CN104575662B - 用于太阳电池电极的组成物、用其制造的电极及太阳电池 - Google Patents
用于太阳电池电极的组成物、用其制造的电极及太阳电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104575662B CN104575662B CN201410544887.0A CN201410544887A CN104575662B CN 104575662 B CN104575662 B CN 104575662B CN 201410544887 A CN201410544887 A CN 201410544887A CN 104575662 B CN104575662 B CN 104575662B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- oxide
- weight
- silver
- constituent
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 44
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 18
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 8
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JRIGVWDKYXCHMG-UHFFFAOYSA-N (5-arsoroso-2-hydroxyphenyl)azanium;chloride Chemical compound Cl.NC1=CC([As]=O)=CC=C1O JRIGVWDKYXCHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 claims description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 3
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 3
- 102220042174 rs141655687 Human genes 0.000 claims description 3
- 102220043159 rs587780996 Human genes 0.000 claims description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 3
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229950008475 oxophenarsine Drugs 0.000 claims description 2
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims 1
- KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N diarsenic trioxide Chemical compound O1[As](O2)O[As]3O[As]1O[As]2O3 KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 claims 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 stibium oxide Chemical compound 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000326 ultraviolet stabilizing agent Substances 0.000 claims 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 3
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 description 2
- AXPJXWWKFVOKMS-UHFFFAOYSA-N [B]=O.[Bi]=O Chemical compound [B]=O.[Bi]=O AXPJXWWKFVOKMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Inorganic materials O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000411 antimony tetroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(III) oxide Inorganic materials O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N a1010_sial Chemical compound O=[As]O[As]=O IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000010307 cell transformation Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical group O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUGIIBWTNARRSF-UHFFFAOYSA-N decane-5,6-diol Chemical compound CCCCC(O)C(O)CCCC FUGIIBWTNARRSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M dipotassium;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].