中的至少一种。
所述第二电极可由银(Ag)组成并且所述第三电极可由银(Ag)和镁(Mg)组成。
所述第二电极的厚度可与所述第三电极的厚度不同。
所述第一颜色的光可为红色光，所述第二颜色的光可为绿色光，并且所述有机发光装置可满足式3：
式3
D1≥D2>D3
其中，在式3中：
D1为所述第一子像素中的第一电极与第二电极之间的距离，
D2为所述第二子像素中的第一电极与第二电极之间的距离，
D3为所述第三子像素中的第一电极与第三电极之间的距离。
所述有机发光装置可进一步包括在所述第二电极与所述第一和第二发射单元之间的第一电子注入层，所述第一电子注入层为所述第一子像素和所述第二子像素的次共用层；和在所述第三子像素中的第三电极与第三发射单元之间的第二电子注入层，其中所述第一电子注入层和所述第二电子注入层包含不同于彼此的材料。
所述第一电子注入层可包含具有约4.0eV或更小功函的第一材料，所述第一材料包括选自镱(Yb)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、镭(Ra)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、钌(Ru)和钐(Sm)中的至少一种，并且所述第二电子注入层包含第二材料作为电子注入材料，所述第二材料包括选自碱金属和碱土金属的氧化物、氟化物、喹啉化合物以及乙酰乙酸盐化合物中的至少一种。
所述有机发光装置可进一步包含在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的电子注入层。
所述第二电极的边缘部分和与所述第二子像素相邻的所述第三子像素中的所述第三电极的边缘部分可电耦合在一起，并且所述第二电极的边缘部分和所述第三电极的边缘部分中的一个与所述第二电极的边缘部分和所述第三电极的边缘部分中的另一个交叠。
所述基板可包含与所述第一子像素的第一电极电耦合的第一晶体管；与所述第二子像素的第一电极电耦合的第二晶体管；以及与所述第三子像素的第一电极电耦合的第三晶体管。
根据本公开的一个或多个实施方式，有机发光装置包括：
基板上的第一子像素、第二子像素和第三子像素；
分别在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的多个第一电极；
第二电极，所述第二电极为所述第一子像素和所述第二子像素的次共用层并且面向所述第一子像素和所述第二子像素的第一电极；
在所述第三子像素中的第三电极，所述第三电极面向所述第三子像素的第一电极；和
有机层，所述有机层包括在所述第一子像素的第一电极和第二电极之间并且构造为发射第一颜色的光的第一发射单元，在所述第二子像素的第一电极和第二电极之间并且构造为发射第二颜色的光的第二发射单元，以及在所述第三子像素的第一电极和第三电极之间并且构造为发射第三颜色的光的第三发射单元，
其中所述第三颜色的光为蓝色光，并且所述第一颜色的光、所述第二颜色的光和所述第三颜色的光的混合光为白色光，并且
所述第二电极的边缘部分和与所述第二子像素相邻的所述第三子像素中的所述第三电极的边缘部分电耦合在一起，并且所述第二电极的边缘部分和所述第三电极的边缘部分中的一个与所述第二电极的边缘部分和所述第三电极的边缘部分中的另一个交叠。
在一些实施方式中，所述第二电极的边缘部分和与所述第二子像素相邻的所述第三子像素中的所述第三电极的边缘部分可电耦合在一起而不彼此交叠。
附图说明
通过参考以下与附图一起考虑的实施方式的说明，这些和/或其它方面将变得明显和更易理解，在附图中：
图1为根据本公开的一个实施方式的有机发光装置的示意性剖视图；
图2A至图2C为顺序说明制造根据本公开的另一个实施方式的有机发光装置的方法的示意性剖视图；
图3为根据本公开的另一个实施方式的有机发光装置的示意性剖视图；并且
图4为根据本公开的另一个实施方式的有机发光装置的示意性剖视图。
具体实施方式
现将参考实施方式，其实施例在附图中说明，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这点上，本实施方式可具有不同形式并且不应被解释为限制本文阐述的说明。因此，通过参考附图仅在以下描述该实施方式，以说明并解释本说明书的各个方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意和所有组合。如“至少一种”的表述在处于一系列要素之前时，修饰的是全部系列的要素，而并非修饰该系列中的个别要素。此外，当描述本公开的实施方式时，使用“可”指的是“本公开的一个或多个实施方式”。而且，在本申请中的上下文中，当第一个元件被称为在第二个元件“上”时，其可直接在第二个元件上或者间接在第二元件上具有一个或多个位于二者之间的中间元件。
参见图1，根据本公开的一个实施方式的有机发光装置400包括：在基板201上的第一子像素、第二子像素和第三子像素；分别在基板201上的第一子像素、第二子像素和第三子像素中的多个第一电极203-1、203-2和203-3；第一子像素和第二子像素共用的(例如，与第一子像素和第二子像素耦合或者在第一子像素和第二子像素中)第二电极217，其分别对着(例如，面向)第一子像素和第二子像素的第一电极203-1和203-2；在第三子像素中的第三电极219，其对着(例如，面向)第三子像素的第一电极203-3；和有机层207，其包括在第一子像素的第一电极203-1和第二电极217之间并且能够发射第一颜色的光(例如，具有单一第一颜色的光)的第一发射单元207-1，在第二子像素的第一电极203-2和第二电极217之间并且能够发射第二颜色的光(例如，具有单一第二颜色的光)的第二发射单元207-2，以及在第三子像素的第一电极203-3和第三电极219之间并且能够发射第三颜色的光(例如，具有单一第三颜色的光)的第三发射单元207-3。
