CN104576629A - 发光二极管装置及其发光二极管灯具 - Google Patents

发光二极管装置及其发光二极管灯具 Download PDF

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Abstract

本发明揭露一种发光二极管装置及其发光二极管灯具。发光二极管装置包含透明基板、第一反射层、发光二极管芯片、正电极、负电极以及波长转换层。发光二极管芯片设置于透明基板的一表面上，第一反射层设置于发光二极管芯片以及透明基板之间。正电极以及负电极设置于透明基板的一端部，并与发光二极管芯片电性连接。波长转换层覆盖第一反射层与发光二极管芯片。

Description

发光二极管装置及其发光二极管灯具
技术领域
本发明是有关于一种发光装置，更特别为一种发光二极管装置及其发光二极管灯具。
背景技术
目前，发光二极管(Light Emitting Diode,LED)灯泡因具低耗节能的优点，所以已逐渐取代传统钨丝发热灯泡而被广泛使用。然，已知的LED灯泡通常其LED发光单元皆朝向前端布置为主，使得光源都集中投射于前端的同一方向，集中照射的效果虽不错，但却使灯泡四周光线亮度不均，整体照明效果较差。
为了增加LED灯泡四周的亮度，遂发展出一种具有高发光角度的LED灯条插设入LED散热座上的插槽中，使LED灯条竖立在LED灯泡的散热座上，借以增加四周的光线亮度。然而，此种LED灯条需在LED基板的正反面、与四周侧面涂布荧光胶层，使LED灯条的正反面、侧面都能发出白光，因此耗费许多的荧光胶而有成本过高的问题。
发明内容
本发明的一目的就是在提供一种发光二极管装置及其发光二极管灯具，以解决现有技术的问题。
根据本发明的一实施例，是提供一种发光二极管装置，包含透明基板、第一反射层、第二反射层、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片、正电极与负电极以及波长转换层。透明基板包含相对的第一表面与第二表面，第一表面分布有第一反射区、第二反射区以及位于第一反射区和第二反射区以外区域的透明区。第一反射层设置于第一反射区，第二反射层设置于第二反射区。第一发光二极管芯片设置于第一反射层上，第二发光二极管芯片设置于第二反射层上，第一发光二极管芯片在透明基板上的正投影位于第一反射区内且小于第一反射区，第二发光二极管芯片在透明基板上的正投影是位于第二反射区内且小于第二反射区，且第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片彼此电性连接。正电极与负电极位于透明基板的一端，且正电极电性连接至第一发光二极管芯片，负电极电性连接至第二发光二极管芯片。波长转换层至少覆盖第一反射层、第二反射层、第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片。其中，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发出的部分光线通过第一反射层和第二反射层反射至波长转换层。
根据本发明的另一实施例，提出一种发光二极管装置，其包含一透明基板、N个第一反射层、N个第二反射层、N个第一发光二极管、N个第二发光二极管、一正电极与一负电极以及一波长转换层，其中N为大于1的自然数。透明基板包含相对的第一表面与第二表面，第一表面包含由N个第一反射区依序排列而成的第一列、由N个第二反射区依序排列而成的第二列以及位于第一列和第二列以外区域的透明区。N个第一反射层和N个第二反射层，N个第一反射层分别设置于N个第一反射区，N个第二反射层分别设置于N个第二反射区。N个第一发光二极管芯片分别对应设置于每一个第一反射层上，各第一发光二极管芯片彼此电性连接，且每一第一发光二极管芯片在透明基板上的正投影是位于其所在的第一反射区内且小于第一反射区。N个第二发光二极管芯片分别对应设置于每一个第二反射层上，各发光二极管芯片彼此电性连接，且每一第二发光二极管芯片在透明基板上的正投影是位于其所在的第二反射区内且小于第二反射区。正电极与负电极位于透明基板的一端且正电极电性连接至第一列中的第一个第一发光二极管芯片，负电极电性连接至第二列中的第一个发光二极管芯片，且第一列中的第N个第一发光二极管芯片与第二列中的第N个第二发光二极管芯片彼此电性连接。波长转换层至少覆盖各第一、第二反射层与各第一、第二发光二极管芯片。其中，各第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发出的部分光线分别通过第一反射层和第二反射层反射至波长转换层。