[K+] FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000320 mechanical mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl chloride Substances ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005829 trimerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种用于太阳电池电极的组成物、使用其制造的电极以及包含所述电极的太阳电池。所述组成物包含导电粉末、玻璃料以及有机媒剂,其中导电粉末包含银粉末和铝粉末,并且银粉末包含以银粉末的总重量计50重量%或大于50重量%的量的平均粒度D50为1.5μm或大于1.5μm的银粒子。所述组成物通过调节银粉末的粒度分布而具有降低的烘烤温度,进而提供较宽范围的最优烘烤温度。使用所述组成物制造的电极具有最小化的串联电阻和接触电阻,进而提供极好的转化效率。
Description
交叉引用
2013年10月21日于韩国智慧产权局申请的韩国专利申请案第10-2013-0125576号以及2014年10月1日于韩国智慧产权局申请的韩国专利申请案第10-2014-0132667号的全文内容以参考方式并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于太阳电池电极的组成物、使用其制造的电极以及包括所述电极的太阳电池。
背景技术
太阳电池使用将日光的光子转化成电力的p-n结的光生伏特效应产生电力。在太阳电池中,分别在具有p-n结的半导体晶片或衬底的上表面和下表面上形成前电极和后电极。随后,通过进入半导体晶片的日光诱发p-n结处的光生伏特效应,并且通过p-n结处的光生伏特效应产生的电子通过电极将电流提供到外部。通过对电极组成物进行涂覆、图案化以及烘烤在晶片上形成太阳电池的电极。
具体地说,用于太阳电池电极的烘烤型组成物的最优烘烤条件取决于晶片的制造过程中的差异(发射极的薄层电阻/厚度、通过等离子体化学气相沉积而沉积的抗反射膜的厚度以及纹理化过程中的表面不规则性)而变化。为了提高平均效率,有必要开发一种具有广泛范围的最优烘烤温度的用于太阳电池电极的组成物。
在制造晶体硅类太阳电池中,最优烘烤温度取决于硅衬底的表面处理、抗反射膜的形成、发射极层的薄层电阻和厚度的不规则性而变化。公认的是最优烘烤温度根据原始晶片的差异的变化增加太阳电池效率的差异,进而引起太阳电池的效率退化。
为了通过使由原始晶片和工艺条件的差异引起的最优烘烤条件的变化最小化来改进太阳电池效率,已进行通过提供广泛范围的烘烤温度的玻璃料的组成设计来寻找解决方案的各种尝试。
发明内容
根据本发明的一个方面,一种用于太阳电池电极的组成物可以包含导电粉末;玻璃料;以及有机媒剂,其中导电粉末包含银(Ag)粉末和铝(Al)粉末,并且银粉末包含以银粉末的总重量计50重量%或大于50重量%的量的平均粒度D50为1.5μm或大于1.5μm的银粒子。
银粉末包含至少两个具有不同平均粒度D50的银粒子群,并且可以通过方程式1计算银粉末的平均粒度D50:
D50={(X1×Y1)+(X2×Y2)+...+(Xn×Yn))/{X1+X2+...+Xn} (1),
在方程式1中,其中
X1为第一银粒子群的含量(重量%),
X2为第二银粒子群的含量(重量%),
Xn为第n银粒子群的含量(重量%),
Y1为第一银粒子群的平均粒度D50,
Y2为第二银粒子群的平均粒度D50,以及
Yn为第n银粒子群的平均粒度D50。
银粉末包含以银粉末的总重量计10重量%或大于10重量%的量的平均粒度D90为2.4μm或大于2.4μm的银粒子,其中通过方程式2计算银粉末的平均粒度D90:
D90={(X1×Z1)+(X2×Z2)+...+(Xn×Zn)}/{X1+X2+...+Xn} (2),
在方程式2中,其中
X1为第一银粒子群的含量(重量%),
X2为第二银粒子群的含量(重量%),
Xn为第n银粒子群的含量(重量%),
Z1为第一银粒子群的平均粒度D90,
Z2为第二银粒子群的平均粒度D90,以及
Zn为第n银粒子群的平均粒度D90。
导电粉末可以包含铝粉末与银粉末的重量比在1∶30到1∶45范围内的铝粉末和银粉末。玻璃料可以是氧化硼-氧化铋(B2O3-Bi2O3)玻璃料或氧化铅-氧化硼-氧化铋(PbO-B2O3-Bi2O3)玻璃料。氧化硼(B2O3)可以1重量%到30重量%的量存在于玻璃料中。