在有机发光装置400中，第三颜色的光可为蓝色光，并且第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光的混合光可为白色光。因此，有机发光装置400可发射全色的光。在一些实施方式中，第一颜色的光可为红色光，而第二颜色的光可为绿色光。在一些其它实施方式中，第一颜色的光可为绿色光，而第二颜色的光可为红色光。然而，本公开不限于此，并且本公开的实施方式可以不同形式和/或方式实现。
如本文使用的，术语“共用层”指的是在第一子像素、第二子像素和第三子像素之上(取决于观察点，或之下，或之中)并且对应于第一子像素、第二子像素和第三子像素没有分别在单独的层中形成图案的层。另外，如本文使用的，术语“第一子像素和第二子像素的次共用层”指的是在第一子像素和第二子像素之上(取决于观察点，或之下，或之中)并且对应于第一子像素和第二子像素没有分别在单独的层中形成图案的层。
基板201可为在现有的有机发光装置中使用的任何合适的基板。在一些实施方式中，基板201可为具有强机械强度、热稳定性、透明度、表面平滑度、易操作性和防水性的玻璃基板或透明塑料基板，但本公开不限于此。
第一电极203-1、203-2和203-3可通过图案化在基板201上形成以分别对应于第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一电极203-1、203-2和203-3可为反射电极、透射电极或半透射电极。
可通过将第一电极形成材料沉积或溅射到基板201上形成第一电极203-1、203-2和203-3。当第一电极203-1、203-2和203-3为阳极时，第一电极形成材料可选自具有高功函的材料以促进空穴注入到第一发射单元207-1、第二发射单元207-2和第三发射单元207-3。
第一电极203-1、203-2和203-3可包含至少一种金属，例如，镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)和/或镁-银(Mg-Ag)，以形成反射电极，但是本公开不限于此。在一些其它实施方式中，除了以上所列的金属之外，第一电极203-1、203-2和203-3可进一步包含具有高电导率的透明材料，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)和/或氧化锌(ZnO)。然而，本公开不限于此并且本公开的实施方式可以其他不同的形式和/或方式实现。
第一电极203-1、203-2和203-3可各自具有单层结构或多层结构。
例如，第一电极203-1、203-2和203-3可具有氧化铟锡(ITO)/Ag/氧化铟锡(ITO)的三层结构，但是第一电极不限于此。
第一电极203-1、203-2和203-3可具有沿着其相对的边缘部分的像素限定层205。像素限定层205可限定像素区域，并且可包含在有机发光装置中使用的任意各种合适的绝缘材料，例如有机绝缘材料(例如，硅类材料)、无机绝缘材料或有机/无机复合绝缘材料，但是本公开不限于此。
有机层207在第一电极203-1、203-2和203-3上。
有机层207可包括选自空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、缓冲层、发射层(EML)、空穴阻挡层(HBL)和电子传输层(ETL)中的至少一层。HIL、HTL、缓冲层、EML、HBL和ETL可通过图案化各自形成为遍布第一子像素、第二子像素和第三子像素延伸的共用层，或者形成为分别对应于第一子像素、第二子像素和第三子像素的单独的层(例如，分开的层)。
有机层207可包含：在第一子像素的第一电极203-1和第二电极217之间并且能够发射第一颜色的光(例如，具有单一第一颜色的光)的第一发射单元207-1，在第二子像素的第一电极203-2和第二电极217之间并且能够发射第二颜色的光(例如，具有单一第二颜色的光)的第二发射单元207-2，和在第三子像素的第一电极203-3和第三电极219之间并且能够发射第三颜色的光(例如，具有单一第三颜色的光)的第三发射单元207-3。
当第一颜色的光为红色光，并且第二颜色的光为绿色光时，有机发光装置400可满足式3：
式3
D1≥D2>D3
在式3中，D1为第一子像素的第一电极203-1与第二电极217之间的距离，D2为第二子像素的第一电极203-2与第二电极217之间的距离，并且D3为第三子像素的第一电极203-3与第三电极219之间的距离。
当有机发光装置400满足式3的条件时，可在每个第一、第二和第三子像素中确保(或提供)每个第一颜色的光、第二颜色的光和/或第三颜色的光的波长的共振距离，因此有机发光装置400可具有改善的发射效率。
有机发光装置400可包含第二电极217，其为第一子像素和第二子像素共用(例如，在两者中)，并且分别对着(例如，面向)第一子像素和第二子像素的第一电极203-1和203-2。有机发光装置400可进一步包含第三电极219，其在第三子像素中，对着(例如，面向)第三子像素的第一电极203-3。
在一些实施方式中，有机发光装置400的第二电极217不包含镁(Mg)，而第三电极219可包含镁(Mg)。例如，在一些实施方式中，第二电极217基本不含Mg。如本文使用的，术语“基本上”作为近似值的术语，而非作为程度的术语使用。具体地，如本文使用的，“基本上不含Mg”指的是大部分Mg不存在，但是一些痕量Mg可存在。在一些实施方式中，第二电极217完全不含Mg。
在一些实施方式中，有机发光装置400的第二电极217和第三电极219均可根据下式1包含镁(Mg)：
式1
Con2(Mg)<Con3(Mg)