根据本发明的再一实施例，提出一种发光二极管装置，其包含透明基板、N个第一反射层、N个第二反射层、N个发光二极管芯片、正电极与负电极以及波长转换层，其中N为大于1的自然数。透明基板包含相对的第一表面与第二表面，第一表面包含由分布有N个第一反射区依序排列而成的第一列、由N个第二反射区依序排列而成的第二列、及位于第一列和第二列以外区域的透明区。N个第一反射层分别设置于各个第一反射区，N个第二反射层分别设置于各个第二反射区，且各第一反射层彼此电性连接，各第二反射层彼此电性连接，且第i个第一反射层与第i个第二反射层位置对齐，其中i为自然数且1≦i≦N。第i个发光二极管芯片以覆晶方式跨接于第i个第一反射层与第i个第二反射层上。正电极与负电极位于透明基板的一端且正电极电性连接至与第一列中的第一个第一反射层，负电极电性连接至第二列中的第一个第二反射层。波长转换层至少覆盖各第一反射层、各第二反射层以及各发光二极管芯片。其中，各发光二极管芯片发出的光线部分通过第一反射层和第二反射层反射至波长转换层。
根据本发明的再一实施例，提出一种发光二极管灯具，其包含灯座以及上述的发光二极管装置。灯座包含电源驱动件。发光二极管装置通过正、负电极的一端插设于灯座上，并且电性连接至电源驱动件。
根据本发明的一实施例，上述的第一反射层与第二反射层彼此隔离。
根据本发明的一实施例，上述的第一反射层与该第二反射层的材质为金属。
根据本发明的一实施例，其中第一发光二极管芯片为第一高压发光二极管芯片，第二发光二极管芯片为第二高压发光二极管芯片。
根据本发明的一实施例，其中第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片侧面所发出的光线与其所对应的第一反射层和第二反射层相夹的最小角度介于17度到50度之间。
根据本发明的再一实施例，上述的灯座具有插槽，且插槽内具有正极接点与负极接点。发光二极管装置包含有正、负电极的一端插设于插槽内，且正电极与负电极分别与正极接点与负极接点电性连接。
根据本发明的再一实施例，发光二极管灯具还包括灯罩，套接于灯座上，使得发光二极管装置被包覆于灯罩与灯座之间。
综上所述，本发明的发光二极管装置以及发光二极管灯具，通过将其反射层设置于发光二极管芯片以及透明基板之间，使得发光二极管芯片发出的光线直接进入波长转换层，或通过反射层反射进入波长转换层，以避免光线会经由透明基板的第二表面或侧面漏光。且，波长转换层将发光二极管的光线转换成不同波长的光线，的后混合出一预定色光，该预定色光就可经由透明基板的透明区出光，达到双面出光的效果。
附图说明
为让本发明及其优点更明显易懂，所附附图的说明参考如下：
图1A是绘示本发明的第一实施例的发光二极管装置的上视图；
图1B是绘示图1A沿着D_D`的剖面图；
图1C是绘示图1A中的发光二极管芯片的局部放大图；
图2是绘示本发明的第二实施例的发光二极管装置的上视图；
图3A是绘示本发明的第三实施例的发光二极管装置的上视图；
图3B是绘示图3A沿着E_E`的剖面图；
图3C是绘示图3B中的发光二极管芯片的局部放大图；
图4是绘示本发明的发光二极管灯具的爆炸图；
图5是绘示图4的发光二极管灯具的组装立体图；
图6是绘示图5的发光二极管灯具的侧视图。
具体实施方式
以下将以附图揭露本发明的多个实施例，为明确说明起见，许多实述上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明的部分实施例中，这些实务上的细节是非必要的。
下述实施例是提供一种发光二极管装置以及应用此发光二极管装置的发光二极管灯具，其中发光二极管装置只需将波长转换层设置在具有发光二极管的一面，而不需要在发光二极管装置的双面皆设置波长转换层，即可达到防止蓝光漏光的效果。