玻璃料可以还包含至少一种从由以下构成的族群中选出的金属氧化物:氧化碲(TeO2)、氧化锂(Li2O)、氧化锌(ZnO)、氧化磷(P2O5)、氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化铈(CeO2)、氧化锶(SrO)、氧化钼(MoO3)、氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化铟(In2O3)、氧化钒(V2O5)、氧化钡(BaO)、氧化镍(NiO)、氧化铜(Cu2O或CuO)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化锑(Sb2O3、Sb2O4或Sb2O5)、氧化锗(GeO2)、氧化镓(Ga2O3)、氧化钙(CaO)、氧化砷(As2O3)、氧化钴(CoO或Co2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化锰(MnO、Mn2O3或Mn3O4)、氧化铝(Al2O3)以及氧化钨(WO3)。
组成物可以包含60重量%到95重量%的导电粉末;0.5重量%到20重量%的玻璃料;以及1重量%到30重量%的有机媒剂。
以组成物的总重量计,玻璃料可以约0.5重量%到约3.5重量%的量存在于组成物中。
玻璃料具有0.1μm到10μm的平均粒度D50。
组成物可以还包含至少一种从由以下构成的族群中选出的添加剂:分散剂、触变剂、塑化剂、粘度稳定剂、消泡剂、颜料、UV稳定剂、抗氧化剂以及耦合剂。
根据本发明的另一个方面,提供一种由用于太阳电池电极的组成物形成的太阳电池电极。
根据本发明的另一个方面,太阳电池包含晶片,其包含p型衬底和p型衬底的一侧上形成的n型发射极;n型发射极上形成的前电极;以及p型衬底的另一侧上形成的后电极,其中前电极由所述用于太阳电池电极的组成物形成。
后电极可以由铝浆形成。
根据本发明的另一个方面,太阳电池包含晶片,此晶片包含n型衬底和n型衬底的表面上形成的p型发射极;p型发射极上形成的前电极;以及n型衬底的另一侧上形成的后电极,其中前电极和后电极中的一或多个由所述用于太阳电池电极的组成物形成。
附图说明
图1为根据本发明的一个实施例的太阳电池的侧视示意图。
具体实施方式
用于太阳电池电极的组成物
根据本发明的实施例的用于太阳电池电极的组成物包含导电粉末;玻璃料;以及有机媒剂,其中导电粉末包含银(Ag)粉末和铝(Al)粉末,并且银粉末包含以银粉末的总重量计50重量%或大于50重量%的量的平均粒度D50为1.5μm或大于1.5μm的银粒子。
如本文所用,平均粒度D10、D50以及D90意味着在累积粒度分布曲线上分别在10%、50%以及90%的体积比下的粒度(直径)。
现在,将更详细地描述根据本发明的用于太阳电池电极的组成物的每种组分。
(A)导电粉末
根据本发明的实施例的用于太阳电池电极的组成物可以包含银(Ag)粉末和铝(Al)粉末作为导电粉末。
银粉末和铝粉末的粒度可以在纳米或微米尺度上。
银粉末可以包含至少两个银粒子群,例如2个到1000个根据粒度分布具有不同粒度的银粒子群。
在一个实施例中,银粉末可以包含以银粉末的总重量计50重量%或大于50重量%(更确切地说50重量%到80重量%)的量的平均粒度D50为1.5μm或大于1.5μm的银粒子。与单独使用银粉末相比,在上文所提及的条件下使用银粉末和铝粉末的混合物可以降低烘烤温度,因为铝粉末为混合物提供低共熔点(eutectic point)。此外,在上文所提及的条件下使用银粉末和铝粉末的混合物可以提供关于通过如下文所描述的玻璃料在抗反射膜上进行蚀刻的程度的可调性,同时使铝在玻璃中的溶解度最大化,进而允许使接触电阻最小化。
在另一个实施例中,银粉末可以包含以银粉末的总重量计50重量%或大于50重量%的量的平均粒度D50为2.4μm或大于2.4μm的银粒子。在此情况下,组成物可以进一步减小接触电阻。
当银粉末包含具有不同平均粒度的第一到第n银粒子群时,可以通过方程式1计算银粉末的平均粒度D50:
D50={(X1×Y1)+(X2×Y2)+...+(Xn×Yn)}/{X1+X2+...+Xn} (1),
其中在方程式1中,
X1为第一银粒子群的含量(重量%),
X2为第二银粒子群的含量(重量%),
Xn为第n银粒子群的含量(重量%),
Y1为第一银粒子群的平均粒度D50,
Y2为第二银粒子群的平均粒度D50,以及
Yn为第n银粒子群的平均粒度D50。
在方程式1中,n可以在2到100,或2到10范围内。确切地说,n可以在2到5范围内。
在另一个实施例中,银粉末可以包含具有2.4μm或大于2.4μm的平均粒度D90的银粒子。在此情况下,具有2.4μm或大于2.4μm的平均粒度D90的银粒子可以按银粉末的总重量计10重量%或大于10重量%(更确切地说10重量%到80重量%)的量存在。
当银粉末包含具有不同平均粒度的第一到第n银粒子群时,可以通过方程式2计算银粉末的平均粒度D90:
D90={(X1×Z1)+(X2×Z2)+...+(Xn×Zn)}/{X1+X2+...+Xn} (2),
其中在方程式2中,
X1为第一银粒子群的含量(重量%),
X2为第二银粒子群的含量(重量%),
Xn为第n银粒子群的含量(重量%),
Z1为第一银粒子群的平均粒度D90,
Z2为第二银粒子群的平均粒度D90,以及
Zn为第n银粒子群的平均粒度D90。
可以在经由超声波处理在25℃下于异丙醇(IPA)中分散导电粉末3分钟之后使用例如型号1064D(西莱斯有限公司(CILAS Co.,Ltd.))测量平均粒度(D50或D90)。
根据本发明的用于太阳电池电极的组成物可以包含以组成物的总重量计60重量%到95重量%的量的导电粉末。在此范围内,组成物可以防止由于电阻增加造成的电极转化效率的退化。在一个实施例中,导电粉末可以70重量%到90重量%的量存在。另外,导电粉末可以包含铝粉末与银粉末的重量比在1∶30到1∶45范围内的铝粉末和银粉末。在此范围内,导电粉末可以根据共熔温度具有较宽范围的最优烘烤温度,进而提供增强的加工特性和最小化的接触电阻。
(B)玻璃料
