CN104576671A - 固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title abstract description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 48
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 32
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一实施方式，提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电变换元件、沟槽和第1导电型的半导体区域。光电变换元件具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成为多个，将入射光光电变换为电荷并储存。沟槽形成在相邻的光电变换元件间，从第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成。第1导电型的半导体区域以包围沟槽的外周面的方式设置，含有活性化的第1导电型的杂质。
Description
技术领域
本发明的实施方式涉及固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。
背景技术
以往，数字照相机或带有照相机功能的便携终端等的电子设备具备具有固体摄像装置的照相机模组。固体摄像装置具备对应于摄像图像的各像素而以矩阵状2维排列的多个光电变换元件。各光电变换元件将入射光向与受光量对应的量的电荷进行光电变换，作为表示各像素的亮度的信号电荷储存。
此外，在各光电变换元件之间，设有将光电变换元件彼此电气地元件分离的元件分离区域。该元件分离区域例如通过在形成有多个各光电变换元件的半导体层上形成将各光电变换元件以俯视矩形状包围的格状的沟槽(槽)、向沟槽的内部填入绝缘材料等而形成。
元件分离用的沟槽一般由RIE(Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀)形成。但是，有时在沟槽的表面上通过RIE而受到损伤、发生结晶缺陷，并发生不饱和键(dangling bond)。起因于不饱和键而产生的电子与向光电变换元件入射的光的有无不相关地发生，所以作为所谓的暗电流而从光电变换元件流出，在摄像图像中成为白点呈现，成为画质劣化的原因。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。
本发明的一实施方式的固体摄像装置的特征在于，具备：多个光电变换元件，具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在上述半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成，将入射光光电变换为电荷而储存；沟槽，形成在相邻的上述光电变换元件间，从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向而形成；以及第1导电型的半导体区域，包围上述沟槽的外周面而设置，含有活性化的第1导电型的杂质。
此外，别的实施方式的固体摄像装置的制造方法的特征在于，包括：通过在第1导电型的半导体层上将第2导电型的半导体区域以矩阵状2维排列而形成多个光电变换元件的工序；在相邻的上述光电变换元件间、从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成沟槽的工序；以及以包围上述沟槽的外周面的方式将含有活性化的第1导电型的杂质的第1导电型的半导体区域形成的工序。
根据上述结构的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法，能够抑制暗电流的发生。
附图说明
图1是表示具备有关实施方式的背面照射型固体摄像装置的数字照相机的概略结构的块图。
图2是表示有关实施方式的背面照射型固体摄像装置的概略结构的块图。
图3是表示有关实施方式的图像传感器的一部分的剖视的说明图。
图4是表示有关实施方式的固体摄像装置的制造工序的截面示意图。
图5是表示有关实施方式的固体摄像装置的制造工序的截面示意图。
图6是表示有关实施方式的固体摄像装置的制造工序的截面示意图。
图7是在表面照射型的图像传感器中采用了有关实施方式的光电变换元件元件分离区域的结构的情况下的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图对有关实施方式的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法详细地说明。另外，并不通过该实施方式限定本发明。
图1是表示具备有关实施方式的固体摄像装置14的数字照相机1的概略结构图的块图。如图1所示，数字照相机1具备照相机模组11和后段处理部12。
照相机模组11具备摄像光学系统13和固体摄像装置14。摄像光学系统13将来自被摄体的光取入，使被摄体像成像。固体摄像装置14对由摄像光学系统13成像的被摄体像进行摄像，将通过摄像得到的图像信号向后段处理部12输出。该照相机模组11除了数字照相机1以外，还被应用到例如带有照相机的便携终端等的电子设备中。