请参考图1A与图1B，图1A是绘示本发明的第一实施例的发光二极管装置。图1B是绘示图1A沿着D_D`的剖面图。如图所示，发光二极管装置10包含透明基板100、N个第一反射层120、N个第二反射层160、N个第一发光二极管芯片141、N个第二发光二极管芯片142、正电极131、负电极132以及波长转换层150，其中，N为大于1的自然数。
透明基板100包含相对的第一表面101与第二表面102，其中第一表面101分布有N个第一反射区111、N个第二反射区113与透明区121。且，N个第一反射区111依序排列成第一列A，N个第二反射区113依序排列成第二列B，而透明区121则是位于第一、第二列A、B以外的区域。
在本实施例中，各个第一反射区111可为矩形的区域，且各矩形区域间相互连接，各个第二反射区113同样可为矩形区域，且各矩形区域间相互连接，但不以此为限。在其他实施例中，各个第一反射区111可彼此分离，各个第二反射区113可彼此分离。需注意的是，本实施例的第一反射区111与第二反射区113彼此并不相连。
在一实施例中，透明基板100的材质为可透光的玻璃、陶瓷、塑胶、树脂、硅胶材料。在一实施例中，在透明基板上设有一可透光的图案化导电线路（图中未示）位于透明基板100的第一表面101上。
N个第一反射层120分别一对一设置于N个第一反射区111上，N个第二反射层160分别一对一设置于N个第二反射区113上，且由于N个第一反射区111与N个第二反射区113彼此互不相连，所以N个第一反射层120与N个第二反射层160彼此电性隔离。在本实施例中，N个第一反射层120与N个第二反射层160的材质可为高反射率且具导电性的金属，但不以此为限。在本发明的其他实施例中，N个第一反射层120与N个第二反射层160可为具有反射率的但不具导电性的材质。
N个第一发光二极管芯片141分别对应设置于每一个第一反射层120上，且各个第一发光二极管芯片141彼此电性连接。每一个第一发光二极管芯片141在透明基板100上的正投影是位于其所在的第一反射区111内且小于第一反射区111。
同理，N个第二发光二极管芯片142分别对应设置于第二反射层160上，且各个第二发光二极管芯片142彼此电性连接，且每一个第二发光二极管芯片142在透明基板100上的正投影是位于其所在第二反射区113内且小于第二反射区113。
接着，请参考图1C，其为图1B的发光二极管芯片的局部放大图。如图所示，本实施例的各个第一发光二极管芯片141可通过粘贴的方式直接设置在第一反射层120上。同理，各个第二发光二极管芯片142(绘示于图1A)也可通过粘贴的方式直接设置在第二反射层160上，但不以此为限。
在第一、第二发光二极管芯片141、142设置于第一、第二反射层120、160后，需覆盖波长转换层150在第一、第二反射层120、160以及第一、第二发光二极管芯片141、142上。波长转换层150的作用在于转换第一、第二发光二极管芯片141、142所发出的光。
举例而言，若本实施例的第一、第二发光二极管芯片141、142为蓝光发光二极管芯片，则波长转换层150内含有黄色荧光粉151。如此一来，黄色荧光粉151可将蓝光发光二极管芯片发出的部分蓝光转换成黄光。接着，再将被转换的黄光与剩余的蓝光混合，即可混合出白色光线。
请继续参考图1C。如图所示，本实施例的发光二极管装置10在实际制造时，因为第一发光二极管芯片141本身具有高度，所以可能会出现波长转换层150无法百分的百的将第一发光二极管芯片141的边缘以及透明基板100包覆住的情形。亦即，第一发光二极管芯片141的边缘与透明基板100之间可具有空隙S存在。因此，本实施例的第一反射层120的面积需略大于第一发光二极管芯片141的面积，以避免第一发光二极管芯片141侧面所发出来的光线，未经由波长转换层150转换，即传导至透明基板100的第二表面102。需说明的是，图1C虽只绘示第一发光二极管芯片141，但第二发光二极管芯片142与透明基板100之间也可具有空隙S存在。
换言之，本实施例需通过设置面积略大于第一、第二发光二极管芯片141、142的第一反射层120与第二反射层160，使得可能经由空隙S直接传导至透明基板100的光线，可通过第一、第二反射层120、160反射回波长转换层150中。