在式1中，以百分比计(例如，体积百分比)，Con2(Mg)为第二电极217中镁(Mg)的体积与第二电极217的总体积的比，并且以百分比计(例如，体积百分比)，Con3(Mg)为第三电极219中镁(Mg)的体积与第三电极219的总体积的比。
第三电极219中的Con3(Mg)可为约55vol％至约95vol％，但是第三电极不限于此。例如，第三电极219可为通过以约9:1的体积比共沉积Mg和Ag形成的电极。
当有机发光装置400满足式3的条件(其中D3在D1、D2和D3中最小)时，第三子像素的第三发射单元207-3很可能由于第三电极219的金属扩散至有机层207而损坏。因此，有机发光装置400的第三子像素中的递增暗点的发生率可相对地高于第一子像素和第二子像素中的递增暗点的发生率。
然而，由于Mg是基本上不会扩散至有机层207中的元素，当只有有机发光装置400的第三电极209包含镁(Mg)(例如，第二电极217不含或基本上不含Mg)或者有机发光装置400满足式1的条件时，第三子像素中的相对较高的递增暗点的发生率会降低。
因此，有机发光装置400的第一子像素、第二子像素和第三子像素都可具有低的递增暗点的发生率，因此作为全色显示器的有机发光装置400可具有改善的寿命。
在一些实施方式中，有机发光装置400的第二电极217和第三电极219均可根据下式2包含银(Ag)。
式2
Con2(Ag)>Con3(Ag)
在式2中，以百分比计(例如，体积百分比)，Con2(Ag)为第二电极217中的银(Ag)的体积与第二电极217的总体积的比，并且以百分比计(例如，体积百分比)，Con3(Ag)为第三电极219中的银(Ag)的体积与第三电极219的总体积的比。
第二电极217中的Con2(Ag)可为约55vol％至约100vol％，但是第二电极不限于此。例如，第二电极217可仅包含Ag。在一些实施方式中，第二电极217由银组成或基本上由银组成。在一些其他的实施方式中，第二电极217中的Con2(Ag)可为约55vol％至约95vol％。例如，第二电极217可为通过以约9:1的体积比共沉积Ag和Mg形成的电极。
银(Ag)是具有促进电荷注入的高电导率的元素，并且易于扩散至有机层207中。例如，在相同(或基本相同)的条件下，Ag的扩散率可高于Mg的扩散率。因此，当有机发光装置400满足式2的条件时，第一子像素和第二子像素可具有高发射效率，同时与第一子像素和第二子像素相比，Ag从第三电极219扩散至第三子像素中的第三发射单元207-3中会较少发生，在第三子像素中相反地递增暗点的发生率相对较高。因此，作为全彩色显示器的有机发光装置400可具有改善的寿命。
除了镁(Mg)之外，第二电极217和第三电极219可进一步各自独立地包含第一金属。第一金属可包括选自银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、锌(Zn)、铝(Al)和铟(In)中的至少一种。
当第二电极217和第三电极219进一步包含第一金属时，第二电极217中的第一金属的类型(种类)和含量可与第三电极219中的第一金属的相同或不同。当第二电极217和第三电极219均包含银(Ag)作为第一金属时，有机发光装置400可满足式2的条件。
第二电极217和第三电极219可进一步各自独立地包含具有约4.0eV或更小功函的第一材料。第一材料可包括选自镱(Yb)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、镭(Ra)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、钌(Ru)和钐(Sm)中的至少一种。
当第二电极217和第三电极219进一步各自独立地包含第一材料时，第二电极217中的第一材料的类型和含量可与第三电极219中的第一材料的相同或不同。
第二电极217和第三电极219可进一步各自独立地包含第二材料作为电子注入材料。第二材料可包含选自碱金属和碱土金属的氧化物、氟化物、喹啉化合物以及乙酰乙酸盐化合物中的至少一种。例如，第二材料可包括选自LiF、CsF、Li2O、BaO和喹啉锂(Liq)中的至少一种。
当第二电极217和第三电极219进一步包含第二材料时，第二电极217中的第二材料的类型和含量可与第三电极219中的第二材料的相同或不同。
在一些实施方式中，第二电极217可包含银(Ag)(例如，由银组成)，并且第三电极可包含银(Ag)和镁(Mg)(例如，由银和镁组成)。在这点上，第三电极219的Con3(Mg)可为约55vol％至约95vol％。
第二电极217的边缘部分可具有交叠区域OV1，其中第二电极217的边缘部分可与毗邻第二子像素的第三子像素中的第三电极219的边缘部分电连接(例如，电耦合)并交叠。
在图1的交叠区域OV1中，第二电极217的边缘部分在第三电极219的边缘部分之下，但是本公开的实施方式不限于此。例如，第二电极217的边缘部分可在第三电极219的边缘部分之上。
交叠区域OV1的存在可减小第二电极217和第三电极219的薄层电阻，以致可改善向有机层207的电荷注入率，因此有机发光装置400可具有改善的发射效率。
在图1的有机发光装置400中，第三电极219的边缘部分和第二电极217的边缘部分中的至少一个可延伸至在第三子像素的发射区B和与第三子像素相邻的第二子像素的发射区A之间的非发射区C。在该实施方式中，第三电极219的边缘部分没有延伸至相邻的第二子像素的发射区A，并且第二电极217的边缘部分没有延伸至相邻的第三子像素的发射区B。
在图1的有机发光装置400中，第二电极217与第三电极219的厚度可彼此相同或不同。在一些实施方式中，第二电极217与第三电极219的厚度可彼此不同。
参考图2A至2C将描述根据本公开的一个实施方式的制造图1的有机发光装置400的方法。