后段处理部12具备ISP(Image Signal Processor，图像信号处理器)15、存储部16和显示部17。ISP15进行从固体摄像装置14输入的图像信号的信号处理。该ISP15例如进行噪声除去处理、缺陷像素修正处理、分辨率变换处理等的高画质化处理。
并且，ISP15将信号处理后的图像信号向存储部16、显示部17及照相机模组11内的固体摄像装置14具备的后述的信号处理电路21(参照图2)输出。从ISP15向照相机模组11反馈的图像信号被用于固体摄像装置14的调整及控制。
存储部16将从ISP15输入的图像信号作为图像存储。此外，存储部16将存储的图像的图像信号根据用户的操作等而向显示部17输出。显示部17根据从ISP15或存储部16输入的图像信号来显示图像。该显示部17例如是液晶显示器等。
接着，参照图2对照相机模组1具备的固体摄像装置14进行说明。图2是表示有关实施方式的固体摄像装置14的概略结构的块图。如图2所示，固体摄像装置14具备图像传感器20和信号处理电路21。
这里，对图像传感器20是在将入射光光电变换的光电变换元件的与入射光入射的面相反的面侧形成配线层的所谓背面照射型CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器的情况进行说明。
另外，有关本实施方式的图像传感器20并不限定于背面照射型CMOS图像传感器，也可以是表面照射型CMOS图像传感器或CCD(ChargeCoupled Device，电荷耦合器件)图像传感器等的任意的图像传感器。
图像传感器20具备周边电路22和像素阵列23。此外，周边电路22具备垂直移位寄存器24、定时控制部25、CDS(相关双采样)26、ADC(模拟数字变换部)27、行存储器28。
像素阵列23设在图像传感器20的摄像区域中。在该像素阵列23中，与摄像图像的各像素对应的多个光电变换元件向水平方向(行方向)及垂直方向(列方向)以2维阵列状(矩阵状)配置。并且，像素阵列23的与各像素对应的各光电变换元件产生与入射光量对应的信号电荷(例如电子)并储存。
定时控制部25是对垂直移位寄存器24输出作为动作定时的基准的脉冲信号的处理部。垂直移位寄存器24是将选择信号向像素阵列23输出的处理部，上述选择信号用来从以阵列(矩阵)状2维排列的多个光电变换元件中以行为单位依次选择将信号电荷读出的光电变换元件。
像素阵列23将在通过从垂直移位寄存器24输入的选择信号而以行为单位选择的各光电变换元件中储存的信号电荷，作为表示各像素的亮度的像素信号从光电变换元件向CDS26输出。
CDS26是从自像素阵列23输入的像素信号中、通过相关双采样、将噪声除去而向ADC27输出的处理部。ADC27是将从CDS26输入的模拟的像素信号向数字的像素信号变换而向行存储器28输出的处理部。行存储器28是将从ADC27输入的像素信号暂时保持、按照像素阵列23中的光电变换元件的每一行而向信号处理电路21输出的处理部。
信号处理电路21是对从行存储器28输入的像素信号进行规定的信号处理并向后段处理部12输出的处理部。信号处理电路21对像素信号进行例如透镜阴影(lens shading)修正、缺陷修正、噪声降低处理等的信号处理。
这样，在图像传感器20中，配置在像素阵列23中的多个光电变换元件将入射光向与受光量对应的量的信号电荷进行光电变换并储存，周边电路22将储存在各光电变换元件中的信号电荷作为像素信号读出，从而进行摄像。
在该图像传感器20中，在像素阵列23中，在各光电变换元件之间设有用来将光电变换元件彼此电气地进行元件分离的元件分离区域。元件分离区域例如由通过RIE(Reactive Ion Etching)形成为格状的沟槽、和向沟槽的内部埋入的绝缘部件构成。
在沟槽的表面上，有受到因RIE带来的损伤而发生结晶缺陷、发生不饱和键的情况。起因于该不饱和键而发生的电荷(电子)有被存储到对入射光不进行受光的光电变换元件中的情况。
该电荷在通过周边电路22将像素信号读出时有成为暗电流而从像素阵列23流入到周边电路22中、在摄像图像中成为白点呈现的情况。
所以，在有关实施方式的固体摄像装置14中，以抑制暗电流的方式构成像素阵列23。接着，参照图3对能够进行暗电流的抑制的像素阵列23的截面构造进行说明。
图3是示意地表示有关实施方式的像素阵列23的截面的说明图。如图3所示，像素阵列23从光入射的一侧起，依次具备微透镜31、滤色器32、导波路33、第1导电型(P型)的半导体(这里是Si：硅)层34、绝缘层35、粘接层36、支承基板37。
微透镜31是将入射的光聚光的平凸透镜。滤色器32是使红、绿、蓝或白的某个颜色光有选择地透过的滤光器。导波路33是将透过了滤色器32的光向P型的Si层34侧导引的区域，例如由氮化Si形成。在导波路33的周围，设有例如由氧化Si形成的保护膜38。
P型的Si层34例如是使掺杂有硼(B)等的P型杂质的Si进行外延生长而形成的区域。另外，P型的Si层34也可以是向Si晶片将P型的杂质离子注入而形成的。