请参考图1C，为了更清楚说明第一反射层120、160与第一发光二极管芯片141之间的关系，若第一发光二极管芯片141的侧面中间所发出的光线L1与水平方向的夹角为角度θ1，则本实施例的角度θ1约为38度。换言之，图1C中的第一发光二极管芯片141发出的光线L1与第一反射层120相夹的最小角度θ2也应约为38度，但不以此为限。在本发明的其他实施中，角度θ1可介于17度到50度之间，角度θ2同样可介于17度到50度之间。需注意的是，此处的光线L1是指尚未经由波长转换层150转换，且直接由第一发光二极管芯片141的侧面中间部分发射入空隙S的光线。此外，第二发光二极管芯片142以及第二反射层160之间的关系与第一发光二极管芯片141以及第一反射层120类似，在此便不赘述。
接着，请同时参考图1B与图1C，如图所示，第一发光二极管芯片141的侧面实质上可为面光源，因此除了光线L1外，还可发出多条不同路径的光线，例如光线L2以及L3。其中，光线L1会通过第一反射层120反射回波长转换层150中并且被转换。光线L2往透明基板100的反方向前进，因而直接进入波长转换层150中而被转换。光线L3与水平方向的夹角则小于光线L1，因此也会直接进入波长转换层150中而被转换。
由此可知，本实施例的发光二极管装置10可双面出光，且所有经由透明区121到达透明基板100的第二表面102上的光线，皆已经由波长转换层150转换，的后混合成为白光，使发光二极管装置10可防止蓝光漏光。且，本实施例通过第一、第二反射层120、160的设置，使得发光二极管装置10只要在其透明基板100的第一表面101设置波长转换层150，而不需要同时在第一表面101与第二表面102上皆设置波长转换层150，相较于已知技术可节省波长转换层150的制造成本。
接着，请继续参考图1A与图1B。发光二极管装置10还包含正电极131、负电极132以及电连接线138、139(绘示于图1B)，正电极131与负电极132设置于透明基板100的一端部，其中正电极131透过电连接线138电性连接第一列A中的第一个第一发光二极管芯片141、负电极132透过电连接线138电性连接第二列B中的第一个第二发光二极管芯片142。电连接线139则连接各个第一、第二发光二极管芯片141、142的正负极，以将各个第一、第二发光二极管芯片141、142以及第一列A中的第N个第一发光二极管芯片141与第二列B中的第N个第二发光二极管芯片142串连在一起。本实施例的正电极131与负电极132的材质可与第一、第二反射层120、160相同且在同一道制程形成于透明基板100上，电连接线138、139则可利用打线的方式连接各个第一、第二发光二极管芯片141、142。
需说明的是，本实施例中的第一个第一发光二极管芯片141指的是最靠近正电极131的第一发光二极管芯片141，第N个第一发光二极管芯片141指的是最远离正电极131的第一发光二极管芯片141。第一个第二发光二极管芯片142指的是最靠近负电极132的第二发光二极管芯片142，第N个第二发光二极管芯片142指的是最远离负电极132的第二发光二极管芯片142。
在产品实际应用时，第一与第二发光二极管芯片141、142的数量总共为30个(如图1A所示)，其属于低功率的第一、第二发光二极管芯片141、142，其驱动电压约为3伏特。正电极131与负电极132之间的电压可为110伏特，以驱动本实施例中30个低功率的第一、第二发光二极管芯片141、142发光。
值得一提的是，在部分实施例中，透明基板100还可设置其他种类的第一、第二发光二极管芯片141、142于第一、第二反射层120、160上。举例而言，在部分实施例中，透明基板100上最靠近正电极131与负电极132的矩形的第一、第二反射区111、113面积可大于其他位置的第一、第二反射区111、113。如此一来，在第一、第二反射区111、113的位置设置第一、第二反射层120、160后，可改设置较高压的发光的第一、第二发光二极管芯片141、142于第一、第二反射层120、160上。
接着，请参考图2，其是绘示本发明的第二实施例的发光二极管装置。如图所示，第二实施例与第一实施例最大的不同在于，本实施例的发光二极管装置20是专门应用于高功率的第一、第二发光二极管芯片241、242，以下主要将介绍第二实施例与第一实施例结构上的差异，结构相同或相似的部分则用与第一实施例相同的标号表示。