玻璃料用以通过蚀刻抗反射层和熔化导电粉末增强导电粉末与晶片之间的粘着力和在发射极区域中形成银晶体颗粒,以在用于电极的组成物的烘烤过程期间减小电阻。此外,在烘烤过程期间,玻璃料软化并且降低烘烤温度。
当增加太阳电池的薄层电阻以提高太阳电池转化效率时,可能存在太阳电池的接触电阻增加和电流泄漏的问题。因此,使串联电阻(Rs)和对p-n结的损害最小化同时使开路电压Voc最大化是有利的。另外,由于在越来越多地使用具有不同薄层电阻的各种晶片的情况下,烘烤温度在广泛范围内变化,因此需要玻璃料确保充足热稳定性以耐受广泛范围的烘烤温度。
在一个实施例中,玻璃料可以是氧化硼-氧化铋类(B2O3-Bi2O3)玻璃料,或氧化铅-氧化硼-氧化铋类(PbO-B2O3-Bi2O3)玻璃料。举例来说,氧化硼(B2O3)可以1重量%到30重量%(例如10重量%到25重量%)的量存在于玻璃料中。另外,氧化铋(Bi2O3)可以30重量%到80重量%(例如35重量%到78重量%)的量存在于玻璃料中。在此范围内,玻璃料可以提供极好的转化效率。
在另一个实施例中,玻璃料可以还包含至少一种从由以下构成的族群中选出的金属氧化物:氧化碲(TeO2)、氧化锂(Li2O)、氧化锌(ZnO)、氧化磷(P2O5)、氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化铈(CeO2)、氧化锶(SrO)、氧化钼(MoO3)、氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化铟(In2O3)、氧化钒(V2O5)、氧化钡(BaO)、氧化镍(NiO)、氧化铜(Cu2O或CuO)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化锑(Sb2O3、Sb2O4或Sb2O5)、氧化锗(GeO2)、氧化镓(Ga2O3)、氧化钙(CaO)、氧化砷(As2O3)、氧化钴(CoO或Co2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化锰(MnO、Mn2O3或Mn3O4)、氧化铝(Al2O3)以及氧化钨(WO3)。
可以通过所属领域中已知的任何典型方法从前述金属氧化物制备玻璃料。举例来说,金属氧化物可以预定比率混合。可以使用球磨机或行星式磨机进行混合。混合物在900℃到1300℃下熔化,接着淬火到25℃。使用盘磨机、行星式磨机等对获得的所得物进行粉碎,进而制备玻璃料。
玻璃料可以具有0.1μm到10μm的平均粒度D50,并且具有球形或非晶形形状。
玻璃料可以按组成物的总重量计0.5重量%到20重量%(例如0.5重量%到3.5重量%)的量存在。
(C)有机媒剂
有机媒剂通过与用于太阳电池电极的组成物的无机组分机械混合而赋予组成物以合适的粘度和关于印刷的流变特征。
有机媒剂可以是任何在用于太阳电池电极的组合物中使用的典型有机媒剂,并且可以包含粘合剂树脂、溶剂等。
粘合剂树脂可以由丙烯酸酯树脂或纤维素树脂选出。乙基纤维素一般用作粘合剂树脂。另外,粘合剂树脂可以由乙基羟乙基纤维素、硝化纤维素、乙基纤维素与酚树脂的掺合物、醇酸树脂、酚树脂、丙烯酸酯树脂、二甲苯树脂、聚丁烷树脂、聚酯树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、乙酸乙烯酯树脂、木松香、醇的聚甲基丙烯酸酯等选出。
溶剂可以从由(例如)以下构成的族群中选出:己烷、甲苯、乙基溶纤剂(乙二醇单乙醚)、环己酮、丁基溶纤剂(乙二醇单丁醚)、丁基卡必醇(二乙二醇单丁醚)、二丁基卡比醇(二乙二醇二丁醚)、丁基卡必醇乙酸酯(二乙二醇单丁醚乙酸酯)、丙二醇单甲醚、己二醇、松油醇、甲基乙基酮、苯甲醇、γ-丁内酯、乳酸乙酯以及其组合。
有机媒剂可以按组成物的总重量计1重量%到30重量%(例如5重量%到15重量%)的量存在。在此范围内,有机媒剂可以为组成物提供充足胶粘强度和极好的可印刷性。
(D)添加剂
组成物可以根据需要还包含典型添加剂以增强流动特性、加工特性以及稳定性。添加剂可以包含分散剂、触变剂、塑化剂、粘度稳定剂、消泡剂、颜料、UV稳定剂、抗氧化剂以及耦合剂,但不限于此。可以单独或以其混合物形式使用这些添加剂。这些添加剂可以0.1重量%到5重量%的量存在于组成物中,但不限于此。
太阳电池电极和包含其的太阳电池
本发明的其他方面涉及由用于太阳电池电极的组成物形成的电极和包含其的太阳电池。
在一个实施例中,太阳电池包含晶片,此晶片包含p型衬底和p型衬底的表面上形成的n型发射极;n型发射极上形成的前电极;以及p型衬底的另一侧上形成的后电极,其中前电极可以由所述用于太阳电池电极的组成物形成,并且后电极可以由铝浆形成。n型发射极可以通过将V族元素(如锑(Sb)、砷(As)、磷(P)等)的杂质掺杂到p型衬底的表面上来形成。
参看图1,前电极(P+电极)230可以通过在包含p型衬底101和n型发射极102的晶片100上印刷和烘烤组成物来形成,并且后电极210可以通过在晶片的后侧上涂覆和烘烤铝浆来形成。
在另一个实施例中,太阳电池包含晶片,此晶片包含n型衬底和n型衬底的表面上形成的p型发射极;p型发射极上形成的前电极;以及n型衬底的另一侧上形成的后电极,其中前电极和后电极中的至少一个由用于太阳电池电极的组成物形成。p型发射极可以通过将3族元素(如硼(B)、镓(Ga)或铟(In))的杂质掺杂到n型衬底的表面上来形成。
再次参看图1,后电极210和前电极(N+电极)230可以通过在包含n型衬底101和p型发射极102的晶片100上印刷和烘烤组成物来形成。举例来说,可以通过在晶片100的后侧上印刷所述用于太阳电池电极的组成物和在200℃到400℃下干燥印刷的组成物10秒到60秒来进行制备后电极210的初步过程。此外,可以通过在晶片的前表面上印刷所述用于太阳电池电极的组成物和干燥印刷的组成物来进行制备前电极230的初步过程。