参见图2A，分别在基板201上的第一子像素、第二子像素和第三子像素中的多个第一电极203-1、203-2和203-3；像素限定层205；以及包含用于发射第一颜色的光(例如，具有单一第一颜色的光)的第一发射单元207-1，用于发射第二颜色的光(例如，具有单一第二颜色的光)的第二发射单元207-2，和用于发射第三颜色的光(例如，具有单一第三颜色的光)的第三发射单元207-3的有机层207，可在基板201上顺序形成。
接着，如图2B所说明的，可通过使用(利用)具有对应于第一子像素和第二子像素的开口的第一掩模500，在对应于第一子像素和第二子像素的有机层207的区域上形成第二电极217。
可使用用于形成有机发光装置的电极的任何合适的沉积方法形成第二电极217。用于第二电极217的材料可为如上所述的材料。当第二电极217包含不同于彼此的材料时，可使用共沉积形成第二电极217。
第二电极217的边缘部分可延伸至非发射区C，但不延伸至相邻的第三子像素的发射区B。
接着，如图2C所说明的，可通过使用具有对应于第三子像素的开口的第二掩模501，在对应于第三子像素的有机层207的区域上形成第三电极219。
可使用用于形成有机发光装置的电极的任何合适的沉积方法形成第三电极219。用于第三电极219的材料可为如上所述的材料。当第三电极219包含不同于彼此的材料时，可使用共沉积形成第三电极219。
第三电极219的边缘部分可延伸至非发射区C，但不延伸至相邻的第二子像素的发射区A。
因此，形成交叠区域OV1，其中第二电极217和第三电极219各自的边缘部分交叠。
在图2B和2C中说明的实施方式中，形成第二电极217之后形成第三电极219，但是本公开的实施方式不限于此。例如，形成第三电极219之后可形成第二电极217。
图3为根据本公开的另一个实施方式的有机发光装置401发示意性剖视图。
参见图3，关于有机发光装置401中的基板201、像素限定层205、有机层207、D1、D2和D3，可参考图1的有机发光装置400中的基板201、像素限定层205、有机层207、D1、D2和D3的以上详细描述。
为了理解图3中有机发光装置401的第二电极317和第三电极319，这里可主要参考图1的有机发光装置400的第二电极217和第三电极219的以上详细描述，不同在于第二电极317的边缘部分和与第二子像素相邻的第三子像素中的第三电极319的边缘部分电连接(例如，电耦合)而不彼此交叠。
有机发光装置401中的第三电极319的边缘部分和第二电极317的边缘部分中的至少一个可延伸至在第三子像素的发射区B和与第三子像素相邻的第二子像素的发射区A之间的非发射区C。在该实施方式中，第三电极319的边缘部分没有延伸至相邻的第二子像素的发射区，并且第二电极317的边缘部分没有延伸至相邻的子像素的发射区B。
图4是根据本公开的另一个实施方式的有机发光装置402的示意性剖视图。
为了理解图4的有机发光装置402，这里可主要参考图1的有机发光装置400的以上详细描述，不同在于i)有机发光装置402进一步包含在第二电极217与第一和第二发射单元207-1和207-2之间的第一电子注入层215-2作为第一子像素和第二子像素的共用层，和在第三子像素中的第三发射单元207-3和第三电极219之间的第二电子注入层215-3，以及ii)有机发光装置402进一步包含在基板201中的薄膜晶体管(TFT)。
在图4的有机发光装置402中，第一电子注入层215-2可直接接触(例如，物理接触)在第一电子注入层215-2上的第二电极217，并且第二电子注入层215-3可直接接触(例如，物理接触)也在第二电子注入层215-3上的第三电极219。
第一电子注入层215-2的材料可与第二电子注入层215-3的材料不同。
例如，第一电子注入层215-2可包含具有约4.0eV或更小功函的第一材料，但是第一材料不限于此。第一材料可包括选自镱(Yb)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、镭(Ra)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、钌(Ru)和钐(Sm)中的至少一种，但第一材料不限于此。
第二电子注入层215-3可包含第二材料作为电子注入材料。第二材料可包括选自碱金属和碱土金属的氧化物、氟化物、喹啉化合物以及乙酰乙酸盐化合物中的至少一种，但第二材料不限于此。例如，第二电子注入层215-3可包括选自LiF、CsF、Li2O、BaO和喹啉锂(Liq)中的至少一种，但第二电子注入层不限于此。
在将参考图2B描述的第一掩模500放置在有机层207上之后以及形成第二电极217之前，可在有机层207上形成第一电子注入层215-2。
在将参考图2C描述的第二掩模501放置在有机层207上之后以及形成第三电极219之前，可在有机层207上形成第二电子注入层215-3。
参见图4，有机发光装置402的基板201可包含电连接至(例如，耦合至)第一子像素的第一电极203-1的第一晶体管TFT1，电连接至(例如，耦合至)第二子像素的第一电极203-2的第二晶体管TFT2，和电连接至(例如，耦合至)第三子像素的第一电极203-3的第三晶体管TFT3。因此，有机发光装置402可为有源矩阵有机发光装置。
第一子像素的第一电极203-1可电连接至(例如，耦合至)第一晶体管TFT1的源极和漏极中的一个，第二子像素的第一电极203-2可电连接至(例如，耦合至)第二晶体管TFT2的源极和漏极中的一个，并且第三子像素的第一电极203-3可电连接至(例如，耦合至)第三晶体管TFT3的源极和漏极中的一个。
虽然以上参考图1、2A、2B、2C、3和4描述了根据本公开的实施方式的有机发光装置，但是本公开的实施方式不限于此。例如，图1的有机发光装置400可进一步包含在有机层207与第二电极217和第三电极219之间的电子注入层，作为第一子像素、第二子像素和第三子像素的共用层。作为第一子像素、第二子像素和第三子像素的共用层的电子注入层可包含具有约4.0eV或更小功函的第一材料和作为电子注入材料的第二材料中的至少一种。