在P型的Si层34的内部的光电变换元件40的形成位置处，设有第2导电型(N型)的Si区域39。N型的Si区域39例如将磷(P)等的N型的杂质离子注入而形成。在像素阵列23中，通过P型的Si层34和N型的Si区域39的PN结形成的光电二极管为光电变换元件40。
另外，在绝缘层35的内部，设有从光电变换元件40将信号电荷读出的读出栅极44或多层配线45等。关于粘接层36、支承基板37在后面叙述。
此外，在各光电变换元件40之间设有元件分离区域43。元件分离区域43设置为，按照光电变换元件40将P型的Si层34分区。在元件分离区域43中设有俯视格状的沟槽6(参照图5)。
在沟槽6的外周面上，形成有含有活性化的杂质的第1导电型(P型)的Si区域50，以将沟槽6的外周面覆盖。这里，在本实施方式中将P型的杂质(硼)活性化，是指在P型的Si区域50内将硼热扩散的状态。
在形成有P型的Si区域50的沟槽6的内部，埋入有例如硅氧化物等的绝缘部件42。
此外，第1导电型(P型)的Si区域50与P型的Si层34相比使P型的杂质浓度变高。具体而言，P型的Si层34的硼的浓度是1.0×1014cm-3～1.0×1016cm-3，相对于此，P型的Si区域50的硼的浓度是1.0×1017cm-3～1.0×1019cm-3。
这样，通过使P型的Si区域50中含有的杂质浓度变高，能够生成许多通过后述的激光退火处理而活性化的杂质。由此，P型的Si区域50能够将在沟槽6的外周面上起因于不饱和键而产生的电子有效地捕捉。
此外，通过在P型的Si区域50中导入与P型的Si层34中含有的杂质相同导电性的杂质，能够实现制造工艺的简单化，并且能够实现制造工序的缩短。
这样，像素阵列23具备含有活性化的硼的P型的Si区域50，以将沟槽6的外周面覆盖，所以活性化的硼能够有效地捕捉在沟槽6的外周面上因不饱和键而产生的电子。因此，因不饱和键而产生的电子不会从沟槽6向作为光电二极管40的电荷储存区域的N型的Si区域39流入，所以能够抑制暗电流的发生。
因而，根据像素阵列23，在通过周边电路22将像素信号读出的情况下，从像素阵列23向周边电路22流入暗电流的很少，所以能够抑制在摄像图像中出现白色缺陷(日语：白傷)等的问题的发生。
接着，参照图4～图6对包括该图像阵列23的形成方法在内的固体摄像装置14的制造方法进行说明。另外，固体摄像装置14的像素阵列23以外的部分的制造方法与一般的CMOS图像传感器是同样的。因此，以下对固体摄像装置14的像素阵列23部分的制造方法进行说明。
图4～图6是表示有关实施方式的固体摄像装置14的制造工序的截面示意图。另外，在图4～图6中，有选择地表示图像阵列23中的图3所示的部分的制造工序。
如图4(a)所示，在制造像素阵列23的情况下，在Si晶片等的半导体基板4上形成P型的Si层34。此时，例如在半导体基板4上通过使掺杂有硼等的P型的杂质的Si层外延生长而形成P型的Si层34。另外，该P型的Si层34也可以通过向Si晶片的内部将P型的杂质离子注入并进行退火处理而形成。
接着，通过向P型的Si层34中的光电变换元件40的形成位置例如离子注入磷等的N型的杂质并进行退火处理，从而在P型的Si层34中将N型的Si区域39以矩阵状2维排列。由此，在像素阵列23中，通过P型的Si层34和N型的Si区域39之间的PN接合，形成作为光电二极管的光电变换元件40。
然后，如图4(b)所示，在P型的Si层34上，与读出栅极44及多层配线45等一起，形成绝缘层35。在该工序中，将在P型的Si层34的上面形成读出栅极44等后形成氧化Si层的工序、在氧化Si层上形成规定的配线图案的工序、和向配线图案内填入Cu等而形成多层配线45的工序重复进行。由此，形成在内部中设有读出栅极44及多层配线45等的绝缘层35。
接着，如图4(c)所示，在绝缘层35的上面涂敷粘接剂而设置粘接层36，在粘接层36的上面粘贴例如Si晶片等的支承基板37。然后，使图4(d)所示的构造体的上下反转后，例如通过研磨机(grinder)等的研磨装置将半导体基板4从背面侧(这里是上面侧)研磨，将半导体基板4薄化为规定的厚度。
并且，例如通过CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)将半导体基板4的背面侧进一步研磨，如图4(d)所示，使作为P型的Si层34的受光面的背面(这里是上面)露出。
然后，如图5(a)所示，在P型的Si层34中的元件分离区域43(参照图3)的形成位置、即各N型的Si区域39之间的P型的Si层34中，例如通过RIE形成元件分离用的沟槽6。
然后，如图5(b)所示，从沟槽6的内周面朝向P型的Si层34的内部，使用例如离子注入装置来注入硼等的P型的杂质8(这里为B：硼)。硼8的离子注入的处理条件例如是加速电压为5keV，剂量为1E15/cm2。具体而言，将向沟槽6的内周面的离子束60的照射分为沟槽6的内侧面及底面的部分而进行多次。
向沟槽6的内周面的离子束60的照射方法中，对于沟槽6的内侧面，从沟槽6的开口面向沟槽6的内侧面以倾斜方向照射离子束60。这里的倾斜方向，例如是相对于支承基板37的法线方向倾斜为规定角度的方向。此外，对于沟槽6的底面，从沟槽6的开口面向沟槽6的底面以铅垂向下的方式照射离子束60。
这样，通过将离子束60的照射分为多个照射区域来进行，能够向沟槽6的外周面均匀地注入硼8。