如图2所示，发光二极管装置20的透明基板200由于只需设置两个高压发光的高功率发光二极管芯片241、242，因此第二实施例的透明基板200的大小可小于第一实施例的透明基板100。举例而言，本实施例的透明基板200的长度可约为第一实施例的透明基板100的长度的一半。
此外，第一实施例设置有N个第一反射区111、N个第二反射区113、N个第一反射层120以及N个第二反射层160。本实施例只分别具有一个第一、第二反射区111、113，一个第一、第二反射层120、160。在部分实施例中，高压的第一、第二发光二极管芯片241、242的面积较大，因此第一、第二反射区111、113以及第一、第二反射层120、160的面积可大于第一实施例的第一、第二反射区111、113以及第一、第二反射层120、160的面积，但不以此为限。
在产品实际应用时，高压的第一、第二发光二极管芯片241、242的驱动电压可约为46伏特，且高压的第一、第二发光二极管芯片241、242相互串连。以正电极131与负电极132之间的电压为110伏特为例，正好可以驱动高压的第一、第二发光二极管芯片241、242。
本实施例由于透明基板200的面积小于第一实施例的透明基板100，且本实施例只需设置两个高功率的第一、第二发光二极管芯片241、242，因此本实施例所需涂布的波长转换层250的面积也小于第一实施例。更详细而言，本实施例的波长转换层250可以只覆盖住第一、第二反射层120、160以及第一、第二发光二极管241、242，而不需要覆盖整个透明基板200。
如此一来，本实施例相较于第一实施例可更降低透明基板200、波长转换层250以及第一、第二反射层120、160的制造成本。此外，本实施例由于具有第一、第二反射层120、160的设计，因此本实施例的发光二极管装置20也可有效地防止蓝光漏光的现象。
接着，请参考图3A、图3B与图3C，图3A是绘示本发明的第三实施例的发光二极管装置、图3B是绘示本发明图3A沿着E_E`剖面线、图3C是绘示图3A中的发光二极管芯片的局部放大图。以下主要将介绍第三实施例与第一实施例结构上的差异，结构相同或相似的部分则用与第一实施例相同的标号表示。
如图所示，第三实施例与第一实施例最大的不同在于，第三实施例的发光二极管装置30的发光二极管芯片340是以覆晶的方式封装于透明基板100上，因此本实施例并不具有第一实施例中的电连接线139。详言的，本实施例的第i个第一反射层120与第i个第二反射层160的位置需对齐，其中i为自然数且1≦i≦N，使得第i个发光二极管340可利用覆晶的方式跨接于第i个第一反射层120与第i个第二反射层160上。此外，本实施例的各个第一反射层120之间具有第一电连接层331，各个第二反射层160之间具有第二电连接层332，使得各个第一反射层120彼此电性连接，各个第二反射层160彼此电性连接。且，N个第一反射层120中的第一个第一反射层120也可通过第一电连接层331与正电极131电性相连，N个第二反射层160中第一个第二反射层160也可通过第二电连接层332与负电极132电性相连。因此，各发光二极管芯片340可通过第一、第二反射层120、160彼此串连，且各发光二极管340可受正电极131与负电极132的电压驱动而发光。
值得一提的是，在图3C中，由于发光二极管芯片340以覆晶的方式设置在第一反射层120与第二反射层160上，所以发光二极管芯片340的中间所发出的光线L1与水平方向的夹角为角度θ1应略大于38度。亦即，图3C中的发光二极管芯片340发出的光线L1与第一反射层120相夹的最小角度θ2也应略大于38度，但不以此为限。在本发明的其他实施中，角度θ1可介于17度到50度之间，角度θ2同样可介于17度到50度之间。
综上所述，本发明的第一至第三实施例的发光二极管装置，可通过其第一、第二反射层的设置，使得所有经由发光二极管芯片发出的光线会经由第一反射层与第二反射层反射进入波长转换层，避免光线经由透明基板第二表面或侧面射出而产生蓝光漏光的问题。
接着，请一并参考图4至图6，图4是绘示本发明的发光二极管灯具的爆炸图，图5是绘示图4的组装立体图，图6是绘示图5的侧视图。如图所示，发光二极管灯具99可包含灯座510以及上述第一实施例至第三实施例中任一实施例的发光二极管装置10、20或30。为了叙述方便，将以第一实施例的发光二极管装置10为例说明。