在一些实施方式中，图1的有机发光装置400可进一步包含如图4中描述的晶体管TFT1、TFT2和TFT3，但是有机发光装置400的实施方式不限于此。
在图1、3和4的有机发光装置400、401和402中，第一电极203-1、203-2和203-3可为阳极，并且第二电极217和317以及第三电极219和319可为阴极。在一些其他的实施方式中，第一电极203-1、203-2和203-3可为阴极，并且第二电极217和317以及第三电极219和319可为阳极。
对如下所述制造的有机发光装置OLED 1、OLED 2和OLED 3进行性能测试以观察有机发光装置的效率和暗点的发生率。
有机发光装置OLED 1、OLED 2和OLED 3的阳极和有机层制造如下。首先，在玻璃基板上形成ITO/Ag/ITO阳极(第一电极)作为对应于第一子像素(能够发射红色光)、第二子像素(能够发射绿色光)和第三子像素(能够发射蓝色光)中的每个的图案之后，形成像素限定层以限定像素区域，并且在阳极上形成空穴注入层和空穴传输层作为第一、第二和第三子像素的共用层。通过形成图案在第一子像素中形成第一缓冲层和红色发射层，在第二子像素中形成第二缓冲层和绿色发射层，以及在第三子像素中形成蓝色发射层之后，在其上形成电子传输层作为第一、第二和第三子像素的共用层。以上描述的阳极和有机层的结构在有机发光装置OLED 1、OLED 2和OLED 3是相同的。
接着，在包含上述阳极和有机层的所得结构上形成电子注入层和阴极以提供表1中列出的结构，随后在阴极上形成覆盖层，从而完成有机发光装置OLED 1、OLED 2和OLED 3的制造。
表1
1:通过以约9:1的体积比共沉积Ag和Mg形成。
2:通过以约9:1的体积比共沉积Mg和Ag形成。
有机发光装置OLED 1的第二电极、第三电极、第一电子注入层和第二电子注入层具有与图4的有机发光装置402的第二电极217、第三电极219、第一电子注入层215-2和第二电子注入层215-3相同(或者基本上相同)的结构。
使用Kethley Source-Measure Unit(SMU)236和PR650Spectroscan(购自PhotoResearch,Inc.)评价有机发光装置OLED 1和OLED 2的白光发射效率。测得有机发光装置OLED 1和OLED 2的白光发射效率分别为约16.9cd/A和约14.8cd/A。
在约-20℃的温度和约0％的相对湿度下使各有机发光装置在300尼特(nit)(1尼特等于1烛光(candle)每平方米)运转约120小时之后，计算各有机发光装置OLED 1和OLED3的暗点发生率(表示为[(暗点的数量)/(单元的数量)×100(％)])。测得有机发光装置OLED 1和OLED 3中的暗点发生率分别为约18.41％和约21.82％。
这些结果表明，与有机发光装置OLED 2和OLED 3相比，有机发光装置OLED1具有改善的寿命和改善的效率。
如上所述，根据一个或多个以上实施方式，有机发光装置可具有高的改善的效率和长的寿命。
应理解的是本文描述的实施方式应仅以说明的意义考虑而不是出于限制的目的。在各实施方式内的特征或方面的描述应通常被认为可用于其他实施方式中其他相似的特征或方面。
虽然参考附图描述了本发明的某些实施方式，但是本领域普通技术人员会理解的是在不背离由以下权利要求及其等同方式限定的本发明的精神和范围的情况下，可在形式和细节上作出各种改变。

Claims (20)

1.一种有机发光装置，包括：
基板上的第一子像素、第二子像素和第三子像素；
分别在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的多个第一电极；
第二电极，所述第二电极为所述第一子像素和所述第二子像素的次共用层并且面向所述第一子像素和所述第二子像素的第一电极；
在所述第三子像素中的第三电极，所述第三电极面向所述第三子像素的第一电极，其中所述第三电极没有延伸至第一子像素的发射区；和
有机层，所述有机层包含在所述第一子像素的第一电极和第二电极之间并且构造为发射第一颜色的光的第一发射单元，在所述第二子像素的第一电极和第二电极之间并且构造为发射第二颜色的光的第二发射单元，以及在所述第三子像素的第一电极和第三电极之间并且构造为发射第三颜色的光的第三发射单元，
其中所述第三颜色的光为蓝色光，并且包含所述第一颜色的光、所述第二颜色的光和所述第三颜色的光的混合光为白色光，并且
i)所述第二电极不含镁并且所述第三电极包含镁；或者ii)所述第二电极和所述第三电极都包含符合式1的镁：
式1
Con2(Mg)<Con3(Mg)
其中，在式1中：
Con2(Mg)为以百分比计的所述第二电极中的镁的体积与所述第二电极的体积的比，并且
Con3(Mg)为以百分比计的所述第三电极中的镁的体积与所述第三电极的体积的比。
2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二电极和所述第三电极都包含符合式2的银：
式2
Con2(Ag)>Con3(Ag)
其中，在式2中：
Con2(Ag)为以百分比计的所述第二电极中的银的体积与所述第二电极的体积的比，并且
Con3(Ag)为以百分比计的所述第三电极中的银的体积与所述第三电极的体积的比。
3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二电极和所述第三电极各自独立地进一步包含第一金属，并且所述第一金属包括选自银、铜、金、锌、铝和铟中的至少一种。