在本实施方式中，如图5(b)所示，硼8被向沟槽6的外周面注入，但也可以向从沟槽6的外周面进入到P型的Si层34的内部方向的位置注入硼8。在此情况下，注入的硼8通过后述的激光退火处理在P型的Si层34的宽度方向上热扩散，形成将沟槽6的外周面覆盖的P型的Si区域50。
这样，通过向从沟槽6的外周面进入到P型的Si层34的内部方向的位置注入硼8，硼8扩散的方向还加上朝向沟槽6的外周面的方向。因此，与向沟槽6的外周面注入硼8而使其向P型的Si层34的内部方向扩散的情况相比，硼8扩散的距离相对较短就足够。因而，能够缩短形成P型的Si区域50时的退火时间。
接着，如图5(c)所示，使用激光退火装置对被注入了硼8的沟槽6的内周面进行激光退火处理。该激光退火的处理条件例如是激光束的波长为200～1000nm，激光强度为0.3～3J/cm3，脉冲宽度为15～300ns。具体而言，将向沟槽6的内周面的激光束70的照射分为沟槽6的内侧面及底面的部分而进行多次。
向沟槽6的内周面的激光束70的照射方法中，对于沟槽6的内侧面，从沟槽6的开口面向沟槽6的内侧面以倾斜方向而照射激光束70。这里所谓倾斜方向，例如是相对于支承基板37的法线方向而倾斜了规定角度的方向。此外，关于沟槽6的底面，从沟槽6的开口面向沟槽6的底面以铅垂向下的方式照射激光束70。
这样，通过将激光束70的照射分为多个照射区域来进行，能够使注入到沟槽6的外周面中的硼8整体均匀地活性化，能够使将沟槽6的外周面覆盖的P型的Si区域50的厚度变均匀。
此外，在激光退火处理中，能够容易地控制注入到沟槽6的外周面中的硼8的扩散区域。进而，由于激光脉冲在很短的时间中从沟槽6的开口面入射，所以能够在将设有读出栅极44及多层配线45的绝缘层35保持为比较低温的状态下，将沟槽6的周面加热。即，在本实施方式中，能够不对读出栅极44及多层配线45带来因热造成的不良影响而进行退火处理。
受到激光束70的照射的硼8在P型的Si层34内向沟槽6的外面方向进行热扩散，如图5(c)所示，形成P型的Si区域50。该P型的Si区域50形成为，从沟槽6的外周面到P型的Si层34的界面的距离L为50～400nm以内。即，在本实施方式中，设定激光退火处理条件，以使硼8的扩散被收敛在距离L内。
这样，通过将含有活性化的硼8的P型的Si区域50形成为，使其不接触到N型的Si区域39的侧面，从而抑制了N型的Si区域39的受光区域的减少。
此外，P型的Si区域50也可以形成为，从沟槽6的外周面稍稍离开而将沟槽6的外周面覆盖。即，也可以在沟槽6的外周面与P型的Si区域50的界面之间存在P型的Si层34，因不饱和键而产生的电子以通过P型的Si区域50进行阻挡的形式被封入该P型的Si层34中。如果做成这样的结构，则因不饱和键产生的电子不会从沟槽6向N型的Si区域39流入，所以也能够抑制暗电流的发生。
另外，P型的Si区域50并不限定于如图5(c)所示那样形成为将沟槽6的外周面全部覆盖包围的情况，也可以形成多个独立的P型的Si区域，用该多个P型的Si区域将沟槽6的外周面包围。如果做成这样的结构，也同样能够抑制暗电流的发生。
接着，如图6(a)所示，使用例如CVD(Chemical Vapor Deposition)，向被P型的Si区域50覆盖了外周面的沟槽6的内部，填入硅氧化物等的绝缘部件42，形成元件分离区域43。由此，将光电变换元件40彼此电气地元件分离。
另外也可以是，在被P型的Si区域50覆盖了外周面的沟槽6的内周面上，使用CVD或溅镀等形成硅氧化物等的绝缘膜后，在被绝缘膜覆盖了内周面的沟槽6的内部，使用例如CVD来填入铝等的遮光部件。由此，将光电变换元件40彼此电气地及光学地元件分离。
接着，如图6(b)所示，在P型的Si层34的上面，例如通过使用CVD将氧化Si层叠而形成保护膜38，如图6(c)所示，将光电变换元件40上的保护膜38有选择地除去。
并且，如图6(c)所示，向保护膜38的被有选择地除去而形成的开口的内部，例如使用CVD来层叠氮化Si，从而形成导波路33。然后，通过在导波路33的上面依次形成滤色器32及微透镜31，形成图3所示的像素阵列23。
这样，在本实施方式中，在对沟槽6的外周面掺杂硼8后，通过激光退火处理使硼8扩散，将沟槽6的外周面覆盖而形成含有活性化的硼8的P型的Si区域50。
通过该形成，P型的Si区域50内的被活性化的硼能够在沟槽6的外周面将因不饱和键而产生的电子有效地捕捉。因此，因不饱和键而产生的电子不会从沟槽6向N型的Si区域39流入，所以能够抑制暗电流的发生。
因而，在本实施方式中制造出的固体摄像装置14中，当由周边电路22将像素信号读出时，从像素阵列23向周边电路22流入暗电流极少，所以能够抑制在摄像图像中出现白点等的问题的发生。
另外，在上述实施方式中，使用离子注入装置对沟槽6的外周面掺杂硼8，但也可以使用等离子体掺杂装置对沟槽6的外周面掺杂硼8。
此外，到此为止对有关实施方式的图像传感器20是背面照射型的图像传感器的情况进行了说明，但上述光电变换元件40及元件分离区域43的结构可以在表面照射型的图像传感器中采用。
图7是在表面照射型的图像传感器中采用了有关实施方式的光电变换元件40及元件分离区域43的结构的情况下的说明图。在图7中，示出了表面照射型的图像传感器中的像素阵列23a的示意性的截面的一部分。另外，对于图7所示的构成要素中的、与图3所示的构成要素具有同样的功能的构成要素，通过赋予与图3所示的标号相同的标号，省略其说明。