如图所示，本实施例具有一个发光二极管装置10，其透明基板100具有正电极131与负电极132的一端可插设入灯座510的插槽520中。正电极131与负电极132可与插槽520内对应的正极接点521与负极接点522电性连接。
灯座510内可还包含电源驱动件530，且电源驱动件530可透过插槽520与正电极131以及负电极132电性连接，用以将交流电源转换成所需电流源，以供给第一发光二极管芯片141与第二发光二极管芯片142(绘示于图1A)发光的用。
在本实施例中，发光二极管灯具99可还包含灯罩540套皆于灯座510上，且灯罩540罩设住发光二极管装置10，以防止发光二极管装置10受到碰撞而损坏，且使得光线均匀出光。
接着请参考图6，如图所示。本实施例的发光二极管灯具99通过第一、第二反射层120、160(绘示于图1A)的设置，使得本实施例的发光二极管灯具99内的发光二极管装置10只需在一侧设置有波长转换层150，即可达双面出光效果且又可防止蓝光漏光的现象。
综上所述，本发明的上述实施例的发光二极管装置以及发光二极管灯具，通过在发光二极管芯片以及透明基板之间设置反射层，使得发光二极管芯片发出的光线直接进入波长转换层，或通过反射层反射进入波长转换层。因此，本发明的发光二极管装置以及发光二极管灯具可具有防止未被波长转换层转换的光线从透明基板的第二表面或侧边射出的问题。此外，上述实施例的波长转换层只需设置在透明基板具有发光二极管的表面，而不需在透明基板的双面设置波长转换层，因此可降低发光二极管装置及其灯具的制造成本。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (16)

1.一种发光二极管装置，其特征在于，包含：
一透明基板，该透明基板包含相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面分布有一第一反射区、一第二反射区、及一位于该第一反射区和该第二反射区以外区域的透明区；
一第一反射层与一第二反射层，该第一反射层设置于该第一反射区，该第二反射层设置于该第二反射区；
一第一发光二极管芯片与一第二发光二极管芯片，该第一发光二极管芯片设置于该第一反射层上，该第二发光二极管芯片设置于该第二反射层上，该第一发光二极管芯片在该透明基板上的正投影是位于该第一反射区内且小于该第一反射区，该第二发光二极管芯片在该透明基板上的正投影是位于该第二反射区内且小于该第二反射区，且该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片彼此电性连接；
一正电极与一负电极，位于该透明基板的一端，且该正电极电性连接至该第一发光二极管芯片，该负电极电性连接至该第二发光二极管芯片；以及
一波长转换层，至少覆盖该第一反射层、该第二反射层、该第一发光二极管芯片与该第二发光二极管芯片；
其中，该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片发出的部分光线分别通过该第一反射层和第二反射层反射至该波长转换层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一反射层与该第二反射层彼此隔离。
3.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一反射层与该第二反射层的材质为金属。
4.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一发光二极管芯片为一第一高压发光二极管芯片，该第二发光二极管芯片为一第二高压发光二极管芯片。
5.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片侧面所发出的光线与其所对应的该第一反射层和该第二反射层相夹的最小角度介于17度到50度之间。
6.一种发光二极管装置，其特征在于，包含：
一透明基板，该透明基板包含相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面包括一由N个第一反射区依序排列而成的第一列、一由N个第二反射区依序排列而成的第二列、及一位于该第一列和该第二列以外区域的透明区；
N个第一反射层，设置于所述第一反射区；