4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二电极和所述第三电极各自独立地进一步包含具有4.0eV或更小功函的第一材料，并且所述第一材料包括选自镱、锂、钠、钾、铷、铯、钙、锶、钡、镭、钪、钇、镧、铈、钌和钐中的至少一种。
5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二电极和所述第三电极各自独立地进一步包含第二材料作为电子注入材料，并且所述第二材料包括选自碱金属和碱土金属的氧化物、氟化物、喹啉化合物以及乙酰乙酸盐化合物中的至少一种。
6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二电极的厚度与所述第三电极的厚度不同。
7.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一颜色的光为红色光，所述第二颜色的光为绿色光，并且所述有机发光装置满足式3：
式3
D1≥D2>D3
其中，在式3中：
D1为所述第一子像素中的第一电极与第二电极之间的距离，
D2为所述第二子像素中的第一电极与第二电极之间的距离，
D3为所述第三子像素中的第一电极与第三电极之间的距离。
8.如权利要求1所述的有机发光装置，进一步包括：
在所述第二电极与所述第一和第二发射单元之间的第一电子注入层，所述第一电子注入层为所述第一子像素和所述第二子像素的次共用层；和
在所述第三子像素中的第三电极与第三发射单元之间的第二电子注入层，
其中所述第一电子注入层和所述第二电子注入层包含不同于彼此的材料。
9.如权利要求8所述的有机发光装置，其中所述第一电子注入层包含具有4.0eV或更小功函的第一材料，所述第一材料包括选自镱、锂、钠、钾、铷、铯、钙、锶、钡、镭、钪、钇、镧、铈、钌和钐中的至少一种，并且
所述第二电子注入层包含第二材料作为电子注入材料，所述第二材料包括选自碱金属和碱土金属的氧化物、氟化物、喹啉化合物以及乙酰乙酸盐化合物中的至少一种。
10.如权利要求1所述的有机发光装置，进一步包含在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的电子注入层。
11.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二电极的边缘部分和与所述第二子像素相邻的所述第三子像素中的所述第三电极的边缘部分电耦合在一起，并且所述第二电极的边缘部分和所述第三电极的边缘部分中的一个与所述第二电极的边缘部分和所述第三电极的边缘部分中的另一个交叠。
12.如权利要求11所述的有机发光装置，其中所述第三电极的边缘部分和所述第二电极的边缘部分中的至少一个延伸至在所述第三子像素的发射区和与所述第三子像素相邻的所述第二子像素的发射区之间的非发射区，
所述第三电极的边缘部分没有延伸至相邻的第二子像素的发射区，并且
所述第二电极的边缘部分没有延伸至相邻的第三子像素的发射区。
13.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二电极的边缘部分和与所述第二子像素相邻的所述第三子像素中的所述第三电极的边缘部分电耦合在一起而不彼此交叠。
14.如权利要求13所述的有机发光装置，其中所述第三电极的边缘部分和所述第二电极的边缘部分中的至少一个延伸至在所述第三子像素的发射区和与所述第三子像素相邻的所述第二子像素的发射区之间的非发射区，
所述第三电极的边缘部分没有延伸至相邻的第二子像素的发射区，并且
所述第二电极的边缘部分没有延伸至相邻的所述第三子像素的发射区。
15.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述基板包含：
与所述第一子像素的第一电极电耦合的第一晶体管；
与所述第二子像素的第一电极电耦合的第二晶体管；和
与所述第三子像素的第一电极电耦合的第三晶体管。
16.一种有机发光装置，包含：
基板上的第一子像素、第二子像素和第三子像素；
分别在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的多个第一电极；
第二电极，所述第二电极为所述第一子像素和所述第二子像素的次共用层并且面向所述第一子像素和所述第二子像素的第一电极；
在所述第三子像素中的第三电极，所述第三电极面向所述第三子像素的第一电极，其中所述第三电极没有延伸至第一子像素的发射区；和
有机层，所述有机层包含在所述第一子像素的第一电极和第二电极之间并且构造为发射第一颜色的光的第一发射单元，在所述第二子像素的第一电极和第二电极之间并且构造为发射第二颜色的光的第二发射单元，以及在所述第三子像素的第一电极和第三电极之间并且构造为发射第三颜色的光的第三发射单元，
其中所述第三颜色的光为蓝色光，并且包含所述第一颜色的光、所述第二颜色的光和所述第三颜色的光的混合光为白色光，并且
所述第二电极的边缘部分和与所述第二子像素相邻的所述第三子像素中的所述第三电极的边缘部分电耦合在一起，并且所述第二电极的边缘部分和所述第三电极的边缘部分中的一个与所述第二电极的边缘部分和所述第三电极的边缘部分中的另一个交叠。
17.如权利要求16所述的有机发光装置，其中所述第三电极的边缘部分和所述第二电极的边缘部分中的至少一个延伸至在所述第三子像素的发射区和与所述第三子像素相邻的所述第二子像素的发射区之间的非发射区，
所述第三电极的边缘部分没有延伸至相邻的第二子像素的发射区，并且
所述第二电极的边缘部分没有延伸至相邻的第三子像素的发射区。
18.如权利要求16所述的有机发光装置，其中所述第一颜色的光为红色光，所述第二颜色的光为绿色光，并且所述有机发光装置满足式3：
式3
D1≥D2>D3
其中，在式3中：
D1为所述第一子像素中的第一电极与第二电极之间的距离，