如图7所示，像素阵列23a除了在半导体基板4上设有P型的Si层34这一点、和设有读出栅极44及多层配线45的绝缘层35被配置在P型的Si层34的受光面(上面)侧这一点以外，是与图3所示的像素阵列23同样的结构。
这样，在表面照射型的图像传感器中采用有关实施方式的光电变换元件40及元件分离区域43的结构的情况下，光电变换元件40及元件分离区域43的形成方法及结构也与图3所示的像素阵列23是同样的。
因而，在图7所示的像素阵列23a中，也具备含有活性化的硼8的P型的Si区域50，所以在通过周边电路22将像素信号读出时，从像素阵列23向周边电路22流入暗电流极少，能够抑制在摄像图像中出现白点等的问题的发生。
另外，在上述实施方式中，使第1导电型为P型，使第2导电型为N型，但也可以使第1导电型为N型，使第2导电型为P型，覆盖或包围沟槽的外周面而形成N型的Si区域。
在此情况下，N型的Si层是例如使掺杂有磷(P)等的N型的杂质的Si进行外延生长而形成的。此外，含有活性化的N型杂质的N型的Si区域通过在沟槽的外周面上掺杂N型杂质例如磷(P)后利用激光退火处理使磷扩散而形成。
这样，在对沟槽的外周面掺杂磷后，通过激光退火处理使磷扩散，以将沟槽的外周面覆盖的方式形成含有活性化的磷的N型的Si区域，从而N型的Si区域内的活性化的磷能够在沟槽的外周面上将因不饱和键而产生的电荷有效地捕捉，抑制暗电流的发生。
说明了本发明的一些实施方式，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是要限定发明的范围。这些新的实施方式可以以其他各种各样的形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的技术范围及主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明和其等价的范围中。
标号说明
1数字照相机；11照相机模组；12后段处理部；13摄像光学系统；14固体摄像装置；15ISP；16存储部；17显示部；20图像传感器；21信号处理电路；22周边电路；23像素阵列；24垂直移位寄存器；25定时控制部；26CDS；27ADC；28行存储器；31微透镜；32滤色器；33导波路；34P型的Si层；35绝缘层；36粘接层；37支承基板；38保护膜；39N型的Si区域；4半导体基板；40光电变换元件；42绝缘部件；43元件分离区域；44读出栅极；45多层配线；50P型的Si区域；6沟槽；60离子束；70激光束；8杂质(B)。
Claims (5)
1.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：
多个光电变换元件，具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在上述半导体层上的第2导电型的半导体区域，将入射光光电变换为电荷而储存；
沟槽，形成在相邻的上述光电变换元件间，从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向而形成；以及
第1导电型的半导体区域，包围上述沟槽的外周面而设置，含有活性化的第1导电型的杂质。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述第1导电型的半导体区域内的杂质通过激光退火处理而进行活性化。
3.如权利要求1或2所述的固体摄像装置，其特征在于，
上述第1导电型的半导体区域的杂质浓度比上述第1导电型的半导体层高。
4.一种固体摄像装置的制造方法，其特征在于，包括：
通过在第1导电型的半导体层上将第2导电型的半导体区域以矩阵状2维排列而形成多个光电变换元件的工序；
在相邻的上述光电变换元件间、从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成沟槽的工序；以及
以包围上述沟槽的外周面的方式形成第1导电型的半导体区域的工序，该第1导电型的半导体区域含有活性化的第1导电型的杂质。
5.如权利要求4所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，
包括以将上述沟槽的外周面包围的方式注入第1导电型的杂质、并通过将该杂质利用激光退火处理进行活性化而形成上述第1导电型的半导体区域的工序。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013-224744 | 2013-10-29 | ||
| JP2013224744A JP2015088568A (ja) | 2013-10-29 | 2013-10-29 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104576671A true CN104576671A (zh) | 2015-04-29 |
Family