N个第二反射层，设置于所述第二反射区；
N个第一发光二极管芯片，分别对应设置于每一所述第一反射层上，所述第一发光二极管芯片彼此电性连接，且每一所述第一发光二极管芯片在该透明基板上的正投影是位于其所在的该第一反射区内且小于该第一反射区；
N个第二发光二极管芯片，分别对应设置于每一所述第二反射层上，所述第二发光二极管芯片彼此电性连接，且每一所述第二发光二极管芯片在该透明基板上的正投影是位于其所在的该第二反射区内且小于该第二反射区；
一正电极与一负电极，位于该透明基板的一端，且该正电极电性连接至该第一列中的第一个第一发光二极管芯片，该负电极电性连接至该第二列中的第一个第二发光二极管芯片，且该第一列中的第N个第一发光二极管芯片与该第二列中的第N个第二发光二极管芯片彼此电性连接；以及
一波长转换层，至少覆盖所述第一反射层、所述第二反射层、所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片；
其中，所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片发出的部分光线分别通过所述第一反射层和所述第二反射层反射至该波长转换层；
其中，N为大于1的自然数。
7.根据权利要求6所述的发光二极管装置，其特征在于，所述第一反射层与所述第二反射层彼此隔离。
8.根据权利要求7所述的发光二极管装置，其特征在于，所述第一反射层与所述第二反射层的材质为金属。
9.根据权利要求6所述的发光二极管装置，其特征在于，每一所述第一发光二极管芯片和每一所述第二发光二极管芯片侧面所发出的光线与所对应的每一所述第一反射层和每一所述第二反射层相夹的最小角度介于17度到50度之间。
10.一种发光二极管装置，其特征在于，包含：
一透明基板，该透明基板包含相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面包括一由分布有N个第一反射区依序排列而成的第一列、一由N个第二反射区依序排列而成的第二列，及一位于该第一列和该第二列以外区域的透明区；
N个第一反射层与N个第二反射层，所述第一反射层设置于所述第一反射区，所述第二反射层设置于所述第二反射区，各该第一反射层彼此电性连接，各该第二反射层彼此电性连接，且第i个第一反射层与第i个第二反射层位置对齐；
N个发光二极管芯片，第i个发光二极管芯片以覆晶方式跨接于第i个第一反射层与第i个第二反射层上；
一正电极与一负电极，位于该透明基板的一端，且该正电极电性连接至与该第一列中的第一个第一反射层，该负电极电性连接至该第二列中的第一个第二反射层；以及
一波长转换层，至少覆盖所述第一反射层、所述第二反射层与所述发光二极管芯片；
其中，所述发光二极管芯片发出的光线部分别通过所述第一反射层和所述第二反射层反射至该波长转换层；
其中，N为大于1的自然数，i为自然数且1≦i≦N。
11.根据权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，所述第一反射层与所述第二反射层彼此隔离。
12.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其特征在于，所述第一反射层与所述第二反射层的材质为金属。
13.根据权利要求10所述的发光二极管装置，其特征在于，每一所述发光二极管芯片侧面所发出的光线与所对应的每一所述第一反射层和每一所述第二反射层相夹的最小角度介于17度到50度之间。
14.一种发光二极管灯具，其特征在于，包含：
一灯座，包含一电源驱动件；以及
一如权利要求1至13中任一项权利要求所述的发光二极管装置，通过包含有该正电极和该负电极的一端插设于该灯座上，并且电性连接至该电源驱动件。
15.根据权利要求14所述的发光二极管灯具，其特征在于，该灯座具有一插槽，且该插槽内具有一正极接点与一负极接点，该发光二极管装置包含有该正电极和该负电极的一端插设于该插槽内，且该正电极与该负电极分别与该正极接点与该负极接点电性连接。
16.根据权利要求15所述的发光二极管灯具，其特征在于，还包括一灯罩，套接于该灯座上，使得该发光二极管装置被包覆于该灯罩与该灯座之间。
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