D2为所述第二子像素中的第一电极与第二电极之间的距离，
D3为所述第三子像素中的第一电极与第三电极之间的距离。
19.如权利要求16所述的有机发光装置，进一步包括：
在所述第二电极与所述第一和第二发射单元之间的第一电子注入层，所述第一电子注入层为所述第一子像素和所述第二子像素的次共用层；和
在所述第三子像素中的第三电极与第三发射单元之间的第二电子注入层，
其中所述第一电子注入层和所述第二电子注入层包含不同于彼此的材料。
20.如权利要求16所述的有机发光装置，其中所述基板包含：
与所述第一子像素的第一电极电耦合的第一晶体管；
与所述第二子像素的第一电极电耦合的第二晶体管；和
与所述第三子像素的第一电极电耦合的第三晶体管。
CN201410535169.7A 2013-10-11 2014-10-11 有机发光装置 Active CN104576958B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0121507 2013-10-11
KR1020130121507A KR102077142B1 (ko) 2013-10-11 2013-10-11 유기 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104576958A CN104576958A (zh) 2015-04-29
CN104576958B true CN104576958B (zh) 2018-02-27

Family

ID=52808910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410535169.7A Active CN104576958B (zh) 2013-10-11 2014-10-11 有机发光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9099416B2 (zh)
KR (1) KR102077142B1 (zh)
CN (1) CN104576958B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101997571B1 (ko) * 2012-10-08 2019-07-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR102136789B1 (ko) * 2014-06-17 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US9666658B2 (en) * 2015-01-05 2017-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
CN104617226B (zh) * 2015-02-28 2016-10-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置及显示补偿方法
CN105047687B (zh) 2015-07-03 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及显示装置
JP2017182892A (ja) 2016-03-28 2017-10-05 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、及び電子機器
KR102439873B1 (ko) * 2017-03-10 2022-09-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20200001655A (ko) * 2018-06-27 2020-01-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109004096A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 桂林电子科技大学 一种结构简单且高效率的蓝色荧光有机发光二极管
KR20210009479A (ko) * 2019-07-16 2021-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20210013458A (ko) * 2019-07-25 2021-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1523944A (zh) * 2003-01-28 2004-08-25 ������������ʽ���� 发光体及其制造方法和制造装置、电光装置以及电子仪器
CN1578568A (zh) * 2003-07-26 2005-02-09 三星Sdi株式会社 高效率的有机发光装置及其制造方法
CN1585582A (zh) * 2003-08-19 2005-02-23 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置及其制造方法以及电子机器
CN103123926A (zh) * 2012-10-22 2013-05-29 友达光电股份有限公司 电激发光显示面板的像素结构

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030021580A (ko) 2001-09-06 2003-03-15 씨엘디 주식회사 유기 전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR100721571B1 (ko) 2005-03-07 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법