ID=52994437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410532164.9A Withdrawn CN104576671A (zh) | 2013-10-29 | 2014-10-10 | 固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150115388A1 (zh) |
| JP (1) | JP2015088568A (zh) |
| CN (1) | CN104576671A (zh) |
| TW (1) | TW201528489A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107564925A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-09 | 佳能株式会社 | 成像装置、成像系统和可移动物体 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102545170B1 (ko) | 2015-12-09 | 2023-06-19 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| US9986192B1 (en) * | 2016-11-28 | 2018-05-29 | Omnivision Technologies, Inc. | Through-semiconductor and through-dielectric isolation structure |
| JP2018181911A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光半導体装置 |
| JP2018181910A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
| JP2019165066A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
| KR102599049B1 (ko) | 2018-11-06 | 2023-11-06 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| KR102663165B1 (ko) * | 2019-01-07 | 2024-05-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR20200108133A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미징 장치 |
| JP2020167249A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサチップおよび測距装置 |
| US11869761B2 (en) * | 2020-04-24 | 2024-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Back-side deep trench isolation structure for image sensor |
| JP2020188267A (ja) * | 2020-07-14 | 2020-11-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
-
2013
- 2013-10-29 JP JP2013224744A patent/JP2015088568A/ja active Pending
-
2014
- 2014-09-22 TW TW103132616A patent/TW201528489A/zh unknown
- 2014-10-10 CN CN201410532164.9A patent/CN104576671A/zh not_active Withdrawn
- 2014-10-24 US US14/523,721 patent/US20150115388A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107564925A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-09 | 佳能株式会社 | 成像装置、成像系统和可移动物体 |
| CN107564925B (zh) * | 2016-07-01 | 2022-01-28 | 佳能株式会社 | 成像装置、成像系统和可移动物体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150115388A1 (en) | 2015-04-30 |
| TW201528489A (zh) | 2015-07-16 |
| JP2015088568A (ja) | 2015-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C04 | Withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20150429 |