随后,可以通过在400℃到850℃(例如600℃到750℃)(基于测量温度)下烘烤晶片30秒到60秒来形成前电极230和后电极210。
接下来,将参考实例更详细地描述本发明。但是,应注意提供这些实例仅为了说明,且不应以任何方式理解为限制本发明。
实例
实例中的组成物
(A1)银粉末
使用具有如表1中所列的粒度分布的银粉末。
表1
(A2)铝粉末
使用具有4.6μm的平均粒度D50的铝粉末(远洋有限公司(Yuanyang Co.,Ltd.))。
(B)玻璃料
使用具有如表2中所列的组成的玻璃料。
表2
(C1)有机媒剂(粘合剂)
使用乙基纤维素(STD4,陶氏化学公司(Dow Chemical Company))。
(C2)有机媒剂(溶剂)
使用丁基卡必醇。
实例1到实例4和比较实例1到比较实例2
在60℃下将作为有机粘合剂的乙基纤维素(STD4,陶氏化学公司)充分地溶解于丁基卡必醇中,并且将如表1中所列的银粉末(AG-4-8,多瓦高科技有限公司(Dowa HightechCo.,Ltd))、铝粉末以及表2中的具有2μm的平均粒度D50的玻璃料以如表3中所列的量添加到粘合剂溶液中,接着在3-辊捏合机中混合和捏合,进而制备一种用于太阳电池电极的组成物。
为了实现P+电极的接触电阻,将铝浆涂覆于掺杂有POCl3的p型衬底(80Ω,单晶形式)的后侧,接着印刷和干燥。另外,将实例和比较实例中制备的用于太阳电池电极的组成物在衬底的前侧上以50μm宽度和325筛目进行印刷并且随后干燥,接着在BTU干燥烘箱(设定温度:820℃)中的6个区中以250ipm的带速烘烤。
为了实现N+电极的接触电阻,将根据实例和比较实例制备的用于太阳电池电极的组成物在掺杂有硼的n型衬底(70Ω,单晶形式)的前侧上以50μm宽度和325筛目进行印刷,并且随后干燥,接着在BTU干燥烘箱(设定温度:900℃)中的6个区中以250ipm的带速烘烤。另外,将实例和比较实例中制备的用于电极的组成物以与上文相同的方式在衬底的后侧上进行印刷和干燥。随后,使用激光划线器将所得电池切割成6mm宽和60mm长的碎片,接着测量碎片的接触电阻。
使用太阳电池效率测试仪CT-801(帕山有限公司(Pasan Co.,Ltd.))评估根据此程序形成的电池的串联电阻(Rs)和转化效率(%),并且使用4点探针(南士科技有限公司(NS Tech Co.,Ltd.))评估其接触电阻(Rc)。结果显示在表3中。
表3
如表3中所示,确定与使用具有小于1.5μm的平均粒度D50的银粒子制备的比较实例1到比较实例2的太阳电池电极相比,使用实例1到实例4的组成物制造的太阳电池电极(其使用以银粉末的总重量计50重量%或大于50重量%的量的平均粒度D50为1.5μm或大于1.5μm的银粒子制备)具有低串联电阻和接触电阻,进而提供极好的转化效率。另外,确定使用比较实例2中制备的组成物制造的太阳电池电极(其中氧化硼以大于30重量%的量存在于玻璃料中)具有高串联电阻和接触电阻,进而引起转化效率的退化。
应理解,所属领域的技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下进行各种修改、变化、更改和等效实施例。
Claims (12)
1.一种用于太阳电池电极的组成物,包括:导电粉末;玻璃料;以及有机媒剂,其中所述导电粉末包括银粉末和铝粉末,所述银粉末包括以所述银粉末的总重量计50重量%或大于50重量%的量的平均粒度D50为1.5μm或大于1.5μm的银粒子,
其中所述导电粉末包括所述铝粉末与所述银粉末的重量比在1:30到1:45范围内的所述铝粉末和所述银粉末。
2.根据权利要求1所述的用于太阳电池电极的组成物,其中所述银粉末包括至少两个具有不同平均粒度D50的银粒子群,并且通过方程式1计算,具有1.5μm或大于1.5μm的平均粒度D50:
D50={(X1×Y1)+(X2×Y2)+…+(Xn×Yn)}/{X1+X2+…+Xn} (1),
在方程式1中,其中
X1为第一银粒子群的重量%含量,
X2为第二银粒子群的重量%含量,
Xn为第n银粒子群的重量%含量,
Y1为所述第一银粒子群的平均粒度D50,
Y2为所述第二银粒子群的平均粒度D50,以及
Yn为所述第n银粒子群的平均粒度D50。
3.根据权利要求2所述的用于太阳电池电极的组成物,其中所述银粉末包括以所述银粉末的总重量计10重量%或大于10重量%的量的平均粒度D90为2.4μm或大于2.4μm的银粒子,所述平均粒度D90通过方程式2计算:
D90={(X1×Z1)+(X2×Z2)+…+(Xn×Zn)}/{X1+X2+…+Xn} (2),
在方程式2中,其中
X1为所述第一银粒子群的重量%含量,
X2为所述第二银粒子群的重量%含量,
Xn为所述第n银粒子群的重量%含量,
Z1为所述第一银粒子群的平均粒度D90,
Z2为所述第二银粒子群的平均粒度D90,以及
Zn为所述第n银粒子群的平均粒度D90。
4.根据权利要求1所述的用于太阳电池电极的组成物,其中所述玻璃料为氧化硼-氧化铋玻璃料或氧化铅-氧化硼-氧化铋玻璃料,所述氧化硼以1重量%到30重量%的量存在于所述玻璃料中。
5.根据权利要求4所述的用于太阳电池电极的组成物,其中所述玻璃料还包括至少一种从由以下构成的族群中选出的金属氧化物:氧化碲、氧化锂、氧化锌、氧化磷、氧化硅、氧化镁、氧化铈、氧化锶、氧化钼、氧化钛、氧化锡、氧化铟、氧化钒、氧化钡、氧化镍、氧化铜、氧化钠、氧化钾、氧化锑、氧化锗、氧化镓、氧化钙、氧化砷、氧化钴、氧化锆、氧化锰、氧化铝以及氧化钨。
6.根据权利要求1所述的用于太阳电池电极的组成物,包括:60重量%到95重量%的所述导电粉末;0.5重量%到20重量%的所述玻璃料;以及1重量%到30重量%的所述有机媒剂。
7.根据权利要求1所述的用于太阳电池电极的组成物,其中所述玻璃料以按所述组成物的总重量计0.5重量%到3.5重量%的量存在。
8.根据权利要求1所述的用于太阳电池电极的组成物,其中所述玻璃料具有0.1μm到10μm的平均粒度D50。
9.根据权利要求1所述的用于太阳电池电极的组成物,还包括:
从由分散剂、触变剂、塑化剂、粘度稳定剂、消泡剂、颜料、紫外线稳定剂、抗氧化剂以及耦合剂构成的族群中选出的至少一个。
10.一种太阳电池电极,由根据权利要求1所述的用于太阳电池电极的组成物制备。
11.一种太阳电池,包括:
包括p型衬底和所述p型衬底的一侧上形成的n型发射极的晶片;
所述n型发射极上形成的前电极;以及
所述p型衬底的另一侧上形成的后电极,
其中所述前电极由根据权利要求1所述的用于太阳电池电极的组成物形成。
12.一种太阳电池,包括:
包括n型衬底和所述n型衬底的一侧上形成的p型发射极的晶片;
所述p型发射极上形成的前电极;以及
所述n型衬底的另一侧上形成的后电极,
其中所述前电极和所述后电极中的至少一个由根据权利要求1所述的用于太阳电池电极的组成物形成。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0125576 | 2013-10-21 | ||
KR20130125576A KR20150045831A (ko) | 2013-10-21 | 2013-10-21 | 태양전지 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 태양전지 |
KR1020140132667A KR20160014503A (ko) | 2013-10-21 | 2014-10-01 | 태양전지 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 태양전지 |
KR10-2014-0132667 | 2014-10-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104575662A CN104575662A (zh) | 2015-04-29 |
CN104575662B true CN104575662B (zh) | 2017-04-12 |
Family
ID=52825106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410544887.0A Active CN104575662B (zh) | 2013-10-21 | 2014-10-15 | 用于太阳电池电极的组成物、用其制造的电极及太阳电池 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9666731B2 (zh) |
CN (1) | CN104575662B (zh) |
TW (1) | TWI660369B (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101716549B1 (ko) * | 2014-11-19 | 2017-03-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
WO2016193209A1 (en) * | 2015-06-02 | 2016-12-08 | Basf Se | Conductive paste and process for forming an electrode on a p-type emitter on an n-type base semiconductor substrate |
GB201601034D0 (en) | 2016-01-20 | 2016-03-02 | Johnson Matthey Plc | Conductive paste,electrode and solar cell |
CN110379868A (zh) * | 2016-01-29 | 2019-10-25 | 亚特比目株式会社 | 太阳电池及太阳电池的制造方法 |
CN108604610A (zh) * | 2016-02-03 | 2018-09-28 | 三菱电机株式会社 | 太阳能电池模块及其制造方法 |
CN106067331B (zh) * | 2016-08-11 | 2017-08-01 | 海宁市瑞银科技有限公司 | 一种太阳能背钝化perc电池背电极用银浆 |
KR20190045758A (ko) * | 2017-10-24 | 2019-05-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
CN108529888A (zh) * | 2018-04-02 | 2018-09-14 | 海宁市丁桥镇永畅知识产权服务部 | 耐高温铝浆用玻璃粉的制备方法 |
CN112673435B (zh) * | 2018-09-07 | 2023-01-06 | 福禄公司 | 用于氮化硅和其他基底的导电厚膜浆料 |
KR102284981B1 (ko) * | 2018-10-17 | 2021-08-03 | 창저우 퓨전 뉴 머티리얼 씨오. 엘티디. | 나노텍스쳐링 기판 함유 태양 전지의 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 이로부터 제조된 전극을 포함하는 태양 전지 |
CN109411560A (zh) * | 2018-11-02 | 2019-03-01 | 无锡帝科电子材料股份有限公司 | 太阳能电池片、太阳能电池及用于制备太阳能电池电极的组合物 |
TWI687941B (zh) * | 2019-01-14 | 2020-03-11 | 磐采股份有限公司 | 導電膠及應用該導電膠之太陽能電池 |
CN111243777B (zh) * | 2020-03-03 | 2020-12-08 | 深圳市利红金科技有限公司 | 一种复合型导电粉及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102403047A (zh) * | 2010-09-15 | 2012-04-04 | 第一毛织株式会社 | 太阳能电池电极用浆料和使用其的电极及太阳能电池 |
CN103137240A (zh) * | 2011-12-02 | 2013-06-05 | 第一毛织株式会社 | 用于太阳能电池电极的膏糊组合物、用该组合物制备的电极、以及包括该电极的太阳能电池 |
CN103137242A (zh) * | 2011-11-25 | 2013-06-05 | 第一毛织株式会社 | 用于太阳能电池电极的糊剂组合物及使用其制造的电极 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7494607B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-02-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom |
JP5713525B2 (ja) | 2008-09-30 | 2015-05-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性インク組成物及び該組成物を用いた太陽電池セル及び太陽電池モジュールの製造方法 |
US20110048527A1 (en) | 2009-08-25 | 2011-03-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Silver thick film paste compositions and their use in conductors for photovoltaic cells |
US8562872B2 (en) | 2010-09-15 | 2013-10-22 | Cheil Industries, Inc. | Paste for solar cell electrode and solar cell prepared using the same |
KR101344214B1 (ko) | 2011-01-19 | 2013-12-23 | 한국화학연구원 | 나노사이즈 유리 프릿을 포함하는 실리콘 태양전지 전극 형성용 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 태양전지 제조방법 |
US20120255605A1 (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing solar cell electrode |
KR20130013993A (ko) | 2011-07-29 | 2013-02-06 | 주식회사 동진쎄미켐 | 저온경화형 태양전지용 전극 조성물 및 이를 이용한 태양전지 모듈 |
KR101447271B1 (ko) * | 2011-12-02 | 2014-10-07 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극용 페이스트 조성물, 이를 이용하여 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지 |
US20130186463A1 (en) | 2011-12-06 | 2013-07-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive silver paste for a metal-wrap-through silicon solar cell |
EP2749545B1 (en) * | 2012-12-28 | 2018-10-03 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Binary glass frits used in N-Type solar cell production |
-
2014
- 2014-10-09 US US14/510,276 patent/US9666731B2/en active Active
- 2014-10-15 CN CN201410544887.0A patent/CN104575662B/zh active Active
- 2014-10-21 TW TW103136220A patent/TWI660369B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102403047A (zh) * | 2010-09-15 | 2012-04-04 | 第一毛织株式会社 | 太阳能电池电极用浆料和使用其的电极及太阳能电池 |
CN103137242A (zh) * | 2011-11-25 | 2013-06-05 | 第一毛织株式会社 | 用于太阳能电池电极的糊剂组合物及使用其制造的电极 |
CN103137240A (zh) * | 2011-12-02 | 2013-06-05 | 第一毛织株式会社 | 用于太阳能电池电极的膏糊组合物、用该组合物制备的电极、以及包括该电极的太阳能电池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI660369B (zh) | 2019-05-21 |
CN104575662A (zh) | 2015-04-29 |
US9666731B2 (en) | 2017-05-30 |
TW201521041A (zh) | 2015-06-01 |
US20150107664A1 (en) | 2015-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104575662B (zh) | 用于太阳电池电极的组成物、用其制造的电极及太阳电池 | |
KR101587683B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
CN104715804B (zh) | 用于太阳能电池电极的组合物以及使用其制造的电极 | |
JP2016127276A (ja) | 太陽電池電極形成用組成物およびこれを用いて製造された電極 | |
TWI525843B (zh) | 太陽電池電極用組成物及使用其製造的電極 | |
KR20150045831A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 태양전지 | |
KR20140092489A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
KR101590224B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
KR20190058113A (ko) | 유리프릿, 이를 포함하는 perc 태양전지 전극 형성용 페이스트, 및 perc 태양전지 전극 | |
CN111048601B (zh) | 太阳能电池电极与其制备方法以及包含其的太阳能电池 | |
CN111354803B (zh) | 用于形成太阳能电池电极的方法及太阳能电池 | |
CN109935641B (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组成物和使用其制备的电极 | |
KR102171405B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
CN113450941A (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组合物及由其形成的太阳能电池电极 | |
KR101961946B1 (ko) | 유리프릿, 이를 포함하는 perc 태양전지 전극 형성용 페이스트, 및 perc 태양전지 전극 | |
TWI663739B (zh) | 用於太陽電池電極的組成物及使用其製作的太陽電池電極 | |
CN110797134B (zh) | 用于太阳能电池电极的组合物以及太阳能电池 | |
TWI731243B (zh) | 用於形成太陽能電池電極的組成物和使用其製備的電極 | |
CN109308950B (zh) | 用于太阳电池电极的组合物及使用其制备的太阳电池电极 | |
KR101582374B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
KR20210121342A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물, 선택적 에미터 태양전지 전극 및 선택적 에미터 태양전지 | |
KR20200094555A (ko) | 태양전지 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 태양전지 전극 및 태양전지 | |
KR20200075682A (ko) | Dsw 기반의 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 dsw 기반의 태양전지 전극 | |
KR20210069788A (ko) | 선택적 에미터 태양전지 전극 및 이를 포함한 선택적 에미터 태양전지 | |
KR20190010343A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210303 Address after: 88 Xinzhu 2nd Road, Xinbei District, Changzhou City, Jiangsu Province Patentee after: CHANGZHOU JUHE NEW MATERIAL Co.,Ltd. Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin Giheung tribute District Road No. 150-20 Patentee before: Samsung SDI Co.,Ltd. |