KR20070087773A (ko) 2005-11-16 2007-08-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
US7737464B2 (en) * 2006-11-10 2010-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Organic light emitting apparatus
JP2010010041A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR20100081772A (ko) * 2009-01-07 2010-07-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101127767B1 (ko) 2009-12-09 2012-03-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
KR20120119099A (ko) 2011-04-20 2012-10-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101846410B1 (ko) 2011-07-29 2018-04-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6000703B2 (ja) 2011-08-12 2016-10-05 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子、及びこれを用いた発光装置、画像形成装置、発光素子アレイ、撮像装置、表示装置
US9793444B2 (en) * 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1523944A (zh) * 2003-01-28 2004-08-25 ������������ʽ���� 发光体及其制造方法和制造装置、电光装置以及电子仪器
CN1578568A (zh) * 2003-07-26 2005-02-09 三星Sdi株式会社 高效率的有机发光装置及其制造方法
CN1585582A (zh) * 2003-08-19 2005-02-23 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置及其制造方法以及电子机器
CN103123926A (zh) * 2012-10-22 2013-05-29 友达光电股份有限公司 电激发光显示面板的像素结构

Also Published As

Publication number Publication date
US9099416B2 (en) 2015-08-04
KR20150042626A (ko) 2015-04-21
CN104576958A (zh) 2015-04-29
US20150102305A1 (en) 2015-04-16
KR102077142B1 (ko) 2020-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104576958B (zh) 有机发光装置
CN105390619B (zh) 有机发光装置及其制造方法
CN104752625B (zh) 有机电致发光装置和有机电致发光显示装置
CN105576136B (zh) 有机发光器件及其制造方法
CN104681580B (zh) 有机发光显示器及其制造方法
CN102097455B (zh) 有机发光二极管装置
CN104752486B (zh) 有机发光显示装置
CN108493230A (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板
CN107634147A (zh) 显示面板及其制造方法以及具有该显示面板的显示设备
CN102956666A (zh) 有机电致发光显示设备
CN104752480B (zh) 有机发光显示装置
CN1717137A (zh) 照明装置
CN105609648A (zh) 有机发光二极管和有机发光二极管显示器
CN105006525A (zh) 白色有机发光装置
CN105185815A (zh) Oled显示装置及电子设备
WO2015090010A1 (zh) 有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置
CN103094486B (zh) 发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置
CN106486516A (zh) 有机发光装置
CN108134012A (zh) 有机发光二极管、有机发光显示面板及显示装置
JP2010092741A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN101079471B (zh) 一种有机电致发光器件
CN105390616A (zh) 有机发光元件及包括该有机发光元件的有机发光显示装置
CN103681739B (zh) 有机发光显示装置
CN107195793A (zh) 一种白光有机电致发光器件和相应的显示面板
CN104810482A (zh) 一种发光部件及其制备方法和显示设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant